CN207624684U

CN207624684U - 防止虚焊的半导体引线框架

Info

Publication number: CN207624684U
Application number: CN201721860788.9U
Authority: CN
Inventors: 宋春民
Original assignee: Dongguan Kang Yuan Electronics Co Ltd
Current assignee: Dongguan Kang Yuan Electronics Co Ltd
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2017-12-27
Publication date: 2018-07-17
Anticipated expiration: 2027-12-27

Abstract

本实用新型公开一种防止虚焊的半导体引线框架，包括第一料带和第二料带、连接桥、第一金属导电片、第二金属导电片，所述第一料带和第二料带相互平行且二者间距排布，所述连接桥有多条，两端与第一料带、第二料带相接；所述第一金属导电片和第二金属导电片对称式连接在连接桥的两侧，该第一金属导电片和第二金属导电片均具有平板式的电极，该电极的正反两面均凸起焊盘，所述焊盘通过压花形成凹凸不平的焊锡面。采用这种结构设计，可以一次性成型多个金属导电片，生产效率有效提高，并且各导电片压花设计，可以避免半导体装置承载引脚在半导体封装基板上发生歪斜的现象。

Description

防止虚焊的半导体引线框架

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域技术，尤其是指一种防止虚焊的半导体引线框架。

背景技术

传统的半导体光电芯片，由传统的电极、半导体通过焊料钎焊而成。电极、半导体、焊料的加工均是加工成一个一个的，然后通过人工或模具筛选，组装，封接而成，封接之后仍然需要逐个筛盘进行老炼、清洗、电镀。产品在原材料前处理、加工制造以及半成品后工序处理过程中，均是一个一个的，需要采用模具筛盘进行批量处理，而进入到下一个工序时又需要重复筛盘，需要投入大量的模具治具以及人工，导致产品生产成本较大。

随着自动化作业的发展和流行，半导体产品的加工越来越依赖设备完成，因此出现了直接冲压成型在料带上的整排电极，然而在自动化加工中，电极与半导体之间的焊接不够牢固，容易出现脱焊现象，导致产品的优良良下降。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种防止虚焊的半导体引线框架，其可以一次性成型多个金属导电片，生产效率有效提高，并且各导电片压花设计，可以避免半导体装置承载引脚在半导体封装基板上发生歪斜的现象。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种防止虚焊的半导体引线框架，包括第一料带和第二料带、连接桥、第一金属导电片、第二金属导电片，所述第一料带和第二料带相互平行且二者间距排布，所述连接桥有多条，两端与第一料带、第二料带相接；所述第一金属导电片和第二金属导电片对称式连接在连接桥的两侧，该第一金属导电片和第二金属导电片均具有平板式的电极，该电极的正反两面均凸起焊盘，所述焊盘通过压花形成凹凸不平的焊锡面。

作为一种优选方案，所述第一金属导电片与第二金属导电片之间连接折弯部，该折弯部使第一金属导电片与第二金属导电片位于连接桥的下方。

作为一种优选方案，所述半导体引线框架为一体冲压成型结构。

作为一种优选方案，所述焊锡面设有多个弧形凸肋和多个发射性凹槽，所述多个弧形凸肋及所述多个发射性凹槽彼此交错排列成形，以及所述多个弧形凸肋从该连接头的中心呈放射状延伸。

作为一种优选方案，所述弧形凸肋有6条，相应的发射性凹槽有6个。

作为一种优选方案，所述焊锡面上进一步设有环形凹槽，将弧形凸肋分离出内外两部分。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，利用冲压工艺一次成型出第一料带和第二料带、连接桥、第一金属导电片、第二金属导电片，相比传统单颗金属导电片逐成型的方式，本结构的生产效率提升为原来的数十倍甚至数百倍。此外，各金属导电片的正反两面均具有凸起的焊盘，焊盘为正反面双凸，使产品从适用单一芯片变为可适用各规格半导体芯片，能够有效解决封装时芯片错位连接和焊料溢出的问题。此外，各焊盘表面进行压花处理，可以避免半导体装置承载引脚在半导体封装基板上发生歪斜的现象。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型之实施例的主视图。

