CN208861755U - 共模扼流线圈 - Google Patents

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CN208861755U CN201690001136.7U CN201690001136U CN208861755U CN 208861755 U CN208861755 U CN 208861755U CN 201690001136 U CN201690001136 U CN 201690001136U CN 208861755 U CN208861755 U CN 208861755U
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植木纪行
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Abstract

提供一种共模扼流线圈。共模扼流线圈的第一、第二线圈的卷绕数分别为两匝以上。第一线圈包括：第一、第二环状导体，分别形成在不同的层；层间连接导体，连接第一、第二环状导体，第二环状导体的内外径为第一环状导体的内外径以下。第二线圈包括：第三、第四环状导体，分别形成在不同的层；层间连接导体，连接第三、第四环状导体，第三、第一环状导体在同一层且配置在第一环状导体的外侧，第四、第二环状导体在同一层且配置在第二环状导体的内侧。第一、第二环状导体中的至少一方的数目为多个，第一、第二环状导体在层叠方向上交替地配置，第三、第四环状导体中的至少一方的数目为多个，第三、第四环状导体在层叠方向上交替地配置。

Description

共模扼流线圈
技术领域
本实用新型涉及例如应用于高频信号的传输线路的共模扼流线圈。
背景技术
例如，在高速串行接口中，使用在一对信号线路(＝平衡线路)中传输相位相差180°的信号的“差动传输方式”。在差动传输方式中，因为在平衡线路中辐射噪声、外部噪声被抵消，因此不易受到这些噪声造成的影响。但是，根据使用环境，基于信号线路的非对称性会产生共模的噪声电流。为了抑制这样的共模噪声，使用共模扼流线圈。
通常，共模扼流线圈构成为具备朝相同方向卷绕的两个线圈的小型的层叠型芯片部件。在此，两个线圈在层叠坯体的内部在层叠方向上排列。
此外，特别是，作为减小寄生电容并且适合于小型化的共模滤波器，示出专利文献1。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本实用新型注册第3093443号公报
实用新型内容
实用新型要解决的课题
在专利文献1所示的共模滤波器中，交替地层叠正极线圈和负极线圈，且配置为正极线圈和负极线圈不重叠。因此，可抑制在正极线圈与负极线圈之间产生的寄生电容。
但是，因为不能将正极线圈和负极线圈做成为对称形状，所以难以使正极线圈和负极线圈的电感相等。若正极线圈和负极线圈的电感不同，则通过该共模滤波器会产生常规模式信号与共模噪声之间的变换。
本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制在第一线圈与第二线圈之间产生的寄生电容并且小型化，且能够使第一线圈与第二线圈的电感近似的共模扼流线圈。
用于解决课题的技术方案
(1)本实用新型的共模扼流线圈具有：坯体，层叠了多个基材；以及第一线圈和第二线圈，设置在所述坯体内，并相互进行磁场耦合，所述共模扼流线圈的特征在于，
所述第一线圈以及所述第二线圈的卷绕数分别为两匝以上，
所述第一线圈包括：第一环状导体以及第二环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第一环状导体和所述第二环状导体进行连接，
所述第二环状导体的内外径为所述第一环状导体的内外径以下，
所述第二线圈包括：第三环状导体以及第四环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第三环状导体和所述第四环状导体进行连接，
所述第三环状导体与所述第一环状导体在同一层且配置在所述第一环状导体的外侧，
所述第四环状导体与所述第二环状导体在同一层且配置在所述第二环状导体的内侧，
所述第一环状导体和所述第二环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第一环状导体与所述第二环状导体在层叠方向上交替地配置，
所述第三环状导体和所述第四环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第三环状导体与所述第四环状导体在层叠方向上交替地配置。
通过上述结构，能够使第一线圈与第二线圈的电感近似，且可抑制在第一线圈和第二线圈间产生的寄生电容。由此，第一线圈以及第二线圈的卷绕数能够分别设为两匝以上，可得到具有给定的大的自感的第一线圈以及第二线圈。此外，可提高第一线圈与第二线圈的耦合系数。
(2)优选地，所述第二环状导体的外径小于所述第一环状导体的内径。由此，能够有效地抑制在第三环状导体与第一环状导体之间产生的寄生电容。因此，能够抑制自谐振频率的下降，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。
(3)优选地，在上述(1)或(2)中，若分别用a表示所述第一环状导体与所述第三环状导体的线间距离以及所述第二环状导体与所述第四环状导体的线间距离、用c表示在层叠方向上相邻的第一环状导体与第一环状导体的层间距离或者在层叠方向上相邻的第三环状导体与第三环状导体的层间距离、用d表示所述第一环状导体与所述第二环状导体的线间距离，则处于a＜c且a≥d的关系。由此，可抑制在第一环状导体与第二环状导体之间产生的寄生电容，能够抑制第一线圈的自谐振频率的下降，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。而且，通过a≥d，从而第一线圈的自感与第二线圈的自感相比不会变得过小。此外，通过a＜c，从而能够提高第一线圈L1以及第二线圈L2的自谐振频率，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。
(4)优选地，在上述(1)或(2)中，所述基材为非磁性体片材。由此，由导磁率的频率依赖性造成的高频带中的损耗小，因此能够在宽频带中实现低损耗的共模扼流线圈。
实用新型效果
根据本实用新型，可得到能够抑制在第一线圈与第二线圈之间产生的寄生电容并且小型化、且能够使第一线圈与第二线圈的电感更接近的共模扼流线圈。
附图说明
图1是示出第一实施方式涉及的共模扼流线圈101的各基材的导体图案等的分解俯视图。
图2是图1中的X-X部分处的共模扼流线圈101的剖视图。
图3是将本实施方式的共模扼流线圈101表示为集总常数电路的电路图。
图4是示出第二实施方式涉及的共模扼流线圈102的各基材的导体图案等的分解俯视图。
图5是图4中的X-X部分处的共模扼流线圈102的剖视图。
图6是示出第三实施方式涉及的共模扼流线圈103的各基材的导体图案等的分解俯视图。
图7是示出第四实施方式涉及的共模扼流线圈104的各基材的导体图案等的分解俯视图。
具体实施方式
下面，参照图并举出几个具体的例子来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分性置换或组合。在第二实施方式以后，省略关于与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，对于同样的结构带来的同样的作用效果，不在每个实施方式中依次提及。
《第一实施方式》
图1是示出第一实施方式涉及的共模扼流线圈101的各基材的导体图案等的分解俯视图。图2是图1中的X-X部分处的共模扼流线圈101的剖视图。
共模扼流线圈101具备：层叠了非磁性体的基材1a、1b、1c的层叠坯体10；以及设置在层叠坯体10内并相互进行磁场耦合的后述的第一线圈和第二线圈。在基材1a形成有第一环状导体11a、第三环状导体13a，在基材1b形成有第二环状导体12b、第四环状导体14b，在基材1c形成有第一环状导体11c、第三环状导体13c。此外，在基材1a形成有层间连接导体21a、22a，在基材1b形成有层间连接导体21b、22b。
第一线圈包括：形成在基材1a的第一环状导体11a、形成在基材1b 的第二环状导体12b、及形成在基材1c的第一环状导体11c；以及对第一环状导体11a、11c和第二环状导体12b进行连接的层间连接导体21a、 21b。此外，第二线圈包括：形成在基材1a的第三环状导体13a、形成在基材1b的第四环状导体14b、及形成在基材1c的第三环状导体13c；以及对第三环状导体13a、13c和第四环状导体14b进行连接的层间连接导体22a、22b。
在基材1a中，第三环状导体13a与第一环状导体11a在同一层且配置在第一环状导体11a的外侧，在基材1c中，第三环状导体13c与第一环状导体11c在同一层且配置在第一环状导体11c的外侧。此外，在基材1b中，第四环状导体14b与第二环状导体12b在同一层且配置在第二环状导体12b的内侧。
第一环状导体11a、11c与第二环状导体12b的环内外径大致相等。
第一环状导体11a的第一端经由端面电极3a，此外，第三环状导体 13a的第一端经由端面电极3b而引出到层叠坯体10的一个主面(安装面)。同样地，第一环状导体11c的第一端经由端面电极4a，此外，第三环状导体13c的第一端经由端面电极4b而引出到层叠坯体10的一个主面 (安装面)。
通过上述结构，基于环内外径大的第三环状导体13a的电感大，基于环内外径小的第四环状导体14b的电感小。而且，基于环内外径处于中间的第一环状导体11a以及第二环状导体12b的电感为中间的值。因此，包括第一环状导体11a以及第二环状导体12b的第一线圈的电感与包括第三环状导体13a以及第四环状导体14b的第二线圈的电感近似。
在本实施方式的共模扼流线圈101中，第一环状导体11a、11c和第二环状导体12b在层叠方向上交替地配置。同样地，第三环状导体13a、 13c和第四环状导体14b在层叠方向上交替地配置。由此，第一线圈以及第二线圈的卷绕数能够分别设为两匝以上，可得到具有给定的大的自感的第一线圈以及第二线圈。此外，可提高第一线圈与第二线圈的耦合系数。
若将在层叠方向上相邻的第一环状导体11a、11c以及第三环状导体 13a、13c也包含在内进行考虑，则上述的第一线圈的电感与第二线圈的电感近似的理由也能够像以下那样进行说明。
因为由第一环状导体11a、11c以及第二环状导体12b构成的第一线圈的环内外径小，所以若仅考虑该环内外径，则电感具有变小的趋势，但是由于第一环状导体11a、11c与第二环状导体12b的导体间距离b小而引起的自感应却变大。另一方面，因为第三环状导体13a、13c的环内外径大，所以电感具有变大的趋势，但是因为第三环状导体13a、13c的导体间距离c大，所以可抑制自感应。即，环状导体的环内外径的差异被自感应的大小的差异所抵消，其结果，第一线圈的电感和第二线圈的电感近似。
本实施方式的共模扼流线圈101如图2所示，第一线圈中包括的环状导体11a、12b、11c与第二线圈中包括的环状导体13a、14b、13c在俯视下不重叠。因此，可抑制在第一线圈L1与第二线圈L2间产生的寄生电容。
本实施方式的共模扼流线圈101如图2所示，第一环状导体11a、11c 与第三环状导体13a、13c的线间距离a和第二环状导体12b与第四环状导体14b的线间距离a相等。因此，如下所述，在第一线圈与第二线圈之间产生的电容，在输入侧和输出侧相近似。
图3是将本实施方式的共模扼流线圈101表示为集总常数电路的电路图。该共模扼流线圈101是将第一线圈L1以及第二线圈L2的第一端作为输入端口Pin并将第二端作为输出端口Pout的电路。分别在输入端口 Pin间产生电容Ca，在输出端口Pout间产生电容Ca，分别在第一线圈L1 的两端间产生电容C1，在第二线圈L2的两端间产生电容C2。
在输入端口Pin间产生的电容Ca以及在输出端口Pout间产生的电容 Ca是图2所示的、在第一线圈所包括的环状导体11a、12b、11c与第二线圈所包括的环状导体13a、14b、13c之间大致均等地分布的电容。因此，如图3所示，用集总常数电路表示时的输入侧电容Ca的电容与输出侧用电容Ca的电容近似。因此，可抑制由该电容的不平衡造成的共模噪声与常规模式信号(噪声)的变换。
《第二实施方式》
在第二实施方式中，示出了各环状导体图案与第一实施方式不同的共模扼流线圈的例子。
图4是示出第二实施方式涉及的共模扼流线圈102的各基材的导体图案等的分解俯视图。图5是图4中的X-X部分处的共模扼流线圈102的剖视图。
共模扼流线圈102具备：层叠了非磁性体的基材1a、1b、1c的层叠坯体10；以及设置在坯体10内并相互进行磁场耦合的后述的第一线圈和第二线圈。在基材1a形成有第一环状导体11a、第三环状导体13a，在基材1b形成有第二环状导体12b、第四环状导体14b，在基材1c形成有第一环状导体11c、第三环状导体13c。此外，在基材1a形成有层间连接导体21a、22a，在基材1b形成有层间连接导体21b、22b。
特别是，第二环状导体12b以及第四环状导体14b的形状、大小与在第一实施方式中图1所示的例子不同。
在基材1a中，第三环状导体13a与第一环状导体11a在同一层且配置在第一环状导体11a的外侧，在基材1c中，第三环状导体13c与第一环状导体11c在同一层且配置在第一环状导体11c的外侧。此外，在基材 1b中，第四环状导体14b与第二环状导体12b在同一层且配置在第二环状导体12b的内侧。
