CN208621866U - 一种液晶平板结构 - Google Patents

一种液晶平板结构 Download PDF

Info

Publication number
CN208621866U
CN208621866U CN201821397017.5U CN201821397017U CN208621866U CN 208621866 U CN208621866 U CN 208621866U CN 201821397017 U CN201821397017 U CN 201821397017U CN 208621866 U CN208621866 U CN 208621866U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
liquid crystal
crystal flat
panel
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201821397017.5U
Other languages
English (en)
Inventor
朱常青
董海飞
曹永祥
胡迪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhu Token Sciences Co Ltd
Original Assignee
Wuhu Token Sciences Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhu Token Sciences Co Ltd filed Critical Wuhu Token Sciences Co Ltd
Priority to CN201821397017.5U priority Critical patent/CN208621866U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208621866U publication Critical patent/CN208621866U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本实用新型提供一种液晶平板技术领域的液晶平板结构,所述的液晶平板结构包括多组光学薄膜,多组光学薄膜(4)的光学薄膜包括Si3N4层Ⅰ(1)、SiO2层Ⅰ(2)、Si3N4层Ⅱ(3)、SiO2层Ⅱ(5),多组光学薄膜(4)从外侧到内侧依次为位于第一层的Si3N4层Ⅰ(1)、位于第二层的SiO2层Ⅰ(2)、位于第三层的Si3N4层Ⅱ(3)、位于第四层的SiO2层Ⅱ(5),多组光学薄膜(4)的总厚度尺寸控制在220nm‑250nm范围之间,本实用新型所述的液晶平板加工方法,步骤简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低制造成本,提升产品良率。

