CN208917283U - 一种真空蒸镀源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种真空蒸镀源，涉及真空蒸镀设备技术领域，其中一种真空蒸镀源包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。通过本实用新型，可以将蒸镀腔体与坩埚隔离，实现仅对蒸镀腔体破真空而不影响坩埚内的蒸镀材料，或者仅对坩埚破真空而不影响蒸镀腔体内已制备的OELD的性能，从而能够减少快速破真空的成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空蒸镀设备技术领域，具体涉及一种真空蒸镀源。
背景技术
真空蒸镀是指在真空环境中将蒸镀材料加热形成蒸汽或者使蒸镀材料升华，从而将蒸镀材料镀到基板的技术，广泛应用于OLED的生产过程中。
如图1所示，现有的真空蒸镀源包括蒸镀腔体1、基板支架2和坩埚3，其中基板支架2和坩埚3均设置于蒸镀腔体1内。坩埚3用于加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽向四周扩散，扩散的蒸镀材料贴附于基板上。在制作OLED时，蒸镀材料为形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等功能层的有机小分子或者大分子材料，由于这些有机材料易受到水气与氧气的影响，从而导致所制备的器件性能劣化、使用寿命短。因此，制作OLED时蒸镀腔体必须为真空环境，如图1所示，蒸镀腔体1还设置有两个通孔，分别连接用于抽取蒸镀腔体1内部空气的真空泵5和用于破除蒸镀腔体1内真空环境的气体源6。
当蒸镀腔体1处于真空状态时，若坩埚3或蒸镀腔体1内的其他装置发生异常需要处理时，必须先利用气体源6向蒸镀腔体1内充入气体以破除真空环境，方才能够进行处理。然而，温度较高的有机材料接触到大气环境时会影响有机分子的载子移动率和能态关系，从而影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能以及使坩埚内剩余的蒸镀材料报废形成浪费。由此可见，在生产过程中设备出现异常时，快速破真空的成本过高。为此，现有技术必须等待整个真空环境的温度降至100℃以下才能够开启气体源6破除真空，从而从设备出现异常至开始维修所需等待的时间较长。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀源，以解决现有真空蒸镀设备在生产过程中出现异常时，快速破真空的成本过高问题。
根据第一方面，本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀源，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。
可选地，所述密封过渡装置包括与所述坩埚的开口相适应的筒体，所述隔离门可滑动设置于所述筒体的边沿上，所述边沿朝向和/或背离所述坩埚。
可选地，所述密封过渡装置的侧壁开设有第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
可选地，所述第一通孔和/或所述第二通孔设置有可密封的电磁阀门。
可选地，所述筒体内部凹陷设置具有多个第三通孔的板块，所述第三通孔连通所述蒸镀腔体与所述坩埚。
可选地，在所述筒体突出于所述板块的筒壁上设置第一通孔和/或第二通孔；第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
可选地，所述气体源为储备有氮气或者惰性气体的装置。
可选地，所述真空蒸镀源还包括加热源，用于对所述坩埚进行加热。
根据第二方面，本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀源，包括：蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；所述蒸镀腔体的一侧设有开口；坩埚，设置于所述蒸镀腔体外部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；密封过渡装置，与所述蒸镀腔体的开口、所述坩埚的开口分别连接；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。
可选地，所述密封过渡装置包括与所述坩埚的开口相适应的筒体，所述隔离门可滑动设置于所述筒体的边沿上，所述边沿朝向和/或背离所述坩埚。
可选地，所述密封过渡装置的侧壁开设有第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
可选地，所述第一通孔和/或所述第二通孔设置有可密封的电磁阀门。
可选地，所述筒体内部凹陷设置具有多个第三通孔的板块，所述第三通孔连通所述蒸镀腔体与所述坩埚。
可选地，在所述筒体突出于所述板块的筒壁上设置第一通孔和/或第二通孔；第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
可选地，所述气体源为储备有氮气或者惰性气体的装置。
可选地，所述真空蒸镀源还包括加热源，用于对所述坩埚进行加热。
本实用新型所提供的真空蒸镀源中，当密封过渡装置的隔离门打开时，通过坩埚加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽后，可经过设置于坩埚开口处的密封过渡装置扩散至蒸镀腔体，贴附于基板表面，正常完成蒸镀过程。当密封过渡装置的隔离门关闭时，蒸镀腔体与坩埚隔离，便可以对蒸镀腔体快速破真空(无需等待坩埚冷却至预定温度)以维修蒸镀腔体，不会导致坩埚内剩余的蒸镀材料报废，从而减少快速破真空的成本；或者，对坩埚快速破真空(无需等待蒸镀腔体冷却至预定温度)以维修坩埚，不会影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能，从而减少快速破真空的成本。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本实用新型的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本实用新型进行任何限制，在附图中：
图1示出了现有技术中真空蒸镀源的结构示意图；
图2示出了根据本实用新型实施例的一种真空蒸镀源的结构示意图；
图3示出了根据本实用新型实施例的另一种真空蒸镀源的结构示意图；
图4示出了根据本实用新型实施例的隔离门打开时密封过渡装置的一种结构示意图；
图5示出了根据本实用新型实施例的隔离门关闭时密封过渡装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
图2示出了根据本实用新型实施例的一种真空蒸镀源的结构示意图，该真空蒸镀源包括蒸镀腔体10、基板支架20、坩埚30和密封过渡装置40。
蒸镀腔体10的内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架20。坩埚 30设置于蒸镀腔体10内部，密封过渡装置40设置于坩埚30的开口处，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽。密封过渡装置40设置有开合状态可控的隔离门。当隔离门打开时，坩埚30内的蒸镀蒸汽可通过密封过渡装置40进入蒸镀腔体10；当隔离门关闭时，蒸镀腔体10与坩埚30隔离。
上述真空蒸镀源中，当密封过渡装置的隔离门打开时，通过坩埚加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽后，可经过设置于坩埚开口处的密封过渡装置扩散至蒸镀腔体，贴附于基板表面，正常完成蒸镀过程。当密封过渡装置的隔离门关闭时，蒸镀腔体与坩埚隔离，便可以对蒸镀腔体快速破真空 (无需等待坩埚冷却至预定温度)以维修蒸镀腔体，不会导致坩埚内剩余的蒸镀材料报废，从而减少快速破真空的成本；或者，对坩埚快速破真空 (无需等待蒸镀腔体冷却至预定温度)以维修坩埚，不会影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能，从而减少快速破真空的成本。
作为本实施例的一种可选实施方式，如图4和图5所示，密封过渡装置40包括与坩埚30的开口相适应的筒体41，隔离门42可滑动设置于筒体 41的边沿上，该边沿朝向和/或背离坩埚30。
蒸镀腔体形成真空、破真空的方式可以是通过设置在蒸镀腔体上的通孔，具体地，真空泵与蒸镀腔体上的通孔密封连接(如图2中的50)，以单独抽除蒸镀腔体内的空气、形成真空环境；气体源与蒸镀腔体上的通孔密封连接(如图2中的60)，以单独向蒸镀腔体内注入气体、破真空。坩埚形成真空、破真空的方式可以是通过设置在坩埚上的通孔，具体地，真空泵与坩埚上的通孔密封连接，以单独抽除坩埚内的空气、形成真空环境；气体源与坩埚上的通孔密封连接，以单独向坩埚内注入气体、破真空。
作为本实施例的一种可选实施方式，密封过渡装置40的侧边开设有第一通孔和/或第二通孔。第一通孔用于与真空泵连接，具体可以是通过管道与蒸镀腔体外的真空泵连接。第二通孔用于与气体源连接，具体可以是通过管道与蒸镀腔体外的气体源连接。可选地，第一通孔和/或第二通孔设置有可密封的电磁阀门。当密封过渡装置40上的隔离门42设置在朝向坩埚 30的筒体41边沿时，通过第一通孔、第二通孔可以单独为蒸镀腔体形成真空环境、破真空；当密封过渡装置40上的隔离门42设置在远离坩埚30的筒体41边沿时，通过第一通孔、第二通孔可以单独为坩埚形成真空环境、破真空。当筒体41的朝向和远离坩埚的边沿均设置有隔离门时，便可以通过两侧隔离门的配合，通过第一通孔、第二通孔既能够为蒸镀腔体单独形成真空环境、破真空，又能够为蒸镀腔体单独形成真空环境、破真空。
作为本实施例的一种可选实施方式，筒体41内部凹陷设置具有多个第三通孔45的板块43，第三通孔45用于连通蒸镀腔体10与坩埚30。该密封过渡装置中，通过板块上所设置的通孔，使得升华或形成蒸汽的蒸镀材料呈多条线形扩散至基板位置，将蒸发源从点源式变更为线源式。点源式只有45％的材料利用率，且点源与基板之间必须保持较大的距离才能保证镀膜的均匀性，无法对超过1.5米的基板进行镀膜；此外，膜厚均匀性对点源的蒸发量有极高的要求。与点源式蒸镀源相比，线源式的材料利用率大于70％，线源与基板之间的距离只需保持很小，且基板越长，其材料利用率越高，膜厚均匀性对线源的蒸发量要求较小。
可选地，在筒体41突出于板块43的筒壁44上设置第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
可选地，上述气体源、气体源、第三气体源为氮气源或者惰性气体源。
此外，该真空蒸镀装置还包括加热源，用于对坩埚30进行加热。
实施例二
图3示出了根据本实用新型实施例的另一种真空蒸镀源的结构示意图，该真空蒸镀源包括蒸镀腔体10、基板支架20、坩埚30和密封过渡装置40。
蒸镀腔体10的内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架20。坩埚 30设置于蒸镀腔体10外部，蒸镀腔体10的一侧开设有开口，密封过渡装置40与蒸镀腔体10的开口与坩埚30的开口分别连接，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽。密封过渡装置40设置有开合状态可控的隔离门。当隔离门打开时，坩埚30内的蒸镀蒸汽可通过密封过渡装置40进入蒸镀腔体10；当隔离门关闭时，蒸镀腔体10与坩埚30隔离。
上述真空蒸镀源中，当密封过渡装置的隔离门打开时，通过坩埚加热蒸镀材料使其升华或形成蒸汽后，可经过设置于坩埚开口处的密封过渡装置扩散至蒸镀腔体，贴附于基板表面，正常完成蒸镀过程。当密封过渡装置的隔离门关闭时，蒸镀腔体与坩埚隔离，便可以对蒸镀腔体快速破真空 (无需等待坩埚冷却至预定温度)以维修蒸镀腔体，不会导致坩埚内剩余的蒸镀材料报废，从而减少快速破真空的成本；或者，对坩埚快速破真空 (无需等待蒸镀腔体冷却至预定温度)以维修坩埚，不会影响蒸镀腔体内已制备的OLED的性能，从而减少快速破真空的成本。
作为本实施例的一种可选实施方式，如图4和图5所示，密封过渡装置40包括与坩埚30的开口相适应的筒体41，隔离门42可滑动设置于筒体 41的边沿上，该边沿朝向和/或背离坩埚30。
蒸镀腔体形成真空、破真空的方式可以是通过设置在蒸镀腔体上的通孔，具体地，真空泵与蒸镀腔体上的通孔密封连接(如图3中的50)，以单独抽除蒸镀腔体内的空气、形成真空环境；气体源与蒸镀腔体上的通孔密封连接(如图3中的60)，以单独向蒸镀腔体内注入气体、破真空。坩埚形成真空、破真空的方式可以是通过设置在坩埚上的通孔，具体地，真空泵与坩埚上的通孔密封连接，以单独抽除坩埚内的空气、形成真空环境；气体源与坩埚上的通孔密封连接，以单独向坩埚内注入气体、破真空。
作为本实施例的一种可选实施方式，密封过渡装置40的侧边开设有第一通孔和/或第二通孔。第一通孔用于与真空泵连接，具体可以是通过管道与蒸镀腔体外的真空泵连接。第二通孔用于与气体源连接，具体可以是通过管道与蒸镀腔体外的气体源连接。可选地，第一通孔和/或第二通孔设置有可密封的电磁阀门。当密封过渡装置40上的隔离门42设置在朝向坩埚 30的筒体41边沿时，通过第一通孔、第二通孔可以单独为蒸镀腔体形成真空环境、破真空；当密封过渡装置40上的隔离门42设置在远离坩埚30的筒体41边沿时，通过第一通孔、第二通孔可以单独为坩埚形成真空环境、破真空。当筒体41的朝向和远离坩埚的边沿均设置有隔离门时，便可以通过两侧隔离门的配合，通过第一通孔、第二通孔既能够为蒸镀腔体单独形成真空环境、破真空，又能够为蒸镀腔体单独形成真空环境、破真空。
进一步地，筒体41内部凹陷设置具有多个第三通孔45的板块43，第三通孔45用于连通蒸镀腔体10与坩埚30。该密封过渡装置中，通过板块上所设置的通孔，使得升华或形成蒸汽的蒸镀材料呈多条线形扩散至基板位置，将蒸发源从点源式变更为线源式。点源式只有45％的材料利用率，且点源与基板之间必须保持较大的距离才能保证镀膜的均匀性，无法对超过1.5米的基板进行镀膜；此外，膜厚均匀性对点源的蒸发量有极高的要求。与点源式蒸镀源相比，线源式的材料利用率大于70％，线源与基板之间的距离只需保持很小，且基板越长，其材料利用率越高，膜厚均匀性对线源的蒸发量要求较小。