第二环状导体12b的环内外径小于第一环状导体11a、11c的环内外径。在本实施方式中，第二环状导体12b的环外径小于第一环状导体11a、 11c的环内径。其他结构与在第一实施方式中示出的共模扼流线圈101相同。共模扼流线圈102的等效电路如图3所示那样。
通过上述结构，基于环内外径大的第三环状导体13a的电感大，基于环内外径小的第四环状导体14b的电感小。而且，基于环内外径处于中间的第一环状导体11a以及第二环状导体12b的电感为中间的值。因此，包括第一环状导体11a以及第二环状导体12b的第一线圈L1的电感与包括第三环状导体13a以及第四环状导体14b的第二线圈L2的电感近似。
与第一实施方式的共模扼流线圈101同样地，也在本实施方式的共模扼流线圈102中，第一环状导体11a、11c和第二环状导体12b在层叠方向上交替地配置。同样地，第三环状导体13a、13c和第四环状导体14b 在层叠方向上交替地配置。由此，第一线圈以及第二线圈的卷绕数分别能够设为两匝以上，可得到具有给定的大的自感的第一线圈以及第二线圈。此外，可提高第一线圈与第二线圈的耦合系数。
若将在层叠方向上相邻的第一环状导体11a、11c以及第三环状导体 13a、13c也包含在内进行考虑，则关于上述的第一线圈的电感与第二线圈的电感近似的理由，与第一实施方式的共模扼流线圈101同样地，能够用环状导体的环内外径的差异被自感应的大小的差异所抵消这一点同样地进行说明。
在本实施方式的共模扼流线圈102中，如图5所示，第一环状导体 11a、11c与第二环状导体12b在俯视下不重叠，隔开线间距离d。
像这样，因为第一环状导体11a、11c与第二环状导体12b在俯视下不重叠，所以可抑制在第一线圈所包含的环状导体11a、12b、11c的线间产生的电容。由此，可抑制在第一环状导体与第二环状导体之间产生的寄生电容，可抑制第一线圈的自谐振频率的下降。因此，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。
此外，第一环状导体11a、11c与第三环状导体13a、13c的线间距离 a和第二环状导体12b与第四环状导体14b的线间距离a相等。因此，与第一实施方式的共模扼流线圈101同样地，图3所示的输入侧电容Ca的电容与输出侧用电容Ca的电容近似。
此外，在层叠方向上相邻的第一环状导体11a与第一环状导体11c的层间距离c和在层叠方向上相邻的第三环状导体13a与第三环状导体13c 的层间距离c相等。虽然第一环状导体11a、11c的路径长度比第三环状导体13a、13c的路径长度短，但是在第一环状导体11a、11c与第二环状导体12b之间产生电容。因而，第一线圈L1的线间电容与第二线圈L2 的线间电容近似，因此，图3所示的第一线圈L1的两端间的电容(杂散电容)C1与第二线圈L2的两端间的电容(杂散电容)C2近似。因此，还可抑制由该电容C1、C2的不平衡造成的从共模噪声向常规模式信号 (噪声)的变换。
在本实施方式的共模扼流线圈102中，图5所示的尺寸a、c、d处于 a＜c且a≥d的关系。通过a≥d，从而第一线圈的自感与第二线圈的自感相比不会变得过小。此外，通过a＜c，从而能够减小图3所示的第一线圈L1的杂散电容C1以及第二线圈L2的杂散电容C2(至少与输入输出侧电容Ca相比能够减小影响)。其结果，能够提高第一线圈L1以及第二线圈L2的自谐振频率，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。
《第三实施方式》
在第三实施方式中，示出了在第一实施方式示出的类型的共模扼流线圈中设置4层以上的基材且将各线圈的卷绕数设为3匝以上的共模扼流线圈。
图6是示出第三实施方式涉及的共模扼流线圈103的各基材的导体图案等的分解俯视图。
共模扼流线圈103具备：层叠了基材1a～1y的层叠坯体；以及设置在该层叠坯体内并相互进行磁场耦合的后述的第一线圈和第二线圈。在图 6中，环状导体11a、11c、11e、11g、11i、11k、11n、11q、11s、11u、 11w、11y均为第一环状导体，环状导体12b、12d、12f、12h、12j、12m、 12p、12r、12t、12v、12x均为第二环状导体。此外，环状导体13a、13c、 13e、13g、13i、13k、13n、13q、13s、13u、13w、13y均为第三环状导体，环状导体14b、14d、14f、14h、14j、14m、14p、14r、14t、14v、14x 均为第四环状导体。另外，关于外部连接端子，省略图6中的图示。
