CN206870630U - 光烧结装置 - Google Patents

Abstract

公开光烧结装置。光烧结装置包括：第1发光部，其发散第1光；一对第2发光部，其分别发散第2光，彼此相对配置，而且第1发光部配置在一对第2发光部之间；以及反射罩，其下部面的中心部配置于第1发光部的上方，包括一对主弯曲部及一对辅助弯曲部，反射第1光及第2光中向上发散的光，其中一对主弯曲部分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过中心部的中心线为基准左右对称，一对主弯曲部的一端分别与中心线相接，一对辅助弯曲部分别具有向上弯曲的形状且一端分别与一对主弯曲部的另一端相接，配置于第2发光部的上方。本实用新型的光烧结装置能够一并执行干燥及烧结，大面积时也仍可以提高光烧结效率、提高光均匀度。

Description

光烧结装置

技术领域

本实用新型涉及一种光烧结装置。

背景技术

目前，随着电子技术与信息通信技术的发展而开发出了智能设备、OLED、太阳电池等多种电子设备。用于这些电子设备的电子元件的制造需要利用印刷电子技术。印刷电子技术是通过工业印刷处理工艺技术将具有导电性、绝缘性、半导体性等的功能性油墨印刷在塑料、膜、纸、玻璃、基板上制造具有所需功能的电子元件的技术。

这种印刷电子技术可以作为在各种元件上印刷的方式应用，通过不同于现有电子产业的制造工序使得能够实现大量生产、大面积化及工序的简化。

印刷电子技术的工序由印刷、干燥、烧结等三个步骤构成。此处，对产品性能起到较大影响的步骤是烧结工序。烧结是指融化纳米粒子制造固体形态的功能性薄膜，是新一代技术领域中具有相当大的价值的工序。一般的烧结工序是通过热烧结法、微波烧结法、激光烧结法等完成。现有的热烧结法需要在高温真空腔环境进行烧结工序，因此无法适用于耐热性差的柔性基板，而其他烧结方法则因工序时间长、需要经过复杂的步骤，因此具有生产性低、制造成本上升的问题。

为解决这些问题而已经开发出的光烧结技术如下述现有技术文献的专利文献所公开。光烧结技术是通过传播氙灯发生的白色光融化纳米粒子，与现在利用热等的方法相比能够明显更快、大量地生产功能性薄膜。但现有的光烧结装置具有只能实现局部烧结、烧结均匀性不足、无法适用于大面积基板的问题。

并且，一般的光烧结是向基板等印刷金属油墨并使之干燥后进行的，因此除光烧结装置之外还得另外使用干燥装置。

因此，现在亟待开发能够解决现有光烧结装置的问题的方案。

【现有技术文献】

【专利文献】

(专利文献1)KR10-2012-0135424A

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的在于提供一种能够一并执行干燥及烧结的光烧结装置。

并且，本实用新型的目的在于提供一种大面积时也仍可以提高光烧结效率的光烧结装置。

并且，本实用新型的目的在于提供一种提高光均匀度的光烧结装置。

技术方案

本实用新型提供一种光烧结装置，包括：第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；以及第2 主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1 发光部射出的光中向上射出的光。

本实用新型提供一种另一种光烧结装置，包括：第1发光部，其发散第1光；一对第2发光部，其分别发散第2光，彼此相对配置，而且所述第1发光部配置在所述一对第2发光部之间；以及反射罩，其下部面的中心部配置于所述第1发光部的上方，包括一对主弯曲部及一对辅助弯曲部，反射所述第1光及所述第2光中向上发散的光，其中所述一对主弯曲部分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过所述中心部的中心线为基准左右对称，所述一对主弯曲部的一端分别与所述中心线相接，所述一对辅助弯曲部分别具有向上弯曲的形状且一端分别与一对所述主弯曲部的另一端相接，配置于所述第2发光部的上方。

