CN206976350U - 一种带有绝缘划片道的芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其是一种带有绝缘划片道的芯片，具有衬底和安装在所述衬底上端的芯片器件，所述的衬底上端的芯片器件呈矩阵阵列排列设置，相邻芯片器件之间的衬底上开设有划片道，划片道的上半部涂覆有绝缘层，使用了二氧化硅的进行绝缘，保护芯片的器件区域不受缺陷产生的电荷的影响，同时使用二氧化硅是一种容易制备的材料，制造和加工容易，节约成本，使用寿命长。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其是一种带有绝缘划片道的芯片。
背景技术
在芯片的加工过程中，为了后续的划片操作，在晶圆的生产过程中会加入划片道的结构(如图1～2所示)。由于划片道和衬底都为硅材料，划片过程中和划片后，划片产生的缺陷成为缺陷区域，缺陷区域和芯片器件之间没有阻隔，缺陷处产生的电荷容易向芯片的器件区域移动，损坏芯片中的器件；由于没有阻隔，产生了缺陷以后，漏电容易从缺陷区域流动至芯片的器件区域，破坏芯片中的器件(如图3所示)，综上所述，所以现在急需一种解决上述缺陷的芯片。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种保护芯片的器件区域不受缺陷产生的电荷的影响的带有绝缘划片道的芯片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种带有绝缘划片道的芯片，具有衬底和安装在所述衬底上端的芯片器件，所述的衬底上端的芯片器件呈矩阵阵列排列设置，相邻芯片器件之间的衬底上开设有划片道，划片道的上半部涂覆有绝缘层。
进一步的，为了提高绝缘效果，在划片后，漏电被阻隔，使得缺陷区域产生的电荷无法到达芯片器件区域，所述的绝缘层采用的材料为二氧化硅、H系硅微粉或环氧树脂，优选二氧化硅材料作为绝缘层材料。
进一步的，为了使得缺陷区域产生的电荷无法转移到芯片器件区域，对芯片起到保护作用，所述的绝缘层的深度大于芯片器件的厚度。
本实用新型的有益效果是：本实用新型使用了二氧化硅的进行绝缘，保护芯片的器件区域不受缺陷产生的电荷的影响，同时使用二氧化硅是一种容易制备的材料，制造和加工容易，节约成本，使用寿命长。
附图说明
下面结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是原有芯片的主视图；
图2是图1的俯视图；
图3是破坏后芯片的结构示意图；
图4是本实用新型的结构示意图。
图中1.衬底，2.芯片器件，3.划片道，4.绝缘层。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1～4所示的一种带有绝缘划片道的芯片，具有衬底1和安装在所述衬底1上端的芯片器件2，衬底1上端的芯片器件2呈矩阵阵列排列设置，相邻芯片器件2之间的衬底1上开设有划片道3，划片道3的上半部涂覆有绝缘层4。
绝缘层4采用的材料为二氧化硅、H系硅微粉或环氧树脂。
绝缘层4的深度大于芯片器件2的厚度。
具体的如图4所示的在划片道3的上半部的绝缘层4采用二氧化硅，由于二氧化硅有绝缘效果，在划片后，漏电被阻隔，缺陷区域产生的电荷被二氧化硅阻隔后无法到达芯片器件2的区域，同时二氧化硅材料是一种容易制备的材料，省时省力，降低成本，且绝缘性能好，并且绝缘层4的深度为D1，芯片器件2的厚度为D2，D1大于D2。
通过上述方法划片后，缺陷仍然存在，由于二氧化硅的绝缘效果，使得缺陷区域产生的电荷无法转移到芯片的器件区域，从而对芯片起到保护作用。
上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.一种带有绝缘划片道的芯片，具有衬底(1)和安装在所述衬底(1)上端的芯片器件(2)，其特征在于：所述的衬底(1)上端的芯片器件(2)呈矩阵阵列排列设置，相邻芯片器件(2)之间的衬底(1)上开设有划片道(3)，划片道(3)的上半部涂覆有绝缘层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种带有绝缘划片道的芯片，其特征在于：所述的绝缘层(4)采用的材料为二氧化硅、H系硅微粉或环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的一种带有绝缘划片道的芯片，其特征在于：所述的绝缘层(4)的深度大于芯片器件(2)的厚度。
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Granted publication date: 20180206 Termination date: 20210719 |
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