CN206921815U - 半导体晶片及一批次的所述半导体晶片 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的在于提供一种具有用于简单地获取各种制造信息的识别标记的半导体晶片。本实用新型的一方式所涉及的半导体晶片是将半导体晶体切成晶块并从晶块切片而成，其中，包含所述半导体晶体、所述晶块及半导体晶片的加工信息的识别标记设置于表面或背面中的至少一方。

Description

半导体晶片及一批次的所述半导体晶片

技术领域

本实用新型涉及一种半导体晶片及一批次的所述半导体晶片。

背景技术

ULSI等超高集成器件的形成基板即硅晶片通过对利用切克劳斯基（CZ）法提拉的单晶硅锭实施晶片加工而制作。具体而言，将单晶硅锭切割成块，然后对硅块依次进行利用磨削砂轮的外周磨削、利用钢丝锯的切片，从而获得多片硅晶片。接着，对各硅晶片依次进行倒棱、抛光、蚀刻、研磨来制作器件形成用的产品晶片。

以往，以单晶硅锭为起始材料的各晶片加工中的硅晶片的管理方法一般以将数10片～数100片的硅晶片作为一捆的批次单位进行（例如专利文献1）。

专利文献1：日本特开2001-358199号公报。

然而，基于专利文献1的硅晶片的管理方法是如此以批次单位管理晶片的技术。因此，无法获取特定的硅晶片何时从提拉的单晶硅锭的哪个位置切片，然后，使用哪个晶片加工装置（热处理装置等），何时在哪种条件（热处理条件等）下加工等晶片单位的信息。

因此，只能获取批次单位的信息，无法充分追踪硅晶片的缺陷原因等，无法以高精确度进行最佳的品质改善。

实用新型内容

因此，本实用新型发明人进行深入研究的结果，发现通过利用ID对由半导体晶体（晶锭）获得的晶块的信息及由晶块获得的半导体晶片的信息分别进行单片式管理，能够追踪半导体晶片何时从哪个半导体晶体获得的晶体信息、从哪个晶块的哪个位置切片的位置信息、以及晶体加工工序及切片工序时的加工信息，从而完成了该实用新型。

本实用新型的一个方面为将半导体晶体切成晶块并从晶块切片而成的半导体晶片，其中，包含所述半导体晶体、所述晶块及半导体晶片的加工信息的识别标记设置于表面或背面中的至少一方。

该半导体晶片具有识别标记。识别标记在载置于托架内的阶段也不会失去从晶片群及晶块中的哪个位置获得、晶块从哪个半导体晶体获得、半导体晶体何时在哪种条件下制作等信息而进行保持。因此，根据该半导体晶片，能够根据识别标记追踪半导体晶片的制造履历。

在本实用新型的另一方面中，所述识别标记为条形码。并且，在本实用新型的又一方面中，所述识别标记为二维码。

条形码和二维码能够全面保持多个信息。条形码能够直接记录形成激光标记ID之前的工序的信息，因此优选。并且，条形码中，优选GS1数据条，GS1数据条通过将数据压缩并进行编码，从而能够以更小的空间显示相同的数据内容。并且，GS1数据条不需要在JAN码等中所需的两侧的空白空间（空白区），易节省空间。另一方面，二维码不易串改数据，在安全性及产品管理方面优异。

本实用新型的一个方面涉及由前述半导体晶片聚集而成的一批次的半导体晶片，其中，多个所述半导体晶片分别具有用于判断晶体取向的凹口，所述半导体晶片各自的所述凹口与所述识别标记的位置关系按每个所述半导体晶片而对应。

该批次的半导体晶片各自的识别标记相对于凹口以对应的位置关系配置。因此，仅通过对齐凹口的位置，各个识别标记的位置关系就会对齐。识别标记通过激光等打印的情况较多，但也有打印得较淡的情况，在追踪半导体晶片的制造履历时，能够更简单地判定识别标记。

实用新型效果

根据本实用新型，其目的在于提供一种具有用于简单地获取各种制造信息的识别标记的半导体晶片。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式所涉及的半导体晶片的一例的图。