在第奇数个基材1a、1c、1e、1g、1i、1k、1n、1q、1s、1u、1w、1y 分别形成有上述第一环状导体以及第三环状导体。而且，在第偶数个基材 1b、1d、1f、1h、1j、1m、1p、1r、1t、1v、1x分别形成有上述第二环状导体以及第四环状导体。
此外，在基材形成有层间连接导体，通过上述第一环状导体11a、11c、 11e、11g、11i、11k、11n、11q、11s、11u、11w、11y、第三环状导体13a、 13c、13e、13g、13i、13k、13n、13q、13s、13u、13w、13y、以及对它们进行层间连接的层间连接导体来构成第一线圈。同样地，通过第二环状导体12b、12d、12f、12h、12j、12m、12p、12r、12t、12v、12x、第四环状导体14b、14d、14f、14h、14j、14m、14p、14r、14t、14v、14x、以及对它们进行层间连接的层间连接导体来构成第二线圈。
在各基材中，第三环状导体13a、13c、13e、13g、13i、13k、13n、 13q、13s、13u、13w、13y与第一环状导体11a、11c、11e、11g、11i、11k、 11n、11q、11s、11u、11w、11y在同一层且分别配置在第一环状导体11a、 11c、11e、11g、11i、11k、11n、11q、11s、11u、11w、11y的外侧。
此外，在基材中，第四环状导体14b、14d、14f、14h、14j、14m、 14p、14r、14t、14v、14x与第二环状导体12b、12d、12f、12h、12j、12m、 12p、12r、12t、12v、12x在同一层且分别配置在第二环状导体12b、12d、 12f、12h、12j、12m、12p、12r、12t、12v、12x的内侧。
而且，第一环状导体11a、11c、11e、11g、11i、11k、11n、11q、11s、 11u、11w、11y与第二环状导体12b、12d、12f、12h、12j、12m、12p、 12r、12t、12v、12x的环内外径大致相等。
通过上述结构，基于环内外径大的第三环状导体的电感大，基于环内外径小的第四环状导体的电感小。而且，基于环内外径处于中间的第一环状导体以及第二环状导体的电感为中间的值。因此，包括第一环状导体以及第二环状导体的第一线圈的电感和包括第三环状导体以及第四环状导体的第二线圈的电感近似。
在本实施方式的共模扼流线圈103中，可得到具有给定的大的自感的第一线圈以及第二线圈。此外，可提高第一线圈与第二线圈的耦合系数。
《第四实施方式》
在第四实施方式中，示出在第二实施方式示出的类型的共模扼流线圈中设置4层以上的基材且将各线圈的卷绕数设为3匝以上的共模扼流线圈。
图7是示出第四实施方式涉及的共模扼流线圈104的各基材的导体图案等的分解俯视图。
共模扼流线圈104具备：层叠了基材1a～1n的层叠坯体；以及设置在该层叠坯体内并相互进行磁场耦合的第一线圈和第二线圈。
在图7中，在基材1a分别形成有输入端子in1、in2、输出端子out1、 out2、以及空闲端子NC。在基材1b、1c、1d分别形成有用于将输入端子 in1、in2与给定的环状导体图案进行连接的导体图案。此外，在基材1b～ 1m形成有用于将输出端子out1、out2与给定的环状导体图案进行连接的导体图案。
在图7中，环状导体11f、11h、11j、11m均为第一环状导体，环状导体12e、12g、12i、12k、12n均为第二环状导体。此外，环状导体13f、 13h、13j、13m均为第三环状导体，环状导体14e、14g、14i、14k、14n 均为第四环状导体。
另外，虽然形成在基材1n的环状导体12n、14n是不足1/2匝的导体图案，但是在本实用新型中这样的导体图案也称为环状导体图案。
在第偶数个基材1f、1h、1j、1m分别形成有上述第一环状导体以及第三环状导体。而且，在第奇数个基材1e、1g、1i、1k、1n分别形成有上述第二环状导体以及第四环状导体。
此外，在基材形成有层间连接导体，通过上述第一环状导体11f、11h、 11j、11m、第三环状导体13f、13h、13j、13m、以及对它们进行层间连接的层间连接导体来构成第一线圈。同样地，通过第二环状导体12e、12g、 12i、12k、12n、第四环状导体14e、14g、14i、14k、14n、以及对它们进行层间连接的层间连接导体来构成第二线圈。
在各基材中，第三环状导体13f、13h、13j、13m与第一环状导体11f、 11h、11j、11m在同一层且分别配置在第一环状导体11f、11h、11j、11m 的外侧。
此外，在基材中，第四环状导体14e、14g、14i、14k、14n与第二环状导体12e、12g、12i、12k、12n在同一层且分别配置在第二环状导体12e、 12g、12i、12k、12n的内侧。
通过上述结构，基于环内外径大的第三环状导体的电感大，基于环内外径小的第四环状导体的电感小。而且，基于环内外径处于中间的第一环状导体以及第二环状导体的电感为中间的值。因此，包括第一环状导体以及第二环状导体的第一线圈的电感与包括第三环状导体以及第四环状导体的第二线圈的电感近似。
在本实施方式的共模扼流线圈104中，可得到具有给定的大的自感的第一线圈以及第二线圈。此外，可提高第一线圈与第二线圈的耦合系数。
《其他实施方式》
虽然在以上所示的各实施方式中使用了非磁性体的基材，但是在比较低的频带中使用的情况下，为了基材的层数少且得到给定的大的电感，也可以使用铁氧体陶瓷那样的磁性体的基材。
最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。例如，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分性置换或组合。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，意图在本实用新型的范围中包括与权利要求书等同的意思以及范围内的所有变更。
附图标记说明
C1、C2：电容；
Ca：输入输出侧电容；
L1：第一线圈；
L2：第二线圈；
Pin：输入端口；
Pout：输出端口；
in1、in2：输入端子；
out1、out2：输出端子；
1a～1y：基材；
3a、3b、4a、4b：端面电极；
10：层叠坯体；
11a～11y：第一环状导体；
12b～12x：第二环状导体；
13a～13y：第三环状导体；
14b～14x：第四环状导体；
21a、21b、22a、22b：层间连接导体；
101～104：共模扼流线圈。

Claims (4)

1.一种共模扼流线圈，具有：坯体，层叠了多个基材；以及第一线圈和第二线圈，设置在所述坯体内，并相互进行磁场耦合，所述共模扼流线圈的特征在于，
所述第一线圈以及所述第二线圈的卷绕数分别为两匝以上，
所述第一线圈包括：第一环状导体以及第二环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第一环状导体和所述第二环状导体进行连接，
所述第二环状导体的内外径为所述第一环状导体的内外径以下，
所述第二线圈包括：第三环状导体以及第四环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第三环状导体和所述第四环状导体进行连接，
所述第三环状导体与所述第一环状导体在同一层且配置在所述第一环状导体的外侧，
所述第四环状导体与所述第二环状导体在同一层且配置在所述第二环状导体的内侧，
所述第一环状导体和所述第二环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第一环状导体与所述第二环状导体在层叠方向上交替地配置，
所述第三环状导体和所述第四环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第三环状导体与所述第四环状导体在层叠方向上交替地配置。
2.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其特征在于，
所述第二环状导体的外径小于所述第一环状导体的内径。
3.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于，
若分别用a表示所述第一环状导体与所述第三环状导体的线间距离以及所述第二环状导体与所述第四环状导体的线间距离、用c表示在层叠方向上相邻的第一环状导体与第一环状导体的层间距离或者在层叠方向上相邻的第三环状导体与第三环状导体的层间距离、用d表示所述第一环状导体与所述第二环状导体的线间距离，则处于a＜c且a≥d的关系。
4.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于，
所述基材为非磁性体片材。
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