CN207441737U - 半导体发光器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括基板、设置在基板上的至少一正极焊盘和至少一负极焊盘、设置在基板上的至少一半导体发光芯片、设置在基板上并包裹半导体发光芯片的荧光粉层、以及设置在荧光粉层内侧的绝缘层；半导体发光芯片的正极和负极分别与正极焊盘和负极焊盘电连接；绝缘层位于荧光粉层内表面的部分或全部与基板表面的部分或全部之间；和/或，位于荧光粉层内表面的部分或全部与半导体发光芯片侧面的部分或全部之间。本实用新型的半导体发光器件，通过设置结构层对半导体发光芯片侧面的遮挡，防止半导体发光芯片侧面出光，增强半导体发光芯片的正面出光，适用于制备中心光强要求高、发光角度要求小的照明灯具。

Description

半导体发光器件

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种半导体发光器件。

背景技术

随着发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。在不久的将来，半导体发光光源有可能替代传统光源成为普通照明的主要光源。

常见的半导体发光光源(半导体发光器件)结构如图1所示，其包括基板1、设置在基板上的荧光粉层2、半导体发光芯片3、芯片正极4a和芯片负极4b、正极焊盘5a和负极焊盘5b、正极焊垫6a、负极焊垫6b和导热焊垫7；荧光粉层2在基板1上覆盖半导体发光芯片3，芯片正极4a与正极焊盘5a电连接，芯片负极4b与负极焊盘5b电连接，正极焊垫6a和负极焊垫6b分别连接正极焊盘5a和负极焊盘5b。

由图1所示现有的半导体发光光源结构可知，半导体发光芯片3往往具有一定的厚度(100-150微米)，在包裹了荧光粉层2后，其出光面不仅仅包括了正面，还包括了侧面，侧面出光量可占到总出光量的10-30％，发光角度大于150度。对于要求中心照度和小发光角度的应用场合，侧面出光不仅影响正面出光量，侧面出光会成为杂散光，影响被照面的光形或炫光严重。

在半导体发光光源中，一般采用硅胶作为荧光粉层的基础材料。由于硅胶具有一定透气性，环境中的水气、硫化物、卤化物等都会通过硅胶基的荧光粉层进入到半导体发光芯片表面、基板表面和半导体发光芯片与基板焊接处，这会导致表面硫化与卤化，产生严重光衰，甚至失效。

因此，由于上述半导体发光光源结构存在本质的缺陷和不足，无法解决半导体发光器件正面光强和小发光角度问题，所制备的半导体发光器件，特别是在恶劣环境下使用时，存在寿命短，衰减快，可靠性差等问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种实现小发光角度、增强中心光强的半导体发光器件。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种半导体发光器件，包括基板、设置在所述基板上的至少一个正极焊盘和至少一个负极焊盘、设置在所述基板上的至少一个半导体发光芯片、设置在所述基板上并包裹所述半导体发光芯片的荧光粉层、以及设置在所述荧光粉层内侧的绝缘层；所述半导体发光芯片的正极和负极分别与所述正极焊盘和负极焊盘电连接；

所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述基板表面的部分或全部之间；和/或，所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述半导体发光芯片侧面的部分或全部之间。

优选地，所述绝缘层的高度自临近所述半导体发光芯片侧面的一端到远离所述半导体发光芯片侧面的另一端逐渐递减。

优选地，所述绝缘层为包括硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种的绝缘层；

所述荧光粉层为包括硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种掺有一种或多种荧光粉的荧光粉层。

优选地，所述半导体发光器件还包括设置在所述荧光粉层上的至少一遮光层；所述遮光层上设有至少一开口，裸露出部分所述荧光粉层。

优选地，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板上的正极焊垫和负极焊垫；所述正极焊垫与所述正极焊盘电连接，所述负极焊垫与所述负极焊盘电连接。

优选地，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板上的导热焊垫。

优选地，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板上的导电电路，所述导电电路与所述半导体发光芯片的正极和负极电连接。

本实用新型的有益效果：本实用新型的半导体发光器件，结构简单，通过设置结构层对半导体发光芯片侧面的遮挡，防止半导体发光芯片侧面出光，避免黄圈，增强半导体发光芯片的正面出光，具有发光角度小、发光面集中、抗衰减能力强等优点，适用于制备中心光强要求高，发光角度要求小的照明灯泡或照明灯具。

本实用新型的半导体发光器件制造流程短、工艺简单、制造成本低，适用于大批量大面积产业化生产。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是现有技术中半导体发光光源的结构示意图；

