CN209071312U - 一种超薄pcb基板的封装结构 - Google Patents
一种超薄pcb基板的封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209071312U CN209071312U CN201821892387.6U CN201821892387U CN209071312U CN 209071312 U CN209071312 U CN 209071312U CN 201821892387 U CN201821892387 U CN 201821892387U CN 209071312 U CN209071312 U CN 209071312U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- copper foil
- copper
- ultra
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种超薄PCB基板的封装结构，其包括超薄封装基板、晶圆芯片以及绝缘材料层，该超薄封装基板底面上设置有黏着层，该黏着层下方连接有可分离铜箔层，该可分离铜箔层包括铜箔层、剥离层以及载体铜层，其中，该载体铜层设置在该剥离层底面上，该铜箔层设置在该剥离层顶面上，半固化片连接在该可分离铜箔层的该载体铜层底面上。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种PCB基板的封装结构，特别是指一种在生产超薄PCB线路板时采用临时键合的方法进行生产的结构。
背景技术
自从封装工艺问世以来，由于其高可靠性、便捷性、易操作性等，其所应用范围已经越来越广泛，且随着对芯片散热的要求越来越高，封装则越薄越好。具体而言，封装基板逐步朝向超薄及小型密集化的方向发展，对于基板封装工艺而言，如何提高超薄基板的封装能力成为了相当重要的议题。
为了提高封装基板的散热能力，如图1所示，通常通过降低封装基板的厚度来提高封装后的基板散热能力，即降低封装基板11的厚度，在此基础上，封装晶圆12的热烈能够较快捷的通过封装基板传导出去，进而起到良好的散热作用。然而，在此结构中，由于封装基板11的厚度降低，其对应的硬度、承载力均明显下降，由此带来的封装难度不断增大，对于超薄封装基板再采用传统封装工艺加工时则无法进行加工，同时良品率直线下降，以至无法量产。
另外，由于超薄基板的硬度、承载力不足，在封装前的晶圆与超薄基板bonding焊接的过程中，焊接良率过低，bonding拉力不足问题都限制了超薄基板采用传统封装工艺量产化的进程。因此，在封装工艺中，超薄基板的封装工艺迟迟未进行量产化作业生产，而此是为传统技术的主要缺点。
实用新型内容
本实用新型提供一种超薄PCB基板的封装结构，其包括超薄基板、黏着层、可分离铜箔及载体。超薄基板为已完成所有电路板所需工艺的待封装超薄电路板，此电路板具有所有封装工艺所需的顶面、相对于顶面的底表面、所需电路图形、所需绝缘防焊层油墨及用于各层电路之间导通的过孔或盲埋孔。黏着层为产业界熟知的可作为超薄基板与可分离铜箔的黏合剂，具有易于涂覆、涂覆均匀性良好、易于退洗的特性。可分离铜箔为业界已熟知的铜箔，具有易于剥离，无其他品质隐患的特性，较易于采购，品质稳定。载体为传统多层电路板压合常规半固化片经高温高压压合而形成，起到增强载体硬度、厚度、易操作的作用。
本实用新型所采用的技术方案为：一种超薄PCB基板的封装结构，其包括超薄封装基板、晶圆芯片以及绝缘材料层，其中，该晶圆芯片设置在该超薄封装基板顶面上，该绝缘材料层盖设在该超薄封装基板上方，该晶圆芯片嵌设在该绝缘材料层中。
该超薄封装基板底面上设置有黏着层，该黏着层下方连接有可分离铜箔层，该可分离铜箔层包括铜箔层、剥离层以及载体铜层，其中，该载体铜层设置在该剥离层底面上，该铜箔层设置在该剥离层顶面上，半固化片连接在该可分离铜箔层的该载体铜层底面上。
本实用新型的有益效果为：通过本实用新型的临时键合结构，键合后超薄封装基板能够达到常规封装基板封装前所需厚度、硬度、平整性的要求。在焊接时，由于超薄基板硬度、厚度、平整性的增加，焊接稳定性、焊接良率均得以改善和提高，避免了虚焊和焊接不良现象的发生，提高了良品率。同时，得益于超薄基板硬度、厚度、平整性的增加，再采用常规的工艺参数和条件进行封装时，能够顺利完成封装，解决了超薄基板封装难以实现的难题。
由此可见，原本超薄基板无法进行常规的封装的难题，通过本实用新型技术增加一个临时的键合方法之后，顺利的实现了超薄基板的封装操作。此操作相对较容易实现，控制难点较少，所需工艺材料均有成熟物料，易于取得，适合量产工艺的推广。
附图说明
图1为现有技术的工作示意图。
图2为本实用新型设置可分离铜箔层、半固化片的示意图。
图3为本实用新型剥离可分离铜箔层、半固化片的示意图。
图4为本实用新型基板封装结构的示意图。
具体实施方式
如图1至4所示，一种超薄PCB基板的封装结构，其包括超薄封装基板5、晶圆芯片8以及绝缘材料层7，其中，该晶圆芯片8设置在该超薄封装基板5顶面上，该绝缘材料层7盖设在该超薄封装基板5上方，该晶圆芯片8嵌设在该绝缘材料层7中。
该超薄封装基板5底面上设置有黏着层4，该黏着层4下方连接有可分离铜箔层100。
该可分离铜箔层100包括铜箔层1、剥离层2以及载体铜层3，其中，该载体铜层3设置在该剥离层2底面上，该铜箔层1设置在该剥离层2顶面上，半固化片6连接在该可分离铜箔层100的该载体铜层3底面上。
在具体实施的时候，该铜箔层1的厚度控制在3-5um，该载体铜层3的厚度控制在17-19um，该载体铜层3的厚度优选18um。
该剥离层2由黏合剂、黏合胶等材料制成。
在具体实施的时候，该半固化片6与该可分离铜箔层100压合在一起，两者形成一可分离载体。
该半固化片6由BT材质的树脂材料制成，但是实际操作中不仅限于此材料，类似的高TG材质、FR4等材质的半固化片均可以用于制成该半固化片6。
将该可分离铜箔层100与该半固化片6经高温高压压合后形成一个整体，使其具有硬度高、易剥离、平整性好的特性，共同作为超薄基板的封装的临时键合载体，以增强超薄基板的承压能力与可操作性。
在具体实施的时候，该黏着层4的厚度为10±2um。
实践中，可以在该黏着层4顶面以及该超薄封装基板5底面上设置隔离缓冲层，之后进行贴合以防止基板受到擦花等异常损伤，同时确保基板各处受力均匀一致。
该隔离缓冲层可以由PET膜或者哑光离型膜制成。
在具体生产的时候，首先剥离该剥离层2，将该剥离层2、该载体铜层3以及该半固化片6整体剥离下来，同时将该铜箔层1裸露在外，而后，利用碱性蚀刻药水去除该铜箔层1，最后，清洗去除该黏着层4，得到成品。
如上所述，根据本实用新型的超薄基板封装的临时键合结构通过以上流程得以顺利实施，能够很好的解决了超薄基板封装时打线不良和封装不良的异常，使原本无法实现的超薄基板封装难题得以实现。
Claims (4)
1.一种超薄PCB基板的封装结构，其包括超薄封装基板、晶圆芯片以及绝缘材料层，其中，该晶圆芯片设置在该超薄封装基板顶面上，该绝缘材料层盖设在该超薄封装基板上方，该晶圆芯片嵌设在该绝缘材料层中，其特征在于：
