CN207305136U - 陶瓷多层基板的制造装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供在使用收缩抑制用陶瓷生片制造陶瓷多层基板时能均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，让材料设计自由度高的陶瓷多层基板的制造装置。具备：对由层叠多个基板用陶瓷生片而成的未烧制的陶瓷层叠体、和配置于陶瓷层叠体的至少一个主表面且在未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度实质上不烧结的收缩抑制用陶瓷生片构成的复合层叠体，以未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度做烧制的烧制单元；向收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物及压缩气体，在收缩抑制用陶瓷生片中，保留与陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应而在与陶瓷层叠体间的界面形成的反应层地、除去不与玻璃成分反应的非烧结层的第一除去单元；以及除去反应层的第二除去单元。

Description

陶瓷多层基板的制造装置

技术领域

本实用新型涉及陶瓷多层基板的制造装置。

背景技术

为了制造用于制成电子部件的陶瓷多层基板，而对层叠了基板用陶瓷生片而成的陶瓷层叠体进行烧制。但是，若直接对陶瓷层叠体进行烧制，则会出现陶瓷层叠体在烧制时收缩，产生尺寸误差的情况。

为此，提出了以在陶瓷层叠体的至少一个主表面配置有在陶瓷层叠体烧结的温度下不烧结的收缩抑制用陶瓷生片的状态进行烧制的方法。

收缩抑制用陶瓷生片是以覆盖基板上的表面电极的形式被赋予的，因此需要在烧制后将其除去。此时，追求均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，以使表面电极的露出状态变得均匀。

作为除去收缩抑制用陶瓷生片的方法，在专利文献1中公开了进行第一除去工序和第二除去工序的方法，其中，在第一除去工序中，向收缩抑制用陶瓷生片喷射液状物和压缩气体，来除去收缩抑制用陶瓷生片中的不与陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应的部分，在第二除去工序中，以比第一除去工序时的压力低的压力喷射陶瓷粉末、液状物以及压缩气体，来除去第一除去工序中未除去干净的保留物。

专利文献1：日本专利第3649246号公报

在专利文献1所记载的方法中，通过第一除去工序主要除去收缩抑制用陶瓷生片中的不与陶瓷多层基板的玻璃成分发生反应的部分，接下来，通过第二除去工序除去第一除去工序中未除去干净的保留物的大部分，由此能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片。

但是，在专利文献1所记载的方法中，考虑到在以高压喷射液状物和压缩气体的第一除去工序中，若液状物与压缩气体的冲击力不高于不与上述玻璃成分反应的部分的强度，则无法除去该部分。

实质上，本实用新型人使用专利文献1所记载的方法制造出各种陶瓷多层基板的过程中，明确出了有时会因为收缩抑制用陶瓷生片的材料上存在差异，或者是因为收缩抑制用陶瓷生片的材料与基板用陶瓷生片的材料的组合上存在差异，致使在第一除去工序中无法除去不与上述玻璃成分反应的部分。因此，在专利文献1所记载的方法中，存在在制造陶瓷多层基板时，能够除去收缩抑制用陶瓷生片的材料选择的范围变窄，材料设计的自由度低这样的问题。

实用新型内容

本实用新型是为了解决上述问题而产生的，其目的在于提供一种在使用收缩抑制用陶瓷生片制造陶瓷多层基板时，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，材料设计的自由度高的陶瓷多层基板的制造装置。