图2是本实用新型第一实施例的半导体发光器件的结构示意图；

图3是本实用新型第二实施例的半导体发光器件的结构示意图；

图4是本实用新型第三实施例的半导体发光器件的结构示意图；

图5是本实用新型第四实施例的半导体发光器件的结构示意图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

如图2所示，本实用新型第一实施例的半导体发光器件，包括基板10、设置在基板10上的至少一个正极焊盘21和至少一个负极焊盘22、设置在基板10上的至少一个半导体发光芯片30、设置在基板10上并包裹半导体发光芯片30的荧光粉层40、以及设置在荧光粉层40内侧(朝向基板10和半导体发光芯片30的一侧)的绝缘层50；半导体发光芯片30的正极31和负极32分别与正极焊盘21和负极焊盘22电连接。绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与基板10表面的部分或全部之间；和/或，绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与半导体发光芯片30侧面的部分或全部之间。

其中，基板10具有相对的第一表面和第二表面，正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30可选择性的设置在第一表面和/或第二表面上；正极焊盘21和负极焊盘22之间相绝缘。本实施例中，基板10上设置一个半导体发光芯片30；正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30设置在基板10的第一表面上。

荧光粉层40包裹半导体发光芯片30的远离基板10的表面以及侧面。荧光粉层40的结构层不限，可为单层或多层。荧光粉层40的材料包括但不限于硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种组合，并掺有一种或多种荧光粉。

绝缘层50在荧光粉层40内侧的设置，使其覆盖于荧光粉层40的下方，主要为了遮挡半导体发光芯片30的侧面，防止半导体发光芯片30侧出光，以增强其表面出光强度。在一个选择性实施方式中，绝缘层50在基板10表面(半导体发光芯片30所在的基板10表面)和荧光粉层40之间的设置，使得绝缘层50在荧光粉层40之下位于半导体发光芯片30的侧面，对侧面进行遮挡。在另一个选择性实施方式中，绝缘层50在半导体发光芯片30侧面和荧光粉层40之间的设置，使得绝缘层50遮挡在半导体发光芯片30的侧面。

半导体发光芯片30上通过绝缘层50在其侧面的设置，使其侧面不作为出光面，而远离基板10的表面形成出光面，发光角度小，提高半导体发光芯片30正面出光量，适用于要求中心照度和小发光角度的应用场合。

本实施例中，如图2所示，绝缘层50设置在半导体发光芯片30的侧面并延伸至基板10的表面上，绝缘层50的高度自临近半导体发光芯片30侧面的一端到远离半导体发光芯片30侧面的另一端逐渐递减。绝缘层50的最高高度不高于半导体发光芯片30的表面高度(即也不高于半导体发光芯片30的侧面高度)。

荧光粉层40覆盖半导体发光芯片30的表面和侧面，并把绝缘层50包覆其中，使得绝缘层50位于半导体发光芯片30的侧面、基板10表面(第一表面)和荧光粉层40之间。其中，荧光粉层40覆盖绝缘层50的部分沿着绝缘层50表面延伸，使得荧光粉层40可从半导体发光芯片30表面折弯延伸到侧面的绝缘层50上。荧光粉层40的折弯阻断了其侧面光导作用，增强中心光强。

绝缘层50的材料包括但不限于硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种组合。根据需要，绝缘层50中进一步可掺有无机粉末；无机粉末包括玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种，上述粉料的粒径可为微米、亚微米和纳米粒径中的一种或多种。绝缘层50可根据所需抗硫化、抗卤化、抗氧化及抗湿气等需求添加对应的粉料。

进一步地，半导体发光器件还包括设置在基板10上的正极焊垫23和负极焊垫24；正极焊垫23和负极焊垫24之间相绝缘。正极焊垫23与正极焊盘21电连接，负极焊垫24与负极焊盘22电连接。

具体地，本实施例中，正极焊垫23和负极焊垫24设置在基板10的第二表面上；正极焊垫23通过第一导电柱231与正极焊盘21电连接，负极焊垫24通过第二导电柱241与负极焊盘22电连接。第一导电柱231可贯穿基板10连接正极焊盘21和正极焊垫23，或者设置在基板10的侧面连接正极焊盘21和正极焊垫23。第二导电柱241可贯穿基板10连接负极焊盘22和负极焊垫24，或者设置在基板10的侧面连接负极焊盘22和负极焊垫24。

