CN206975658U - 指纹识别装置及电子终端 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供一种指纹识别装置及电子终端,由于通过在盖板的本体中设置若干个光通路,以使被识别对象反射的光线尽可能多地直线传输到图像识别芯片中的感光区域,以使图像识别芯片接收到的光线的强度最大,有利于形成清晰的图像,从而实现提高指纹识别装置的指纹识别精度。此外,本实用新型实施例提供的指纹识别装置在满足信号穿透率的前提下,盖板的厚度可以尽可能地厚,以进一步加强盖板的强度和可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于指纹识别技术领域,尤其涉及一种指纹识别装置及电子终端。
背景技术
在指纹识别领域,既要考虑信号的穿透性还有兼顾盖板的厚度。一方面,希望指纹识别装置具有很好的信号穿透性,即信号能够很好地穿透到指纹识别装置的识别区以提高指纹识别装置的指纹识别率;另一方面希望盖板的厚度越厚越好,因为越厚的盖板,成本更低,加工损耗更小,强度和可靠性更高。
相比电容式或超声波的指纹识别装置,在兼具信号的穿透性和盖板的厚度的方面,光学指纹识别装置更具优势。现有的光学指纹识别装置利用凸透镜成像原理采集指纹图像,主要由三棱镜、背光板、凸透镜组成,背光板发出的光线经三棱镜(即盖板)射到指纹“谷”的地方后在盖板与空气的界面发生全反射,射向指纹“脊”的光线发生漫反射,全反射的光线射到凸透镜上,经凸透镜会聚在光电传感器以采集指纹图像。
由上述介绍可知,利用凸透镜成像原理的光学指纹识别装置,被手指等反射的光线要经过凸透镜会聚在光电传感器以采集指纹图像,凸透镜只对水平摄入的光线起汇聚作用,显然难以保证被手指等反射的光线绝大部分能水平照射到凸透镜上,从而在一定程度上影响被手指等反射的光线照射到光电传感器的光线强度的大小。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种指纹识别装置及电子终端。
本实用新型实施例第一方面提供一种指纹识别装置,包括:图像识别芯片和盖板,所述盖板设置在所述图像识别芯片的上方;所述盖板包括本体以及设置在所述本体中的若干个光通路,所述若干个光通路用于将被识别对象反射的光线直线传输到图像识别芯片中感光区域以形成识别对象的生物特征图像。
可选地,所述若干个光通路的中心线平行于所述图像识别芯片中感光区域的纵向中心线。
可选地,所述若干个光通路的中心线以与所述图像识别芯片中感光区域的纵向中心线形成设定夹角的方向设置在所述本体中。
可选地,所述若干个光通路中的部分光通路或者全部光通路的内壁具有设定形貌,所述具有设定形貌的内壁用于对射向内壁的光线进行漫反射处理,使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
可选地,所述设定形貌为多孔状的粗糙表面。
可选地,所述若干个光通路中的部分光通路或者全部光通路的内壁设置有第一光线处理层,所述第一光线处理层用于使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
可选地,所述第一光线处理层为第一光线吸收层,所述第一光线吸收层用于吸收射向内壁的光线,或者,所述第一光线处理层为第一光线阻光层,所述第一光线阻光层用于对射向内壁的光线进行阻光处理。
可选地,所述本体的上表面设置有第二光线处理层,所述第二光线处理层用于使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
可选地,所述第二光线处理层为第二光线吸收层,所述第二光线吸收层用于吸收射向上表面的光线,或者,所述第二光线处理层为第二光线阻光层,所述第二光线阻光层用于对射向上表面的光线进行阻光处理。
可选地,所述本体的下表面设置有第三光线处理层,所述第三光线处理层用于使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
可选地,所述第三光线处理层为第三光线吸收层,所述第三光线吸收层用于吸收射向下表面的光线,或者,所述第三光线处理层为第三光线阻光层, 所述第三光线阻光层用于对射向下表面的光线进行阻光处理。
可选地,所述若干个光通路中的所有光通路或者部分光通路为通孔。
可选地,所述通孔的直径介于10~90微米之间。
可选地,所述本体的上方设置有透光膜层,使得所述若干个光通路中的所有光通路或者部分光通路为空腔孔。
可选地,所述空腔孔的直径介于10~90微米之间。
可选地,所述图像识别芯片与所述盖板贴合连接。
可选地,所述图像识别芯片的安装面覆盖有粘合层,盖板的下表面与图像识别芯片的安装面通过粘合层粘接在一起。
可选地,所述粘合层的结构为镂空结构,所述镂空结构的镂空孔正对盖板的光通路以及正对图像识别芯片的感光区域。
本实用新型实施例第二方面提供一种电子终端,包括上述的指纹识别装置。
本实用新型实施例提供的指纹识别装置及电子终端,由于通过在盖板的本体中设置若干个光通路,以使被识别对象反射的光线尽可能多地直线传输到图像识别芯片中的感光区域,以使图像识别芯片接收到的光线的强度最大,有利于形成清晰的图像,从而实现提高指纹识别装置的指纹识别精度。此外,本实用新型实施例提供的指纹识别装置在满足信号穿透率的前提下,盖板的厚度可以尽可能地厚,以进一步加强盖板的强度和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本实用新型一实施例提供的指纹识别装置的结构示意图。
图1b为本实用新型一实施例提供的指纹识别装置中的图像识别芯片的结构示意图。
图1c为本实用新型一实施例提供的盖板的结构示意图。
图2为本实用新型一实施例提供的盖板截面的结构示意图。
图3a是本实用新型实施例一示例性的光线从盖板传输到图像识别芯片中感光区域的结构示意图。
图3b是本实用新型实施例又一示例性的光线从盖板传输到图像识别芯片中感光区域的结构示意图。
图4为本实用新型又一实施例提供的盖板的结构示意图。
图5为本实用新型又一实施例提供的盖板截面的结构示意图。
图6a是本实用新型实施例再一示例性的光线从盖板传输到图像识别芯片中感光区域的结构示意图。
图6b是本实用新型实施例另一示例性的光线从盖板传输到图像识别芯片中感光区域的结构示意图。
具体实施方式
为使得本申请的实用新型目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而非全部实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图1a、图1b、图1c、和图2所示,本实用新型实施例提供的指纹识别装置,包括:图像识别芯片7和盖板,所述盖板设置在所述图像识别芯片7的上方;所述盖板包括本体1以及设置在所述本体1中的若干个光通路2,所述若干个光通路2用于将被识别对象反射的光线直线传输到图像识别芯片7中的感光区域以形成识别对象的生物特征图像。
可选地,盖板与图像识别芯片7贴合连接。举例来说,图像识别芯片7的安装面覆盖有粘合层8,盖板的下表面与图像识别芯片7的安装面通过粘合层8粘接在一起。需要说明的是,粘合层8具有良好的光学特性,不能影响被识别对象反射的光线通过盖板的光通路2传输到图像识别芯片7的感光区域的强度。可选地,粘合层8为涂覆光学胶而形成胶层。
进一步地,为了最大限度地提高传输到图像识别芯片的感光区域的光线 强度,即提高光信号的穿透性,本实用新型实施例对粘合层8做进一步地约束。
具体地,形成在图像识别芯片上的粘合层8为镂空结构。镂空结构可以通过曝光去胶等工艺形成。当盖板组装到图像识别芯片7上时,镂空结构中的镂空孔、盖板的光通路2、图像识别芯片7的感光区域相互上下贯通,也就是说,镂空结构的镂空孔正对盖板的光通路2的同时正对图像识别芯片7的感光区域。本实用新型实施例通过将粘合层8设计成镂空结构以最大限度地提高传输到图像识别芯片的感光区域的光线强度。
本实用新型下述实施例中,以识别对象为手指,识别对象的生物特征图像为指纹图像为例进行说明,需要说明的是,识别对象不局限于手指,还可以是手掌,对应的生物特征图像还可以是掌纹图像,详细不再赘述。
具体而言,本实施例中的盖板一方面用来接收手指、手掌等识别对象的触控,另一方面通过其中的光通路2用来将被识别对象反射的光线直线传输到图像识别芯片7中的感光区域。举例来说,本实施例中盖板的材质可为单晶硅、多晶硅、玻璃、蓝宝石玻璃、陶瓷中的任一种材质。本实用新型实施例中的盖板的厚度可为数百微米。
需要说明的是,识别对象可以与盖板直接触控,也可以与盖板接近触控。其中,直接触控比如是识别对象放置在盖板的表面上,接近触控比如是识别对象放置在距离盖板设定的范围内,但并不限于此,只要由识别对象反射的光线能够进入光通路2以射向图像识别芯片7中感光区域即可。