图2是本实用新型之实施例的剖视图。

图3是本实用新型之实施例的压花结构的示意图。

附图标识说明：

10、第一料带 20、第二料带

30、连接桥 40、第一金属导电片

41、电极 42、焊盘

43、焊锡面 431、弧形凸肋

432、发射性凹槽 433、环形凹槽

50、第二金属导电片 60、折弯部。

具体实施方式

请参照图1至图3所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，是一种防止虚焊的半导体引线框架，包括第一料带10和第二料带20、连接桥30、第一金属导电片40、第二金属导电片50。

所述第一料带10和第二料带20相互平行且二者间距排布，所述连接桥30有多条，两端与第一料带10、第二料带20相接；所述第一金属导电片40和第二金属导电片50对称式连接在连接桥30的两侧。所述第一金属导电片40与第二金属导电片50之间连接折弯部60，该折弯部60使第一金属导电片40与第二金属导电片50位于连接桥30的下方。整个半导体引线框架为一体冲压成型结构，通过此种结构排布，可以一次成型出多个金属导电片，并且可以利用自动化设备整体焊接、注塑，有效提高生产效率，降低成本，适合大批量快速生产成型。

如图2和图3所示，所述第一金属导电片40和第二金属导电片50均具有平板式的电极41，该电极41的正反两面均凸起焊盘42，所述焊盘42通过压花形成凹凸不平的焊锡面43。此种压花设计，可以避免半导体装置承载引脚在半导体封装基板上发生歪斜的现象。

本实施例中，所述焊锡面43设有多个弧形凸肋431和多个发射性凹槽432，所述多个弧形凸肋431及所述多个发射性凹槽432彼此交错排列成形，以及所述多个弧形凸肋431从该连接头的中心呈放射状延伸。作为一种优选方案，所述弧形凸肋431有6条，相应的发射性凹槽432有6个。所述焊锡面43上进一步设有环形凹槽433，将弧形凸肋431分离出内外两部分，此设计可以进一步增加焊锡的爬锡能力，使焊接后定位效果更好。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims

1.一种防止虚焊的半导体引线框架，其特征在于：包括第一料带（10）和第二料带（20）、连接桥（30）、第一金属导电片（40）、第二金属导电片（50），所述第一料带和第二料带相互平行且二者间距排布，所述连接桥有多条，两端与第一料带、第二料带相接；所述第一金属导电片（40）和第二金属导电片（50）对称式连接在连接桥（30）的两侧，该第一金属导电片（40）和第二金属导电片（50）均具有平板式的电极（41），该电极（41）的正反两面均凸起焊盘（42），所述焊盘（42）通过压花形成凹凸不平的焊锡面（43）。

2.根据权利要求1所述的防止虚焊的半导体引线框架，其特征在于：所述第一金属导电片（40）与第二金属导电片（50）之间连接折弯部（60），该折弯部（60）使第一金属导电片（40）与第二金属导电片（50）位于连接桥（30）的下方。

3.根据权利要求1所述的防止虚焊的半导体引线框架，其特征在于：所述半导体引线框架为一体冲压成型结构。

4.根据权利要求1所述的防止虚焊的半导体引线框架，其特征在于：所述焊锡面（43）设有多个弧形凸肋（431）和多个发射性凹槽（432），所述多个弧形凸肋（431）及所述多个发射性凹槽（432）彼此交错排列成形，以及所述多个弧形凸肋（431）从该连接头的中心呈放射状延伸。

5.根据权利要求4所述的防止虚焊的半导体引线框架，其特征在于：所述弧形凸肋（431）有6条，相应的发射性凹槽（432）有6个。

6.根据权利要求4所述的防止虚焊的半导体引线框架，其特征在于：所述焊锡面（43）上进一步设有环形凹槽（433），将弧形凸肋（431）分离出内外两部分。