基板10上进一步还可设置导热焊垫25，可与散热装置配合连接。

参考图2，本实用新型第一实施例的半导体发光器件的制造方法，至少包括以下步骤：

S1、在基板10上制备正极焊盘21和负极焊盘22，还制备正极焊垫23和负极焊垫24。

基板10具有相对的第一表面和第二表面，正极焊盘21位于基板10的第一表面和/或第二表面上，负极焊盘22位于基板10的第一表面和/或第二表面上。

将正极焊垫23与正极焊盘21电连接，负极焊垫24与负极焊盘22电连接。正极焊垫23可与正极焊盘21位于基板10相同或不同表面上，两者可通过第一导电柱231电连接；负极焊垫24可与负极焊盘22位于基板10相同或不同表面上，两者可通过第二导电柱241电连接。

S2、将半导体发光芯片30固定在基板10表面上，并将半导体发光芯片30的正极31和正极焊盘21电连接，半导体发光芯片30的负极32和负极焊盘22电连接。

本实施例中，半导体发光芯片30固定在基板10的第一表面。

半导体发光芯片30的正极31与正极焊盘21的连接方式，负极32与负极焊盘22的连接方式包括但不限于共晶焊接、键合、回流焊接、超声焊接、金属线互连中的一种或多种组合。

S3、将绝缘料液设置在基板10表面的部分或全部上，和/或半导体发光芯片30侧面的部分或全部上，形成绝缘层50。

配制绝缘料液时，材料采用硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种组合，并根据需要制成掺有或不含无机粉末的绝缘胶液或绝缘浆液；无机粉末包括微米、亚微米和纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种。

绝缘层50的形成方式包括但不限于喷涂、点胶、旋涂、印刷中的一种或多种。

S4、将荧光料液设置在半导体发光芯片30的裸露表面和裸露侧面的部分或全部上、以及绝缘层50表面的部分或全部上，形成包裹半导体发光芯片30的荧光粉层40。绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与基板10表面的部分或全部之间；和/或，绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与半导体发光芯片30侧面的部分或全部之间。

配制荧光料液时，材料采用硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中一种或多种组合，制成掺有一种或多种荧光粉的荧光胶液或荧光浆液。荧光粉层40的形成方式包括但不限于喷涂、模压、膜压、点胶、蒸镀、印刷中的一种或多种。

步骤S4进行时，可根据需要对基板10进行加热，利于荧光粉层40的包裹。当然，基板10也可以不加热。

结合图2，本实施例的制造方法中，将绝缘层50设置在半导体发光芯片30的侧面，并延伸至基板10第一表面上；绝缘层50的高度自临近半导体发光芯片30侧面的一端到远离半导体发光芯片30侧面的另一端逐渐递减。将荧光粉层40设置在绝缘层50和半导体发光芯片30上，将半导体发光芯片30和绝缘层50包裹其中。

如图3所示，本实用新型第二实施例的半导体发光器件，包括基板10、设置在基板10上的至少一个正极焊盘21和至少一个负极焊盘22、设置在基板10上的至少一个半导体发光芯片30、设置在基板10上并包裹半导体发光芯片30的荧光粉层40、设置在荧光粉层40内侧(朝向基板10和半导体发光芯片30的一侧)的绝缘层50、以及设置在荧光粉层40上的至少一遮光层60。

半导体发光芯片30的正极31和负极32分别与正极焊盘21和负极焊盘22电连接。绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与基板10表面的部分或全部之间；和/或，绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与半导体发光芯片30侧面的部分或全部之间。遮光层60上设有至少一开口，裸露出部分荧光粉层40。

其中，基板10具有相对的第一表面和第二表面，正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30可选择性的设置在第一表面和/或第二表面上；正极焊盘21和负极焊盘22之间相绝缘。本实施例中，基板10上设置一个半导体发光芯片30；正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30设置在基板10的第一表面上。

荧光粉层40包裹半导体发光芯片30的远离基板10的表面以及侧面。荧光粉层40的结构层不限，可为单层或多层。荧光粉层40的材料包括但不限于硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种组合，并掺有一种或多种荧光粉。

绝缘层50在荧光粉层40内侧的设置，使其覆盖于荧光粉层40的下方，主要为了遮挡半导体发光芯片30的侧面，防止半导体发光芯片30侧出光，以增强其表面出光强度。在一个选择性实施方式中，绝缘层50在基板10表面(半导体发光芯片30所在的基板10表面)和荧光粉层40之间的设置，使得绝缘层50在荧光粉层40之下位于半导体发光芯片30的侧面，对侧面进行遮挡。在另一个选择性实施方式中，绝缘层50在半导体发光芯片30侧面和荧光粉层40之间的设置，使得绝缘层50遮挡在半导体发光芯片30的侧面。

