CN207458693U - 一种无镭切可调厚膜晶片电阻 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种无镭切可调厚膜晶片电阻，包括本体，本体的下表面两侧均设置有背面电极，本体的上表面两侧均设置有正面电极，在正面电极之间的本体上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有保护层，本体两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极和背面电极。本实用新型具有无镭切，阻值可调，且较低的制作成本，同时也满足了客户应用端对无镭切可调厚膜晶片电阻的应用需求。

Description

一种无镭切可调厚膜晶片电阻

技术领域

本实用新型涉及一种厚膜晶片电阻，具体涉及一种无镭切可调厚膜晶片电阻。

背景技术

随着科技的进步，时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升，性能可靠及工艺稳定的晶片电阻也应电子产品的特殊需求呈现多样化的发展趋势，在带动被动组件需求的同时,对被动组件的技术和应用也带来极大的挑战。电阻组件也实现了从传统的色环电阻到晶片电阻的转变，据行业的发展，市场需要一种应用于稳定电路中的厚膜晶片电阻来代替调节电路调节阻值。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种无镭切可调厚膜晶片电阻。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种无镭切可调厚膜晶片电阻，包括本体，本体的下表面两侧均设置有背面电极，本体的上表面两侧均设置有正面电极，在正面电极之间的本体上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有保护层，本体两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极和背面电极。

正面电极、侧面电极和背面电极上覆盖有镍层，镍层上覆盖有锡层。

镍层厚度为4μm～15μm，锡层厚度为5μm～15μm。

正面电极采用银钯材料。

背面电极采用银材料。

侧面电极采用镍铬合金。

电阻阻体阻值可调，面积为1.20mm²。

本实用新型所达到的有益效果：本实用新型具有无镭切，阻值可调，且较低的制作成本，同时也满足了客户应用端对无镭切可调厚膜晶片电阻的应用需求。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为制作第1步后的示意图；

图3为制作第2步后的示意图；

图4为制作第3步后的示意图；

图5为制作第4步后的示意图；

图6为制作第5步后的示意图；

图7为制作第6步后的示意图；

图8为制作第7步后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图1所示，一种无镭切可调厚膜晶片电阻，包括本体01，本体01采用氧化铝陶瓷制作而成，本体01的下表面两侧均印刷有背面电极02，背面电极02采用银材料，本体01的上表面两侧均印刷有正面电极03，正面电极03采用银钯材料，可提升产品的可靠性，在正面电极03之间的本体01上表面印刷有电阻阻体04，电阻阻体04阻值可调，面积为1.20mm²，电阻阻体04上覆盖有保护层05，本体01两端侧面上均设置有侧面电极06，侧面电极06为真空溅镀的镍铬合金，两侧面电极06分别导通两侧的正面电极03和背面电极02，正面电极03、侧面电极06和背面电极02上覆盖有镍层07，镍层07厚度为4μm～15μm，镍层07上覆盖有锡层08，锡层08厚度为5μm～15μm。

上述无镭切可调厚膜晶片电阻的制备过程如下：

步骤1：如图2所示，在氧化铝陶瓷本体01的下表面通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，而在本体01的下表面形成一层背面电极02；

步骤2：如图3所示，再在本体01的上表面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，而在本体01的上表面形成一层正面电极03；

步骤3：如图4所示，再通过丝网厚膜印刷方式在正面电极03之间印刷涂覆一层阻体浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，形成电阻阻体04，电阻阻体04的印刷面积为：1.20mm² ；

步骤4：如图5所示，再在电阻阻体04上面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层玻璃浆料，并进行烧结，烧结温度为：600±5℃，形成作为保护电阻阻体04的保护层05；

步骤5：如图6所示，再在本体01两端侧面采用真空溅镀镍铬合金方式，形成正面电极03与背面电极02导通的侧面电极06；

步骤6：如图7所示，再在背面电极02、正面电极03和侧面电极06表面通过滚镀方式电镀一层金属镍，形成镍层07，镍层07厚度为：4～15μm；

步骤7：如图8所示，再在镍层07表面通过滚镀方式电镀一层金属锡，形成锡层08，锡层08厚度为：5～15μm。

上述无镭切可调厚膜晶片电阻，通过先进的生产工艺，合理的设计结构，其结构简单，使用方便，具有无镭切，阻值可调，且较低的制作成本，同时也满足了客户应用端对无镭切可调厚膜晶片电阻的应用需求。该无镭切可调厚膜晶片电阻具有无镭切、低噪音、阻值可调、体积小、重量轻、适合回流焊与波峰焊、电性能稳定、可靠性高、装配成本低、并与自动装贴设备匹配、机械强度高、符合环保要求等优点，可广泛应用于调节器、光感应器、消费电子设备、便携音频设备、便携式测量设备、汽车应用、电子数据处理、计算机应用、通讯电源、电力供应、照明设备等，其市场需求量及应用前景极其广阔，同时可以提升企业在同业中的竞争力，为企业带来丰厚的经济效益，具有良好的应用前景。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：包括本体，本体的下表面两侧均设置有背面电极，本体的上表面两侧均设置有正面电极，在正面电极之间的本体上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有保护层，本体两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极和背面电极。

2.根据权利要求1所述的一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：正面电极、侧面电极和背面电极上覆盖有镍层，镍层上覆盖有锡层。

3.根据权利要求2所述的一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：镍层厚度为4μm～15μm，锡层厚度为5μm～15μm。

4.根据权利要求1所述的一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：正面电极采用银钯材料。

5.根据权利要求1所述的一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：背面电极采用银材料。

6.根据权利要求1所述的一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：侧面电极采用镍铬合金。

7.根据权利要求1所述的一种无镭切可调厚膜晶片电阻，其特征在于：电阻阻体阻值可调，面积为1.20mm²。