所述第1发光部及所述第2发光部分别是氙灯、红外线灯及紫外线灯中的任意一种。

所述第1发光部及所述第2发光部的横截面的直径为100mm以下。

从所述中心部到所述第1发光部的中心的垂直距离为100mm以下，从所述中心部到所述第2发光部的中心的垂直距离为50mm以下。

所述主弯曲部是圆弧半径为10～100mm的圆弧形状，连接所述主弯曲部的两端的弦的长度为10～200mm。

所述辅助弯曲部是圆弧半径为1～100mm的圆弧形状。

所述光烧结装置还包括：一对反射壁，是分别从所述辅助弯曲部的两端向下延伸的形状，反射所述第1光及所述第2光中至少一个光使得照射到被处理物。

所述反射壁的配置方向相对于所述主弯曲部或所述辅助弯曲部垂直，从所述中心部到所述反射壁的末端的垂直距离为300mm以下。

所述光烧结装置还包括：固定部，其配置在与所述反射壁的末端相隔的下侧位置固定被处理物。

所述光烧结装置还包括：滤光器，其配置在比所述第1发光部、所述第2发光部靠下的位置。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：一对主弯曲部，其下部面的中心部配置在照射光的第1发光部的上方，分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过所述中心部的中心线为基准左右对称，所述一对主弯曲部的一端分别与所述中心线相接；以及一对辅助弯曲部，分别具有向上弯曲的形状且一端与所述一对主弯曲部的另一端相接，配置在照射光的第2发光部的上方。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：中心弯曲部，其具有向上鼓起的形状；一对主弯曲部，分别具有向上弯曲的形状且以所述中心弯曲部为基准左右对称，所述一对主弯曲部的一端分别与所述中心弯曲部的各一端相接；以及一对辅助弯曲部，是从所述主弯曲部的左侧端部及右侧端部延伸且向上弯曲的形状。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：第1中心弯曲部，其具有圆弧形状；第2中心弯曲部，其与所述第1中心弯曲部相隔预定间隔且具有圆弧形状；一对主弯曲部，是分别从所述第1中心弯曲部及所述第2中心弯曲部的一端延伸且向上弯曲的形状；以及一对辅助弯曲部，是分别从所述一对主弯曲部的一端延伸且向上弯曲的形状。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；第2 主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1 发光部射出的光中向上射出的光；以及滤光器，其相隔地配置在与被处理物的上面，使所述第1发光部射出的光透过，所述滤光器随着所述被处理物的厚度而具有不同的透过度。

所述滤光器的透过度中所述被处理物的厚度厚的区域的透过度高于所述被处理物的厚度薄的区域的透过度。

所述滤光器还包括：反射板，其向上侧反射所述第1发光部发出的光，所述反射板的位置对应于未形成有所述被处理物的区域。

所述光烧结装置还包括：第1辅助弯曲部，其配置于第2发光部的上侧，是从所述第1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第2发光部射出的光中的一部分；以及第2辅助弯曲部，其配置于第3发光部的上侧，是从所述第2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第3发光部射出的光中的一部分。

所述滤光器包括：高透过区域，其使所述第1发光部射出的光透过；低透过区域，其能够阻断所述第2发光部与所述第3发光部射出的光中的一部分。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；第2 主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射所述第1发光部射出的光中向上射出的光；第1辅助弯曲部，其配置于第2发光部的上侧，是从所述第1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第2发光部射出的光中向上射出的光；以及第2辅助弯曲部，其配置于第3发光部的上侧，是从所述第2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第3发光部射出的光中向上射出的光，形成有被处理物的基板从所述第2发光部的下侧向所述第3发光部的下侧方向移动的情况下，照射到所述第2发光部与所述第1发光部之间的烧结光的强度小于照射到所述第1发光部与所述第3发光部之间的烧结光的强度。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；第2 主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1 发光部射出的光中向上射出的光；第1辅助弯曲部，其配置于第2发光部的上侧，是从所述第1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第2发光部射出的光中向上射出的光；第2辅助弯曲部，其配置于第3发光部的上侧，是从所述第2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第3发光部射出的光中向上射出的光；以及滤光器，其位于配置有被处理物的基板的上侧，过滤从所述第1发光部至所述第3 发光部射出的光，所述基板从所述第2发光部的下侧向所述第3发光部的下侧方向移动的情况下，所述滤光器的透过度随着从所述第2发光部趋向所述第3发光部而增大。

从所述第2发光部射出的光的强度随着所述基板从所述第2发光部的下侧向所述第3 发光部的下侧方向移动而减小。

从所述第3发光部射出的光的强度随着所述基板从所述第2发光部的下侧向所述第3 发光部的下侧方向移动而增大。

所述第2发光部为红外线灯或紫外线灯，所述第1发光部及所述第3发光部为氙灯的情况下，从所述第1发光部射出的光的强度小于从所述第3发光部射出的光的强度。

所述第2发光部及所述第3发光部为氙灯，所述第1发光部为红外线灯或紫外线灯的情况下，从所述第2发光部射出的光的强度小于从所述第3发光部射出的光的强度。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：上端反射罩，其包括第1上端主弯曲部及第2上端主弯曲部，其中所述第1上端主弯曲部配置于第1上端发光部的左上侧且具有向鼓起的形状，反射从所述第1上端发光部射出的光中向上射出的光，所述第2上端主弯曲部配置于所述第1上端发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1 上端发光部射出的光中向上射出的光；下端反射罩，其配置于第1下端发光部的下侧，反射从所述第1下端发光部射出的光中向下射出的光，从所述第1上端主弯曲部的右侧端部与所述第2上端主弯曲部的左侧端部相接的接点向所述第1上端发光部的长度方向剖面中心延伸的中心线相对于配置有被处理物的基板垂直。