半导体发光芯片30上通过绝缘层50在其侧面的设置，使其侧面不作为出光面，而远离基板10的表面形成出光面，发光角度小，提高半导体发光芯片30正面出光量，适用于要求中心照度和小发光角度的应用场合。

本实施例中，如图3所示，绝缘层50设置在半导体发光芯片30的侧面并延伸至基板10的表面上。绝缘层50的高度可以自临近半导体发光芯片30侧面的一端到远离半导体发光芯片30侧面的另一端逐渐递减，绝缘层50也可以是等高的结构层；整体高度不高于半导体发光芯片30的表面高度。

荧光粉层40覆盖半导体发光芯片30的表面和侧面，并把绝缘层50包覆其中，使得绝缘层50位于半导体发光芯片30的侧面、基板10表面(第一表面)和荧光粉层40之间。其中，荧光粉层40覆盖绝缘层50的部分沿着绝缘层50表面延伸，使得荧光粉层40可从半导体发光芯片30表面折弯延伸到侧面的绝缘层50上。荧光粉层40的折弯阻断了其侧面光导作用，增强中心光强。

绝缘层50的材料包括但不限于硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种组合。根据需要，绝缘层50中进一步可掺有无机粉末；无机粉末包括玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种，上述粉料的粒径可为微米、亚微米和纳米粒径中的一种或多种。绝缘层50可根据所需抗硫化、抗卤化、抗氧化及抗湿气等需求添加对应的粉料。

遮光层60在荧光粉层40上的设置，进一步对半导体发光芯片30的侧面进行遮挡。遮光层60的开口位于半导体发光芯片30的表面上，不影响半导体发光芯片30的表面出光。开口的大小可根据半导体发光芯片30表面所需出光的面积进行设置。

遮光层60的材料包括但不限于铝及其合金、金及其合金、银及其合金、镍及其合金、钛及其合金、玻璃釉、油墨、液体玻璃、涂料、氧化钛、氧化锌、氧化硅、氮化铝、氮化硅以及氧化铝等中的一种或多种组合。或者，遮光层60的材料包括但不限于硅胶、树脂、液体玻璃、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种组合，并掺有无机粉末；无机粉末包括微米、亚微米、纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉以及氮化物粉中的一种或多种组合。

遮光层60的设置起到防侧光作用的同时也具有绝缘作用，其还可根据所需抗硫化、抗卤化、抗氧化及抗湿气等需求添加对应的粉料。

进一步地，半导体发光器件还包括设置在基板10上的正极焊垫23和负极焊垫24；正极焊垫23和负极焊垫24之间相绝缘。正极焊垫23与正极焊盘21电连接，负极焊垫24与负极焊盘22电连接。

具体地，本实施例中，正极焊垫23和负极焊垫24设置在基板10的第二表面上；正极焊垫23通过第一导电柱231与正极焊盘21电连接，负极焊垫24通过第二导电柱241与负极焊盘22电连接。第一导电柱231可贯穿基板10连接正极焊盘21和正极焊垫23，或者设置在基板10的侧面连接正极焊盘21和正极焊垫23。第二导电柱241可贯穿基板10连接负极焊盘22和负极焊垫24，或者设置在基板10的侧面连接负极焊盘22和负极焊垫24。

基板10上进一步还可设置导热焊垫25，可与散热装置配合连接。

参考图3，本实用新型第二实施例的半导体发光器件的制造方法，至少包括以下步骤：

S1、在基板10上制备正极焊盘21和负极焊盘22，还制备正极焊垫23和负极焊垫24。

基板10具有相对的第一表面和第二表面，正极焊盘21位于基板10的第一表面和/或第二表面上，负极焊盘22位于基板10的第一表面和/或第二表面上。

将正极焊垫23与正极焊盘21电连接，负极焊垫24与负极焊盘22电连接。正极焊垫23可与正极焊盘21位于基板10相同或不同表面上，两者可通过第一导电柱231电连接；负极焊垫24可与负极焊盘22位于基板10相同或不同表面上，两者可通过第二导电柱241电连接。

S2、将半导体发光芯片30固定在基板10表面上，并将半导体发光芯片30的正极31和正极焊盘21电连接，半导体发光芯片30的负极32和负极焊盘22电连接。

本实施例中，半导体发光芯片30固定在基板10的第一表面。

半导体发光芯片30的正极31与正极焊盘21的连接方式，负极32与负极焊盘22的连接方式包括但不限于共晶焊接、键合、回流焊接、超声焊接、金属线互连中的一种或多种组合。

S3、将绝缘料液设置在基板10表面的部分或全部上，和/或半导体发光芯片30侧面的部分或全部上，形成绝缘层50。

配制绝缘料液时，材料采用硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种组合，并根据需要制成掺有或不含无机粉末的绝缘胶液或绝缘浆液；无机粉末包括微米、亚微米和纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种。

绝缘层50的形成方式包括但不限于喷涂、点胶、旋涂、印刷中的一种或多种。

S4、将荧光料液设置在半导体发光芯片30的裸露表面和裸露侧面的部分或全部上、以及绝缘层50表面的部分或全部上，形成包裹半导体发光芯片30的荧光粉层40。绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与基板10表面的部分或全部之间；和/或，绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与半导体发光芯片30侧面的部分或全部之间。

配制荧光料液时，材料采用硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中一种或多种组合，制成掺有一种或多种荧光粉的荧光胶液或荧光浆液。荧光粉层40的形成方式包括但不限于喷涂、模压、膜压、点胶、蒸镀、印刷中的一种或多种。

步骤S4进行时，可根据需要对基板10进行加热，利于荧光粉层40的包裹。当然，基板10也可以不加热。

本实施例的制造方法中，将绝缘层50设置在半导体发光芯片30的侧面，并延伸至基板10第一表面上；绝缘层50的高度可以自临近半导体发光芯片30侧面的一端到远离半导体发光芯片30侧面的另一端逐渐递减，绝缘层50也可以是等高的结构层；整体高度不高于半导体发光芯片30的表面高度。

将荧光粉层40设置在绝缘层50和半导体发光芯片30上，将半导体发光芯片30和绝缘层50包裹其中。

S5、在荧光粉层40上预留出开口位置，并在开口位置外的荧光粉层40表面上设置遮光层60，开口位置形成遮光层60的开口61，裸露出部分荧光粉层40。

其中，遮光层60通过蒸镀、喷涂、旋涂、印刷、点胶中的一种或多种方式形成。开口位置对应在半导体发光芯片30的表面上方，从而开口61位于半导体发光芯片30表面上，使该表面形成出光面；遮光层60则在半导体发光芯片30上将其侧面遮挡，防止侧面出光。

如图4所示，本实用新型第三实施例的半导体发光器件，包括基板10、设置在基板10上的至少一个正极焊盘21和至少一个负极焊盘22、设置在基板10上的至少一个半导体发光芯片30、设置在基板10上并包裹半导体发光芯片30的荧光粉层40、以及设置在荧光粉层40内侧(朝向基板10和半导体发光芯片30的一侧)的绝缘层50；半导体发光芯片30的正极31和负极32分别与正极焊盘21和负极焊盘22电连接。绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与基板10表面的部分或全部之间；和/或，绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与半导体发光芯片30侧面的部分或全部之间。

其中，基板10具有相对的第一表面和第二表面，正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30可选择性的设置在第一表面和/或第二表面上；正极焊盘21和负极焊盘22之间相绝缘。本实施例中，基板10上设置两个(或以上)半导体发光芯片30；正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30设置在基板10的第一表面上。

半导体发光器件还包括设置在基板10上的正极焊垫23和负极焊垫24；正极焊垫23和负极焊垫24之间相绝缘。正极焊垫23与正极焊盘21电连接，负极焊垫24与负极焊盘22电连接。本实施例中，正极焊垫23和负极焊垫24分别位于两个半导体发光芯片30的相背的两侧，并且分别设置在正极焊盘21和负极焊盘22上，实现电连接。

两个半导体发光芯片30相向的两侧之间设有导电电路26，导电电路26设置在基板10，并与两个半导体发光芯片30对应的正极31和负极32电连接。

荧光粉层40包裹半导体发光芯片30的远离基板10的表面以及侧面。绝缘层50在荧光粉层40内侧的设置，使其覆盖于荧光粉层40的下方，主要为了遮挡半导体发光芯片30的侧面，防止半导体发光芯片30侧出光，以增强其表面出光强度。

进一步地，在本实施例中，每一个半导体发光芯片30上的荧光粉层40可相互独立，不相连；或者，相邻的两个半导体发光芯片30上的荧光粉层40连接成为一体。相邻的两个半导体发光芯片30的绝缘层50也可相连形成一体。

绝缘层50和荧光粉层40的设置及材料选择等均可参考上述第一实施例中相关所述，在此不再赘述。

如图5所示，本实用新型第四实施例的半导体发光器件，包括基板10、设置在基板10上的至少一个正极焊盘21和至少一个负极焊盘22、设置在基板10上的至少一个半导体发光芯片30、设置在基板10上并包裹半导体发光芯片30的荧光粉层40、设置在荧光粉层40内侧(朝向基板10和半导体发光芯片30的一侧)的绝缘层50、以及设置在荧光粉层40上的至少一遮光层60。

半导体发光芯片30的正极31和负极32分别与正极焊盘21和负极焊盘22电连接。绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与基板10表面的部分或全部之间；和/或，绝缘层50位于荧光粉层40内表面的部分或全部与半导体发光芯片30侧面的部分或全部之间。遮光层60上设有至少一开口，裸露出部分荧光粉层40。

其中，基板10具有相对的第一表面和第二表面，正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30可选择性的设置在第一表面和/或第二表面上；正极焊盘21和负极焊盘22之间相绝缘。本实施例中，基板10上设置两个(或以上)半导体发光芯片30；正极焊盘21、负极焊盘22、半导体发光芯片30设置在基板10的第一表面上。

半导体发光器件还包括设置在基板10上的正极焊垫23和负极焊垫24；正极焊垫23和负极焊垫24之间相绝缘。正极焊垫23与正极焊盘21电连接，负极焊垫24与负极焊盘22电连接。本实施例中，正极焊垫23和负极焊垫24分别位于两个半导体发光芯片30的相背的两侧，并且分别设置在正极焊盘21和负极焊盘22上，实现电连接。

两个半导体发光芯片30相向的两侧之间设有导电电路26，导电电路26设置在基板10，并与两个半导体发光芯片30对应的正极31和负极32电连接。

荧光粉层40包裹半导体发光芯片30的远离基板10的表面以及侧面。绝缘层50在荧光粉层40内侧的设置，使其覆盖于荧光粉层40的下方，主要为了遮挡半导体发光芯片30的侧面，防止半导体发光芯片30侧出光，以增强其表面出光强度。

遮光层60在荧光粉层40上的设置，进一步对半导体发光芯片30的侧面进行遮挡。遮光层60的开口位于半导体发光芯片30的表面上，不影响半导体发光芯片30的表面出光。开口的大小可根据半导体发光芯片30表面所需出光的面积进行设置。

进一步地，在本实施例中，每一个半导体发光芯片30上的荧光粉层40可相互独立，不相连；或者，相邻的两个半导体发光芯片30上的荧光粉层40连接成为一体。相邻的两个半导体发光芯片30的绝缘层50、遮光层60也可相连形成一体。

绝缘层50、荧光粉层40和遮光层60的设置及材料选择等均可参考上述第二实施例中相关所述，在此不再赘述。

另外，第三实施例和第四实施例的半导体发光器件的制造方法也可参考上述第一实施例和第二实施例的制造方法，，在此不再赘述。

综上可知，本实用新型的半导体发光器件的制造方法流程短、工艺简单、制造成本低，适用于大批量大面积产业化生产。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的至少一个正极焊盘和至少一个负极焊盘、设置在所述基板上的至少一个半导体发光芯片、设置在所述基板上并包裹所述半导体发光芯片的荧光粉层、以及设置在所述荧光粉层内侧的绝缘层；所述半导体发光芯片的正极和负极分别与所述正极焊盘和负极焊盘电连接；

所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述基板表面的部分或全部之间；和/或，所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述半导体发光芯片侧面的部分或全部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘层的高度自临近所述半导体发光芯片侧面的一端到远离所述半导体发光芯片侧面的另一端逐渐递减。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘层为包括硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种的绝缘层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述荧光粉层为包括硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种掺有一种或多种荧光粉的荧光粉层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括设置在所述荧光粉层上的至少一遮光层；所述遮光层上设有至少一开口，裸露出部分所述荧光粉层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板上的正极焊垫和负极焊垫；所述正极焊垫与所述正极焊盘电连接，所述负极焊垫与所述负极焊盘电连接。

7.根据权利要求1-5任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板上的导热焊垫。

8.根据权利要求1-5任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板上的导电电路，所述导电电路与所述半导体发光芯片的正极和负极电连接。