图2是示意性地表示本实施方式所涉及的半导体晶片的另一例的图。

图3是本实施方式所涉及的半导体晶片的制造方法的一例的流程图。

图4是表示本实施方式所涉及的半导体晶片的制造方法的各制造工序中的ID赋予例。

具体实施方式

以下，适当参考图，对本实施方式所涉及的半导体晶片及其制造方法进行详细说明。

图1是示意性地表示本实施方式所涉及的半导体晶片的一例的图。以下，本说明书中，作为半导体晶片的一例，根据硅晶片进行说明。图1所示的硅晶片W在凹口N附近具有识别标记MK。图1所示的硅晶片W的外周部通过倒棱加工而具有倒棱面M。

识别标记MK只要能够记录信息即可，可以是GS1数据条等条形码（参考图1）、二维码（参考图2）、以及将数字、字母、记号等组合而成的任意的符号。GS1数据条通过将数据压缩并进行编码，从而能够以更小的空间显示相同的数据内容。并且，GS1数据条不需要在JAN码等中所需的两侧的空白空间（空白区），易节省空间。另一方面，二维码不易串改数据，在安全性及产品管理方面优异。

识别标记MK以尽量不会对半导体元件的形成造成障碍的位置及大小设置。识别标记MK优选设置于与凹口N成为规定的位置关系的硅晶片W的外缘部，以免按每个硅晶片W，识别标记MK的位置发生变动。规定的位置关系任意地设定即可，例如有在凹口N的左侧、右侧或顶部标注识别标记MK、在与凹口N对置的部分标注等情况。并且，并不限定于晶片表面，也可以是背面。

硅晶片W有时作为多片捆绑的晶片批次进行处理。在此，“晶片批次”是指例如容纳于相同壳体内的晶片的集合体。例如，在一个壳体内同时捆包25片晶片，而作为一个晶片批次出货。构成晶片批次的各个晶片的制造条件可以不同。晶片批次的各个硅晶片W中的凹口N与识别标记MK的位置关系优选按每个硅晶片具有对应关系，更优选一致。

若按各个硅晶片，识别标记与凹口的位置关系对应，则仅通过对齐凹口的位置，就能够容易判别各个硅晶片中的识别标记的位置。因此，在追踪半导体晶片的制造履历时，能够更简单地判定识别标记。

识别标记优选通过激光打印，由于通过激光功率能够控制加工深度，因此例如还能够打印得较淡。通过打印得较淡，还能够应对在器件工序的中途删去一部分信息的情况。

另外，“位置关系按每一个半导体晶片具有对应关系”是指在每一个半导体晶片中，凹口N与识别标记MK的位置遵循规定的规则，“位置关系按每一个半导体晶片一致”是指在每一个半导体晶片中，凹口N与识别标记MK的位置一致。另外，误差程度的偏差视为一致的范围。

识别标记MK具有硅晶片W的制造过程的信息。以下，对本实施方式所涉及的硅晶片W的制造方法进行说明，同时具体说明识别标记MK如何保持制造过程的信息。

该硅晶片的制造方法至少具有晶体加工工序、切片工序、晶片载置工序及标识工序。图3是本实施方式所涉及的半导体晶片的制造方法的一例的流程图。并且，图4是表示本实施方式所涉及的半导体晶片的制造方法的各制造工序中的ID赋予例。以下，参考图3及图4对各工序进行具体说明。

硅晶片的制造方法优选通过计算机来管理。例如，在从半导体晶体（晶锭）的制作至产品出货的各工序中配备管理原料信息、晶块（硅块）和硅晶片的加工履历、品质信息、加工所需的材料信息、搬送路径等并向其他工序报告的计算机。将这些计算机经由计算机网络（LAN）连接于主控计算机，将以晶片单位报告的各种信息与各硅晶片进行对应，一边进行数据库化，一边制造硅晶片。

首先，制作半导体晶体（晶锭）。晶锭可以如图3所示的提拉工序那样通过切克劳斯基法（CZ法）来制作。此外，也可以利用悬浮区熔（FZ；Floating-Zone）法、流延法等制作。如图4所示，所获得的半导体晶体被赋予晶体编号。

