CN108493201A - 一种显示面板、其制造方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板、其制造方法及显示装置,该显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板;第一基板靠近第二基板的一侧设置有多个发光单元和多个指纹识别单元,发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,设置第一N型半导体层和第二N型半导体层同层设置,第一P型半导体层和第二P型半导体层同层设置。与现有的显示面板相比,本发明实施例在实现指纹识别功能的同时,可减小显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术,尤其涉及一种显示面板、其制造方法及显示装置。
背景技术
每个人包括指纹在内的皮肤纹路在图案、断点和交叉点上各不相同,呈现唯一性且终生不变。据此,我们可以把一个人同他的指纹对应起来,通过将他的指纹和预先保存的指纹数据进行比较,以验证他的真实身份,这就是指纹识别技术。得益于电子集成制造技术和快速而可靠的算法研究,指纹识别技术中光学指纹识别技术已经开始走入我们的日常生活,成为目前生物检测学中研究最深入,应用最广泛,发展最成熟的技术。
目前,通常将光学指纹识别技术与显示技术相结合,以使显示面板不仅具有正常的显示功能,还能够进行指纹识别,丰富了显示面板的功能,提高了显示面板的安全性能。为了使得显示面板具有指纹识别功能,通常在现有的显示面板中,设置外挂式的指纹识别单元。该外挂式的指纹识别单元通过光学胶粘结于显示面板的衬底基板上。换言之,现有的显示面板中,发光单元和各指纹识别单元在垂直与第一基板所在平面的方向上依次排列。该类显示面板整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化。
发明内容
本发明提供一种显示面板、其制造方法及显示装置,以减小显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
第一基板靠近第二基板的一侧设置有多个发光单元和多个指纹识别单元,发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,第一N型半导体层和第二N型半导体层同层设置,第一P型半导体层和第二P型半导体层同层设置。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法,该制造方法包括:
提供第一基板;
在第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元,发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,第一N型半导体层和第二N型半导体层为同一膜层形成,第一P型半导体层和第二P型半导体层为同一膜层形成。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括第一方面提供的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板,通过设置发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,通过设置第一N型半导体层和第二N型半导体层同层设置,第一P型半导体层和第二P型半导体层同层设置,由此各发光单元和各指纹识别单元在第一基板所在平面上依次排列,而非发光单元和各指纹识别单元在垂直与第一基板所在平面的方向上依次排列,解决了现有的显示面板因采用外挂式的指纹识别单元,显示面板的整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化的问题,实现了减少了显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化的目的。
附图说明
图1为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种驱动周期的示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图;
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法的流程示意图;
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法的流程示意图;
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
需要说明的是,在本发明中,所提及的指纹识别单元需要配合指纹识别光源以实现指纹识别功能。在本发明各附图中,以加粗的实线表示直接由指纹识别光源出射的光线,以加粗的虚线表示经触摸主体反射后形成的反射光。
图1为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图。参照图1,显示面板包括:相对设置的第一基板100和第二基板200,在第一基板100靠近第二基板200的一侧设置有发光单元102,在第一基板100远离第二基板200的一侧设置有指纹识别单元101。发光单元102作为指纹识别单元101的指纹识别光源。由发光单元102发出的光经触摸主体300反射后,入射到指纹识别单元101。指纹识别单元101通过检测反射光的强度,实现显示面板的指纹识别功能。此结构中,指纹识别单元101为外挂式指纹识别单元,其通过光学胶(图1中未示出)粘结于显示面板的第一基板100上,使得显示面板的整体厚度增加,不利于显示面板的轻薄化。