本实施例中,光源用于提供可被识别对象反射从而形成射向图像识别芯片7中感光区域的光线,举例来说,光源可以为LED(Light-Emitting Diode,发光二极管)灯。光源具体可设置在指纹识别装置中,或者也可以使用OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示屏中的光源。具体的设置位置可参考盖板在指纹识别装置中的位置进行设置,只要光源发出的光线经盖板上的识别对象反射后能够形成可通过光通路2传输的光线即可。
本实施例中的盖板的光通路2可参考指纹识别装置中的图像识别芯片7中感光区域进行设置,只要可以实现进入到光通路的光线能够到达图像识别芯片7中感光区域即可。举例来说,光通路2的形状可以是圆形、方形或其他规则形状,比如光通路2可以是直孔、方孔、喇叭孔、锥形孔等,本实用 新型实施例不做限制。
需要说明的是,本实施例中,图像识别芯片7可以是具有光电转换功能的芯片,诸如集成了CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体元件)等图像传感器的图像识别芯片7,但并不限于此。图像识别芯片7中的感光区域具体可为图像识别芯片7中具有光电转换的区域,以集成了CCD图像传感器的图像识别芯片7为例,其感光区域分布有像敏单元阵列,像敏单元阵列由光电二极管阵列构成,一个光电二极管对应一个像敏单元,当作为像敏单元的光电二极管接收到光信号时,会将光信号转换成电信号,输出给图像识别芯片7的其他功能单元进行分析识别以采集指纹图像。
本实施例中的光通路2可作为成像孔,从而可使得识别对象侧的物像可形成到图像识别芯片7的感光区域侧。参见图3a或图3b,以识别对象为手指为例,当手指触控盖板时,当光源发出的光线到达手指时,经手指反射形成反射光线,由于本实施例中的盖板的本体1中设置了若干个光通路2,反射光线沿着光通路2直线传输到图像识别芯片7的感光区域,感光区域的感光单元接收由手指反射来的光线并进行光电信号的转换以形成指纹图像。
本实施例中提供的盖板由于可以通过光通路2来规划光线传输的路径,能够解决电容式指纹识别传感器穿透厚度的限制,在满足信号穿透率的前提下,盖板的厚度可以尽可能地厚,以进一步加强盖板的强度和可靠性。
本实施例中,像敏单元等感光单元如果以矩阵阵列形式分布在图像识别芯片7的感光区域,对应地,将盖板中的若干个光通路2也以矩阵结构分布在本体1中,从而能够使更多的识别对象的反射光线射向图像识别芯片7的感光区域,进而使感光区域接收到的光线的强度尽可能地大,有利于形成清晰的图像,从而实现提高指纹识别装置的识别精度。若干个光通路2的设置密度可根据实际需求灵活调整,不做特别限定。
可选地,若干个光通路2中的所有光通路2或者部分光通路2为通孔。举例来说,本实施例中的所有光通路2均为贯穿盖板的本体1的通孔。可选地,通孔的直径介于10~90微米之间。
可替代地,也可以在所述本体1的上方设置有透光膜层,使得所述若干个光通路2中的所有光通路2或者部分光通路2为空腔孔。需要说明的是, 设置成空腔孔是为了使盖板具有防尘防水功能,以避免尘埃或水汽等通过光通路2进入到指纹识别装置中,降低指纹识别装置的使用寿命以及指纹识别的准确性等。可选地,所述空腔孔的直径介于10~90微米之间。
需要说明的是,本实施例中的光通路2的间距和直径根据实现需求而定,本实用新型实施例不做具体限制。
在一种可能的实现方式中,所述若干个光通路2设置在所述本体1中,且所述若干个光通路2的中心线b平行于所述图像识别芯片7中感光区域的纵向中心线a。
具体地,参见图3a,本实用新型实施例图像识别芯片7设置在盖板的本体1中的若干个光通路2的中心线b平行于图像识别芯片7中感光区域的纵向中心线a,这样被识别对象反射的光线能够尽可能地多地沿着光通路2直线传输到图像识别芯片7中感光区域,提高图像识别芯片7接收的光线强度,进一步地实现提高指纹识别装置的识别精度。
优选地,设置在盖板的本体1中的若干个光通路2的中心线平行于盖板的纵向中心线a,这样能够方便将盖板组装到指纹识别装置上。需要说明的是,设置在盖板的本体1中的若干个光通路2的中心线b既平行于盖板的纵向中心线,同时还平行于所述图像识别芯片7中感光区域的纵向中心线a,即盖板能够以平铺的方式组装到指纹识别装置上,这样能够使整个指纹识别装置尽可能地小型化。
在另一种可能的实现方式中,所述若干个光通路2的中心线b以与所述图像识别芯片7中感光区域的纵向中心线a形成设定夹角θ的方向设置在所述本体1中。
具体地,参见图3b,本实用新型实施例的若干个光通路2的中心线b可以与图像识别芯片7中感光区域纵向中心线a形成设定夹角θ的方向设置在本体1中;设定夹角θ的大小不限,只要能确保被识别对象反射的光线能够沿着光通路2直线传输到图像识别芯片7中感光区域即可。
本实施例提供的指纹识别装置,由于通过在盖板的本体1中设置若干个光通路2,以使被识别对象反射的光线尽可能多地直线传输到图像识别芯片7中的感光区域,以使图像识别芯片7接收到的光线的强度最大,有利于形成清晰的图像,从而实现提高指纹识别装置的指纹识别精度。此外,本实用新 型实施例提供的指纹识别装置在满足信号穿透率的前提下,盖板的厚度可以尽可能地厚,以进一步加强盖板的强度和可靠性。
图4为本实用新型又一实施例提供的盖板的结构示意图。图5为本实用新型又一实施例提供的盖板截面的结构示意图。图6a是本实用新型实施例再一示例性的光线从盖板传输到图像识别芯片中感光区域的结构示意图。图6b是本实用新型实施例另一示例性的光线从盖板传输到图像识别芯片中感光区域的结构示意图。本实用新型实施例是对上述实施例的优化说明。具体对本实用新型实施例的盖板中的光通路2、盖板的表面做进一步优化说明。
由于盖板具有一定的光学特性,射向图像识别芯片7中感光区域的光线除了被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线之外,很可能存在一定的干扰光线。干扰光线可能从盖板的上表面或下表面射入并穿透到盖板中,进而可能从盖板中穿透到光通路2中,继而射向图像识别芯片7中的感光区域,或者直接从盖板穿透到图像识别芯片7中的感光区域,从而影响指纹识别装置的识别精度。此外,射向光通路2的内壁上的光线如若不加处理,也会形成干扰光线。为此,本实施例通过对光通路2、盖板的表面进一步的改造,以尽可能地减少干扰光线进入到图像识别芯片7中的感光区域。
具体地,本实施例中,为了使射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线,本实施例对光通路2的内壁进行表面处理,以尽可能减少来自不同方向的干扰光线经光通路2的内壁射向光通路2,进而保证射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
在一种可能的实现方式中,所述若干个光通路2中的部分光通路2或者全部光通路2的内壁具有设定形貌,所述具有设定形貌的内壁用于对射向内壁的光线进行漫反射处理,使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。优选地,所述设定形貌为多孔状的粗糙表面。需要说明的是,多孔状的粗糙表面能够进一步使射向内壁的光线朝各个方向无序地漫反射,以更好地实现减少来自不同方向的干扰光线经光通路2的内壁射向图像识别芯片7中的感光区域。
在另一种可能的实现方式中,所述若干个光通路2中的部分光通路2或者全部光通路2的内壁设置有第一光线处理层5,所述第一光线处理层5用 于使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
具体地,在一种可能的实现方式中,所述第一光线处理层5可为第一光线吸收层,所述第一光线吸收层用于吸收射向内壁的光线。本实施通过设置第一光线吸收层对射向光通路2内壁的干扰光线进行吸收处理,以尽可能地减少干扰光线进入到图像识别芯片7中的感光区域。
具体地,在又一种可能的实现方式中,所述第一光线处理层5也可为第一光线阻光层,所述第一光线阻光层用于对射向光通路2内壁的光线进行阻光处理。需要说明的是,阻光处理是指除对光进行吸收处理之外的阻止干扰光线进入图像识别芯片7中的感光区域的方式。举例来说,第一光线阻光层为具有光的全反射作用的涂层,当干扰光线射到该涂层时,干扰光线被反射掉。或者第一光线阻光层为布满微状颗粒的涂层,当干扰光线射到该涂层时,干扰光线被漫反射掉。当然,阻光处理不限于举例说明。下面涉及到的第二光线阻光层的阻光处理的原理、第三光线阻光层的阻光处理的原理同举例说明的第一光线阻光层的阻光处理的原理,详细不再赘述。
可选地,本实施例对盖板的上表面进行处理以改变其表面特性,以尽可能减少来自不同方向的干扰光线经盖板的上表面射入光通路2。
具体地,所述本体1的上表面设置有第二光线处理层3,所述第二光线处理层3用于使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。优选地,在盖板的上表面上,与光通路正对的区域之外的区域覆盖有第二光线处理层3,以尽可能减少来自不同方向的干扰光线经盖板的上表面射入光通路2。