例如，在晶体提拉工序中，通过切克劳斯基法提拉直径为306mm、直胴部的长度为2500mm、比电阻为10mΩ・cm、初始氧浓度为1.0×10¹⁸atoms／cm³的单晶硅锭（半导体晶体）。在此，对单晶硅锭赋予固有的晶体编号（E01700710000）。晶体编号被输入至晶体提拉工序管理用计算机中，其经由计算机网络还被输入至主控计算机中。输入的信息为晶体的信息，例如为提拉时间、提拉条件、晶体的长度、晶锭的制作履历（例如，在经过了晶体直胴部的底部中途，晶体被切割等制作履历）等。

接着，在晶体加工工序中切割所获得的半导体晶体而获得规定长度的晶块。晶块的数量可以是1个，也可以是2个以上。在晶体加工工序中，可以进行外周磨削等。在晶块的外周面以按压方式磨削而进行外周磨削，由此能够使晶块的外径均匀化。如图4所示，通过对每个晶块标注块ID，能够识别晶块从晶锭的哪个位置切出。

例如，从1根单晶硅锭中切割一定电阻率范围的8个晶块。然后，对各晶块进行外周磨削。具体而言，通过具有含有♯200的磨粒（SiC）的树脂结合剂磨削砂轮的外周磨削装置，将晶块的外周部外周磨削5mm。由此，各晶块形成为圆柱状。

各晶块被赋予固有的块ID（E01700710400等）。各晶块独立地载置于被赋予了托盘ID的8个托盘中，并被搬送至接下来的切片工序。各块ID及各托盘ID被输入至晶体加工工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。另外，各块ID中还示有对应的晶块位于晶锭的哪个位置。

接着，在切片工序中，使用钢丝锯等由晶块获得多片硅晶片。此时，可以对切片工序管理用计算机输入表示在切片装置上固定晶块的夹具的金属模具ID（MSA004）。金属模具ID经由计算机网络还被输入至主控计算机中。通过输入金属模具ID，能够追踪通过哪个金属模具进行了处理。

由一个晶块获得的多片硅晶片形成晶片群。晶片群分别被赋予固有的SXLID（E017007104A20）。如图4所示，固有的SXLID与固有的块ID对应。

并且，由一个晶片群获得多个晶片批次。对1批次量的硅晶片赋予固有的晶片批次ID（7Y501NAA00等）。

此时，作为晶体评价工序，可以进行切片的硅晶片各自的晶体评价。在晶体评价工序中，例如测定硅晶片的电阻值、晶体取向、直径、氧浓度、表面粗糙度、颗粒数量等。测定出的这些数据与SXLID、晶片批次ID建立关联而被记录。

作为晶片载置工序，被赋予了晶片批次ID的硅晶片独立地载置于托架上，所述托架形成有能够装填各一片硅晶片的多个槽。托架赋予有托架ID（BB3506）及槽编号。

硅晶片以规定的顺序载置于托架内。规定的顺序是指以规定的规则性排列，以便能够追踪以规定的槽编号载置的硅晶片曾位于规定的晶片批次中的哪个位置。

若不以规定的顺序载置，则有晶片群中的硅晶片的排列与托架中的硅晶片的排列不同的情况，虽然能够追踪半导体晶片属于哪个晶片批次ID，但无法追踪曾位于晶片批次的哪个位置。即，无法追踪是从晶片群、晶锭的哪个位置取出的硅晶片。换言之，若能够追踪曾位于晶片批次的哪个位置，则能够追溯到SXLID、块ID，能够追踪曾位于晶锭的哪个位置、进行了哪种加工。

作为以规定的顺序载置的方法，可以举出按照从晶块切割的晶片群刚切割之后的排列顺序依次载置于托架的槽中的方法、按照在晶体评价工序中测定出的电阻值的结果进行载置的方法等。

从晶块切割的晶片群刚切割之后的排列顺序对应于从切割前的晶块中的第1端部朝向第2端部的顺序。若以该顺序将硅晶片依次载置于托架的槽中，则硅晶片在托架内的排列顺序与硅晶片在晶片群内的排列顺序一致。即，根据托架的槽编号，能够容易追踪是从晶片群（晶片批次）的哪个位置取出的硅晶片。

并且，由于作为掺杂剂而添加的硼和磷的偏析系数小于1，因此硅晶片的电阻值一般在晶锭的顶侧较高，随着朝向底侧而变低。即，在晶块内，也是位于晶锭的顶侧的部分的电阻值较高，位于晶锭的底侧的部分的电阻值较低。即，若以电阻值顺序排列硅晶片，则能够重现从晶块切割的晶片群刚切割之后的排列顺序。因此，若以电阻值顺序将硅晶片依次载置于托架的槽中，则根据电阻值的排列顺序，能够追踪硅晶片在晶片群内的位置。

以电阻值顺序排列的方法在意想不到地刚切割之后的晶片群的顺序散乱时也能够应对，在这点上优选。另一方面，硅晶片的电阻值有时因直径变动等影响而多少产生偏差，有时会产生数片单位的位置偏移。

各SXLID、各托架ID（包含槽编号）被输入至晶体加工工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。由此，各硅晶片的识别能够以托架的槽位置来表现。

接着，载置于托架上的硅晶片被搬送至倒棱工序。在倒棱工序中，在各硅晶片的外周部按压金属结合剂倒棱砂轮，晶片外周部被倒棱成剖面呈炮弹形状。图1所示的硅晶片的倒棱面M通过倒棱加工而形成。

倒棱后的硅晶片以批次单位载置于被赋予了固有的托盘ID（LP0001）的托盘中，并被搬送至抛光加工工序。此时，托盘中的收集以硅晶片在托架内的排列顺序进行。即，维持规定的顺序来进行。在此所说的“托盘中的收集”是指将多片硅晶片重叠排列，以使硅晶片容易装填于接下来的加工装置（抛光装置）中。托盘ID被输入至倒棱工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

接着，在抛光工序中，通过上下一对抛光平板，在形成于被赋予了模板ID（0039-32B-P-1206等）的模板上的5个晶片保持孔中保持硅晶片。然后，一边供给抛光液，一边通过上下的抛光平板对各硅晶片的表背两面进行抛光。各硅晶片向晶片保持孔的投入位置和回收顺序按照来自主控计算机的指示。抛光后的硅晶片载置于被赋予了托架ID（BB3506）的带槽的托架中，并被搬送至磨削工序。模板ID及托架ID（包含槽编号）被输入至抛光工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在磨削工序中，对抛光后的各硅晶片实施表面磨削。具体而言，通过具有树脂结合剂磨削砂轮的单片式表面磨削装置，各硅晶片的表面被磨削数10μm。刚磨削之后的各硅晶片按每1片直接被搬送至标识工序。各硅晶片被磨削处理的情况被输入至磨削工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

接着，在标识工序中，按照硅晶片在托架内的排列顺序对刚磨削之后的硅晶片分别赋予识别标记。具体而言，从各托架的槽中依次提拉硅晶片，并对其表面的外周部刻印成为晶片ID的激光标记ID（条形码、二维码等）。若使用条形码作为激光标记ID，则能够直接记录形成激光标记之前的工序的信息，因此尤其优选。刻印通过激光等进行，例如在硬质激光标识的情况下，以数10μm左右的深度被刻印。各激光标记ID被输入至标识工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

晶片ID是按照硅晶片在托架内的排列顺序而赋予的。因此，若对晶片ID赋予托架ID（包含槽编号）信息，则能够追踪是载置于托架的哪个位置的硅晶片。硅晶片以规定的顺序载置于托架内，因此只要能够追踪是载置于托架内的哪个位置的硅晶片，则能够追踪是从晶片群及晶块的哪个位置取出的硅晶片。

另外，在此之后，在出货为止的期间，有时进行磨削后洗涤工序、裂纹检查工序、精倒棱工序、双面研磨工序、精研磨工序、外延生长工序、外观检查工序、最终洗涤工序、表面检查工序、入库批准工序（按每个批次进行判定）、出货批准工序（发行检查成绩书）、产品出货工序。若将具有规定的晶片ID的硅晶片在通过这些工序时进行了哪种处理的数据存储于主控计算机中，则根据晶片ID还能够将标识工序的后续工序中的信息作为履历进行追踪。

以下，对标识工序后的后续工序进行详细说明。

在磨削后洗涤工序中，对刚硬质激光标识之后的各硅晶片实施磨削后洗涤。具体而言，进行利用碱性溶液的洗涤。磨削后洗涤之后的各硅晶片各一片容纳于被赋予了FOUPID的带槽的搬送容器的各槽中，并被搬送至接下来的裂纹检查工序。各FOUPID及各槽编号被输入至磨削后洗涤工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在裂纹检查工序中，对经磨削后洗涤的各硅晶片进行裂纹检查。具体而言，使用检查装置，实施利用CCD摄像机的外周部的裂纹和碎裂的检查。刚进行裂纹检查之后的各硅晶片被搬送至精倒棱工序。各硅晶片的裂纹检查的结果被输入至裂纹检查工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在精倒棱工序中，对在裂纹检查中刚被判定为合格品之后的各硅晶片实施精倒棱。具体而言，通过机械化学方式的精倒棱装置，对各硅晶片的倒棱部进行精（镜面）倒棱。刚进行精倒棱之后的各硅晶片被搬送至双面研磨工序。各硅晶片经精倒棱的事实被输入至精倒棱工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在双面研磨工序中，对刚进行精倒棱之后的各硅晶片进行双面研磨。具体而言，使用行星齿轮方式的双面研磨装置，在被赋予了模板ID（晶片管理ID等）的模板的1个晶片保持孔（带孔号）中以规定顺序保持硅晶片，通过贴附于下平板的上表面的研磨布和贴附于上平板的下表面的研磨布，一边供给研磨液，一边同时对各硅晶片的表背面进行研磨。各硅晶片向晶片保持孔的投入位置和回收顺序按照来自主控计算机的指示。各硅晶片的取出和放入自动进行。

双面研磨后的各硅晶片依次容纳于被赋予了托架ID（BZ0538等）的带槽的托架的各槽中，然后，依次容纳于被赋予了FOUPID（FA2140等）的带槽的搬送容器的各槽中，并被搬送至接下来的精研磨工序。托架是以打开状态被保存的容器。并且，模板ID、托架ID（包含槽编号）、FOUPID（包含槽编号）被输入至双面研磨工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在双面研磨工序中，对经精倒棱的各硅晶片实施双面研磨。具体而言，使用行星齿轮方式的双面研磨装置，在被赋予了模板ID的模板的5个晶片保持孔中保持硅晶片，通过贴附于下平板的上表面的研磨布和贴附于上平板的下表面的研磨布，同时对各硅晶片的表背面进行研磨。

在精研磨工序中，对经双面研磨的各硅晶片的表面，按每1片实施精（镜面）研磨。在此，使用单片式精研磨装置，所述单片式精研磨装置具备：研磨平板，在上表面贴附有精加工用的研磨布；及研磨头，在研磨平板的上方对置配置，在下表面通过规定的保持结构保持有硅晶片。进行研磨时，一边将含有研磨磨粒的研磨剂（浆料）供给至研磨布，一边使与研磨头一体地旋转中的硅晶片的表面与研磨布的表面（研磨作用面）滑动抵接而进行精研磨。经精研磨的各硅晶片依次容纳于被赋予了托架ID（BZ0551等）的带槽的托架的各槽中，并被搬送至接下来的外延生长工序。托架ID被输入至精研磨工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在外延生长工序中，使外延硅膜在各硅晶片的表面上生长。具体而言，在设置于单片式外延生长装置的反应炉内的基座（susceptor）上载置硅晶片，在反应炉内一边使含硅的反应气体流动，一边在规定温度下进行加热，由此使单晶硅膜在晶片表面上外延生长。外延生长后的各硅晶片依次容纳于被赋予了FOUPID（FD3516）的带槽的搬送容器的各槽中，并被搬送至接下来的外观检查工序。FOUPID（FD3561等；包含槽编号）被输入至双面研磨工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在外观检查工序中，对各硅晶片进行精确度测定和外观检查。在精确度测定中，具体而言，测定与硅晶片的平坦度有关的厚度及偏差等。刚进行外观检查之后的各硅晶片被搬送至接下来的最终洗涤工序。各硅晶片的精确度测定结果和外观检查结果被输入至裂纹检查工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在最终洗涤工序中，对刚进行外观检查之后的各硅晶片进行最终洗涤。具体而言，对各硅晶片进行使用碱溶液和酸溶液的洗涤。刚进行最终洗涤之后的各硅晶片被搬送至接下来的表面检查工序。经最终洗涤的事实被输入至最终洗涤工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在表面检查工序中，对经最终洗涤的各硅晶片进行表面检查。具体而言，检查异物、刮痕、滑移（slip）、凹坑（pit）等缺陷。刚进行表面检查之后的各硅晶片被搬送至接下来的入库批准工序。各硅晶片的表面检查的结果被输入至表面检查工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在入库批准工序中，批准各硅晶片入库，按每个批次进行判定。“入库”是指硅晶片的加工工序全部结束，并装在出货容器中的状态。并且，判定时，对各硅晶片判定制造明细书和规格。在此，就被判定为合格品的硅晶片而言，晶片25片作为1个批次而捆绑，并被赋予出货批次ID（T93B0851（M）～T93B0857等）。各硅晶片依次容纳于按每个批次赋予了FOSBID（出货批次ID，卡车No.等）的带槽的出货容器的各槽中，并被搬送至接下来的出货批准工序。FOSBID（包含槽编号）被输入至入库批准工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。

在出货批准工序中，进行出货容器的出货批准，然后，将多个捆包成1个，并赋予梱包编号（413573～415493），并且赋予出货容器的集合体的ID即装货ID（A7Y503D1等）后进行产品出货（参考图4）。梱包编号及装货ID被输入至出货批准工序管理用计算机中，然后，经由计算机网络还被输入至主控计算机中。晶片每1片的制造信息（包含品质信息等）是利用计算机网络由主控计算机统一管理，因此能够进行信息的维持及信息的有效再利用等。

如上所述，根据本实施方式所涉及的半导体晶片的制造方法，能够根据识别标记（晶片ID）追踪晶片群及晶块中的半导体晶片的位置信息及制造半导体晶片为止所进行的加工信息。

并且，通过由计算机管理这些信息，能够更容易检索制造履历。由此，对各硅晶片能够容易获取固有的各种制造信息。其结果，当检测出不合格品时，能够准确且提前进行至今为止的工序中的条件的重新设定及调整，能够防止频繁产生不合格品。

即，能够以1片晶片单位获取各种信息，可获得硅晶片的高分析精确度、分析时间的缩短、高工作精确度。并且，单片信息的履历追踪通过将单晶硅锭的位置信息以mm单位建立关联，不仅能够进行晶片加工工序的品质信息的检索和分析，还能够进行单晶硅锭的品质信息的检索和分析。进而，通过使加工和测量的各装置与系统控制联动，不仅能够确定对规定的硅晶片进行了处理的装置，还能够追踪在该装置内的位置信息（例如，分别搭载有多个卡盘的磨削装置和研磨装置的卡盘信息、以及搭载有多个腔室的外延装置的腔室信息等）。此外，通过系统控制，还能够进行评价晶片的选出、出货批次构成、不适合晶片的分离。在此的制造信息是指原料信息、晶块和硅晶片的加工履历、品质信息、加工所需的材料信息等。

并且，并不是如以往那样的以批次单位的硅晶片的管理，而是对每一片晶片进行硅晶片的管理，因此能够容易发现各工序中的不良等，容易对细节进行补正，从而能够进行严密的管理。

符号说明

W-半导体晶片，M-倒棱面，N-凹口，MK-识别标记。

Claims (4)

1.一种半导体晶片，所述半导体晶片是将半导体晶体切成晶块并从晶块切片而成，其中，

包含所述半导体晶体、所述晶块及半导体晶片的加工信息的识别标记设置于表面或背面中的至少一方。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，

所述识别标记为条形码。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，

所述识别标记为二维码。

4.一批次的半导体晶片，其由多个权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片聚集而成，

多个所述半导体晶片分别具有用于判断晶体取向的凹口，

所述半导体晶片各自的所述凹口与所述识别标记的位置关系按每个所述半导体晶片而对应。