CN207738840U - 晶圆沉积覆盖环 - Google Patents

Abstract

本实用新型提出一种晶圆沉积覆盖环，其用以覆盖于一晶圆沉积装置的一沉积环，且该沉积环固设于晶圆沉积装置中用于承载晶圆的一承载座。晶圆沉积覆盖环为一环体，环体形成有一内周面，内周面形成有一环凹槽，环凹槽正对于承载座所承载的一晶圆的横向侧面。本实用新型的晶圆沉积覆盖环可遮蔽承载座的沉积环，使大部分的沉积材料会沉积于晶圆沉积覆盖环，而沉积于沉积环的量会相对较少，可有效延长生产时间达112％至322％。藉由沉积覆盖环上的环凹槽的设计，可有效控制沉积薄膜的形状，避免晶圆与沉积覆盖环上的沉积材料互相接触，且能避免产生电弧。

Description

晶圆沉积覆盖环

技术领域

本实用新型是关于一种晶圆沉积覆盖环，特别是关于一种于晶圆进行沉积时覆盖于晶圆周缘的覆盖环。

背景技术

在半导体元件的制造过程中，皆是由晶圆进行加工所制成。而晶圆的加工过程中，会将晶圆放置于承载座上，然后对晶圆进行气相沉积作业。然而，于沉积过程中，沉积材料不只会附着于晶圆上，还可能会附着于承载座上未被晶圆所遮蔽的部分。在长期进行晶圆加工后，沉积物将会于承载座上累积可观的厚度，将会影响到晶圆的放置。因此，每隔一段时间必须暂停晶圆加工，清理承载座上的沉积物，造成产能受限。

为了保护承载座，现有技术的承载座上会设置有一沉积环，以覆盖承载座未被晶圆所遮蔽的部分。然而，由于沉积环是固设于承载座，在长期进行晶圆加工后，同样需要暂停加工以将沉积环拆下清洗。虽然降低了暂停的频率，但仍有待改进。

有鉴于此，提出一种更佳的改善方案，乃为此业界亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于，提出一种晶圆沉积覆盖环，其于晶圆沉积加工过程中能遮蔽晶圆沉积装置的一沉积环，因此防止沉积物沉积于沉积环。

为达上述目的，本实用新型所提出的晶圆沉积覆盖环能覆盖于沉积环，且该沉积环固设于晶圆沉积装置中用于承载晶圆的承载座上；该晶圆沉积覆盖环为一环体，该环体形成有一内周面，该内周面形成有一环凹槽，该环凹槽正对于该承载座所承载的一晶圆的横向侧面。

通过如前所述的晶圆沉积覆盖环进一步形成有一外环罩，该外环罩位于该环体的下侧面，并自该环体下侧面的外周缘向下延伸；该外环罩形成有一散热结构，该散热结构位于该外环罩的内侧面。

如前所述的晶圆沉积覆盖环中，该散热结构为多个沟槽。

如前所述的晶圆沉积覆盖环中，该多个沟槽环绕于该外环罩的内侧面，且彼此平行且间隔设置。

如前所述的晶圆沉积覆盖环进一步形成有一内环罩，该内环罩位于该环体的下侧面，并自该环体下侧面向下延伸，且该内环罩相邻于该外环罩的内侧。

如前所述的晶圆沉积覆盖环经喷砂处理。

如前所述的晶圆沉积覆盖环更形成有至少一环凸部，该至少一环凸部位于该环体的下侧面。

如前所述的晶圆沉积覆盖环中，其中一环凸部邻近于该环体的内周面。

因此，本实用新型的优点在于，本实用新型的晶圆沉积覆盖环可遮蔽承载座上的沉积环，使大部分的沉积材料会沉积于本实用新型的晶圆沉积覆盖环，而沉积于沉积环的量会相对较少。因此更换及清洗沉积环及沉积覆盖环的时间间隔可延长约112％至322％。此外，本实用新型还通过沉积覆盖环上的环凹槽的设计，可有效控制沉积材料所形成的沉积薄膜的形状，避免晶圆与沉积覆盖环上的沉积材料互相接触，且能避免产生电弧而发生电荷导通或击穿的现象。

附图说明

图1为本实用新型的俯视示意图。

图2为本实用新型的剖视示意图。

图3为本实用新型的剖视放大图。

图4为本实用新型的环凹槽的放大图。

图5为本实用新型的使用示意图。

主要组件符号说明：

10 内周面 11 环凹槽

20 下侧面 21 外环罩

210 散热结构 22 内环罩

23 环凸部 30 上侧面

31 倾斜部

具体实施方式

以下配合图式及本实用新型的较佳实施例，进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段。

首先请参考图1至图5。本实用新型提出一种晶圆沉积覆盖环，其用以覆盖于一晶圆沉积装置的一沉积环A。沉积环A固设于晶圆沉积装置中用于承载晶圆的一承载座的顶面周缘。藉此，当一晶圆放置于承载座并进行晶圆表面沉积作业时，本实用新型的晶圆沉积覆盖环可遮蔽大部份的沉积环A，使大部分的沉积材料会沉积于本实用新型的晶圆沉积覆盖环，而减少沉积于沉积环A的沉积材料。因此，当沉积材料累积过多时，只要替换覆盖环即可继续进行晶圆的沉积作业，而不需要将沉积环A自承载座上拆卸。