可选地，在筒体41突出于板块43的筒壁44上设置第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
可选地，上述气体源、气体源、第三气体源为氮气源或者惰性气体源。
此外，该真空蒸镀装置还包括加热源，用于对坩埚30进行加热。
虽然结合附图描述了本实用新型的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (9)
1.一种真空蒸镀源，其特征在于，包括：
蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；
坩埚，设置于所述蒸镀腔体内部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；
密封过渡装置，设置于所述坩埚的开口处；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。
2.一种真空蒸镀源，其特征在于，包括：
蒸镀腔体，其内部设置有用于放置待蒸镀基板的基板支架；所述蒸镀腔体的一侧设有开口；
坩埚，设置于所述蒸镀腔体外部，用于加热蒸镀材料使其升华或者形成蒸镀蒸汽；
密封过渡装置，与所述蒸镀腔体的开口、所述坩埚的开口分别连接；所述密封过渡装置设置有开合状态可控的隔离门；当所述隔离门打开时，所述坩埚内的蒸镀蒸汽可通过所述密封过渡装置进入蒸镀腔体；当所述隔离门关闭时，所述蒸镀腔体与所述坩埚隔离。
3.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述密封过渡装置包括与所述坩埚的开口相适应的筒体，所述隔离门可滑动设置于所述筒体的边沿上，所述边沿朝向和/或背离所述坩埚。
4.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述密封过渡装置的侧壁开设有第一通孔和/或第二通孔，第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
5.根据权利要求4项所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述第一通孔和/或所述第二通孔设置有可密封的电磁阀门。
6.根据权利要求3所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述筒体内部凹陷设置具有多个第三通孔的板块，所述第三通孔连通所述蒸镀腔体与所述坩埚。
7.根据权利要求6所述的真空蒸镀源，其特征在于，在所述筒体突出于所述板块的筒壁上设置第一通孔和/或第二通孔；
第一通孔用于与真空泵密封连接，第二通孔用于与气体源密封连接。
8.根据权利要求4所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述气体源为储备有氮气或者惰性气体的装置。
9.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀源，其特征在于，所述真空蒸镀源还包括加热源，用于对所述坩埚进行加热。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN110846622A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置及其控制方法 |
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2018
- 2018-07-24 CN CN201821175508.5U patent/CN208917283U/zh active Active
Cited By (2)
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| CN110846622A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置及其控制方法 |
| CN110846622B (zh) * | 2019-11-11 | 2022-03-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置及其控制方法 |
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