CN207916117U - 一种硅胶热烫转移刻字膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于硅胶制成品转印成型技术领域，特别是一种硅胶热烫转移刻字膜，包括PET底层，依次设置在PET底层上的离型面、硅胶涂层、架桥A层、架桥B层以及热溶胶离型膜，所述离型面的厚度为1.5um～2.5um，所述硅胶涂层的厚度为8～20um，所述架桥A层的厚度2～4um，其容重为0.5～3g/cm³,所述架桥B层的厚度2～4um，其容重为1～3g/cm³,所述热溶胶离型膜的厚度为0.05～0.25um。本实用新型图案或文字就在制品上，图案或文字不变形，清晰度高，耐磨好。同时，采用架桥A层和架桥B层采用网架结构，粘结稳定性好，耐水洗，不易脱落。
Description
技术领域
本实用新型涉及硅胶制成品转印成型技术领域，尤其是一种硅胶热烫转移刻字膜。
背景技术
目前有的技术是先把硅胶制品成型出来后，再把图案或文字用专用治具热转印方式烫印上去。这种方式主要存在如下缺点：1.表面图案或文字不够清晰。2.不耐水洗，容易造成脱落。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的主要目的是提供一种硅胶热烫转移刻字膜。
其采用的技术方案是：
一种硅胶热烫转移刻字膜，包括PET底层，依次设置在PET底层上的离型面、硅胶涂层、架桥A层、架桥B层以及热溶胶离型膜，所述离型面的厚度为1.5um～2.5um，所述硅胶涂层的厚度为8～20um，所述架桥A层的厚度2～4um，其容重为0.5～3g/cm³,所述架桥B层的厚度2～4um，其容重为1～3g/cm³,所述热溶胶离型膜的厚度为0.05～0.25um。
进一步地，所述架桥A层为网状结构。
进一步地，所述架桥B层为网状结构。
本实用新型的有益效果为：本实用新型图案或文字就在制品上，图案或文字不变形，清晰度高，耐磨好。同时，采用架桥A层和架桥B层采用网架结构，粘结稳定性好，耐水洗，不易脱落。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。
本实用新型中对出现的术语的解释为：PET为聚对苯二甲酸类塑料。
参照图1，一种硅胶热烫转移刻字膜，包括PET底层1，依次设置在PET底层1上的离型面2、硅胶涂层3、架桥A层4、架桥B层5以及热溶胶离型膜6，所述离型面2的厚度为1.5um～2.5um，所述硅胶涂层3的厚度为8～20um，所述架桥A层4的厚度2～4um，其容重为0.5～3g/cm³,所述架桥B层5的厚度2～4um，其容重为1～3g/cm³,所述热溶胶离型膜6的厚度为0.05～0.25um。
所述架桥A层 4为网状结构。
所述架桥B层5为网状结构。
参照图2,以下为本实用新型提供的制备工艺，
包括如下步骤：1）PET电晕面涂离型面：将PET进行电晕处理，在其电晕面采用环保树脂材料SS521进行处理，处理后的图层与PET电晕面分离，表面为哑面，涂层厚度2um；
2）一次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是12m/min，涂布烘烤温度140℃/15min
；3）离型面上刮涂硅胶层：采用环保硅胶SS513在离型面上进行2次加工涂层，涂层厚度15um；
4）二次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是15m/min，涂布烘烤温度140℃/15min；
5）在硅胶层表面网滚涂或喷涂架桥A：采用保树脂材料SS519在环保硅胶SS513层表面网滚涂或喷涂，涂布或喷涂厚度3um；
6）三次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是20m/min，涂布烘烤温度140℃/15min；
7）在架桥A表面网滚涂或喷涂架桥B：采用处理剂D在架桥A表面网滚涂或喷涂，涂布或喷涂厚度3um；所述处理剂D为环保树脂材料SS519、环保树脂材料SS507、环保树脂材料SS520按照1:1:0.1比例混合而成；
8）四次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是20m/min，涂布烘烤温度140℃/15min；
9）热熔胶流延或覆膜：采用环保胶粒SS523，流延或覆膜厚度1.5um，同时覆离型膜；
10）产品处理和检测：按规格分切材料及修边处理，进行产品检测和确认。
以上对本实用新型实施例所公开的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体实施例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (3)
1.一种硅胶热烫转移刻字膜，其特征在于，包括PET底层，依次设置在PET底层上的离型面、硅胶涂层、架桥A层、架桥B层以及热溶胶离型膜，所述离型面的厚度为1.5um～2.5um，所述硅胶涂层的厚度为8～20um，所述架桥A层的厚度2～4um，其容重为0.5～3g/cm³,所述架桥B层的厚度2～4um，其容重为1～3g/cm³,所述热溶胶离型膜的厚度为0.05～0.25um。
2.根据权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜，其特征在于，所述架桥A层为网状结构。
3.根据权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜，其特征在于，所述架桥B层为网状结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820278241.6U CN207916117U (zh) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 一种硅胶热烫转移刻字膜 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201820278241.6U CN207916117U (zh) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 一种硅胶热烫转移刻字膜 |
Publications (1)
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| CN207916117U true CN207916117U (zh) | 2018-09-28 |
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Family Applications (1)
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| CN201820278241.6U Active CN207916117U (zh) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 一种硅胶热烫转移刻字膜 |
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| CN (1) | CN207916117U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109927432A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-06-25 | 赵志强 | 一种硅胶3d图案转烫至软质面料的方法及硅胶3d图案 |
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2018
- 2018-02-27 CN CN201820278241.6U patent/CN207916117U/zh active Active
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| CN109927432A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-06-25 | 赵志强 | 一种硅胶3d图案转烫至软质面料的方法及硅胶3d图案 |
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