针对此问题,本发明实施例提供一种显示面板,以减少显示面板的整体厚度,从而实现显示面板的轻薄化。
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图2,该显示面板01包括相对设置的第一基板100和第二基板200;第一基板100靠近第二基板200的一侧设置有多个发光单元110和多个指纹识别单元120,发光单元110包括第一N型半导体层110N和第一P型半导体层110P,指纹识别单元120包括第二N型半导体层120N和第二P型半导体层120P,第一N型半导体层110N和第二N型半导体层120N同层设置,第一P型半导体层110P和第二P型半导体层120P同层设置。
继续参见图2,第二N型半导体层120N和第二P型半导体层120P共同构成PN结。即指纹识别单元120本质上为光敏二极管,具有感光特性,并且具有单向导电性。无光照时,PN结有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时PN结截止。当受到光照时,PN结的饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,光电流随入射光强度的变化而变化,据此可以对触摸主体进行识别。
本发明实施例通过设置发光单元110的第一P型半导体层110P与指纹识别单元120的第二P型半导体层120P同层设置,发光单元110的第一N型半导体层110N与指纹识别单元120的第二N型半导体层120N同层设置,由此各发光单元和各指纹识别单元在第一基板所在平面上依次排列,而不是发光单元和各指纹识别单元在垂直于第一基板所在平面的方向上依次排列。即,无需在独立于发光单元110的膜层外单独设置指纹识别单元120,解决了现有的显示面板因采用外挂式的指纹识别单元,显示面板的整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化的问题,实现了减少了显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化的目的。
可选地,第一N型半导体层110N和第二N型半导体层120N采用相同材料在同一制程中形成。与第一N型半导体层110N和第二N型半导体层120N分别于不同制程形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第一N型半导体层110N和第二N型半导体层120N分别制作掩膜板,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
可选地,第一P型半导体层110P和第二P型半导体层120P采用相同材料在同一制程中形成。与第一P型半导体层110P和第二P型半导体层120P分别于不同制程形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第一P型半导体层110P和第二P型半导体层120P分别制作掩膜板,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
需要说明的是,图2中,该显示面板包括两个重复单元,顺次相邻的3个发光单元110与1个指纹识别单元120构成一个重复单元。该显示面板共包括6个发光单元110和2个指纹识别单元120。这仅是本申请的一个具体示例,而非对本申请的限制。在实际中,显示面板中发光单元110和指纹识别单元120的数量和排列方式可根据实际需求设置。
继续参见图2,发光单元110还包括层叠设置的阳极110A、第一发光层110E以及阴极110C;第一P型半导体层110P位于阳极110A和第一发光层110E之间;第一N型半导体层110N位于第一发光层110E和阴极110C之间;阳极110A位于第一基板100与第一发光层110E之间。
当进行图像显示时,向发光单元110的阳极110A和阴极110C施加驱动电压。在该驱动电压的作用下,在阴极110C和阳极110A之间会产生一个电场,进而促使电子从阴极110C向第一发光层110E传输,空穴则从阳极110A向第一发光层110E传输;电子和空穴在第一发光层110E中相遇,由于库仑力作用,电子和空穴被束缚在一起,形成处于激发态的激子。由于处于激发态的激子是不稳定的,它会将一部分能量传递给第一发光层110E中的发光分子,使发光分子中的电子从基态跃迁到激发态,而另一部分能量则以热或其他的形式释放,即能量损失。发光分子中处于激发态的电子不稳定,发生辐射跃迁,释放能量回到基态,此辐射跃迁过程中产生光子,即发光单元110发光。
其中,第一P型半导体层110P和第一N型半导体层110N可降低电子和空穴传输过程中的界面势垒,从而可提高发光单元中载流子(电子和空穴)注入能力,进而可提高发光单元110的发光效率。
继续参见图2,在上述技术方案中,设置阳极110A位于第一基板100与第一发光层110E之间,这仅是本申请的一个具体示例,而非对本申请的限制。可选地,还可以设置阴极110C位于第一基板100与第一发光层110E之间。
在上述技术方案中,第一发光层110E的发光材料不同,与其对应的发光单元110发出的光的颜色可能不同。
示例性的,第一发光层110E的材料可为红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料。
继续参照图2,指纹识别单元120还可包括第一电极1201和第二电极1202;第一电极1201位于第二P型半导体层120P背离第二N型半导体层120N的一侧;第二电极1202位于第二N型半导体层120N背离第二P型半导体层120P的一侧。