晶圆沉积覆盖环为一环体，环体形成有一内周面10、下侧面20、及上侧面30。

内周面10为环体直径最小的部分，其形成有一环凹槽11。当本实用新型的晶圆沉积覆盖环覆盖于承载座时，环凹槽11正对于承载座所承载的晶圆的横向侧面。藉此，进行晶圆表面沉积作业时，沉积材料会累积于本实用新型的晶圆沉积覆盖环的内周面10及上侧面30，但累积于内周面10的沉积材料会由内周面10上的环凹槽11开始累积。因此，累积于沉积环上的沉积材料会减少，且于沉积环及本实用新型的沉积覆盖环上所累积的沉积材料也不会影响到晶圆的沉积作业，更能减少因替换沉积环及本实用新型的沉积覆盖环而暂停沉积作业的频率，延长沉积作业的时间。另一方面，即使累积于本实用新型的覆盖环上的沉积材料的厚度经沉积作业而增加，在内周面10上的沉积材料也不至于连接或接触到晶圆。而通过环凹槽11，还可减少本实用新型的沉积环A与晶圆间可能累积电荷所产生的杂讯电容，以及避免沉积环A与晶圆发生电荷导通或击穿的现像。

环体的下侧面20形成有一外环罩21、一内环罩22、及至少一环凸部23。

外环罩21自环体下侧面20的外周缘向下延伸。外环罩21形成有一散热结构210，散热结构210位于外环罩21的内侧面。散热结构210可为多个沟槽，且于本实施例中，该多个沟槽环绕于外环罩21的内侧面，且彼此平行且间隔设置。藉此，本实用新型的晶圆沉积覆盖环的表面积增加，也因此提升了散热效率。

内环罩22同样自环体下侧面20向下延伸，且内环罩22相邻于外环罩21的内侧。换句话说，内环罩22与外环罩21之间间隔设置。至少一环凸部23位于环体的下侧面20，但相较于内环罩22，至少一环凸部23更邻近于环体的内周面10。于本实施例中共具有二环凸部23，二环凸部23以同心方式设置于环体下侧面20。环体的上侧面30形成有一倾斜部31，倾斜部31是向环体中心倾斜的。换句话说，倾斜部31为一环斜面。因此，环体的厚度由外向环体中心渐薄。

在晶圆进行沉积作业时，首先将晶圆放置于具有沉积环A的承载座的顶面上，然后再将本实用新型的晶圆沉积覆盖环放置于沉积环A上，使覆盖环能覆盖于沉积环A的顶面周缘，且覆盖环的内周面10的环凹槽11正对于晶圆的横向侧面。而于移动时，可通过支撑件(例如接地遮罩)由环体的下侧面20向上将覆盖环顶起，然后移动本实用新型的覆盖环。且具体而言，支撑件是顶抵于外环罩21及内环罩22之间。

综上所述，本实用新型的晶圆沉积覆盖环可遮蔽承载座上的沉积环A，使大部分的沉积材料会沉积于本实用新型的晶圆沉积覆盖环，而减少沉积于沉积环A的量。因此，更换及清洗沉积环A及沉积覆盖环的时间间隔可延长约112％至322％。此外，藉由环凹槽的设计可有效控制沉积材料所形成的沉积薄膜的形状，避免晶圆与沉积覆盖环上的沉积材料互相接触，且能避免产生电弧而发生电荷导通或击穿的现象。

在本实施例中，本实用新型的各表面经喷砂处理，例如可于环体的内周面、上侧面及下侧面进行喷砂处理，尤其是会接触到沉积材料的表面，藉此让沉积材料更容易附着环体的各表面而不会四处飞散。此外，也可于外环罩的外侧面及内侧面，或内环罩的外侧面及内侧面上皆进行喷砂处理，但可不于散热结构上进行喷砂处理。

以上所述仅是本实用新型的优选实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，虽然本实用新型已以优选实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种晶圆沉积覆盖环，其特征在于，其用以覆盖于一晶圆沉积装置的一沉积环，且该沉积环固设于该晶圆沉积装置中用于承载晶圆的一承载座；该晶圆沉积覆盖环为一环体，该环体形成有一内周面，该内周面形成有一环凹槽，该环凹槽正对于该承载座所承载的一晶圆的横向侧面。

2.根据权利要求1所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，其进一步形成有一外环罩，该外环罩位于该环体的下侧面，并自该环体下侧面的外周缘向下延伸；该外环罩形成有一散热结构，该散热结构位于该外环罩的内侧面。

3.根据权利要求2所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，该散热结构为多个沟槽。

4.根据权利要求3所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，所述多个沟槽环绕于该外环罩的内侧面，且彼此平行且间隔设置。

5.根据权利要求2所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，其进一步形成有一内环罩，该内环罩位于该环体的下侧面，并自该环体下侧面向下延伸，且该内环罩相邻于该外环罩的内侧。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，其经喷砂处理。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，其进一步形成有至少一环凸部，该至少一环凸部位于该环体的下侧面。

8.根据权利要求7所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，其中一环凸部邻近于该环体的内周面。