在一种可能的实现方式中,所述第二光线处理层3为第二光线吸收层,所述第二光线吸收层用于吸收射向所述上表面的光线。需要说明的是,干扰光线可能会通过盖板的上表面穿透到盖板中,进而可能从盖板穿透到光通路2中,继而射向图像识别芯片7中的感光区域,或者直接从盖板穿透到图像识别芯片7中的感光区域,从而影响指纹识别装置的识别精度。为了尽可能减少干扰光线传输到图像识别芯片7中感光区域,本实施例在本体1的上表面设置第二光线吸收层,来吸收传输到本体1的上表面的干扰光线。
在一种又可能的实现方式中,所述第二光线处理层3为第二光线阻光层, 所述第二光线阻光层用于对射向所述上表面的光线进行阻光处理。需要说明的是,干扰光线可能会通过盖板的上表面穿透到盖板中,进而可能从盖板穿透到光通路2中,继而射向图像识别芯片7中的感光区域,或者直接从盖板穿透到图像识别芯片7中的感光区域,从而影响指纹识别装置的识别精度。为了尽可能减少干扰光线传输到图像识别芯片7中感光区域,本实施例在本体1的上表面设置第二光线阻光层,来阻止干扰光线经本体1的上表面传输到图像识别芯片7中的感光区域。
可选地,为了使射向图像识别芯片7为被识别对象反射且沿着若干个光通路2进行直线传输的光线,本实用新型实施例对盖板的下表面进行处理以改变其表面特性,以尽可能减少来自不同方向的干扰光线经盖板的下表面射入光通路2,进而进一步地保证图像识别芯片射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
具体地,所述本体1的下表面设置有第三光线处理层4,所述第三光线处理层4用于使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。优选地,在盖板的下表面,与光通路正对的区域之外的区域覆盖有第三光线处理层4,以尽可能减少来自不同方向的干扰光线经盖板的下表面射入光通路2。
在一种可能的实现方式中,所述第三光线处理层4为第三光线吸收层,所述第三光线吸收层用于吸收射向所述下表面的光线。需要说明的是,干扰光线可能会通过盖板的下表面穿透到盖板中,进而可能从盖板穿透到光通路2中,继而射向图像识别芯片7中的感光区域,或者直接从下盖板穿透到图像识别芯片7中的感光区域,从而影响指纹识别装置的识别精度。为了尽可能减少干扰光线传输到图像识别芯片7中感光区域,本实施例在本体1的下表面设置第三光线吸收层,来吸收传输到本体1的下表面的干扰光线。
在又一种可能的实现方式中,所述第三光线处理层4为第三光线阻光层,所述第三光线阻光层用于对射向所述下表面的光线进行阻光处理。需要说明的是,干扰光线可能会通过盖板的下表面穿透到盖板中,进而可能从盖板穿透到光通路2中,继而射向图像识别芯片7中的感光区域,或者直接从盖板穿透到图像识别芯片7中的感光区域,从而影响指纹识别装置的识别精度。为了尽可能减少干扰光线传输到图像识别芯片7中感光区域,本实施例在本 体1的下表面设置第三光线阻光层,来阻止干扰光线经本体1的下表面传输到图像识别芯片7中的感光区域。
需要说明的是,为了使射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2进行直线传输的光线,根据实际的需求对光通路2的内壁、盖板的上表面、盖板的下表面中的一个或多个进行表面处理以改变其表面特性,当然改变表面特性的表面处理方法不限于本实用新型实施例的举例说明。
需要说明的是,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4若为不透光材料制成的吸收层,该吸收层的厚度介于1至10微米之间。举例来说,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4为纳米复合吸光材料制成的吸收层,或者第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4为深色系材料制成的吸收层,但并不限于此。
需要说明的是,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4若为不透光材料制成的阻光层时,该阻光层的厚度介于1至10微米之间。举例来说,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4为黑胶层、金属层、非金属层中的任一种;其中,金属层包含有铝、氮化铝、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、钛钨合金、银、金中的任一种或多种的组合;非金属层包含有氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅中的任一种或多种的组合,但并不限于此。
本实施例中,光通路2作为成像孔,从而可使得识别对象侧的物像形成到图像识别芯片7的感光区域侧。参见图6a和图6b,以识别对象为手指为例,当手指触控盖板时,当光源发出的光线到达手指时,经手指反射形成反射光线,由于本实施例中的盖板的本体1中设置了若干个光通路2,反射光线沿着光通路2直线传输到图像识别芯片7的感光区域,感光区域的感光单元接收由手指反射来的光线并进行光电信号的转换以形成指纹图像。在反射光线沿着光通路2直线传输到图像识别芯片7的感光区域的过程中,若有干扰光线照射到光通路2的内壁,干扰光线会在光通路2的内壁发生漫反射或是由光通路2的内壁上的第一光线处理层5吸收处理或阻光处理,以减少干扰光线经光通路2的内壁射向光通路2;在反射光线沿着光通路2传输到图像识别芯片7的感光区域的过程中,若有干扰光线照射到盖板的上表面或者下表 面,对应地,干扰光线由上表面设置的第二光线处理层3或由下表面设置的第三光线处理层4吸收处理或阻光处理,以减少干扰光线经盖板的表面射向图像识别芯片7的感光区域。
本实用新型实施例提供的盖板的制造方法用于制造上述实施例中的盖板。本实用新型实施例提供的盖板的制造方法,包括:
步骤S101:对所述本体1的一表面进行处理使得在所述本体1上形成若干个凹槽结构。
具体地,通过蚀刻、激光或机械钻孔工艺对所述本体1的一表面进行处理使得在所述本体1上形成若干个凹槽结构,但并不限于此。
举例来说,本实用新型中的盖板厚度为数百微米,先通过蚀刻、激光或机械钻孔工艺加工盖板的本体1的一表面如上表面,以在盖板的本体1上形成若干个凹槽结构,这些凹槽结构可以是盲孔。盲孔的尺寸和间距取决于加工工艺或设计要求。
经过步骤S101的加工处理后,本实用新型实施例通过蚀刻、激光或机械钻孔工艺加工盖板的本体1的一表面如上表面,以在盖板的本体1上形成若干个凹槽结构,这些凹槽结构可以是盲孔,盲孔的尺寸和间距取决于加工工艺或设计要求。
步骤S102:对所述本体1的另一表面进行处理,使得在所述本体1上形成的若干个凹槽结构转变为所述光通路2,其中,所述若干个光通路用于将被识别对象反射的光线直线传输到图像识别芯片中感光区域以形成识别对象的生物特征图像。
具体地,通过研磨减薄工艺对所述本体1的另一表面进行处理,使得在所述本体1上形成的若干个凹槽结构穿透从而转变为所述光通路2,但并不限于此。
举例来说,若凹槽结构是通过从盖板的本体1的上表面向下表面加工而成的话,则对盖板的本体1的下表面进行研磨减薄,使若干个凹槽结构转变所述光通路2。
需要说明的是,本实施例也可以通过蚀刻、激光或机械钻孔工艺对所述本体1的一表面或另一表面进行处理使得在所述本体1上直接形成光通路2, 即加工时将盖板直接穿透形成光通路2。
需要说明的是,本实用新型实施例提供的盖板的制造方法还可以详见上述实施例提供的盖板的相关内容,在此不再赘述。
本实施例提供的盖板的制造方法,能够通过运用多种可选工艺手段地在盖板的本体1上形成若干个凹槽结构以及将若干个凹槽结构转变为所述光通路2,同时能够简单快速地在盖板上形成光通路2以使盖板具有将被识别对象反射而形成射向图像识别芯片7中感光区域的光线传输到图像识别芯片7中感光区域的功能。本实用新型实施例提供的盖板的制造方法简单高效,能够适应大批量生产盖板的需求。
本实用新型又一实施例提供的盖板的制造方法的方法流程图。本实施例提供的盖板的制造方法,
在步骤S101之后,还包括:
步骤S201:对所述若干个光通路2中的部分凹槽结构或者全部凹槽结构的内壁进行表面处理以形成设定形貌;
所述具有设定形貌的内壁用于对射向内壁的光线进行漫反射处理,使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
在一种又可能的实现方式中,在步骤S201中也可以对所述若干个光通路2中的部分凹槽结构或者全部凹槽结构的内壁进行表面处理以形成第一光线处理层5,以起到与所述设定形貌等同的作用;当然也可以同时在设定形貌之后再形成第一光线处理层5同时改变凹槽结构的内壁的表面特性,本实施例不做限制。