本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置的特征在于，具备：烧制单元，其对由层叠了多个基板用陶瓷生片而成的未烧制的陶瓷层叠体、和配置于上述未烧制的陶瓷层叠体的至少一个主表面且在上述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度下实质上不烧结的收缩抑制用陶瓷生片构成的复合层叠体，以上述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度进行烧制；第一除去单元，其通过向上述复合层叠体的主表面上的上述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体，而在上述收缩抑制用陶瓷生片中，保留与上述陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应而形成于与上述陶瓷层叠体间的界面的反应层的同时、除去不与上述玻璃成分反应的非烧结层；以及第二除去单元，其除去上述反应层。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，在烧制时，陶瓷层叠体的玻璃成分熔化，并向收缩抑制用陶瓷生片流动，因此在利用烧制单元进行了烧制之后，在收缩抑制用陶瓷生片中的与陶瓷层叠体间的界面，形成有与上述玻璃成分反应而成的高硬度的反应层。另一方面，剩余的收缩抑制用陶瓷生片在烧制时不与上述玻璃成分发生反应、也不烧结，因此成为比反应层脆的非烧结层。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，利用至少两个除去单元，来从烧制后的复合层叠体上除去收缩抑制用陶瓷生片。具体而言，在以使高硬度的反应层保留于陶瓷层叠体的主表面上的状态下，利用第一除去单元除去了脆的非烧结层之后，利用第二除去单元除去高硬度的反应层。因此，在利用烧制单元进行了烧制之后，不仅是能在收缩抑制用陶瓷生片均匀地附着于陶瓷层叠体的主表面上的情况下，而且即便在收缩抑制用陶瓷生片不均匀地附着于陶瓷层叠体的主表面上的情况下，也能够利用第一除去单元均匀地除去非烧结层，而不对成为基板的陶瓷层叠体给予大损伤。之后，通过利用第二除去单元除去反应层，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片。

并且，在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，利用第一除去单元向收缩抑制用陶瓷生片喷射液状物和压缩气体之外还喷射固态物，因此与采用了专利文献1所记载的方法的装置相比，能够提高对非烧结层的作用力。其结果，能够除去采用了专利文献1所记载的方法的装置无法除去的硬度的非烧结层。

这样，在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，与采用了专利文献1所记载的方法的装置相比，能够除去收缩抑制用陶瓷生片的材料选择的范围增大，其结果，制造陶瓷多层基板方面的材料设计的自由度增高。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，优选上述第二除去单元具有第二喷射单元，该第二喷射单元向上述复合层叠体的主表面上的上述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体。在该情况下，即便处理面并不完全是平面也能够进行均匀的处理、并且还能够期望高生产性。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，优选上述第一除去单元具备第一喷射单元，该第一喷射单元喷射莫氏硬度等于或大于上述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径小于上述第二除去单元所喷射的上述固态物的中位粒径的固态物。在第一除去单元中，使用莫氏硬度等于或大于反应层的莫氏硬度的固态物的情况下，使固态物的中位粒径小于第二除去单元所使用的固态物的中位粒径，由此能够在陶瓷层叠体的主表面上保留反应层的同时、除去非烧结层。其结果，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，而不对陶瓷层叠体给予大损伤。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，优选上述第一除去单元具备第一喷射单元，该第一喷射单元喷射莫氏硬度小于上述反应层的莫氏硬度小、并且中位粒径等于或大于上述第二除去单元所使用的上述固态物的中位粒径的固态物。在第一除去单元中，使用莫氏硬度小于反应层的莫氏硬度的固态物的情况下，使固态物的中位粒径形成为等于或大于第二除去单元所使用的固态物的中位粒径，由此能够提高对非烧结层的作用力。另一方面，由于使比反应层柔软的固态物进行冲击，所以对反应层、陶瓷层叠体的作用力较小。其结果，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，而不对陶瓷层叠体给予大损伤。

根据本实用新型，能够提供一种在使用收缩抑制用陶瓷生片制造陶瓷多层基板时，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，因而材料设计的自由度高的陶瓷多层基板的制造装置。

附图说明

图1的(a)、(b)、(c)、(d)是示意地表示利用本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置制造陶瓷多层基板的制造方式的一个例子的说明图。

图2是示意地表示利用除去收缩抑制用陶瓷生片的装置来制造陶瓷多层基板的制造方式的一个例子的剖视图。

符号说明：

1…复合层叠体；10…陶瓷层叠体；11…基板用陶瓷生片；12…表面电极；13…内层导体；14…导通导体；20…收缩抑制用陶瓷生片；21…反应层；22…非烧结层；30…喷嘴；31…封入物；32…压缩气体；33…混合体；50…支承台。

具体实施方式

以下，对本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置进行说明。

然而，本实用新型并不限定于以下的结构，在不改变本实用新型的主旨的范围内能够适当改变地应用。应予说明，将以下记载的本实用新型的各个优选结构的两个以上组合而产生的结构也属于本实用新型。

本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置具备：烧制单元，其在准备了复合层叠体之后，对上述复合层叠体进行烧制；第一除去单元，其向收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体；以及第二除去单元，其除去反应层。

图1的(a)、(b)、(c)、(d)是示意地表示利用本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置来制造陶瓷多层基板的制造方式的一个例子的说明图。以下，参照图1的(a)、(b)、(c)、(d)对各单元进行说明。

(准备复合层叠体)

首先，准备由层叠了多个基板用陶瓷生片而成的未烧制的陶瓷层叠体、和配置于上述未烧制的陶瓷层叠体的至少一个主表面的收缩抑制用陶瓷生片构成的复合层叠体。收缩抑制用陶瓷生片在未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度下实质上不烧结。

图1的(a)是示意地表示利用复合层叠体来制造陶瓷多层基板的制造方式的一个例子的剖视图。

图1的(a)所示的复合层叠体1是在层叠了多个基板用陶瓷生片11、表面电极12以及内层导体13而成的未烧制的陶瓷层叠体10的两个主表面层叠并压接收缩抑制用陶瓷生片20而成的。在未烧制的陶瓷层叠体10的内部形成有导通导体14，该导通导体14与不同层间的表面电极12和内层导体13的任一者连接。应予说明，收缩抑制用陶瓷生片20也可以仅设置于未烧制的陶瓷层叠体10的一个主表面。

基板用陶瓷生片例如是通过以刮刀法(Doctor blade method)等方法将包含陶瓷粉末、粘合剂、增塑剂以及溶剂的浆液成型为片状而制成的。

作为基板用陶瓷生片所包含的陶瓷粉末，能够使用所谓的低温烧结陶瓷材料的粉末。低温烧结陶瓷材料意味着陶瓷材料中的能够在1000℃以下的烧制温度下烧结、且能够与Ag或Cu等同时烧制的材料。作为低温烧结陶瓷材料，例举有在石英、铝、镁橄榄石等陶瓷材料混合硼硅玻璃而成的玻璃复合系低温烧结陶瓷材料；使用了ZnO－MgO－Al₂O₃－SiO₂系的结晶化玻璃的结晶化玻璃系低温烧结陶瓷材料；以及使用了BaO－Al₂O₃－SiO₂系陶瓷材料、Al₂O₃－CaO－SiO₂－MgO－B₂O₃系陶瓷材料等的非玻璃系低温烧结陶瓷材料等。

作为基板用陶瓷生片所包含的粘合剂，例如能够使用聚乙烯醇缩丁醛、甲基丙烯酸聚合物、丙烯酸聚合物等。作为增塑剂，例如能够使用邻苯二甲酸的衍生物等。作为溶剂，例如能够使用醇类、酮类、氯类有机溶剂等。

表面电极和内层导体例如是通过以丝网印刷在基板用陶瓷生片上印刷包含Ag、Cu等的金属粉末的导体浆料而形成的。另外，导通导体例如是通过在基板用陶瓷生片形成导通孔并将上述导体浆料填充于导通孔而形成的。

收缩抑制用陶瓷生片是通过与基板用陶瓷生片相同的方法制成的。其中，收缩抑制用陶瓷生片在未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度下实质上不烧结。即，收缩抑制用陶瓷生片的烧结温度高于基板用陶瓷生片的烧结温度。例如，在使用低温烧结陶瓷的粉末作为基板用陶瓷生片所包含的陶瓷粉末的情况下，例如能够使用铝、氧化锆、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化镁、碳化硅等的粉末作为收缩抑制用陶瓷生片所包含的陶瓷粉末。其中，优选铝粉末。

收缩抑制用陶瓷生片所包含的陶瓷粉末的中位粒径不被特别限定，但优选为0.5μm以上且4μm以下。若陶瓷粉末的中位粒径为0.5μm以上且4μm以下，则对于基板用陶瓷生片的收缩控制力增高、并且所得到的陶瓷多层基板的表面不易变粗糙。

当在未烧制的陶瓷层叠体的两个主表面配置收缩抑制用陶瓷生片，并从两侧压接收缩抑制用陶瓷生片时，例如，压力可以为10MPa以上且200MPa以下，温度可以为40℃以上且90℃以下。

(烧制单元)

接下来，以未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度来烧制上述复合层叠体。因烧制而致使基板用陶瓷生片和导体浆料所包含的有机物消失，因此陶瓷层叠体成为表现出电特性的陶瓷多层基板。另一方面，收缩抑制用陶瓷生片在烧制温度下实质上不烧结。其结果，制成具备收缩抑制用陶瓷生片的陶瓷层叠体(陶瓷多层基板)。

在烧制复合层叠体时，也可以使用敷粉(日文：敷粉)。另外，有时也在利用烧制单元进行烧制以前或者以后，分割陶瓷层叠体。

烧制复合层叠体的温度需要为未烧制的陶瓷层叠体即基板用陶瓷生片烧结的温度、并且为比收缩抑制用陶瓷生片的烧结温度低的温度。在利用烧制单元进行烧制的烧制时，收缩抑制用陶瓷生片实质上不烧结，也就是说，收缩抑制用陶瓷生片不形成烧制收缩，因此抑制陶瓷层叠体在主表面方向的收缩。因此，能够抑制陶瓷多层基板的不必要的变形，能够提高尺寸精度。

其中，在烧制时，陶瓷层叠体的玻璃成分熔化，并向收缩抑制用陶瓷生片流动，因此在利用烧制单元进行了烧制之后，在收缩抑制用陶瓷生片中的与陶瓷层叠体间的界面，形成有与上述玻璃成分发生了反应而成的高硬度的反应层。上述反应层不仅形成于在陶瓷生片进行了烧结之后得到的陶瓷层与收缩抑制用陶瓷生片之间，而且也形成于表面电极与收缩抑制用陶瓷生片之间。

另一方面，剩余的收缩抑制用陶瓷生片在烧制时不与上述玻璃成分反应、也不烧结，因此成为比反应层脆的非烧结层。非烧结层较脆，因此有时在从烧制温度降温时，非烧结层因收缩应力而出现破碎。其结果，在利用烧制单元进行了烧制之后，收缩抑制用陶瓷生片中的反应层形成于陶瓷层叠体的主表面整体，但非烧结层有时不均匀地附着于反应层上。

图1的(b)是示意地表示利用烧制单元进行了烧制后的陶瓷层叠体的一个例子的剖视图。

在图1的(b)中示出了收缩抑制用陶瓷生片20中的反应层21形成于陶瓷层叠体10的主表面整体，非烧结层22不均匀地形成于反应层21上的例子。应予说明，在图1的(b)中省略了陶瓷层上的表面电极，但在表面电极上也形成有反应层。对于图1的(c)、(d)和图2也同样。

(第一除去单元和第二除去单元)

在利用烧制单元进行了烧制之后，利用第一除去单元向复合层叠体的主表面上的收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体。然后，在利用第一除去单元进行了处理之后，利用第二除去单元除去反应层。

图1的(c)是示意地表示利用第一除去单元进行了处理后的陶瓷层叠体的一个例子的剖视图。

如图1的(c)所示，一方面利用第一除去单元除去收缩抑制用陶瓷生片中的非烧结层22。另一方面，反应层21作为保留物而保留于陶瓷层叠体10的主表面上。

图1的(d)是示意地表示利用第二除去单元进行了处理后的陶瓷层叠体的一个例子的剖视图。

如图1的(d)所示，利用第二除去单元除去利用第一除去单元未除去的反应层21。虽在图1的(d)中未示出，但优选利用第二除去单元除去表面电极上的反应层。另一方面，未形成有表面电极的陶瓷层上的反应层可以被除去，也可以不被除去而保留下来。

优选利用第一除去单元使反应层均匀保留于陶瓷层叠体的主表面上。应予说明，可以利用第一除去单元不除去非烧结层的一部分。另外，也可以利用第一除去单元除去非烧结层、并且除去反应层的一部分。

图2是示意地表示除去收缩抑制用陶瓷生片的单元的一个例子的剖视图。

作为喷射固态物、液状物以及压缩气体的装置，如图2所示，举出有使用了喷丸喷嘴的单元。首先，在支承台50载置具备收缩抑制用陶瓷生片20的陶瓷层叠体10。接下来，利用压缩气体32将固态物与液状物的混合物作为封入物31加速并喷射至陶瓷层叠体10的一个主表面所具备的收缩抑制用陶瓷生片20。此时，从作为喷丸喷嘴的排出口的喷嘴30，排出固态物、液状物以及压缩气体的混合体33。使喷嘴30一边沿图中的箭头A方向依次扫描、一边连续喷射混合体33，由此能够保留反应层21的同时除去非烧结层22。

对于第一除去单元而言，作为压缩气体，能够使用压缩空气、氮气等，若考虑成本效率，则优选使用压缩空气。

对于第一除去单元而言，作为液状物，能够使用水、酸性水溶液、碱性水溶液、有机溶剂等，若考虑耐环境性、成本效率，则优选使用水。

对于第一除去单元而言，作为固态物，能够使用陶瓷粒子、玻璃粒子、金属粒子等无机粒子、树脂粒子等有机粒子等。作为陶瓷粒子，优选使用与收缩抑制用陶瓷生片所包含的陶瓷粉末相同材料的陶瓷粒子，更优选使用铝粒子。作为树脂粒子，优选使用脲醛树脂、苯酚树脂、三聚氰胺树脂等的粒子。

对于第一除去单元而言，只要能除去非烧结层而保留反应层，就不特别限定所使用的固态物的种类。例如，在使用陶瓷粒子等较硬的粒子的情况下，为了保留反应层的同时减小对陶瓷层叠体的损伤，优选使用中位粒径较小的粒子。另一方面，在使用树脂粒子等较柔软的粒子的情况下，为了提高对非烧结层的作用力，优选使用中位粒径较大的粒子。

特别是，在利用第二除去单元向复合层叠体的主表面上的收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体的情况下，优选第一除去单元所使用的固态物的莫氏硬度等于或大于反应层的莫氏硬度、中位粒径小于第二除去单元所使用的固态物的中位粒径。即，上述第一除去单元优选具备喷射莫氏硬度等于或大于上述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径小于上述第二除去单元所喷射的上述固态物的中位粒径的固态物的喷射单元。换言之，第一除去单元所使用的固态物的中位粒径优选不足第二除去单元所使用的固态物的中位粒径的60％，更优选不足30％。例如，在第二除去单元所使用的固态物的中位粒径为9.5μm以上且40μm以下的情况下，第一除去单元所使用的固态物的中位粒径优选不足9.5μm，更优选不足5.0μm。

另外，在利用第二除去单元向复合层叠体的主表面上的收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体的情况下，优选第一除去单元所使用的固态物的莫氏硬度小于反应层的莫氏硬度、并且中位粒径等于或大于第二除去单元所使用的固态物的中位粒径。即，上述第一除去单元优选具备喷射莫氏硬度小于上述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径等于或大于上述第二除去单元所使用的上述固态物的上述固态物的喷射单元。换言之，第一除去单元所使用的固态物的中位粒径优选为第二除去单元所使用的固态物的中位粒径的200％以上，更优选为500％以上。例如，在第二除去单元所使用的固态物的中位粒径为9.5μm以上且40μm以下的情况下，第一除去单元所使用的固态物的中位粒径优选为40μm以上，更优选为100μm以上。

在本说明书中，固态物的中位粒径例如意味着使用MicrotracBEL公司制的粒子径分布测定装置MT3300－EX，并通过激光衍射·散射法测定0.02μm以上且1400μm以下的范围的粒子径分布而得的D50值。

与第一除去单元同样，第二除去单元优选通过向复合层叠体的主表面上的收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体来除去反应层。

与第一除去单元同样，作为喷射固态物、液状物以及压缩气体的喷射单元，能够举出有使用了喷丸喷嘴的喷射单元。即，在图2中，作为封入物31而注入固态物与液状物的混合物，从喷嘴30排出固态物、液状物以及压缩气体的混合体33。

对于第二除去单元而言，作为压缩气体，能够使用压缩空气、氮气等，若考虑成本效率，则优选使用压缩空气。

对于第二除去单元而言，作为液状物，能够使用水、酸性水溶液、碱性水溶液、有机溶剂等，若考虑耐环境性、成本效率，则优选使用水。

对于第二除去单元而言，作为固态物，能够使用陶瓷粒子、玻璃粒子、金属粒子等无机粒子。其中，也优选使用与收缩抑制用陶瓷生片所包含的陶瓷粉末相同材料的陶瓷粒子，更优选使用铝粒子。

第二除去单元所使用的固态物的中位粒径例如为20μm，优选为9.5μm以上、并且优选为40μm以下。若中位粒径为9.5μm以上，则除去收缩抑制用陶瓷生片的能力较高，因此能够实现生产性的提高。另一方面，若中位粒径为40μm以下，则能够抑制对陶瓷层叠体的损伤，因此不易产生表面电极从陶瓷层剥离等问题。

第二除去单元并不限定于通过向收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体来除去反应层，例如，也可以通过向收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物以及压缩气体、或者进行抛光等研磨、或者进行湿式蚀刻、干式蚀刻等化学处理等来除去反应层。

也可以在利用第二除去单元进行了处理之后，以表面粗化、除去敷粉或者除去收缩抑制用陶瓷生片为目的，利用进行喷丸处理的单元进行喷丸处理。另外，也可以在利用第二除去单元进行了处理之后，利用进行超声波清洗等清洗处理的单元进行清洗处理。也可以利用一个单元综合进行喷丸处理和清洗处理。

在陶瓷层叠体的两个主表面配置有收缩抑制用陶瓷生片的情况下，利用上述第一除去单元和第二除去单元也对于另一个主表面上的收缩抑制用陶瓷生片进行处理，由此能够除去收缩抑制用陶瓷生片。

利用以上那样的本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置从烧制后的陶瓷层叠体除去收缩抑制用陶瓷生片，来制造陶瓷多层基板。与采用了专利文献1所记载的方法的装置相比，利用本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置，能够除去收缩抑制用陶瓷生片的材料选择的范围增大，其结果，制造陶瓷多层基板方面的材料设计的自由度增高。

本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置并不限定于上述实施方式，在实用新型的范围内，能够对于陶瓷层叠体的结构、基板用陶瓷生片的材料、收缩抑制用陶瓷生片的材料、导体浆料的种类、烧制单元、第一除去单元以及第二除去单元的结构等，施加各种的应用、变形。

Claims (4)

1.一种陶瓷多层基板的制造装置，其特征在于，具备：

对于由层叠了多个基板用陶瓷生片而成的未烧制的陶瓷层叠体、和配置于所述未烧制的陶瓷层叠体的至少一个主表面且在所述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度下实质上不烧结的收缩抑制用陶瓷生片构成的复合层叠体，以所述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度进行烧制的烧制单元；

通过向所述复合层叠体的主表面上的所述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体，而在所述收缩抑制用陶瓷生片中，保留与所述陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应而形成于与所述陶瓷层叠体间的界面的反应层的同时、除去不与所述玻璃成分反应的非烧结层的第一除去单元；以及

除去所述反应层的第二除去单元。

2.根据权利要求1所述的陶瓷多层基板的制造装置，其中，

所述第二除去单元具有：通过向所述复合层叠体的主表面上的所述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体来除去所述反应层的第二喷射单元。

3.根据权利要求2所述的陶瓷多层基板的制造装置，其中，

所述第一除去单元具备：喷射莫氏硬度等于或大于所述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径小于所述第二除去单元所喷射的所述固态物的中位粒径的固态物的第一喷射单元。

4.根据权利要求2所述的陶瓷多层基板的制造装置，其中，

所述第一除去单元具备：喷射莫氏硬度小于所述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径等于或大于所述第二除去单元所喷射的所述固态物的中位粒径的固态物的第一喷射单元。