Description

一种液晶平板结构
技术领域
本实用新型属于液晶平板(液晶显示屏)技术领域,更具体地说,是涉及一种液晶平板加工方法。
背景技术
随着生活水平的提高,人们对电子产品的外观及性能要求越来越高,而现有的电子产品,现有技术中,液晶平板抗撞击能力差,指甲、笔尖等一些硬物的接触,或用布擦试都有可能划伤液晶屏表面,留下终身无法擦去的痕迹。同时还存在反射率过高问题。而现有技术中的超硬多层AR膜主要是通过Batch镀膜设备HSP-160进行镀膜,这样的设备加工效率很低,成本高,而采用IN-LINE镀膜设备,效率很高,成本低,但IN-LINE镀膜镀多层超硬膜有以下问题:1、多层光学薄膜连续沉积的气路设计是很难的设备问题;2、多层光学薄膜连续沉积的溅射靶材布置是很难的设备问题;3、多层光学薄膜大面积镀膜的膜层均匀性控制是很难的工艺问题;4、多层光学薄膜的膜系设计与膜厚控制,材料选择是很难的工艺问题,无法满足需求。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种步骤简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低制造成本,提升产品良率的液晶平板加工方法。
要解决以上所述的技术问题,本实用新型采取的技术方案为:
本实用新型为一种液晶平板加工方法,液晶平板包括玻璃本体,玻璃本体表面设置镀膜层,所述的液晶平板加工方法的加工步骤为:1)将原料玻璃根据设定尺寸切割成多块玻璃本体,采用磨边机对每块玻璃本体边缘分别进行边缘磨削处理,使得玻璃本体边缘成圆弧状结构;2)将玻璃本体批量投入LCD清洗机,LCD清洗机对波玻璃本体批量清洗;3)从LCD清洗机中取出玻璃本体,投入真空镀膜设备中,真空镀膜设备通过磁控溅射镀膜工艺对玻璃本体表面进行镀膜处理,从而在玻璃本体表面镀上多组光学薄膜,完成液晶平板加工。
所述的LCD清洗机对波玻璃本体批量清洗时,LCD清洗机内的清洗液采用低泡碱性清洗剂,LCD清洗机对波玻璃本体批量清洗时,清洗液的温度控制在35℃-45℃范围之间。
所述的真空镀膜设备通过磁控溅射镀膜工艺对玻璃本体表面进行镀膜处理时,玻璃本体在真空镀膜设备中进行镀膜处理的时间控制在40min-60min范围之间,镀膜处理后形成的四层光学薄膜。
所述的真空镀膜设备通过磁控溅射镀膜工艺对玻璃本体表面进行镀膜处理后,对形成的液晶平板在净化环境中进行外观检查;
所述的液晶平板的单面多层AR透光率设置为≥94%;液晶平板的波段范围控制在400nm-700nm之间;液晶平板的硬度设置为≥9H。
本实用新型还涉及一种结构简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低成本的液晶平板结构。
所述的液晶平板结构包括多组光学薄膜,多组光学薄膜的光学薄膜包括Si3N4层Ⅰ、SiO2层Ⅰ、Si3N4层Ⅱ、SiO2层Ⅱ,多组光学薄膜从外侧到内侧依次为位于第一层的Si3N4层Ⅰ、位于第二层的SiO2层Ⅰ、位于第三层的Si3N4层Ⅱ、位于第四层的SiO2层Ⅱ,多组光学薄膜的总厚度尺寸控制在220nm-250nm范围之间。
所述的多组光学薄膜位于第一层的Si3N4层Ⅰ的厚度尺寸控制在30nm-35nm范围之间,位于第二层的SiO2层Ⅰ的厚度尺寸控制在30nm-35nm范围之间,位于第三层的Si3N4层Ⅱ的厚度尺寸控制在60nm-70nm范围之间,位于第四层的SiO2层Ⅱ的厚度尺寸控制在100nm-110nm范围之间。
采用本实用新型的技术方案,能得到以下的有益效果:
本实用新型所述的液晶平板加工方法,能够在原料玻璃的基础上,高效高质地加工出能够有效解决背景技术中提出的IN-LINE镀膜设备加工液晶平板时存在的问题的液晶平板,而且全面提高液晶平板加工效率,极大降低了成本,并且使得加工出的液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,有效提高产品市场竞争力。本实用新型所述的液晶平板加工方法,步骤简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低制造成本,提升产品良率。
附图说明
下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明:
图1为本实用新型所述的加工方法制作的液晶平板(超硬AR)与未进行镀膜处理的玻璃本体(素玻璃)的透过率数值对比示意图;
图2为本实用新型所述的液晶平板结构的剖视结构示意图;
附图中标记分别为:1、Si3N4层Ⅰ;2、SiO2层Ⅰ;3、Si3N4层Ⅱ;4、多组光学薄膜;5、Si3N4层Ⅱ。
具体实施方式
下面对照附图,通过对实施例的描述,对本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明:
如附图1所示,本实用新型为一种液晶平板加工方法,液晶平板包括玻璃本体,玻璃本体表面设置镀膜层,所述的液晶平板加工方法的加工步骤为:1)将原料玻璃根据设定尺寸切割成多块玻璃本体,采用磨边机对每块玻璃本体边缘分别进行边缘磨削处理,使得玻璃本体边缘成圆弧状结构;2)将玻璃本体批量投入LCD(Liquid Crystal Display)清洗机,LCD清洗机对波玻璃本体批量清洗;3)从LCD清洗机中取出玻璃本体,投入真空镀膜设备中,真空镀膜设备通过磁控溅射镀膜工艺对玻璃本体表面进行镀膜处理,从而在玻璃本体表面镀上多组光学薄膜,完成液晶平板加工。上述步骤,能够在原料玻璃的基础上,加工出能够有效解决背景技术中提出的IN-LINE镀膜设备加工液晶平板时存在的问题的液晶平板,而且全面提高液晶平板加工效率,极大降低了成本,并且使得加工出的液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,有效提高产品市场竞争力。本实用新型所述的液晶平板加工方法,步骤简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低制造成本,提升产品良率。
所述的LCD清洗机对波玻璃本体批量清洗时,LCD清洗机内的清洗液采用低泡碱性清洗剂,LCD清洗机对波玻璃本体批量清洗时,清洗液的温度控制在35℃-45℃范围之间。上述清洗液的选择及清洗液温度的选择,能够在较短时间内实现对玻璃本体的批量清洗,从而有效提高清洗速度,满足生产设备生产线节奏。
所述的真空镀膜设备通过磁控溅射镀膜工艺对玻璃本体表面进行镀膜处理时,玻璃本体在真空镀膜设备中进行镀膜处理的时间控制在40min-60min范围之间,镀膜处理后形成的4层光学薄膜。
所述的真空镀膜设备通过磁控溅射镀膜工艺对玻璃本体表面进行镀膜处理后,对形成的液晶平板在净化环境中进行外观检查;
所述的液晶平板的单面多层AR(AR膜,增透膜)透光率设置为≥94%;液晶平板的波段范围控制在400nm-700nm之间;液晶平板的硬度设置为≥9H。
本实用新型还涉及一种结构简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低成本的液晶平板结构。
所述的液晶平板结构包括多组光学薄膜,多组光学薄膜4的光学薄膜包括Si3N4(氮化硅)层Ⅰ1、SiO2(二氧化硅)层Ⅰ2、Si3N4层3、SiO2层5,多组光学薄膜4从外侧到内侧依次为位于第一层的Si3N4层Ⅰ1、位于第二层的SiO2层Ⅰ2、位于第三层的Si3N4层3、位于第四层的SiO2层5,多组光学薄膜4的总厚度尺寸控制在220nm-250nm范围之间。
所述的多组光学薄膜4位于第一层的Si3N4层Ⅰ1的厚度尺寸控制在30nm-35nm范围之间,位于第二层的SiO2层Ⅰ2的厚度尺寸控制在30nm-35nm范围之间,位于第三层的Si3N4层Ⅱ3的厚度尺寸控制在60nm-70nm范围之间,位于第四层的SiO25层Ⅱ的厚度尺寸控制在100nm-110nm范围之间。
本实用新型所述的液晶平板加工方法,能够在原料玻璃的基础上,高效高质地加工出能够有效解决背景技术中提出的IN-LINE镀膜设备加工液晶平板时存在的问题的液晶平板,而且全面提高液晶平板加工效率,极大降低了成本,并且使得加工出的液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,有效提高产品市场竞争力。本实用新型所述的液晶平板加工方法,步骤简单,能够有效提高液晶平板整体性能,使得液晶平板的透光率、硬度性能指标全面提升,同时有效提高液晶平板加工效率,不再需要复杂的镀膜设备,降低制造成本,提升产品良率。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述,显然本实用新型具体的实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其他场合的,均在本实用新型的保护范围内。

