CN208444829U - 一种大功率层叠式芯片结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种大功率层叠式芯片结构，将第二引脚设置成锡焊在一起的封装部分和外接部分两部分，使得第二引脚的外接部分在切割多余部分以及弯折成型时，降低传递到封装部分的应力，从而降低芯片所受应力，降低芯片在生产时的损坏率，提高大功率层叠式芯片结构的良品率。

Description

一种大功率层叠式芯片结构

技术领域

本实用新型涉及一种大功率层叠式芯片结构，属于芯片封装技术领域。

背景技术

大功率层叠式芯片结构是以环氧树脂将芯片、引脚等封装成一体。如图1所示为一种常见的大功率层叠式芯片结构的结构图，包括内部含有芯片的环氧树脂，作为正负极的第一引脚和第二引脚设置在环氧树脂的底端和侧面。

第二引脚需要从环氧树脂侧面引出，并经若干次弯折形成与第一引脚齐平的导电接触面，现有技术中，第二引脚通常是一个整体铜件，在切除引脚多余部分和弯折引脚时，会向环氧树脂内的芯片产生应力，芯片受到应力作用时容易发生损坏，导致产品良品率不足。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为解决现有技术中芯片在封装过程中容易发生损坏的问题，提供一种能够提高生产产品良品率的大功率层叠式芯片结构及芯片封装生产方法。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种大功率层叠式芯片结构，包括：

环氧树脂；

第一引脚，位于环氧树脂底部，且第一引脚下底面露出；

第二引脚，从环氧树脂侧面伸出，包括位于环氧树脂内的封装部分和与封装部分通过焊锡焊接在一起的延伸到环氧树脂外的外接部分，外接部分经若干折弯后形成与第一引脚齐平的导电接触面；

所述第一引脚和所述第二引脚的封装部分之间设置有3片芯片；

所述封装部分包括，方形的接触部，设置在接触部一条边上的倾斜设置的第一弯折部，设置在第一弯折部一侧的向着接触部所在平面延伸的第二弯折部；

所述外接部分包括，方形的外接部，设置在外接部一条边上的倾斜设置的第三弯折部，第三弯折部与第二弯折部之间通过锡焊连接在一起。

优选地，本实用新型的大功率层叠式芯片结构，接触部所在平面与第一弯折部所在平面的夹角α为60°-80°，第一弯折部所在平面与第二弯折部所在平面的夹角β为40°-60°，第三弯折部所在平面与外接部所在平面的夹角γ为40°-60°。

优选地，本实用新型的大功率层叠式芯片结构，所述第二弯折部的末端成型有定位凹槽，所述第三弯折部的末端成型有与定位凹槽配合的定位部。

优选地，本实用新型的大功率层叠式芯片结构，所述外接部上靠近第三弯折部处成型有阻挡凸起。

优选地，本实用新型的大功率层叠式芯片结构，所述芯片与芯片之间还设置有铜片，第一引脚、第二引脚以及铜片与芯片之间为焊锡层，芯片、铜片与焊锡层均封装在环氧树脂内。

优选地，本实用新型的大功率层叠式芯片结构，所述铜片的厚度为6-8mil。

优选地，本实用新型的大功率层叠式芯片结构，所述第一引脚与第二引脚均为镀锌铜材料制成。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的大功率层叠式芯片结构，将第二引脚设置成锡焊在一起的封装部分和外接部分两部分，使得第二引脚的外接部分在切割多余部分以及弯折成型时，降低传递到封装部分的应力，从而降低芯片所受应力，降低芯片在生产时的损坏率，提高大功率层叠式芯片结构的良品率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型实施例的大功率层叠式芯片结构的结构示意图；

图2是本实用新型实施例的第一引脚、铜片、焊锡层、第二引脚的爆炸结构示意图；

图3a和图3b分别是本实用新型实施例的第二引脚的封装部分的主视图和侧视图；

图4a和图4b分别是本实用新型实施例的第二引脚的外接部分的主视图和侧视图；

图中的附图标记为：1-环氧树脂；2-第一引脚；3-第二引脚；41-芯片；42-铜片；43-焊锡层；301-接触部；302-第一弯折部；303-第二弯折部；304-定位凹槽；311-外接部；312-第三弯折部；313-阻挡凸起；314-定位部。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型创造中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本实用新型创造的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型创造和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型创造的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本实用新型创造的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型创造中的具体含义。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型创造。

实施例1

本实施例提供一种大功率层叠式芯片结构，如图1所示，包括：

环氧树脂1；

第一引脚2，位于环氧树脂1底部，且第一引脚2下底面露出；

第二引脚3，从环氧树脂1侧面伸出，包括位于环氧树脂1内的封装部分和与封装部分通过焊锡焊接在一起的延伸到环氧树脂1外的外接部分，外接部分31经若干折弯后形成与第一引脚2齐平的导电接触面；

所述第一引脚2和所述第二引脚3的封装部分之间设置有若干芯片41，芯片41与芯片41之间设置有铜片42，第一引脚2、第二引脚3以及铜片42与芯片41之间为焊锡层43(材料为Pb92.5Sn5Ag2.5)，芯片41、铜片42与焊锡层43均封装在环氧树脂1内；所述铜片42的厚度为6-8mil；如图2所示有3块芯片41；

所述第二引脚2为“T”形。

所述封装部分包括方形的接触部301，设置在接触部301一条边上的倾斜设置的第一弯折部302，设置在第一弯折部302一侧的向着接触部301所在平面延伸的第二弯折部303，接触部301所在平面与第一弯折部302所在平面的夹角α为60°-80°，第一弯折部302所在平面与第二弯折部303所在平面的夹角β为40°-60°；

所述外接部分包括，方形的外接部311，设置在外接部311一条边上的倾斜设置的第三弯折部312，所述外接部311上靠近第三弯折部312处成型有阻挡凸起313，第三弯折部312所在平面与外接部311所在平面的夹角γ为40°-60°；第三弯折部312与第二弯折部303之间通过锡焊连接在一起；上述角度的优选配合可以使第三弯折部312与第二弯折部303之间形成较大的接触面，提高焊接强度；阻挡凸起313可以防止第二弯折部303与第三弯折部312之间的焊锡在熔化后下流；

进一步地，所述第二弯折部303的末端成型有定位凹槽304，所述第三弯折部312的末端成型有与定位凹槽304配合的定位部314，通过定位部314与定位凹槽304的配合，使得在焊接时，限定外接部分与封装部分的相对位置。

外接部311经两次弯折后形成图1中第二引脚3的形状。

第一引脚2与第二引脚3均为镀锌铜材料制成，作为正负极。

本实施例的大功率层叠式芯片结构，将第二引脚3设置成锡焊在一起的封装部分30和外接部分31两部分，使得第二引脚3的外接部分31在切割多余部分以及弯折成型时，降低传递到封装部分30的应力，从而降低芯片41所受应力，降低芯片41在生产时的损坏率，提高大功率层叠式芯片结构的良品率。芯片41之间设置铜片42，通过铜片42将芯片41分离，能提供芯片41之间的导电性和导热性，增加接触面积。

实施例2

本实施例提供一种芯片封装生产方法，包括以下步骤：

S1：将第一引脚2、若干芯片41、第二引脚3的封装部分30堆叠在一起，芯片41与芯片41之间放置铜片42、第一引脚2、第二引脚3的封装部分30以及铜片42与芯片41放置焊锡，，并施加压力固定形成芯片与引脚总成；

所述第二引脚3的封装部分30包括方形的接触部301，设置在接触部301一条边上的倾斜设置的第一弯折部302，设置在第一弯折部302一侧的向着接触部301所在平面延伸的第二弯折部303，接触部301所在平面与第一弯折部302所在平面的夹角α为60°-80°，第一弯折部302所在平面与第二弯折部303所在平面的夹角β为40°-60°；

所述第二引脚3的外接部分31包括，方形的外接部311，设置在外接部311一条边上的倾斜设置的第三弯折部312，所述外接部311上靠近第三弯折部312处成型有阻挡凸起313，第三弯折部312所在平面与外接部311所在平面的夹角γ为40°-60°；第三弯折部312与第二弯折部303之间通过锡焊连接在一起；上述角度的优选配合可以使第三弯折部312与第二弯折部303之间形成较大的接触面，提高焊接强度；

S2：将S1的芯片与引脚总成经过焊锡炉加热，使焊锡熔化将相应部件焊接；

S3：将芯片与引脚总成通过环氧树脂1封装，使第一引脚2底部露出，所述第二引脚3的外接部分31从环氧树脂1侧面穿出；

S4：切除第一引脚2和第二引脚3的多余部分；

S5：将第二引脚3的外接部分31经若干折弯后形成与第一引脚2齐平的导电接触面。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (7)

1.一种大功率层叠式芯片结构，其特征在于，包括：

环氧树脂(1)；

第一引脚(2)，位于环氧树脂(1)底部，且第一引脚(2)下底面露出；

第二引脚(3)，从环氧树脂(1)侧面伸出，包括位于环氧树脂(1)内的封装部分和与封装部分通过焊锡焊接在一起的延伸到环氧树脂(1)外的外接部分，外接部分(31)经若干折弯后形成与第一引脚(2)齐平的导电接触面；

所述第一引脚(2)和所述第二引脚(3)的封装部分之间设置有3片芯片(41)；

所述封装部分包括，方形的接触部(301)，设置在接触部(301)一条边上的倾斜设置的第一弯折部(302)，设置在第一弯折部(302)一侧的向着接触部(301)所在平面延伸的第二弯折部(303)；

所述外接部分包括，方形的外接部(311)，设置在外接部(311)一条边上的倾斜设置的第三弯折部(312)，第三弯折部(312)与第二弯折部(303)之间通过锡焊连接在一起。

2.根据权利要求1所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，接触部(301)所在平面与第一弯折部(302)所在平面的夹角α为60°-80°，第一弯折部(302)所在平面与第二弯折部(303)所在平面的夹角β为40°-60°，第三弯折部(312)所在平面与外接部(311)所在平面的夹角γ为40°-60°。

3.根据权利要求1所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，所述第二弯折部(303)的末端成型有定位凹槽(304)，所述第三弯折部(312)的末端成型有与定位凹槽(304)配合的定位部(314)。

4.根据权利要求1所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，所述外接部(311)上靠近第三弯折部(312)处成型有阻挡凸起(313)。

5.根据权利要求1所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，所述芯片(41)与芯片(41)之间还设置有铜片(42)，第一引脚(2)、第二引脚(3)以及铜片(42)与芯片(41)之间为焊锡层(43)，芯片(41)、铜片(42)与焊锡层(43)均封装在环氧树脂(1)内。

6.根据权利要求5所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，所述铜片(42)的厚度为6-8mil。

7.根据权利要求1所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，所述第一引脚(2)与第二引脚(3)均为镀锌铜材料制成。