所述光烧结装置还包括：下端滤光器，其配置于所述基板与所述下端反射罩之间。

所述下端滤光器与所述下端反射罩之间的空间为真空。

所述下端滤光器形成有微孔。

所述下端滤光器包括第1下端滤光器与第2下端滤光器，所述第2下端滤光器位于所述第1下端滤光器的下侧且与所述第1下端滤光器相隔。

所述下端滤光器由透明材料形成。

所述下端滤光器是向配置有所述被处理物的基板的下面反射第1下端发光部的光的反射板。

所述上端反射罩还包括：第1上端辅助弯曲部，是从所述第1上端主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状；以及第2上端辅助弯曲部，是从所述第2上端主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状。

所述光烧结装置还包括：第2上端发光部，其位于所述第1上端辅助弯曲部及所述第2上端辅助弯曲部中至少一个的下侧，所述第1上端发光部位于所述接点的下侧，所述第1上端发光部及所述第2上端发光部射出的光的种类互异。

所述下端反射罩包括：第1下端主弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第1上端主弯曲部；第2下端主弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第2上端主弯曲部；第1下端辅助弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第1上端辅助弯曲部；以及第2下端辅助弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第2上端辅助弯曲部。

所述光烧结装置还包括：第1下端发光部，其在所述第1下端主弯曲部的右侧端部与所述第2下端主弯曲部的左侧端部的接点朝向所述被处理物方向配置；以及第2下端发光部，其位于所述第1下端辅助弯曲部及所述第2下端辅助弯曲部中至少一个的上侧。

所述第1上端发光部与所述第1下端发光部射出的光的种类互异。

所述第1下端发光部及所述第2下端发光部中至少一个加热所述下端滤光器。

同时烧结所述基板的上面与下面。

本实用新型提供又一种光烧结装置，包括：第1反射罩，其包括配置于向第1长度方向延伸的第1-1发光部所在位置的左上侧及右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1-1发光部射出的光中向上射出的光的第1-1主弯曲部与第1-2主弯曲部；第2反射罩，其包括配置于向平行或交叉于所述第1长度方向的方向延伸的第2-1发光部所在位置的左上侧及右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第2-1发光部射出的光中向上射出的光的第2-1主弯曲部与第2-2主弯曲部；以及隔离壁，其配置于所述第1反射罩与所述第2 反射罩之间，具有上广下狭形状。

所述第1-1发光部及所述第2-1发光部还包括配置于其长度方向的一端的适配器，所述第1反射罩的第1-1发光部与所述第2反射罩的第2-1发光部彼此正交。

所述隔离壁向所述第1长度方向延伸，并且包括：第1倾斜面，其与所述第1-1发光部相邻；以及第2倾斜面，其与所述第2-1发光部相邻，所述隔离壁因所述第1倾斜面及第2倾斜面而具有上广下狭形状。

所述第1倾斜面的倾斜起始部的位置高于所述第2倾斜面的倾斜起始部。

所述第1倾斜面的倾斜起始部与所述第2倾斜面的倾斜起始部位于同一线上。

所述隔离壁为倒三角形状。

所述隔离壁的端部为上边宽且下边窄的倒梯形状。

所述第1-1主弯曲部与所述第1-2主弯曲部的弦和所述第2-1主弯曲部与所述第2-2 主弯曲部的弦位于同一线上。

所述第1反射罩还包括：第1-1辅助弯曲部，是从所述第1-1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状；以及第1-2辅助弯曲部，是从第1-2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，所述第2反射罩包括：第2-1辅助弯曲部，是从所述第2-1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状；以及第2-2辅助弯曲部，是从第2-2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状。

所述第1-1发光部位于所述第1-1主弯曲部的右侧端部与所述第1-2主弯曲部的左侧端部形成的接点的下方，所述第2-1发光部位于所述第2-1主弯曲部的右侧端部与所述第2-2主弯曲部的左侧端部形成的接点的下方，所述光烧结装置还包括：第1-2发光部，其位于第1-1辅助弯曲部及所述第1-2辅助弯曲部的下侧；以及第2-2发光部，其位于第2-1 辅助弯曲部及所述第2-2辅助弯曲部的下侧。

技术效果

根据本实用新型一个实施例的光烧结装置能够一并执行干燥及烧结。

并且，本实用新型的有益效果是大面积时也仍可以提高光烧结效率且提高光均匀度。

附图说明

图1为显示根据本实用新型一个实施例的光烧结装置的照片的示意图；

图2为根据本实用新型一个实施例的光烧结装置的分解立体图；

图3为沿图2中A-A'线的剖面图；

图4为根据本实用新型一个实施例的视觉化光烧结装置的光路的剖面图；

图5为显示根据本实用新型一个实施例的到达被处理物的第1发光部的光源的强度的坐标图；

图6为显示根据本实用新型一个实施例的到达被处理物的第2发光部及第3发光部的光源的强度的坐标图；

图7为显示通过根据本实用新型一个实施例的光烧结装置烧结的铜纳米油墨图案的照片的示意图；

图8为用于说明根据本实用新型一个实施例的滤光器的示意图；

图9为用于说明根据本实用新型另一实施例的滤光器的示意图；

图10为用于说明根据本实用新型又一实施例的滤光器的示意图；

图11为根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的分解图；

图12为根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的A-A'线剖面图；

图13为显示根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的示意图；

图14为根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的分解立体图；

图15为根据本实用新型又一实施例的用于大面积光烧结的平面图；

图16用于说明根据本实用新型一个实施例的隔离壁，是沿图15中A-A'线的剖面图；

图17为显示适用参见图16说明的反射罩及隔离壁时到达基板的发光部光源的强度的坐标图；

图18用于说明根据本实用新型另一实施例的隔离壁，是对应于图15中A-A'线的剖面图；

图19为适用参见图16说明的反射罩及隔离壁时到达基板的发光部光源的强度的坐标图；

图20为从xz平面观察光烧结装置的图14所示光烧结装置的平面图；

图21用于说明根据本实用新型又一实施例的隔离壁，是沿图20中B-B'线的剖面图；

图22为用于说明根据本实用新型一个实施例的卷对卷工序的示意图；

图23为用于说明根据本实用新型一个实施例的用于卷对卷工序的光强度的示意图；

图24为用于说明根据本实用新型一个实施例的用于卷对卷工序的光强度的另一示意图；

图25为用于说明根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的示意图，是对应于沿图 2中A-A'线的剖面的示意图；

图26为根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的分解立体图；

图27用于说明根据本实用新型又一实施例的上端反射罩及上端反射壁，是沿图26中A-A'线的剖面图；

图28为适用参见图27说明的反射罩时到达被处理物的第1上端发光部光源的强度的坐标图；

图29为适用参见图27说明的反射罩时到达被处理物的第2上端发光部光源的强度的坐标图；

图30为用于说明根据本实用新型又一实施例的上端反射罩及下端反射罩的示意图；

图31为用于说明根据本实用新型又一实施例的下端滤光器的示意图；

图32为用于说明根据本实用新型又一实施例的下端滤光器的示意图；

图33为根据本实用新型实施例的导电膜形成方法的流程图；

图34为根据本实用新型另一实施例的导电膜形成方法的流程图；

图35为根据本实用新型另一实施例的导电膜形成方法第1灯及第2灯的光强度的坐标图；

图36为根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的剖面图。

附图标记说明

10：第1发光部 20：第2发光部

30：反射罩 31：中心弯曲部

33、34：主弯曲部 35、36：辅助弯曲部

40：反射壁 50：固定部

60：滤光器 70：外壳

具体实施方式

本说明书中使用的单数表现形式在无其他明确定义的情况下还包括复数表现形式。关于本说明书中记载的“构成”或“包括”等术语，不应理解为必须包括说明书中记载的各构成要素或各步骤，而是应该理解为可以不包括其中的部分构成要素或部分步骤或者还包括其他构成要素或步骤。并且，说明书中记载的“…部”、“模块”等术语表示处理至少一个功能或动作的单元，可以通过硬件、软件实现或结合硬件及软件实现。

以下参见附图具体说明本实用新型的实施例。

图1为显示根据本实用新型一个实施例的光烧结装置的照片的示意图，图2为根据本实用新型一个实施例的光烧结装置的分解立体图，图3为沿图2中A-A'线的剖面图。

如图1至图3所示，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置是对被处理物1进行干燥和光烧结的装置，可包括向被处理物1的上面方向反射从第1发光部10、第2发光部20及第3发光部射出的光的反射罩30及反射壁40。

进一步地，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置可包括位于反射罩30及反射壁 40外侧的外壳70。

此处，被处理物1表示塑料、膜、纸、玻璃、基板S等上图案化的微金属粒子及前体等被光烧结的对象物质。此处，被处理物1不仅可以包括铜、铁、钼、镍、铝、金、白金等金属，也可以包括氧化钛、锂钴氧化物、氧化硅等陶瓷。并且，被处理物1可以是纳米或微米大小，这种情况下粒子的表面积比大，因此光吸收度上升。

例如，被处理物1是印刷在基板S上的金属纳米油墨，可通过干燥及烧结步骤形成太阳电池等电子设备的电极。但并非被处理物1必须局限于形成电极的金属纳米油墨。光对上述图案化于基板S等的被处理物1进行干燥、烧结，此处，光由第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22发生。

第1至第3发光部10、20、22是分别发散光的光源。

此处，第2发光部20及第3发光部22相隔配置且彼此之间配置有第1发光部10。虽然图1至图3没有示出，但第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22可配置在同一平面上，不过并非一定局限于此。第1发光部10可以配置在比第2发光部20及第3 发光部22的配置平面靠下的位置。

并且，第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22可以是具有预定长度的圆筒形状，此处向垂直于长度方向的方向切断的横截面，即圆板形截面的直径可以是100mm 以下。但并非第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22的形态及直径必须局限于此，采用其他形状或其他剖面直径也无妨。上述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22可以在被处理物1干燥步骤与烧结步骤选择性地开/关(on/off)。

例如，从第1发光部10发散的第1光、从第2发光部20发散的第2光、从第3发光部22发散的第3光中至少任意一个的光照射到被处理物1。

更具体地，第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22分别可以是氙灯(xenonlamp)、红外线灯、紫外线灯中任意一种。可以将第1发光部10、第2发光部20及第3发光部 22定为上述灯中任意一个，也可以替换为其他灯使用。

其中，氙灯是通过在氙气内发生的放电发光的灯，发生具有60nm至2.5mm之间的宽波段的光谱的超短波白色光，这种白色光照射到被处理物1进行光烧结。

红外线灯是发生红外线光的光源，其在干燥步骤用于干燥被处理物1。

并且，紫外线灯是发生紫外线光的光源，可以与氙灯一起用于烧结步骤。即，在利用氙灯的白色光进行烧结的过程还照射紫外线光的情况下，当被处理物1为金属纳米油墨时，紫外线光起到断开连接油墨内高分子的连接键的作用，因此即使白色光的能量小也能够烧结。并且，通过氙灯、紫外线灯、红外线灯复合地照射光的情况下，还具有能够保持高烧结均匀性、提高烧结效率的效果。

因此，也可以采用红外线灯作为第2发光部20及第3发光部22干燥被处理物1后采用氙灯作为第1发光部10或将第2发光部20及第3发光部22更换成氙灯进行烧结。

即，烧结过程中第1发光部10至第3发光部22中任意一个可以是氙灯。此处，可以关闭不是氙灯的其他灯或利用紫外线灯复合地照射光。

从上述第1发光部、第2发光部20及第3发光部22发散的光向上下左右方向发散照射到配置在下方的被处理物1，此处，向上发散的光可以被反射罩30反射以照射到被处理物1。

反射罩30可以提供使第1发光部10至第3发光部22射出的光均匀地反射到被处理物1上面的反射面。

参见图2，根据本实用新型一个实施例的反射罩30为具有预定长度的预定形状，其下部面配置在第1发光部10至第3发光部22上方反射从第1发光部10至第3发光部22 发散的光中向上发散的光。

第1发光部10配置在反射罩30的下部面中心部下方。并且，反射罩30的下部面可以是以沿着长度方向通过中心部的中心线C为基准左右对称的形状。

更具体地，反射罩30的下部面为由一对主弯曲部(第1主弯曲部33、第2主弯曲部34)及一对辅助弯曲部(第1辅助弯曲部35、第2辅助弯曲部36)并排形成的对称结构。

一对主弯曲部33、34为从反射罩30的下部面向上凹陷的弯曲形状，一端与中心线C相接。即，主弯曲部33、34的一端分别与中心线C相接，将从中心线向反射罩30下部面的一侧方向相隔预定距离的地点作为另一端，其一端与另一端之间为向上弯曲的形状。

此处，一对主弯曲部33、34的一端分别与中心线C相接从而彼此相连，以中心线C为基准对称地形成于反射罩30下部面的左右。

更具体地，第1主弯曲部33配置在向形成有被处理物1的基板S发散光的第1发光部10所在位置的左上侧，是向上鼓起的形状(+y方向)，可以向被处理物上面方向反射从第1发光部10射出的光。

并且，第1主弯曲部33可以以第1主弯曲部33的中心a2为基准形成左右对称的结构。

第2主弯曲部34配置在向被处理物1发光的第1发光部10所在位置的右上侧，是向上鼓起的形状(+y方向)，可以向被处理物上面方向反射从第1发光部10射出的光。

如图3所示，第2主弯曲部34可以以第2主弯曲部34的中心b2为基准形成左右对称的结构。

如图3所示，第1主弯曲部33的弦a1与第2主弯曲部34的弦b1可位于同一线上。

并且，第1主弯曲部33的右侧端部与第2主弯曲部34的左侧端部形成接点，从接点向第1发光部10的长度方向剖面中心延长的中心线C可相对于形成有被处理物的基板垂直。

因此，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置中的第1发光部10可配置从与第1主弯曲部33的右侧端部与第2主弯曲部34的左侧端部相遇的接点向下侧相隔预定距离的位置。即，第1发光部10可配置在与第1主弯曲部33与第2主弯曲部34相接的反射罩30的下部面中心线C相隔预定距离的下侧位置。

因此，包括第1主弯曲部33及第2主弯曲部34的反射罩30可以提供使第1发光部 10射出的光中向上发散的光以均匀的强度到达形成有被处理物1的基板S表面的反射面。

但如果不同于根据本实用新型一个实施例的反射罩，在具有单一圆弧形状的反射罩下方配置发光部的情况下，从发光部直接射出到被处理物表面的光与从发光部射出并被反射罩反射而射出到被处理物表面的光重叠。因此，现有技术发生被处理物中心部的光强度大于被处理物周边的光强度的问题。

根据本实用新型一个实施例的光烧结装置中的第1发光部10位于第1主弯曲部33与第2主弯曲部34相接的接点(反射罩30下部面的中心线C)下方，因此能够降低从第 1发光部10射出并被反射罩反射而照射到被处理物表面的光的强度。

因此，根据本实用新型的一个实施例，能够提供被处理物1中心部的光强度与被处理物周边部的光强度均匀的效果。

并且，根据本实用新型一个实施例的反射罩30还可以包括用于提高射向被处理物的光的均匀度的一对辅助弯曲部35、36。

辅助弯曲部35、36如同主弯曲部33、34，是从反射罩30的下部面向上凹陷的弯曲形状。各辅助弯曲部35、36的一端与各主弯曲部33、34的另一端相接、此处，一对辅助弯曲部35、36的一端与一对主弯曲部33、34的另一端一对一对应地相接，以一对主弯曲部33、34为中心，两侧分别形成一个辅助弯曲部35、36。

更具体地，所述第1辅助弯曲部35可以从所述第1主弯曲部33的左侧端延伸成向上鼓起，所述第2辅助弯曲部36可以从所述第2主弯曲部34的右侧端部延伸成向上鼓起。

根据本实用新型一个实施例的光烧结装置，第1主弯曲部33与第1辅助弯曲部35可以以中心线C为基准与第2主弯曲部34及第2辅助弯曲部36对称。

第1辅助弯曲部35及第2辅助弯曲部36下侧可分别配置第2发光部20与第3发光部22。因此，从第1发光部10发散的光中向上发散的光被主弯曲部33、34反射，第2 发光部20与第3发光部22发散的光中向上发散的光主要被辅助弯曲部35、36反射。

并且，第1辅助弯曲部35配置成包围第2发光部20的一部分，第2辅助弯曲部36 配置成包围第3发光部22的一部分。

并且，分别位于第1辅助弯曲部35与第2辅助弯曲部36下侧的第2发光部20与所述第3发光部22可以配置成以反射罩30的下部面的中心线C为基准对称(即，第2发光部20及第3发光部22可配置成以第1发光部10为中心相对且对称)。

根据本实用新型的一个实施例，第2发光部20及第3发光部22可以位于比第1发光部10靠上的+y方向上。即，第2发光部20及第3发光部22与第1发光部10可以位于不同的平面。

这种反射罩30可以由金、银、铝、铁等多种金属及陶瓷、氧化铝等非金属材料中任意一种或两种以上混合制成，此处，并非反射罩30本身必须由这些材料制成，可以将由这些材料中任意一种或两种以上混合而成的混合物涂布到反射罩30的下部面制成。

综述，根据本实施例的光烧结装置，一对主弯曲部33、34向上弯曲且一对辅助弯曲部35、36分别从主弯曲部33、34的侧端延伸成向上弯曲使得反射罩30的下部面以中心部为基准左右对称，第1发光部10配置在反射罩30下部面中心部下方，第2发光部20 与第3发光部22配置分别在辅助弯曲部35、36的下方，因此分别从第1发光部10、第 2发光播20及第3发光部22发散的光中向上发散的光被主弯曲部33、34及辅助弯曲部 35、36反射而照射到被处理物1。此处，采用红外线灯作为第2发光部20及第3发光部 22对经过印刷的被处理物1进行干燥，并采用氙灯作为第1发光部10或将第2发光部 20及第3发光部22替换成氙灯进行烧结，并且可以将不是氙灯的第1发光部、第2发光部20及第3发光部22作为紫外线灯复合地照射光。

因此，可获得高烧结均匀性及导电性，能够大面积烧结，能够连续执行干燥与烧结，因此具有通过大量生产及高速生产提高生产性、降低制造成本的效果。

并且，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括一对反射壁40。此处，反射壁40为一对，分别从反射罩30的两端向下延伸形成。这种反射壁40不仅起到支撑反射罩30的作用，其内面还反射从第1发光部10至第3发光部22发散的光中偏离被处理物1的光使得照射到被处理物1。反射壁40也可以像反射罩30一样由金、银、铝、铁等多种金属及陶瓷、氧化铝等非金属材料中任意一种或两种以上混合制成，此处，并非反射壁40本身必须由这些材料制成，可以将这些材料中任意一种或两种以上混合而成的混合物涂布到反射壁40的内面制成。

反射壁30的内面为一对反射壁40彼此相对的面，可以反射第1发光部10至第3发光部22发散的光中的一部分。

另外，本实施例的光烧结装置的光烧结效率取决于反射罩30的主弯曲部33、34及辅助弯曲部35、36的形状、第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22的位置、反射壁40的高度及配置等多种变量及与各变量之间的关系，因此有必要导出具有最佳光烧结效率的条件。以下根据图3具体说明。

通过MATLAB软件优化设计了具有更高的光烧结效率的反射罩30的形状、曲率等。并且，根据反射罩30的形状、曲率相应地设定了第1发光部10、第2发光部20及第3 发光部22的位置、反射壁40的高度及配置等。其结果，最佳的变量及与不同变量之间的关系如下。

反射罩30的中心部到第1发光部10中心的垂直距离a为100mm以下，从第1发光部10中心到固定部50的垂直距离b可以是60～150mm。此处，从反射罩30的中心部到第2发光部20或第3发光部22中心的垂直距离c可以是50mm以下。

此处，主弯曲部33、34可以是圆弧半径为10～100mm的圆弧形状，连接主弯曲部33、34两端的弦的长度d可以是10～200mm。此处，从反射罩30的中心部到第1发光部10 中心的垂直距离a可以小于所述弦的长度d。

并且，通过第1发光部10的水平线与从第1发光部10向第2发光部20或第3发光部22方向延伸的假想线可构成预定的角度e。

辅助弯曲部35、36可以是圆弧半径h为1～100mm的圆弧形状。此处，第2发光部 20或第3发光部22的外面与辅助弯曲部35、36的圆弧中心f相接且向上配置。此处，从辅助弯曲部35、36的圆弧中心f到第2发光部20或第3发光部22的中心的距离g可以小于辅助弯曲部35、36的圆弧半径h。

反射壁40配置成相对于反射罩30垂直，从反射罩30的中心部到反射壁40的末端，即最下端的垂直距离j可以是300mm以下。此处，从反射罩30的中心部到反射壁40内面的水平距离i可以大于连接主弯曲部33、34的两端的弦的长度d。此处，从反射罩30 的中心部到反射壁40末端的垂直距离j可以大于从反射罩30的中心部到第1发光部10 中心的垂直距离a。

以下参见图4至图6说明光烧结装置的效果。

图4为根据本实用新型一个实施例的视觉化光烧结装置的光路的剖面图，图5为显示根据本实用新型一个实施例的到达被处理物的第1发光部的光的强度的坐标图，图6 为显示根据本实用新型一个实施例的到达被处理物的第2发光部及第3发光部的光的强度的坐标图，图7为显示通过根据本实用新型一个实施例的光烧结装置烧结的铜纳米油墨图案的照片的示意图。

图4为用视觉化模拟软件显示第1发光部10的白色光照射光路(参见图4中(a)) 及第2发光部20与第3发光部22的紫外线光照射光路(参见图4中(b))，可以得知以上各构件的光直接且被反射罩及反射壁反射而有效地照射到固定部。

由图5可知本实施例的光烧结装置使得到达被处理物的第1发光部10的光的强度分布是均匀的。图5中(a)是显示第1发光部10的光的强度的三维坐标图，图5中(b) 是向z轴方向观察的二维数据，由此可知整个面积上的光强度均匀。

由图6可知本实施例的光烧结装置使得到达被处理物的第2发光部20及第3发光部22的光的强度分布是均匀的。此处，图6中(a)是显示第2发光部20及第3发光部22 的光的强度的三维坐标图，图6中(b)是向z轴方向观察的二维数据。

图7显示印刷于基板的铜纳米油墨(图7中(a))通过现有的光烧结装置与本实施例的光烧结装置烧结。如图7中(b)所示，用现有的光烧结装置烧结的情况下只能局部烧结，因此在移动基板的过程中连续地照射光，而当从基板的任意一个部分向相邻的其他部分移动时，预定部分将未被照射光的微隙(图7中(b)的放大部分)。这种部分降低烧结均匀性及导电性。反面，如图7中(c)所示，本实施例的光烧结装置能够大面积烧结，因此烧结均匀性及导电性上升。