所述第一光线处理层5用于使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
经过步骤S201加工处理后,本实用新型实施例对凹槽结构的内壁进行表面处理可以通过电镀、喷涂、化学腐蚀等工艺方法。
步骤S202:通过涂层覆盖工艺在形成了所述凹槽结构的所述本体1的一表面上形成所述第二光线处理层3,所述第二光线处理层3用于使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直 线传输的光线。
经过步骤S202的加工处理后,本实用新型实施例涂覆的第二光线处理层3的厚度介于0~10微米之间。当然第二光线处理层3还可以通过电镀、蒸镀、丝印、喷涂等工艺加工形成。
进一步地,在步骤102之后,还包括:步骤S203:通过涂层覆盖工艺在形成了所述光通路2的所述本体1的另一表面上形成所述第三光线处理层4;
所述第三光线处理层4用于使得射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
经过步骤S203的加工处理后,盖板的结构如图6所示。本实用新型实施例涂覆的第三光线处理层4的厚度介于0~10微米之间。当然第三光线处理层4还可以通过电镀、蒸镀、丝印、喷涂等工艺加工形成。需要说明的是,步骤S202和步骤S203都是对盖板的本体1的表面进行表面处理,根据实际情况选择步骤S202和步骤S203中的任一种表面处理方法改变盖板的本体1的表面特性,当然也可以同时利用步骤S202和步骤S203中的表面处理方法改变盖板的本体1的表面特性,且步骤S202和步骤S203的执行顺序根据实际情况而定,本实用新型实施例不做限制。
需要说明的是,为了使由识别对象反射的光线而形成的射向图像识别芯片7中感光区域的光线为沿着若干个光通路2进行直线传输的光线,根据实际的需求对光通路2的凹槽结构的内壁、盖板的本体1的一表面、盖板的本体1的另一表面中的一个或多个进行表面处理以改变其表面特性,当然改变表面特性的表面处理方法不限于本实用新型的举例说明。
需要说明的是,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4若为不透光材料制成的吸收层,该吸收层的厚度介于1至10微米之间。举例来说,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4为纳米复合吸光材料制成的吸收层,或者第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4为深色系材料制成的吸收层,但并不限于此。
需要说明的是,第一光线处理层5、第二光线处理层3、第三光线处理层4是由不透光材料制成的膜层,该膜层的厚度介于1至10微米之间。举例来说,第一光线处理层5为黑胶层、金属层、非金属层中的任一种;其中,金属层包含有铝、氮化铝、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、钛钨合金、银、金 中的任一种或多种的组合;非金属层包含有氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅中的任一种或多种的组合,但并不限于此。
需要说明的是,本实用新型实施例提供的盖板的制造方法还可以详见上述实施例提供的盖板的相关内容,在此不再赘述。
本实用新型实施例提供的盖板的制造方法,为了使由识别对象反射的光线而形成的射向图像识别芯片7中感光区域的光线为沿着若干个光通路2直线传输的光线,本实用新型实施例对光通路2的凹槽结构的内壁、盖板的本体1的一表面、盖板的本体1的另一表面中的一个或多个进行表面处理以改变其表面特性,以尽可能减少来自不同方向的干扰光线经光通路2的凹槽结构的内壁、盖板的本体1的一表面、盖板的本体1的另一表面中的一个或多个射入光通路2,进而进一步地保证射向图像识别芯片7中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路2直线传输的光线。
本实用新型实施例还提供一种电子终端,包括上述实施例中的任一指纹识别装置。
其中,指纹识别装置的结构、功能以及能够实现的技术效果与前述实施例类似,在此不再累述。
本实用新型实施例提供的电子终端,包括上述实施例中的指纹识别装置。通过利用具有光通路2的盖板,能够使图像识别芯片7尽可能多地接收被识别对象反射的光线,提高指纹识别装置的信号的穿透率。此外,本实用新型实施例提供的盖板在满足信号穿透率的前提下,盖板的厚度可以尽可能地厚,以进一步加强盖板的强度和可靠性,进而提高指纹识别装置的强度和可靠性,从而提高电子终端的强度和可靠性。
