CN208637421U - 一种双向高压的瞬态电压抑制器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了电压抑制器技术领域的一种双向高压的瞬态电压抑制器，包括壳体，壳体的内壁底部设置有P型衬底，P型衬底的内腔靠近边缘的位置有N型第一外延外层，N型二次外延外层设置在N型第一外延外层的顶部，壳体的顶部的中间位置设置有N型第一外延层，N型第一外延层的顶部设置有NBL内埋层，NBL内埋层的顶部设置有N型二次外延层，N型二次外延层的顶部设置有欧姆接触层，N型第一外延层、NBL内埋层、述N型二次外延层欧姆接触层、和N型二次外延外层、N型第一外延外层之间设置有隔离槽，本实用新型在封装的时候只需要一根封装线，节省了封装成本，抗浪涌能力强提升2倍。
Description
技术领域
本实用新型涉及电压抑制器技术领域，具体为一种双向高压的瞬态电压抑制器。
背景技术
当前双向的TVS产品被广泛的用于交流电路的保护，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便，双向的TVS管按照工作电压可以分为低压和高压，低压的TVS管(工作电压2.5V-7V)通常可以使用NPN或者PNP的夹层结构，通过调整外延厚度、掺杂浓度及退火条件来获得所需的击穿电压，高压的TVS管(工作电压12V以上)通过这种夹层的方式很难实现，因此当前市场上常见的双向高压TVS管，是通过两颗高压的单向TVS管，打线封装而实现的，利用两颗单向高压TVS管封装成双向高压TVS管，封装时需要打2根线，增加了封装成本，封2颗芯片相当于单颗芯片的面积损失二分之一，这样便削弱了TVS管的抗浪涌能力，为此，我们提出一种双向高压的瞬态电压抑制器。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种双向高压的瞬态电压抑制器，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种双向高压的瞬态电压抑制器，包括壳体，壳体的内壁底部设置有P型衬底，P型衬底的内腔靠近边缘的位置有N型第一外延外层，且N型第一外延外层设置在P型衬底的顶部，壳体的内腔靠近边缘的位置设置有N型二次外延外层，N型二次外延外层设置在N型第一外延外层的顶部，壳体的顶部的中间位置设置有N型第一外延层，N型第一外延层的顶部设置有NBL内埋层，NBL内埋层的顶部设置有N型二次外延层，N型二次外延层的顶部设置有欧姆接触层，N型第一外延层、NBL内埋层、N型二次外延层欧姆接触层、和N型二次外延外层、N型第一外延外层之间设置有隔离槽。
优选的，N型二次外延外层与N型二次外延层结构相同，N型第一外延外层与N型第一外延层结构相同。
优选的，隔离槽贯穿P型衬底的顶部。
优选的，N型第一外延层浓度低于P型衬底的浓度。
优选的，N型第一外延层和N型二次外延层的电阻率0.1-10ohm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型在封装的时候只需要一根封装线，节省了封装成本；
2、本实用新型双向TVS芯片面积可以做到单向TVS的2倍，抗浪涌能力强提升2倍。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中：1壳体、2 P型衬底、3 N型第一外延层、31 N型第一外延外层、4 NBL内埋层、5N型二次外延层、51 N型二次外延外层、6欧姆接触层、7隔离槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种双向高压的瞬态电压抑制器，包括壳体1，壳体1的内壁底部设置有P型衬底2，P型衬底2的内腔靠近边缘的位置有N型第一外延外层31，且N型第一外延外层31设置在P型衬底2的顶部，壳体1的内腔靠近边缘的位置设置有N型二次外延外层51，N型二次外延外层51设置在N型第一外延外层31的顶部，壳体1的顶部的中间位置设置有N型第一外延层3，P型衬底2与N型第一外延层3子之间形成第一次击穿电压，N型第一外延层3的顶部设置有NBL内埋层4，NBL内埋层4的顶部设置有N型二次外延层5，N型二次外延层5的顶部设置有欧姆接触层6，N型二次外延层5与欧姆接触层6贴合在N型二次外延层5与欧姆接触层6之间形成第二次击穿电压，N型第一外延层3、NBL内埋层4、N型二次外延层5欧姆接触层6、和N型二次外延外层51、N型第一外延外层31之间设置有隔离槽7，来防止工作时产生漏电。
其中，N型二次外延外层51与N型二次外延层5结构相同，N型第一外延外层31与N型第一外延层3结构相同；
隔离槽7贯穿P型衬底2的顶部，防止漏电；
N型第一外延层3浓度低于P型衬底2的浓度；
N型第一外延层3和N型二次外延层5的电阻率0.1-10ohm。
工作原理：P型衬底2的顶部设置有N型第一外延层3，P型衬底2与N型第一外延层3子之间形成第一次击穿电压，N型二次外延层5与欧姆接触层6贴合在N型二次外延层5与欧姆接触层6之间形成第二次击穿电压，欧姆接触层6连接欧姆，用于输出电压，隔离槽7作为隔离，来防止工作时产生漏电，NBL内埋层4隔开N型第一外延层3、P型衬底2与N型二次外延层述N型二次外延层5、欧姆接触层6，使N型第一外延层3和P型衬底2的结合体与N型二次外延层5与欧姆接触层6的结合体在工作的时候互不影响。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种双向高压的瞬态电压抑制器，包括壳体(1)，其特征在于：壳体(1)的内壁底部设置有P型衬底(2)，P型衬底(2)的内腔靠近边缘的位置有N型第一外延外层(31)，且N型第一外延外层(31)设置在P型衬底(2)的顶部，壳体(1)的内腔靠近边缘的位置设置有N型二次外延外层(51)，N型二次外延外层(51)设置在N型第一外延外层(31)的顶部，壳体(1)的顶部的中间位置设置有N型第一外延层(3)，N型第一外延层(3)的顶部设置有NBL内埋层(4)，NBL内埋层(4)的顶部设置有N型二次外延层(5)，N型二次外延层(5)的顶部设置有欧姆接触层(6)，N型第一外延层(3)、NBL内埋层(4)、N型二次外延层(5)欧姆接触层(6)、和N型二次外延外层(51)、N型第一外延外层(31)之间设置有隔离槽(7)。
2.根据权利要求1所述的一种双向高压的瞬态电压抑制器，其特征在于：N型二次外延外层(51)与N型二次外延层(5)结构相同，N型第一外延外层(31)与N型第一外延层(3)结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种双向高压的瞬态电压抑制器，其特征在于：隔离槽(7)贯穿P型衬底(2)的顶部。
4.根据权利要求1所述的一种双向高压的瞬态电压抑制器，其特征在于：N型第一外延层(3)浓度低于P型衬底(2)的浓度。
5.根据权利要求1所述的一种双向高压的瞬态电压抑制器，其特征在于：N型第一外延层(3)和N型二次外延层(5)的电阻率0.1-10ohm。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201821332444.5U CN208637421U (zh) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | 一种双向高压的瞬态电压抑制器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208637421U true CN208637421U (zh) | 2019-03-22 |
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ID=65741608
Family Applications (1)
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| CN201821332444.5U Active CN208637421U (zh) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | 一种双向高压的瞬态电压抑制器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN208637421U (zh) |
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2018
- 2018-08-17 CN CN201821332444.5U patent/CN208637421U/zh active Active
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A transient voltage suppressor with bidirectional high voltage Effective date of registration: 20201208 Granted publication date: 20190322 Pledgee: Wuxi Xinwu sub branch of Agricultural Bank of China Ltd. Pledgor: AOWEI SEMICONDUCTOR WUXI Co.,Ltd. Registration number: Y2020320010226 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |