CN209072456U - 一种多模式的onfi训练电路 - Google Patents

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孔亮
刘亚东
庄志青
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Canxin Semiconductor Shanghai Co ltd
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BRITE SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) Corp
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Abstract

本实用新型公开了一种多模式的ONFI训练电路，包括：p组第一PMOS管、p组第二PMOS管和b组NMOS管，p、b为正整数，各第一PMOS管的源极接电源VDDIO，漏极接第一比较器的反相输入端，栅极接第一比较器的输出端；第一比较器的同相输入端接参考信号VREF；各第一PMOS管的漏极通过电阻接地VSSIO；各第二PMOS管的源极接电源VDDIO，漏极接第二比较器的反相输入端，栅极接第一比较器的输出端；第二比较器的同相输入端接参考信号VREF；各NMOS管的漏极连接第二比较器的反相输入端，源极接地VSSIO，栅极接第二比较器的输出端。本实用新型实现单个cmos管宽度尺寸要足够大的同时，阻抗训练步长足够小。

Description

一种多模式的ONFI训练电路
技术领域
本实用新型涉及ONFI(Open NAND Flash Interface Specification)训练电路。
背景技术
在ONFI接口电路中，主驱动单元的cmos(互补金属氧化物半导体)管既要做阻抗训练，也要考虑到ESD(静电释放)，阻抗训练要求步长足够小，即单个cmos管宽度尺寸要足够小(例如1微米，0.5微米)，而ESD则要求单个cmos管宽度尺寸要足够大(例如15微米)，成为设计上的矛盾之处。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多模式的ONFI训练电路，实现单个cmos管宽度尺寸要足够大的同时，阻抗训练步长足够小。
实现上述目的的技术方案是：
一种多模式的ONFI训练电路，包括：p组第一PMOS管(P型金属氧化物半导体场效应管)、p组第二PMOS管和b组NMOS管(N型金属氧化物半导体场效应管)，p、b为正整数，其中，
各第一PMOS管的源极接电源VDDIO，漏极接第一比较器的反相输入端，栅极接第一比较器的输出端；
第一比较器的同相输入端接参考信号VREF；
各第一PMOS管的漏极通过电阻接地VSSIO；
各第二PMOS管的源极接电源VDDIO，漏极接第二比较器的反相输入端，栅极接第一比较器的输出端；
第二比较器的同相输入端接参考信号VREF；
各NMOS管的漏极连接第二比较器的反相输入端，源极接地VSSIO，栅极接第二比较器的输出端。
优选的，第一PMOS管和第二PMOS管的各自宽度尺寸为0.1um-10um。
优选的，P组第一PMOS管的整体阻值、所述电阻以及b组NMOS管的整体阻值相等。
优选的，所述电阻的阻值为240欧姆。
本实用新型的有益效果是：本实用新型通过阻抗训练算法的改进，即实现了ESD上单个cmos管宽度尺寸足够长(不小于15微米)的要求，同时实现了阻抗训练步长足够小的要求。
附图说明
图1是本实用新型的ONFI训练电路的电路图；
图2是实用新型中主驱动单元单个cmos管的连接示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
请参阅图1，本实用新型的多模式的ONFI训练电路，包括：p组第一PMOS管(P型金属氧化物半导体场效应管)PM1、p组第二PMOS管PM2和b组NMOS管(N型金属氧化物半导体场效应管)NM1，p、b为正整数。
各第一PMOS管PM1的源极接电源VDDIO，漏极接第一比较器U1的反相输入端，栅极接第一比较器U1的输出端。第一比较器U1的同相输入端接参考信号VREF。
各第一PMOS管PM1的漏极通过电阻R240接地VSSIO。本实施例中，电阻R240的阻值240欧姆。
各第二PMOS管PM2的源极接电源VDDIO，漏极接第二比较器U2的反相输入端，栅极接第一比较器U1的输出端。第二比较器U2的同相输入端接参考信号VREF。
各NMOS管NM1的漏极连接第二比较器U2的反相输入端，源极接地VSSIO，栅极接第二比较器U2的输出端。
第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2为宽度尺寸很小的pmos管(例如0.1um-10um)。NMOS管NM1为宽度尺寸很小的nmos管(例如尺寸0.1um-10um)。P组第一PMOS管PM1经第一比较器U1与电阻R240进行阻值比较，步长1um，产生数字信号Pbus<p:0>，即P组第一PMOS管PM1的整体阻值240欧姆。同理，NMOS管NM1数量为b时，产生数字信号Nbus<b:0>，整体阻值为240欧姆。与电阻R240的阻值相等。
ONFI主驱动单元阻值要求通常为34欧姆或20欧姆等，以34欧姆为例，计算出与240的比值A，此处为1:7，则主驱动单元要求的经过训练的宽度尺寸即为p*A或b*A。
如图2所示，受限于ESD，主驱动单元单个cmos管PM0、NM0的尺寸为16微米，分别为m，n组，m、n为正整数。则cmos管PM0需要开启的数量为p*A/16，同理cmos管NM0需要开启的数量为b*A/16。进一步通过四舍五入来提高精度，则cmos管PM0需要开启的数量为(p*A+8)/16，cmos管NM0需要开启的数量为(b*A+8)/16。经与前级传输来的数据做逻辑，即可主驱动单元开关。图中，Data、Pbus<m:0>和Nbus<n:0>表示各数字信号。
以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求所限定。

Claims (4)

1.一种多模式的ONFI训练电路，其特征在于，包括：p组第一PMOS管、p组第二PMOS管和b组NMOS管，p、b为正整数，其中，
各第一PMOS管的源极接电源VDDIO，漏极接第一比较器的反相输入端，栅极接第一比较器的输出端；
第一比较器的同相输入端接参考信号VREF；
各第一PMOS管的漏极通过电阻接地VSSIO；
各第二PMOS管的源极接电源VDDIO，漏极接第二比较器的反相输入端，栅极接第一比较器的输出端；
第二比较器的同相输入端接参考信号VREF；
各NMOS管的漏极连接第二比较器的反相输入端，源极接地VSSIO，栅极接第二比较器的输出端。
2.根据权利要求1所述的多模式的ONFI训练电路，其特征在于，第一PMOS管和第二PMOS管的各自宽度尺寸为0.1um-10um。
3.根据权利要求1所述的多模式的ONFI训练电路，其特征在于，P组第一PMOS管的整体阻值、所述电阻以及b组NMOS管的整体阻值相等。
4.根据权利要求3所述的多模式的ONFI训练电路，其特征在于，所述电阻的阻值为240欧姆。
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