Claims (19)
1.一种指纹识别装置,其特征在于,包括:图像识别芯片和盖板,所述盖板设置在所述图像识别芯片的上方;所述盖板包括本体以及设置在所述本体中的若干个光通路,所述若干个光通路用于将被识别对象反射的光线直线传输到所述图像识别芯片中感光区域以形成所述被识别对象的生物特征图像。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述若干个光通路的中心线平行于所述图像识别芯片中感光区域的纵向中心线。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述若干个光通路的中心线以与所述图像识别芯片中感光区域的纵向中心线形成设定夹角的方向设置在所述本体中。
4.根据权利要求1~3任一项所述的装置,其特征在于,所述若干个光通路中的部分光通路或者全部光通路的内壁具有设定形貌,所述具有设定形貌的内壁用于对射向内壁的光线进行漫反射处理,使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述设定形貌为多孔状的粗糙表面。
6.根据权利要求1~3任一项所述的装置,其特征在于,所述若干个光通路中的部分光通路或者全部光通路的内壁设置有第一光线处理层,所述第一光线处理层用于使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一光线处理层为第一光线吸收层,所述第一光线吸收层用于吸收射向内壁的光线,或者,所述第一光线处理层为第一光线阻光层,所述第一光线阻光层用于对射向内壁的光线进行阻光处理。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述本体的上表面设置有第二光线处理层,所述第二光线处理层用于使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第二光线处理层为第二光线吸收层,所述第二光线吸收层用于吸收射向上表面的光线,或者,所 述第二光线处理层为第二光线阻光层,所述第二光线阻光层用于对射向上表面的光线进行阻光处理。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述本体的下表面设置有第三光线处理层,所述第三光线处理层用于使得射向图像识别芯片中感光区域的光线为被识别对象反射且沿着若干个光通路直线传输的光线。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述第三光线处理层为第三光线吸收层,所述第三光线吸收层用于吸收射向下表面的光线,或者,所述第三光线处理层为第三光线阻光层,所述第三光线阻光层用于对射向下表面的光线进行阻光处理。
12.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述若干个光通路中的所有光通路或者部分光通路为通孔。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述通孔的直径介于10~90微米之间。
14.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述本体的上方设置有透光膜层,使得所述若干个光通路中的所有光通路或者部分光通路为空腔孔。
15.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,所述空腔孔的直径介于10~90微米之间。
16.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述图像识别芯片与所述盖板贴合连接。
17.根据权利要求16所述的装置,其特征在于,所述图像识别芯片的安装面覆盖有粘合层,盖板的下表面与图像识别芯片的安装面通过粘合层粘接在一起。
18.根据权利要求17所述的装置,其特征在于,所述粘合层的结构为镂空结构,所述镂空结构的镂空孔正对盖板的光通路以及正对图像识别芯片的感光区域。
19.一种电子终端,其特征在于,包括权利要求1~18任一项所述的装置。
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