CN207781635U - 一种多层结构的芯片级封装led器件及背光模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组，该芯片级封装LED器件包括形成反射腔的反射胶体，设置于反射腔底部的LED芯片，形成于反射腔内将LED芯片覆盖的第一透明胶层，形成于反射腔内位于第一透明胶层之上的第一发光转换胶层，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°，相比现有芯片级封装LED器件，反射胶层与水平面成90°不利于光的反射，LED芯片与发光转换胶层直接接触导致发光转换胶层光效降低和LED芯片表面易形成气泡，本实用新型提供的芯片级封装LED器件可以降低LED芯片表面出现气泡的情况，提高光萃取率，本实用新型提供的包括上述多层结构的芯片级封装LED器件的背光模组，相比现有背光模组，可以提高光的可靠性、光萃取率。

Description

一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组

技术领域

本实用新型涉及芯片级封装LED器件领域，尤其涉及一种多层结构的芯片级封装LED器件。

背景技术

如今，芯片级封装LED器件已经广泛应用于液晶背光源领域和照明领域，随着芯片级封装LED器件应用环境的增多，市场对芯片级封装LED器件的要求也越来越高。芯片级封装LED器件的的结构不同，其性能也大不相同，优化芯片级封装LED器件的封装结构，芯片级封装LED器件的性能也会得到提升。

目前，基于倒装LED芯片的芯片级封装LED器件，请参见图1，包括倒装LED芯片101、发光转换胶层102和反射白胶层103，反射白胶层103与发光转换胶层102的接触面与水平面的夹角成90°。且发光转换胶层102中的发光转换颗粒直接与倒装LED芯片101接触，发光转换颗粒为固体颗粒，因此在与倒装LED芯片101表面接触的发光转换颗粒周围极易形成气泡，形成的气泡会影响发光转换胶层102与倒装LED芯片101的粘合力及光的萃取率；同时，在倒装LED芯片101在大电流工作时，会产生高温，由于发光转换胶层102与倒装LED芯片101直接接触，倒装LED芯片101产生的高温会直接传递给发光转换胶层102，高温会使发光转换胶层102中的发光转换颗粒的光效及可靠性降低，出现较大的光衰和色漂；另外，由于反射白胶层103与发光转换胶层102的接触面与水平面的夹角成90^o，并不利于光的萃取，会导致芯片级封装LED器件的光通量降低。

实用新型内容

本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组，主要解决的技术问题是：现有倒装型芯片级封装LED器件的反射胶层与水平面成90^o导致光通量低，以及LED芯片与发光转换颗粒直接接触导致发光转换颗粒光效降低和发光转换颗粒与LED芯片表面接触处易形成气泡。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件，包括：

形成反射腔的反射胶体，设置于所述反射腔底部的LED芯片，形成于所述反射腔内将所述LED芯片覆盖的第一透明胶层，以及形成于所述反射腔内位于所述第一透明胶层之上的第一发光转换胶层；

所述反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°。

可选的，所述LED芯片底部具有正极引脚和负极引脚，所述芯片级封装LED器件还包括设置于所述正极引脚和所述负极引脚之间的绝缘反射胶层。

可选的，所述绝缘反射胶层的宽度等于所述正极引脚和所述负极引脚之间的间隙宽度。

可选的，所述绝缘反射胶层为绝缘白胶层，所述反射胶体为绝缘白胶。

可选的，其特征在于，所述芯片级封装LED器件还包括形成于所述反射腔内位于所述第一发光转换胶层之上的第二透明胶层，以及形成于所述反射腔内位于所述第二透明胶层之上的第二发光转换胶层。

可选的，所述芯片级封装LED器件还包括形成于所述第二发光转换胶层之上的第三透明胶层。

可选的，所述第三透明胶层为硅胶层或扩散层，所述扩散层为胶水与有机硅类颗粒混合物。

可选的，所述反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°且小于等于130°。

可选的,所述反射腔的腔体内壁形状为平面、抛物面和椭球面中任意一种。

本实用新型还提供一种背光模组，包括所述导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件包括如上述任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件。

有益效果

本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件，包括形成反射腔的反射胶体，设置于反射腔底部的LED芯片，形成于反射腔内且覆盖LED芯片的第一透明胶层，形成于反射腔内位于第一透明胶层上的第一发光转换胶层，其中，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°；本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件至少具有以下优点：

1、本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件，在第一发光转换胶层和LED芯片之间设置有第一透明胶层，相比现有发光转换胶层与LED芯片直接接触的芯片级封装LED器件而言，第一透明胶层的设置可以隔离发光转换胶层与LED芯片，避免发光转换胶层直接与LED芯片表面接触导致接触处产生气泡的情况，且第一透明胶层与LED芯片直接接触，增加了胶水在LED芯片表面的湿润能力，提高了透明胶层与LED芯片的结合力；

2、本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件，在第一发光转换胶层和LED芯片之间设置有第一透明胶层，相比现有发光转换胶层与LED芯片直接接触的芯片级封装LED器件而言，第一透明胶层的设置可以隔离第一发光转换胶层与芯片级LED芯片，避免将芯片级LED芯片工作产生的高温直接传递给发光转换胶层导致发光转换胶层光效及可靠性能降低的情况，提升了芯片级封装LED器件的可靠性；

3、本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件，其反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°，相比现有反射白胶层与发光转换胶层的接触面与水平面的夹角成90°的芯片级封装LED器件而言，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°的设置更利于光的反射，可以提高光的萃取率，减少光损失，提高芯片级封装LED器件的出光率；

因此，使用本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件制作出的背光模组，相比使用现有芯片级封装LED器件制作出的背光模组而言，可以提高背光模组的光萃取率及可靠性。

附图说明

图1为现有芯片级封装LED器件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的多层结构的芯片级封装LED器件的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一提供的反射腔内壁示意图；

图4为本实用新型实施例一提供的LED芯片底部的第一结构示意图；

图5为本实用新型实施例一提供的LED芯片底部的第二结构示意图；

图6为本实用新型实施例一提供的多层结构的芯片级封装LED器件的第一详细结构示意图；

图7为本实用新型实施例三提供的多层结构的芯片级封装LED器件的第二详细示意图；

图8为本实用新型实施例二提供的多层结构的芯片级封装LED器件的结构示意图；

图9为本实用新型实施例三提供的多层结构的芯片级封装LED器件的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的内容更容易被理解，下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例一：

为了解决现有芯片级封装LED器件其LED芯片与发光转换胶直接接触且反射胶层与水平面成90°导致发光转换颗粒与芯片表面接触处易形成气泡降低发光转换胶层与芯片的粘合力以及光的萃取率，在LED芯片工作产生高温时高温直接传递给发光转换胶层导致荧光粉的的光效及可靠性能下降，出现较大的光衰和色漂，反射胶层与水平面成90°，不利于光的萃取，降低了器件的光通量的问题，本实施例提供一种多层结构的芯片级封装LED器件，请参见图2，多层结构的芯片级封装LED器件包括：

形成反射腔的反射胶体201，设置于反射腔底部的LED芯片202，形成于反射腔内将LED芯片202覆盖的第一透明胶层203，形成于反射腔内位于第一透明胶层203之上的第一发光转换胶层204，其中反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°。

其中，反射胶体201可以为任意具有反射作用的胶体，实际应用中，反射胶体201可以为绝缘白胶层。第一透明胶层203可以为任意透明的胶层，当然，第一透明胶层203可以为硅胶层。第一发光转胶层204可以为具有发光转换效果的任意胶层，例如荧光胶层。

需要说明的是，本实施例中反射腔的腔体内壁为可以为平面，或椭球面，或抛物面，或任意与水平面之间的夹角大于90°的不规则的面，例如，反射腔的腔体内壁可以如图3所示的不规则的面31。

可以理解的是，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°，例如可以为100°、110°等，实际应用中，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角可以大于90°小于等于130°。

本实施例中，底部包括正极引脚和负极引脚，正极引脚和负极引脚之间有空隙，为了防止多层结构的芯片级封装LED器件底部漏光，在LED芯片的正极引脚和负极引脚之间设置有绝缘反射胶层，绝缘反射胶层的高度可以小于等于LED芯片正极引脚和负极引脚的高度，绝缘反射胶层的宽度可以小于等于正极引脚与负极引脚之间的间隙宽度。例如，如图4所示，绝缘反射胶层401的宽度等于正极引脚与负极引脚403之间的间隙宽度，且绝缘反射胶层401的高度等于正极引脚与负极引脚403的高度；如图5所示，绝缘反射胶层501的宽度小于正极引脚与负极引脚503之间的间隙宽度，且绝缘反射胶层501的高度小于正极引脚与负极引脚503的高度。这样，在LED芯片的正极引脚和负极引脚之间设置有绝缘反射胶层，绝缘反射胶层能够将到达LED芯片底部的光反射出去；并且，在将多层结构的芯片级封装LED器件焊接在LED PCB板上后，正极引脚和负极引脚之间的绝缘反射胶层就可以将LED芯片底部的正极引脚和负极引脚之间与LED PCB板的缝隙进行封堵，避免出现缝隙或尽可能降低缝隙的高度，至少具备以下优点：

1、绝缘反射胶层的存在，可将到达LED芯片底部的光反射出去，提高芯片级封装LED器件的出光率，防止LED芯片底部漏光。

2、绝缘反射胶层的存在，可将LED芯片正极引脚和负极引脚之间可靠隔离，避免正极引脚和负极引脚短路。

3、通过本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件制得的LED灯条、背光模组等产品，由于LED下方的正、负引脚之间与LED PCB板的缝隙被封堵，可避免产品在运输、使用过程空气中的水分、盐分进入发生氧化进而导致产品失效，可进一步提升产品的可靠性。

为了节约发光转换颗粒的用量，降低制造成本，请参见图6本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件包括：形成反射腔的反射胶体601，设置于反射腔底部的LED芯片602，形成于反射腔内将LED芯片602覆盖的第一透明胶层603，形成于反射腔内位于第一透明胶层603之上的第一发光转换胶层604，形成于反射腔内位于第一发光转换胶层604之上的第二透明胶层605，以及形成于反射腔内位于第二透明胶层605之上的第二发光转换胶层606。其中，第二发光转换胶层可以为任意具有发光转换效果的胶层，例如第二发光转换胶层可以为荧光胶层。第一发光转换胶层的发光转换颗粒浓度与第二发光转换胶层的发光转换颗粒浓度可以相同，也可以不同，本实施例不做限制。

这样，本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件包括两层发光转换胶层，可以减弱发光转换颗粒对蓝光的直接反射或散射作用，使蓝光更容易穿透第一发光转换胶层，进入第二透明胶层，可将更多的蓝光限制在第二透明胶层，通过反射、散射等作用，可充分理由第一透明胶层中的蓝光激发第一发光转换胶层和第二发光转换胶层中的发光转换颗粒，提高芯片级封装LED器件的发光效率，在相同效果下，可节约发光转换颗粒的用量，降低制造成本。

另外，为了保护第二发光转换胶层，请参见图7，本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件包括：形成反射腔的反射胶体701，设置于反射腔底部的LED芯片702，形成于反射腔内将LED芯片702覆盖的第一透明胶层703，形成于反射腔内位于第一透明胶层703之上的第一发光转换胶层704，形成于反射腔内位于第一发光转换胶层704之上的第二透明胶层705，形成于反射腔内位于第二透明胶层705之上的第二发光转换胶层706，设置于第二发光转换胶层706之上的第三透明胶层707。其中，第三透明胶层可以位于反射腔内，第三透明胶层也可以位于第二发光转换胶层和反射胶体之上。第三透明胶层可以为硅胶层或扩散层，其中，扩散层为胶水与有机硅类颗粒混合物。第三透明胶层可通过光的散射改变光的传播路径，使光充分混合，使发光面的光强度更加均匀、柔和，避免芯片级封装LED器件出现炫光的情况；设置第三透明胶层可减弱芯片级封装LED器件边缘色度与中心色度的偏差，使发光面各点的色度发布更加均匀，避免色度不均的情况；且第三透明胶层设置于第二发光转换胶层之上，可以避免荧光胶被外界损伤。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件可以防止底部漏光，避免LED芯片正负引脚之间出现短路的情况，隔离发光转换颗粒与LED芯片，降低LED芯片表面出现气泡的概率，避免LED芯片产生的高温传递给第一发光转换胶层导致出现光衰和色漂的情况，第三透明胶层的设置使发光面的光强度更均匀、柔和，空间各点色度分布更均匀，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°的设置可提高芯片级封装LED器件的出光率，双层荧光胶的设置可提高芯片级封装LED器件的发光效率，在相同效果下节约发光转换颗粒的用量，降低芯片级封装LED器件的制造成本。

实施例二：

本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件，请参见图8，多层结构的芯片级封装LED器件包括：

形成反射腔的反射胶体801，设置于反射腔底部的LED芯片802，形成于反射腔内将LED芯片802覆盖的第一透明胶层803，形成于反射腔内位于第一透明胶层803之上的第一发光转换胶层804，其中反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角为91°，反射腔的腔体内壁为椭球面，反射胶体801为绝缘白胶层，第一透明胶层803为硅胶层。

其中，LED芯片802底部包括正极引脚和负极引脚805，正极引脚和负极引脚805之间有空隙，在正极引脚和负极引脚805之间设置有绝缘反射胶层806，绝缘反射胶层806的高度与正极引脚和负极引脚805的高度相同，绝缘反射胶层806的宽度与正极引脚和负极引脚805之间缝隙的宽度相同，反射胶体801底部与绝缘反射胶层806底部平齐，绝缘反射胶层806为绝缘白胶层。这样，绝缘反射胶层能够将到达LED芯片底部的光反射出去；并且，在将多层结构的芯片级封装LED器件焊接在LED PCB板上后，正极引脚和负极引脚之间的绝缘反射胶层就可以将LED芯片底部的正极引脚和负极引脚之间与LED PCB板的缝隙进行封堵，避免出现缝隙或尽可能降低缝隙的高度，至少具备以下优点：

1、绝缘反射胶层的存在，可将到达LED芯片底部的光反射出去，提高芯片级封装LED器件的出光率，防止LED芯片底部漏光。

2、绝缘反射胶层的存在，可将LED芯片正极引脚和负极引脚之间可靠隔离，避免正极引脚和负极引脚短路。

3、通过本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件制得的LED灯条、背光模组等产品，由于LED下方的正、负引脚之间与LED PCB板的缝隙被封堵，可避免产品在运输、使用过程空气中的水分、盐分进入发生氧化进而导致产品失效，可进一步提升产品的可靠性。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件还包括：形成于反射腔内位于第一发光转换胶层804之上的第二透明胶层807，以及形成于反射腔内位于第二透明胶层807之上的第二发光转换胶层808，第一透明胶层803和第二透明胶层807为硅胶层。通过设置两层发光转换胶层，可以减弱发光转换颗粒对蓝光的直接反射或散射作用，使蓝光更容易穿透第一发光转换胶层，进入第二透明胶层，可将更多的蓝光限制在第二透明胶层，通过反射、散射等作用，可充分利用第一透明胶层中的蓝光激发第一发光转换胶层和第二发光转换胶层中的发光转换颗粒，提高芯片级封装LED器件的发光效率，在相同效果下，可节约发光转换颗粒的用量，降低制造成本。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件还包括：第三透明胶层809，第三透明胶层809设置于反射腔内、位于第二发光转换胶层808之上，第三透明胶层809顶部与反射胶体801顶部平齐，第三透明胶层809为硅胶层或扩散层，其中，扩散层为胶水与有机硅类颗粒混合物。第三透明胶层可通过光的散射改变光的传播路径，使光充分混合，使发光面的光强度更加均匀、柔和，避免芯片级封装LED器件出现炫光的情况；设置第三透明胶层可减弱芯片级封装LED器件边缘色度与中心色度的偏差，使发光面各点的色度发布更加均匀，避免色度不均的情况；且第三透明胶层设置于第二发光转换胶层之上，可以避免荧光胶被外界损伤。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件，在LED芯片底部设置有绝缘反射胶层，可以防止底部漏光，避免LED芯片正负引脚之间出现短路的情况；在LED芯片与对应发光转换胶层之间设置有第一透明胶层，可隔离发光转换颗粒与LED芯片，降低LED芯片表面出现气泡的概率，避免LED芯片产生的高温传递给第一发光转换胶层导致出现光衰和色漂的情况；在芯片级封装LED器件顶部设置有第三透明胶层，第三透明胶层的设置使发光面的光强度更均匀、柔和，空间各点色度分布更均匀；反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角为91°的设置可提高芯片级封装LED器件的出光率；双层发光转换胶层的设置可提高芯片级封装LED器件的发光效率，在相同效果下节约荧光粉的用量，降低芯片级封装LED器件的制造成本。

实施例三：

本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件，请参见图9，多层结构的芯片级封装LED器件包括：

形成反射腔的绝缘白胶体901，设置于反射腔底部的LED芯片902，形成于反射腔内将LED芯片902覆盖的第一硅胶层903，形成于反射腔内在第一硅胶层903之上的第一荧光胶层904，其中反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角为130°，反射腔的腔体内壁为抛物面。

其中，LED芯片902底部包括正极引脚和负极引脚905，正极引脚和负极引脚905之间有空隙，在正极引脚和负极引脚905之间设置有绝缘反射白胶层906，绝缘反射白胶层906的高度等于正极引脚和负极引脚905的高度，绝缘反射白胶层906的宽度等于正极引脚和负极引脚905之间缝隙的宽度。这样，绝缘反射白胶层能够将到达LED芯片底部的光反射出去；并且，在将多层结构的芯片级封装LED器件焊接在LED PCB板上后，正极引脚和负极引脚之间的绝缘反射白胶层就可以将LED芯片底部的正极引脚和负极引脚之间与LED PCB板的缝隙进行封堵，避免出现缝隙或尽可能降低缝隙的高度，至少具备以下优点：

1、绝缘反射白胶层的存在，可将到达LED芯片底部的光反射出去，提高芯片级封装LED器件的出光率，防止LED芯片底部漏光。

2、绝缘反射白胶层的存在，可将LED芯片正极引脚和负极引脚之间可靠隔离，避免正极引脚和负极引脚短路。

3、通过本实用新型提供的多层结构的芯片级封装LED器件制得的LED灯条、背光模组等产品，由于LED下方的正、负引脚之间与LED PCB板的缝隙被封堵，可避免产品在运输、使用过程空气中的水分、盐分进入发生氧化进而导致产品失效，可进一步提升产品的可靠性。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件还包括：形成于反射腔内位于第一荧光胶层904之上的第二硅胶层907，以及形成于反射腔内位于第二硅胶层907之上的第二荧光胶层908。通过设置两层荧光胶层，可以减弱荧光粉对蓝光的直接反射或散射作用，使蓝光更容易穿透第一荧光胶层，进入第二硅胶层，可将更多的蓝光限制在第二硅胶层，通过反射、散射等作用，可充分利用第一硅胶层中的蓝光激发第一荧光胶层和第二荧光胶层中的荧光粉，提高芯片级封装LED器件的发光效率，在相同效果下，可节约荧光粉的用量，降低制造成本。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件还包括：第三硅胶层909，第三硅胶层909设置于第二荧光胶层908和绝缘白胶体901之上，第二荧光胶层908顶部与绝缘白胶体901顶部平齐。第三硅胶层可通过光的散射改变光的传播路径，使光充分混合，使发光面的光强度更加均匀、柔和，避免芯片级封装LED器件出现炫光的情况；设置第三硅胶层可减弱芯片级封装LED器件边缘色度与中心色度的偏差，使发光面各点的色度发布更加均匀，避免色度不均的情况；且第三硅胶层设置于第二荧光胶层之上，可以避免荧光胶被外界损伤。

本实施例还提供一种背光模组，该背光模组包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，LED组件包括上述多层结构的芯片级封装LED器件。。

本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件，包括：形成反射腔的绝缘白胶体，设置于反射腔底部的LED芯片，LED芯片底部有正极引脚和负极引脚，设置于正极引脚和负极引脚之间的绝缘反射白胶层，形成于反射腔内将LED芯片覆盖的第一硅胶层，形成于反射腔内位于第一硅胶层之上的第一荧光胶层，形成于反射腔内位于第一发光转换胶层之上的第二硅胶层，形成于反射腔内位于第二硅胶层之上的第二荧光胶层，位于第二荧光胶层和反射白胶体之上的第三硅胶层，其中，第二荧光胶层顶部与反射白胶体顶部平齐，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角为130°，相比现有包括LED芯片，覆盖LED芯片的荧光胶层，位于荧光胶层侧面的反射胶层且反射胶层与荧光胶层接触面与水平面夹角为90°的芯片级封装LED器件，本实施例提供的多层结构的芯片级封装LED器件至少具有以下有益效果：

1、LED芯片与第一荧光胶层之间存在第一硅胶层，可以避免荧光胶层中的荧光粉颗粒与LED芯片接触处产生气泡的情况，且第一硅胶层的设置可以避免LED芯片产生的高温传递给荧光胶层导致出现色温和色漂的情况，提高光的可靠性；

2、本实施例中多层结构的芯片级封装LED器件的反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角为130°，相比现有芯片级封装LED器件的反射胶层与荧光胶层接触面与水平面夹角为90°的芯片级封装LED器件而言，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角为130°的设置更加有利于光线反射，提高光的萃取率

3、本实施例中多层结构的芯片级封装LED器件的LED芯片底部设置有绝缘反射白胶层，相比现有芯片级封装LED器件而言，可以防止LED芯片底部漏光，避免正极引脚和负极引脚之间短路的情况；

4、本实施例的多层结构的芯片级封装LED器件采用了两层荧光胶层的结构，相比现有采用一层荧光胶层的芯片级封装LED器件而言，两层荧光胶层的结构可以减弱荧光粉对蓝光的直接反射或散射作用，使蓝光更容易穿透第一荧光胶层进入第二硅胶层，第二透明胶层中的蓝光通过反射或散射，充分激发第一荧光胶层和第二荧光胶层中的荧光粉，提高了多层结构的芯片级封装LED器件的发光效率，在相同效果下，可以降低荧光粉的用量，降低器件成本；

5、本实施例的多层结构的芯片级封装LED器件最上层为硅胶层，相比现有最上层为发光转换胶层的芯片级封装LED器件而言，设置的第三硅胶层通过光的散射改变光的传播路径使光充分混合，使发光面的光强度与色度更加均匀，第三硅胶层可以防止荧光胶层受到外界损伤的情况。

本实施例还提供一种包括上述多层结构的芯片级封装LED器件的背光模组，相比现有背光模组而言，可提高背光模组的出光率、可靠性以及发光面亮度和色度的均匀性，避免背光模组漏光。

应当理解的是，本实施例提供的芯片级封装LED器件可以应用于各种发光领域，除了前面所示的将其应用于背光模组进而应用于显示背光领域(可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组)外，还可应用于按键背光领域、拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等。应用于按键背光领域时，可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源；应用于拍摄领域时，可以制作成摄像头的闪光灯；应用于家用照明领域时，可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等；应用于医用照明领域时，可以制作成手术灯、低电磁照明灯等；应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯，例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯；应用于汽车领域时，可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等；应用于交通领域时，可以制成各种交通灯，也可以制成各种路灯。上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是芯片级封装LED的应用并不限于上述示例的几种领域。

上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。

Claims (10)

1.一种多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，包括：

形成有反射腔的反射胶体，设置于所述反射腔底部的LED芯片，形成于所述反射腔内将所述LED芯片覆盖的第一透明胶层，以及形成于所述反射腔内位于所述第一透明胶层之上的第一发光转换胶层；

所述反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°。

2.如权利要求1所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述LED芯片底部具有正极引脚和负极引脚，所述芯片级封装LED器件还包括设置于所述正极引脚和所述负极引脚之间的绝缘反射胶层。

3.如权利要求2所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述绝缘反射胶层的宽度等于所述正极引脚和所述负极引脚之间的间隙宽度。

4.如权利要求2所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述绝缘反射胶层为绝缘白胶层。

5.如权利要求1-4中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述芯片级封装LED器件还包括形成于所述反射腔内位于所述第一发光转换胶层之上的第二透明胶层，以及形成于所述反射腔内位于所述第二透明胶层之上的第二发光转换胶层。

6.如权利要求5所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述芯片级封装LED器件还包括形成于所述第二发光转换胶层之上的第三透明胶层。

7.如权利要求6所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述第三透明胶层为硅胶层或扩散层，所述扩散层为胶水与有机硅类颗粒混合物。

8.如权利要求1-4中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°且小于等于130°。

9.如权利要求1-4中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述反射腔的腔体内壁形状为平面、抛物面和椭球面中任意一种。

10.一种背光模组，其特征在于，所述背光模组包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件包括如权利要求1-9中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件。