此时,指纹识别单元120的整体结构与有机光伏电池的结构类似,可利用光生载流子效应实现指纹识别功能。示例性的,指纹识别单元120采用光学指纹识别方式,由触摸主体300的指纹不同位置反射的光线入射到指纹识别单元120,指纹识别单元120接收指纹反射的光线,产生与指纹相关的电信号;由于指纹上存在凹凸变化的纹理,经由指纹不同位置反射的光线强度不同,最终使得不同指纹识别单元120接收到的光线的强度存在差别。而不同的光线强度下,电荷产生层(charge generation layer,CGL,包括第二P型半导体层120P和第二N型半导体层120N)反馈的电信号不同。从而可通过各指纹识别单元120反馈的电信号的大小反应触摸主体300的指纹特征,从而实现显示面板01的指纹识别功能。
示例性的,电荷产生层反馈的电信号可包括电压信号或者电流信号。
示例性的,图2中,指纹识别单元120的第一电极1201是分立的,第二电极1202是连续的。这里“第二电极1202是连续”是指各个指纹识别单元120的第二电极1202彼此电连接,由此,可通过第一电极1201反馈电信号。
需要说明的是,图2中仅示例性的示出了第一电极1201是分立的,第二电极1202是连续的,但并非对本实施例的限定。在其他实施方式中,可设置第一电极1201是连续的,第二电极1202是分立的;还可设置第一电极1201是分立的,第二电极1202也是分立的。
可选的,指纹识别单元120的第一电极1201与发光单元110的阳极110A同层设置,指纹识别单元120的第二电极1202与发光单元110的阴极110C同层设置。由此,各发光单元110和指纹识别单元120在第一基板所在平面上依次排列,而非在垂直于第一基板所在的平面上依次排列,即,无需在独立于发光单元110的膜层外,单独设置指纹识别单元120的第一电极1201和第二电极1202,从而可使显示面板01的整体厚度较薄,利于实现显示面板01的轻薄化。
可选的,第一电极1201与阳极110A采用相同的材料在同一制程中形成。与现有技术中第一电极1201和阳极110A分别在不同制程中形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第一电极1201和阳极110A分别制作掩膜版,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
可选的,第二电极1202和阴极110C采用相同的材料在同一制程中形成。与现有技术中第二电极1202和阴极110C分别在不同制程中形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第二电极1202和阴极110C分别制作掩膜版,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。与图2相比,图3中,该显示面板中,发光单元110还包括第一光学补偿层1101。参见图3,该第一光学补偿层1101位于第一发光层110E与阳极110A之间。该第一光学补偿层1101可选用空穴迁移率较高的材料,以提高空穴的注入或传输效率,进而提高显示面板的显示效果。可选地,第一光学补偿层1101可包括空穴注入层和/或空穴传输层。
或者,还可以设置发光单元110还包括第二光学补偿层,该第二光学补偿层位于第一发光层110E与阴极110C之间(图3中未示出)。该第二光学补偿层可选用电子迁移率较高的材料,以提高电子的注入或传输效率,进而提高显示面板的显示效果。可选地,第二光学补偿层可包括电子注入层和/或电子传输层。
进一步地,还可以根据实际需要设置不同发光颜色的发光单元中,第一光学补偿层1101或者第二光学补偿层的厚度不同,以调节微腔效应,使得第一发光层110E的发光频率位于微腔内驻波场的增强锋附近。示例性的,第一发光层110E的发光频率与微腔驻波的波峰重合,或者第一发光层110E的发光频率与微腔驻波的波谷重合。
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参见图4,指纹识别单元120还可包括第二发光层120E;第二发光层120E位于第二P型半导体层120P和第二N型半导体层120N之间。
其中,指纹识别单元120的整体结构仍可视为有机光伏电池的结构,即仍可利用光生载流子效应实现指纹识别功能。
图5为本发明实施例提供的一种驱动周期的示意图。参照图5,显示面板01的工作过程可包括指纹识别阶段和显示阶段;在指纹识别阶段,指纹识别单元120用于进行指纹识别;在显示阶段,指纹识别单元120用于进行图像显示。
示例性的,显示面板还可以包括触控位置检测单元和/或触控压力检测单元,以及控制电路。当触控位置检测单元检测到触摸主体触摸时,控制显示面板处于指纹识别阶段,控制电路外向指纹识别单元120发送第一电信号,控制指纹识别单元120进行指纹识别;当触控位置检测单元未检测到触摸主体触摸时,控制显示面板处于显示阶段,控制电路向指纹识别单元120发送第二电信号,控制指纹识别单元120进行图像显示。图5示例性设置先进行显示,后进行指纹识别,但并非对本发明实施例提供的显示面板的限定。在其他实施方式中,还可以设置先进行指纹识别,后进行显示。
可选的,第二发光层120E的发光颜色可为红色、蓝色、绿色、白色、黄色或者橙色。
其中,在显示阶段,第二发光层120E的发光颜色为白色时,指纹识别单元120用于显示面板01的亮度补偿;第二发光层120E的颜色为黄色或橙色时,指纹识别单元120用于显示面板01的色度补偿。
可选的,在显示阶段,还可根据需要显示的图像的不同,设置部分指纹识别单元120用来显示,剩余部分指纹识别单元120不工作,以保证显示面板具有较佳显示质量的同时,节省电能。
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。与图4相比,图6中,该显示面板01中,指纹识别单元120还可以包括第三光学补偿层1203。参见图6,该第三光学补偿层1203位于第二发光层120E和第一电极1201之间。该第三光学补偿层1203可选用空穴迁移率较高的材料,以提高空穴的传输或注入效率,进而提高显示面板的显示效果。可选的,第三光学补偿层1203可包括空穴注入层和/或空穴传输层。
或者,还可以设置指纹识别单元120还包括第四光学补偿层,该第四光学补偿层位于发光层120E和第二电极1202之间(图6中未示出)。该第四光学补偿层可选用电子迁移率较高的材料,以提高电子的注入或传输效率,进而提高显示面板的显示效果。可选的,第四光学补偿层可包括电子注入层和/或电子传输层。
进一步地,还可以根据实际需要设置不同发光颜色的发光单元中,第三光学补偿层1203或者第四光学补偿层的厚度不同,以调节微腔效应,使得第二发光层120E位于微腔内驻波场的增强锋附近。示例性的,第二发光层120E与微腔驻波的波峰重合,或者第二发光层120E与微腔驻波的波谷重合。
可选的,图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参照图7,在同一显示面板01中,可设置部分指纹识别单元120的膜层结构包括第二发光层120E,部分指纹识别单元120的膜层结构不包括第二发光层120E。
在上述各实施例中,该显示面板还包括指纹识别光源。指纹识别光源发出的光线经由触摸主体反射后形成反射光入射到指纹识别单元,以进行指纹识别。在实际设置时,可以如图2-7所示,设置至少部分发光单元110作为指纹识别光源;发光单元110发出的光线经由触摸主体300反射后形成反射光入射到指纹识别单元120,以进行指纹识别。或者,在显示面板中设置外挂式指纹识别光源。
其中,设置至少部分发光单元110作为指纹识别光源,不需要额外设置指纹识别光源,可进一步简化显示面板01的结构,降低显示面板的厚度以及制作难度。
若在显示面板中设置外挂式指纹识别光源,可选地,指纹识别光源为红外光源。这样设置的好处是,红外光源与发光单元110发出的光线波段不同,可使显示面板01的图像显示功能和指纹识别功能不会相互影响,在提高显示面板01的图像显示质量的同时可提高指纹识别的精度。
在上述技术方案的基础上,可选地,显示面板还可包括多个光线筛选结构。示例性地,继续参见图7,可选的,显示面板01还可包括多个光线筛选结构210,光线筛选结构210设置于第二基板200靠近第一基板100的一侧,指纹识别单元120在第一基板100上的垂直投影位于光线筛选结构210在第一基板100上的垂直投影内。
其中,光线筛管结构210包括多个与第二基板200表面垂直的光线筛选通道,与光线筛选通道平行的光线可通过光线筛选结构210,入射到指纹识别单元120;与光线筛选通道不平行的光线则被光线筛选结构210吸收,以避免由指纹识别光源出射,经触摸主体不同位置反射的光线照射至同一指纹识别单元120造成的串扰现象,提高指纹识别的准确性和精度。
需要说明的是,本发明实施例中仅示例性的示出了2个光线筛选结构210,但并非对本发明提供的显示面板01的限定。在其他实施方式中,光线筛选结构210的数量和位置可根据指纹识别单元120的数量和位置具体设置。
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图。参照图8,该制造方法包括:
S10、提供第一基板。
其中,第一基板可为刚性基板或柔性基板,本发明实施例对第一基板的材质不做具体限定。
S20、在第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元。
其中,发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,第一N型半导体层和第二N型半导体层为同一膜层形成,第一P型半导体层和第二P型半导体层为同一膜层形成。
其中,P性半导体层和N型半导体层的形成方式可包括物理成膜方式或化学成膜方式,本发明实施例对此不限定。
本发明实施例提供的显示面板的制造方法,通过设置发光单元的第一P型半导体层与指纹识别单元的第二P型半导体层同层设置,发光单元的第一N型半导体层与指纹之别单元的第二N型半导体层同层设置,由此各发光单元和各指纹识别单元在第一基板所在平面上依次排列,而非不是发光单元和各指纹识别单元在垂直与第一基板所在平面的方向上依次排列,即,无需在独立于发光单元的膜层外单独设置发光单元,解决了现有的显示面板因采用外挂式的指纹识别单元,显示面板的整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化的问题,实现了减少了显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化的目的。
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程示意图,是对图8中步骤S20的示例性说明。参照图9,在第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元,可包括:
S201、在第一基板上形成多个阳极和多个第一电极。
示例性的,发光单元的阳极和指纹识别单元的第一电极采用相同的材料,在同一制程中形成。与现有技术中阳极和第一电极的分别在不同制程中形成的方案相比而言,这样设置,在制作过程中只需一次蒸镀工艺,无需对第一电极和阳极分别制作掩膜版,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
S202、在阳极和第一电极上形成第三P型半导体层,第三P型半导体层中覆盖阳极的部分为第一P型半导体层,第三P型半导体层中覆盖第一电极的部分为第二P型半导体层。
示例性的,发光单元的第一P型半导体层和指纹识别单元的第二P型半导体层采用相同的材料在同一制程中形成。与第一P型半导体层和第二P型半导体层分别于不同制程形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第一P型半导体层和第二P型半导体层分别制作掩膜板,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
S203、在第一P型半导体层上形成第一发光层。
示例性的,第一发光层的发光材料不同,与其对应的发光单元发出的光的颜色可能不同。
S204、在第一发光层和第二P型半导体层上形成第三N型半导体层,第三N型半导体层中覆盖第一发光层的部分为第一N型半导体层,第三N型半导体层中覆盖第二P型半导体层的部分为第二N型半导体层。
示例性的,发光单元的第一N型半导体层和指纹识别单元的第二N型半导体层采用相同的材料在同一制程中形成。与第一N型半导体层和第二N型半导体层分别于不同制程形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第一N型半导体层和第二N型半导体层分别制作掩膜板,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
需要说明的是,本发明实施例对P型半导体层和N型半导体层的具体材质和具体形成方式不做限定。
S205、在第一N型半导体层和第二N型半导体层上形成金属层,金属层覆盖第一N型半导体层的部分为阴极,金属层覆盖第二N型半导体层的部分为第二电极。
示例性的,发光单元的阴极和指纹识别单元的第二电极采用相同的材料在同一制程中形成。与现有技术中第二电极和阴极分别在不同制程中形成的方案相比,这样设置,在制作过程中只需一次刻蚀工艺,无需对第二电极和阴极分别制作掩膜版,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。。
示例性的,金属层的材料可为金、银、铜等金属导电材料,金属层的形成方式可为物理成膜方式或化学成膜方式,本发明实施例对金属层的具体材质和具体形成方式不做限定。
本发明实施例提供的显示面板的制造方法,通过设置指纹识别单元的第一电极和发光单元的阳极在同一制程中形成,指纹识别单元的第二N型半导体层和发光单元的第一N型半导体层在同一制程中形成,指纹识别单元的第二P型半导体层和发光单元的第一P型半导体层在同一制程中形成,指纹识别单元的第二电极和发光单元的阴极在同一制程中形成,由此各发光单元和各指纹识别单元在第一基板所在平面上依次排列,而不是发光单元和各指纹识别单元在垂直与第一基板所在平面的方向上依次排列,即,无需在独立于发光单元的膜层外单独设置发光单元,解决了现有的显示面板因采用外挂式的指纹识别单元,显示面板的整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化的问题,实现了减少了显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化的目的。同时,无需针对发光单元和指纹识别单元的每一膜层分别制作掩膜版,节省了成本,减少了制程数量,提供了生产效率。
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法的流程示意图,是对图8中步骤S20的又一示例性说明。参照图10,在第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元,可包括:
S301、在第一基板上形成多个阳极和多个第一电极。
S302、在阳极和第一电极上形成第三P型半导体层,第三P型半导体层中覆盖阳极的部分为第一P型半导体层,第三P型半导体层中覆盖第一电极的部分为第二P型半导体层。
S303、在第一P型半导体层上形成第一发光层。用于形成显示面板的发光单元。
S304、在第二P型半导体层上形成第二发光层。用于形成显示面板的指纹识别单元。
其中,第二发光层的发光颜色可为红色、绿色、蓝色、白色、黄色或者橙色。
S305、在第一发光层和第二发光层上形成第三N型半导体层,第三N型半导体层中覆盖第一发光层的部分为第一N型半导体层,第三N型半导体层中覆盖第二发光层的部分为第二N型半导体层。
S306、在第一N型半导体层和第二N型半导体层上形成金属层,金属层覆盖第一N型半导体层的部分为阴极,金属层覆盖第二N型半导体层的部分为第二电极。
本发明实施例提供的显示面板的制造方法,通过设置指纹识别单元的第一电极和发光单元的阳极在同一制程中形成,指纹识别单元的第二N型半导体层和发光单元的第一N型半导体层在同一制程中形成,指纹识别单元的第二P型半导体层和发光单元的第一P型半导体层在同一制程中形成,指纹识别单元的第二电极和发光单元的阴极在同一制程中形成,由此,一方面,各发光单元和各指纹识别单元在第一基板所在平面上依次排列,而不是发光单元和各指纹识别单元在垂直与第一基板所在平面的方向上依次排列,即,无需在独立于发光单元的膜层外单独设置发光单元,解决了现有的显示面板因采用外挂式的指纹识别单元,显示面板的整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化的问题,实现了减少了显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化的目的。另一方面,无需针对发光单元和指纹识别单元的每一膜层分别制作掩膜版,节省了成本,减少了制程数量,提供了生产效率。又一方面,本发明实施例提供的指纹识别单元还包括第二发光层,可实现指纹识别单元的分时复用,提高显示面板的图像显示效果。
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法的流程示意图。参照图11,在图8-图10任一图的基础上,显示面板的制造方法还包括:
S40、提供第二基板。
其中,第二基板可为刚性基板或柔性基板,本发明实施例对第二基板的材质不做具体限定。
S50、在第二基板上形成多个光线筛选结构。
其中,光线筛选结构用于吸收与第二基板表面不垂直的光线,只允许与第二基板表面垂直的光线透过。本发明实施例对光线筛选结构的具体材质和具体形成方式不做特殊限定。
S60、将第一基板和第二基板对位贴合,以使指纹识别单元在第一基板上的垂直投影位于光线筛选结构在第一基板上的垂直投影内,且多个光线筛选结构位于第二基板靠近第一基板的一侧,发光单元和指纹识别单元位于第一基板靠近第二基板的一侧。
这样设置,可以避免由指纹识别光源出射,经触摸主体不同位置反射的光线照射至同一指纹识别单元120造成的串扰现象,提高指纹识别的准确性和精度。
本发明实施例还提供了一种显示装置,示例性的,图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参照图12,该显示装置02包括上述显示面板01。
示例性的,显示装置02可以包括手机、电脑以及智能可穿戴设备等显示装置,本发明实施例对此不作特殊限定。
本实施例提供的显示装置,通过设置显示面板中发光单元的第一N型半导体层和指纹识别单元的第二N型半导体层同层设置,发光单元的第一P型半导体层和指纹识别单元的第二P型半导体层同层设置,由此各发光单元和各指纹识别单元在第一基板所在平面上依次排列,而不是发光单元和各指纹识别单元在垂直与第一基板所在平面的方向上依次排列,即,无需在独立于发光单元110的膜层外单独设置发光单元120,解决了现有的显示面板因采用外挂式的指纹识别单元,显示面板的整体厚度较厚,不利于实现显示面板的轻薄化的问题,实现了减少了显示面板的整体厚度,利于实现显示面板的轻薄化的目的。。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
所述第一基板靠近所述第二基板的一侧设置有多个发光单元和多个指纹识别单元,所述发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,所述指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层同层设置,所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层同层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述发光单元还包括层叠设置的阳极、第一发光层以及阴极;
所述第一P型半导体层位于所述阳极和所述第一发光层之间;
所述第一N型半导体层位于所述第一发光层和所述阴极之间;
所述阳极位于所述第一基板与所述第一发光层之间;或者,所述阴极位于所述第一基板与所述第一发光层之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于:
所述指纹识别单元还包括第一电极和第二电极;
所述第一电极位于所述第二P型半导体层背离所述第二N型半导体层的一侧;
所述第二电极位于所述第二N型半导体层背离所述第二P型半导体层的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
所述指纹识别单元的所述第一电极与所述发光单元的所述阳极同层设置,所述指纹识别单元的所述第二电极与所述发光单元的所述阴极同层设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
所述指纹识别单元还包括第二发光层;
所述第二发光层位于所述第二P型半导体层和所述第二N型半导体层之间。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:
所述第二发光层的发光颜色为白色。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板的工作过程包括指纹识别阶段和显示阶段;
在所述指纹识别阶段,所述指纹识别单元用于进行指纹识别;
在所述显示阶段,所述指纹识别单元用于进行图像显示。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括指纹识别光源;
所述指纹识别光源发出的光线经由触摸主体反射后形成反射光入射到所述指纹识别单元,以进行指纹识别。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于:
至少部分所述发光单元作为所述指纹识别光源;
所述发光单元发出的光线经由触摸主体反射后形成反射光入射到所述指纹识别单元,以进行指纹识别。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述指纹识别光源包括红外光源。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括多个光线筛选结构,所述光线筛选结构设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧,所述指纹识别单元在所述第一基板上的垂直投影位于所述光线筛选结构在所述第一基板上的垂直投影内。
12.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供第一基板;
在所述第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元,所述发光单元包括第一N型半导体层和第一P型半导体层,所述指纹识别单元包括第二N型半导体层和第二P型半导体层,所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为同一膜层形成,所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层为同一膜层形成。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法,其特征在于,在所述第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元,包括:
在所述第一基板上形成多个阳极和多个第一电极;
在所述阳极和所述第一电极上形成第三P型半导体层,所述第三P型半导体层中覆盖所述阳极的部分为第一P型半导体层,所述第三P型半导体层中覆盖所述第一电极的部分为第二P型半导体层;
在所述第一P型半导体层上形成第一发光层;
在所述第一发光层和所述第二P型半导体层上形成第三N型半导体层,所述第三N型半导体层中覆盖所述第一发光层的部分为第一N型半导体层,所述第三N型半导体层中覆盖所述第二P型半导体层的部分为第二N型半导体层;
在所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层上形成金属层,所述金属层覆盖所述第一N型半导体层的部分为阴极,所述金属层覆盖所述第二N型半导体层的部分为第二电极。
14.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法,其特征在于,在所述第一基板上形成多个发光单元和多个指纹识别单元,包括:
在所述第一基板上形成多个阳极和多个第一电极;
在所述阳极和所述第一电极上形成第三P型半导体层,所述第三P型半导体层中覆盖所述阳极的部分为第一P型半导体层,所述第三P型半导体层中覆盖所述第一电极的部分为第二P型半导体层;
在所述第一P型半导体层上形成第一发光层;
在所述第二P型半导体层上形成第二发光层;
在所述第一发光层和所述第二发光层上形成第三N型半导体层,所述第三N型半导体层中覆盖所述第一发光层的部分为第一N型半导体层,所述第三N型半导体层中覆盖所述第二发光层的部分为第二N型半导体层;
在所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层上形成金属层,所述金属层覆盖所述第一N型半导体层的部分为阴极,所述金属层覆盖所述第二N型半导体层的部分为第二电极。
15.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法,其特征在于,还包括:
提供第二基板;
在所述第二基板上形成多个光线筛选结构;
将所述第一基板和所述第二基板对位贴合,以使所述指纹识别单元在所述第一基板上的垂直投影位于所述光线筛选结构在所述第一基板上的垂直投影内,且所述多个光线筛选结构位于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧,所述发光单元和所述指纹识别单元位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至11中任一项所述的显示面板。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109886163A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有指纹辨识功能的显示装置及其制造方法 |
CN110931533A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN112257524A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 指纹识别显示面板及指纹识别显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102589620B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2023-10-17 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2023017352A1 (ja) * | 2021-08-11 | 2023-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1735298A (zh) * | 2004-08-04 | 2006-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、显示器件及电子器具 |
US20070114512A1 (en) * | 2004-07-23 | 2007-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
CN103022072A (zh) * | 2011-09-26 | 2013-04-03 | 株式会社东芝 | 光电转换装置及其制备方法 |
CN105047689A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其光反射表面结构识别方法 |
CN106229331A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 上海箩箕技术有限公司 | 自发光显示像素 |
CN106897699A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别器件、oled显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2850190B1 (fr) * | 2003-01-21 | 2006-04-28 | Atmel Grenoble Sa | Procede et dispositif de reconnaissance de personne |
US20090141004A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101404919B1 (ko) | 2011-11-08 | 2014-06-13 | 건국대학교 산학협력단 | 전도성 첨가물을 갖는 싸이오펜 고분자 기반 유기 광기전 소자 및 그 제조방법 |
TWI685961B (zh) * | 2016-06-17 | 2020-02-21 | 優顯科技股份有限公司 | 光電半導體裝置 |
CN106873063B (zh) | 2017-02-23 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置 |
WO2018210317A1 (en) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Optical fingerprint sensor with non-touch imaging capability |
US10664684B2 (en) * | 2017-06-02 | 2020-05-26 | Next Biometrics Group Asa | Fingerprint sensor with liveness detection |
CN107506728B (zh) * | 2017-08-23 | 2021-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 感光单元、感光模组及感光装置 |
-
2018
- 2018-03-12 CN CN201810201260.3A patent/CN108493201B/zh active Active
- 2018-10-31 US US16/175,997 patent/US10522584B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070114512A1 (en) * | 2004-07-23 | 2007-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
CN1735298A (zh) * | 2004-08-04 | 2006-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、显示器件及电子器具 |
CN103022072A (zh) * | 2011-09-26 | 2013-04-03 | 株式会社东芝 | 光电转换装置及其制备方法 |
CN105047689A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其光反射表面结构识别方法 |
CN106229331A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 上海箩箕技术有限公司 | 自发光显示像素 |
CN106897699A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别器件、oled显示装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109886163A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有指纹辨识功能的显示装置及其制造方法 |
CN110931533A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN112257524A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 指纹识别显示面板及指纹识别显示装置 |
CN112257524B (zh) * | 2020-10-09 | 2023-11-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 指纹识别显示面板及指纹识别显示装置 |
US11935320B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-03-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Fingerprint recognizing display panel and fingerprint recognizing display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US10522584B2 (en) | 2019-12-31 |
US20190280040A1 (en) | 2019-09-12 |
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