Claims (2)

1.一种液晶平板结构,其特征在于:所述的液晶平板结构包括多组光学薄膜,多组光学薄膜(4)的光学薄膜包括Si3N4层Ⅰ(1)、SiO2层Ⅰ(2)、Si3N4层Ⅱ(3)、SiO2层Ⅱ(5),多组光学薄膜(4)从外侧到内侧依次为位于第一层的Si3N4层Ⅰ(1)、位于第二层的SiO2层Ⅰ(2)、位于第三层的Si3N4层Ⅱ(3)、位于第四层的SiO2层Ⅱ(5),多组光学薄膜(4)的总厚度尺寸控制在220nm-250nm范围之间。
2.根据权利要求1所述的液晶平板结构,其特征在于:所述的多组光学薄膜(4)位于第一层的Si3N4层Ⅰ(1)的厚度尺寸控制在30nm-35nm范围之间,位于第二层的SiO2层Ⅰ(2)的厚度尺寸控制在30nm-35nm范围之间,位于第三层的Si3N4层Ⅱ(3)的厚度尺寸控制在60nm-70nm范围之间,位于第四层的SiO2层Ⅱ(5)的厚度尺寸控制在100nm-110nm范围之间。
CN201821397017.5U 2018-08-29 2018-08-29 一种液晶平板结构 Active CN208621866U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821397017.5U CN208621866U (zh) 2018-08-29 2018-08-29 一种液晶平板结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821397017.5U CN208621866U (zh) 2018-08-29 2018-08-29 一种液晶平板结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208621866U true CN208621866U (zh) 2019-03-19

Family

ID=65716324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821397017.5U Active CN208621866U (zh) 2018-08-29 2018-08-29 一种液晶平板结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208621866U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108897158A (zh) * 2018-08-29 2018-11-27 芜湖长信科技股份有限公司 一种液晶平板结构及液晶平板加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108897158A (zh) * 2018-08-29 2018-11-27 芜湖长信科技股份有限公司 一种液晶平板结构及液晶平板加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107107543B (zh) 带防污膜的基体
KR101954463B1 (ko) 압축 응력 평형을 갖는 눈부심 방지 유리 시트
US20150175478A1 (en) Textured glass surface and methods of making
JP2017019723A (ja) ガラス基板、電子機器用カバーガラス、及びガラス基板の製造方法
CN105645785B (zh) 一种高强度保护玻璃的强化方法
TW201716349A (zh) 附防污層之玻璃板
CN111470780A (zh) 一种玻璃面板的制备方法、玻璃面板、显示屏及显示装置
US10081569B2 (en) Process for producing glass substrate, and glass substrate
CN102351409A (zh) 玻璃保护的加工工艺
JP2021167959A (ja) ガラス積層体、ディスプレイ用前面板および表示装置
CN104088017A (zh) 一种蓝宝石材料手机面板加工方法
CN109095786A (zh) 一种新型手机玻璃
CN208621866U (zh) 一种液晶平板结构
CN103934756B (zh) 防眩光玻璃的制作工艺
WO2014112297A1 (ja) 透明基材
TW201514128A (zh) 分析藍寶石物品的方法
CN104844270A (zh) 一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法
CN102584027B (zh) 在化学法钢化的光学玻璃表面镀增透膜的方法
JPH1070294A (ja) 太陽電池用基板およびその製造方法
CN105110655B (zh) 一种平面弧形玻璃周边除膜装置
CN112062476B (zh) 垂直式玻璃防炫目处理系统及处理工艺
CN108897158A (zh) 一种液晶平板结构及液晶平板加工方法
CN106082686A (zh) 一种ag超薄电子触摸屏玻璃的生产工艺
KR101493749B1 (ko) 화학 강화 유리 제조방법
CN100402451C (zh) 一种光纤面板的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant