CN207766639U - 一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板 - Google Patents
一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种基于Cds‑SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层；复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，上催化层设置于上纳米管束和上导体层之间，上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。
Description
技术领域
本实用新型属于电路板领域，具体涉及一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板。
背景技术
随着电子设计和制造工艺的不断进步，电子产品也逐步在向高功能化、高密度化以及高传输速率的趋势发展。同时又由于芯片小型化的迅速发展、数据传输数量的增多，系统工作频率也越来越高。
由于目前，多层电路板仍然存在可靠性较差、连接不可靠、散热性低等缺点。
鉴于此，提出一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板。
实用新型内容
为解决现有技术存在可靠性较差、连接不可靠、散热性低等的缺陷，本实用新型提供一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层，所述复合板层位于中间，所述上导体层形成有上导电图形，所述下导电层形成有下导电图形，所述上导体层和下导体层分别位于复合板层的上下两侧；
其特征在于：所述复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，所述上复合材料层叠设在下复合材料层上，上散热层设于上复合材料层之上，所述下散热层设于下复合材料层之下；
所述上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，所有上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，所述上催化层设置于所有上纳米管束和上导体层之间，所有上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；所述下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，所有下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，所述下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，所有下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；所述上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。
进一步地，所述纳米管束采用Cds-SiO2纳米管束。
进一步地，所有上纳米管束在上聚合物基体中沿水平方向均匀间隔布置。
进一步地，所有下纳米管束在下聚合物基体中沿水平方向均匀间隔布置。
进一步地，所述上散热层为上中空立体结构，在该上中空立体结构表面开设有若干贯穿上散热层上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。
进一步地，所述下散热层为下中空立体结构，在该下中空立体结构表面开设有若干贯穿上散热层上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。
有益效果：本实用新型可靠性好、热导率高、绝缘性佳、耐热性能强，另外通过上散热层和下散热层的设置，能够有效提高电路板的散热效果。
附图说明
附图1为本实施例中多层电路板的结构示意图。
具体实施方式
实施例：一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板
如图1，包括复合板层1、上导体层2、下导体层3，所述复合板层1位于中间，所述上导体层2形成有上导电图形，所述下导电层3形成有下导电图形，所述上导体层2和下导体层3分别位于复合板层1的上下两侧。
所述复合板层1包括上复合材料层4、下复合材料层5、上散热层6以及下散热层7，所述上复合材料层4叠设在下复合材料层5上，上散热层6设于上复合材料层4之上，所述下散热层7设于下复合材料层5之下。
所述上复合材料层4包括上聚合物基体40、若干上纳米管束41以及上催化层42，所有上纳米管束41间隔排列在上聚合物基体40中，所述上催化层42设置于所有上纳米管束41和上导体层2之间，所有上纳米管束41的上端均穿过上散热层6与上导电图形电连接；所述下复合材料层5包括下聚合物基体50、若干下纳米管束51以及下催化层52，所有下纳米管束51间隔排列在下聚合物基体50中，所述下催化层52设置于所有下纳米管束51和下导体层3之间，所有下纳米管束51的上端均穿过下散热层7与下导电图形电连接；所述上纳米管束41的下端与对应的下纳米管束51的上端连接。
其中，所述纳米管束采用Cds-SiO2纳米管束，所有上纳米管束41在上聚合物基体40中沿水平方向均匀间隔布置。并且，所有下纳米管束51在下聚合物基体40中沿水平方向均匀间隔布置。
本实施例中，所述上散热层6为上中空立体结构，在该上中空立体结构表面开设有若干贯穿上散热层6上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。所述下散热层7为下中空立体结构，在该下中空立体结构表面开设有若干贯穿上散热层7上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。
以上已将本实用新型做一详细说明，以上所述，仅为本实用新型之较佳实施例而已，当不能限定本实用新型实施范围，即凡依本申请范围所作均等变化与修饰，皆应仍属本实用新型涵盖范围内。
Claims (6)
1.一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层，所述复合板层位于中间，所述上导体层形成有上导电图形，所述下导体层成有下导电图形，所述上导体层和下导体层分别位于复合板层的上下两侧；
其特征在于：所述复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，所述上复合材料层叠设在下复合材料层上，上散热层设于上复合材料层之上，所述下散热层设于下复合材料层之下；
所述上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，所有上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，所述上催化层设置于所有上纳米管束和上导体层之间，所有上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；所述下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，所有下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，所述下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，所有下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；所述上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。
2.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所述纳米管束采用Cds-SiO2纳米管束。
3.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所有上纳米管束在上聚合物基体中沿水平方向均匀间隔布置。
4.根据权利要求3所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所有下纳米管束在下聚合物基体中沿水平方向均匀间隔布置。
5.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所述上散热层为上中空立体结构，在该上中空立体结构表面开设有若干贯穿上散热层上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。
6.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所述下散热层为下中空立体结构，在该下中空立体结构表面开设有若干贯穿下散热层上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。
Priority Applications (1)
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| CN201721419910.9U CN207766639U (zh) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板 |
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| CN201721419910.9U CN207766639U (zh) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN207766639U true CN207766639U (zh) | 2018-08-24 |
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ID=63179633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201721419910.9U Active CN207766639U (zh) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN207766639U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109817829A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 散热膜及显示面板 |
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2017
- 2017-10-31 CN CN201721419910.9U patent/CN207766639U/zh active Active
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