该超薄封装基板底面上设置有黏着层，该黏着层下方连接有可分离铜箔层，该可分离铜箔层包括铜箔层、剥离层以及载体铜层，其中，该载体铜层设置在该剥离层底面上，该铜箔层设置在该剥离层顶面上，半固化片连接在该可分离铜箔层的该载体铜层底面上。
2.如权利要求1所述的一种超薄PCB基板的封装结构，其特征在于：该铜箔层的厚度为3-5um，该载体铜层的厚度为17-19um。
3.如权利要求1所述的一种超薄PCB基板的封装结构，其特征在于：该黏着层的厚度为10±2um。
4.如权利要求1所述的一种超薄PCB基板的封装结构，其特征在于：该黏着层顶面以及该超薄封装基板底面上设置隔离缓冲层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821892387.6U CN209071312U (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种超薄pcb基板的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821892387.6U CN209071312U (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种超薄pcb基板的封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209071312U true CN209071312U (zh) | 2019-07-05 |
Family
ID=67099436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821892387.6U Active CN209071312U (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种超薄pcb基板的封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209071312U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109346432A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-15 | 深圳市和美精艺科技有限公司 | 一种超薄pcb基板的封装方法及其结构 |
-
2018
- 2018-11-16 CN CN201821892387.6U patent/CN209071312U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109346432A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-15 | 深圳市和美精艺科技有限公司 | 一种超薄pcb基板的封装方法及其结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106409688B (zh) | 一种超薄无芯封装基板的加工方法和结构 | |
| CN102629604B (zh) | 一种bt基板的悬梁式ic芯片堆叠封装件及其生产方法 | |
| CN102569272B (zh) | 一种基板的多层隔片式ic芯片堆叠封装件及其生产方法 | |
| CN106128965A (zh) | 一种无基板封装器件的制作方法 | |
| TW201320276A (zh) | 封裝基板及其製法 | |
| CN102376678B (zh) | 芯片尺寸封装件的制法 | |
| CN209071312U (zh) | 一种超薄pcb基板的封装结构 | |
| CN104183567B (zh) | 薄型封装基板及其制作工艺 | |
| CN109023277B (zh) | 一种bga封装电子产品的磁控溅射方法 | |
| KR101493340B1 (ko) | 땜납 전사기재, 땜납 전사기재의 제조방법 및 땜납 전사방법 | |
| US20120244662A1 (en) | Board on chip package substrate and manufacturing method thereof | |
| JP6196893B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2011187912A (ja) | 電子素子内蔵型印刷回路基板及びその製造方法 | |
| CN104981102B (zh) | 一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法 | |
| CN207183254U (zh) | 一种提高bga产品可靠性的封装结构 | |
| CN104091878B (zh) | 一种免封装led光源模组的制备方法 | |
| CN106229309B (zh) | 封装基板及其制造方法 | |
| CN109346432A (zh) | 一种超薄pcb基板的封装方法及其结构 | |
| US20110126970A1 (en) | Metallic laminate and manufacturing method of core substrate using the same | |
| CN101807532B (zh) | 一种超薄芯片的倒装式封装方法以及封装体 | |
| CN104538314B (zh) | 三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板 | |
| CN209544338U (zh) | 一种封装载板及封装体 | |
| JP2011077436A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| CN105163522A (zh) | 软硬结合板软板间使用不同材料的介质层压合生产工艺 | |
| CN220065670U (zh) | 一种芯片堆叠支撑结构以及芯片堆叠封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 2 / F, No.26, niumianling new village, sifangpu community, Pingdi street, Longgang District, Shenzhen, Guangdong 518000 Patentee after: Shenzhen Hemei Jingyi Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 2 / F, No.26, niumianling new village, sifangpu community, Pingdi street, Longgang District, Shenzhen, Guangdong 518000 Patentee before: SHENZHEN HEMEI JINGYI TECHNOLOGY Co.,Ltd. |