并且，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括罩住反射罩30及反射壁 40的外壳70。

外壳70包围反射罩30的上部面及反射壁40的外面，固定反射罩30与反射壁40，起到保护作用使得避免受到外部冲击。

并且，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括对印刷有被处理物1的基板S进行固定的固定部50。此处，固定部50固定配置被处理物1，可以将被处理物1 配置在从反射壁40的末端，即反射壁40的最下端向下侧相隔预定间隔的位置。作为一个例子，固定部50在被处理物1被烧结期间可以保持固定，或者可以起到移动式固定部的功能使得被处理物1在以卷对卷(roll to roll)方式移动的过程中被烧结。

本实施例的光烧结装置还可以包括滤光器60。滤光器60可以位于第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22与被处理物1的上面之间。

可以通过反射壁40固定滤光器60。例如，可以在一对反射壁40的内面形成用于滤光器60滑动的滑槽将滤光器60设置成可拆卸状态。但并非滤光器60必须固定或以滑动方式安装拆卸于反射壁40。

此处，滤光器60是选择性地只许具有特定波段的成分透过或阻断该成分的光学元件。例如，滤光器60可以由选择性地只许特定光谱透过的过滤器(filter)或石英构成。以下为便于说明而假设滤光器60为石英进行说明。

这种滤光器60配置在比第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22靠下的位置，根据被处理物1、印刷有被处理物1的基板等控制白色光、红外线光、紫外线光的波段。

以下，参见图8至图10具体说明适用于本实用新型一个实施例的滤光器。

图8为用于说明根据本实用新型一个实施例的滤光器的示意图。

参见图8，根据本实用新型一个实施例的滤光器60可设置在从所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22发出的光射向形成有被处理物的基板S的路径上。

换而言之，所述滤光器60可设置在所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22下侧方向(-y)方向及形成有被处理物的基板S上侧方向(+y方向)。

根据本实用新型的一个实施例，形成于基板S的被处理物1的厚度可能因区域而异。例如，可以根据图8所示被处理物1的厚度，区分为形成于通路孔(via hole)的厚度为D1的S1区域、具有小于厚度D1的厚度D2的S2区域、没有被处理物1的S3区域。

此处，可以使所述滤光器60随着被处理物1的厚度而具有不同的透过度。例如，被处理物1厚的S1区域需要照射到高强度的光，因此可以使对应于S1区域的部分60a具有高透过度。并且被处理物1中比S1区域薄的S2区域需要照射到比照射到S1的光强度弱的光，因此对应于S2区域的部分60b可以具有较低的透过度。

并且，可以使对应于没有被处理物1的S3区域的部分60c的透过度最低。或者，可以使对应于没有被处理物1的S3区域的部分60c由反射板构成。例如，可以将对应于S3 区域的部分60c的上面涂成反射板。其原因在于没有被处理物1的S3区域不需要进行光烧结，因此目的在于在上面再次反射射向对应于没有被处理物1的S3区域的部分60c的光使得照射到S1及/或S2区域。

可以通过多种方式使得所述滤光器60具有对应于被处理物1厚度的透过度。例如，所述滤光器60还可以包括附着在石英上面及/或下面的光膜。此处，可以使光膜具有对应于被处理物1厚度的透过度，特别地，透过度低的区域例如可以由透过度低的树脂(resin) 构成。这种情况下，光膜可以起到光掩膜(photo mask)的功能。或者，可以使所述滤光器60为石英本身具有对应于被处理物1厚度的透过度。例如，可以使所述滤光器60中应具有高透过度的区域的厚度薄，使应具有透过度的区域的厚度厚。并且，所述滤光器 60可以由上述光膜及石英组合构成。

根据本实用新型的一个实施例，可以使所述滤光器的透过度随被处理物的厚度而异。因此，可以执行与被处理物60厚度无关的光烧结工序。

当不具有根据本实用新型一个实施例的滤光器60的情况下，需要根据被处理物的厚度多次执行光烧结工序。例如，需要对被处理物厚度薄的区域执行弱强度的光烧结工序后对厚度厚的区域执行高强度的光烧结工序。若在被处理物厚度薄的情况下也执行高强度的光烧结将会造成被处理物发生不良。即，为了光烧结印刷于一个基板上的具有多个厚度的被处理物，需要多次进行光烧结，从而发生工序非生产性。

而如本实用新型的一个实施例，滤光器60随着被处理物的厚度而具有不同的透过度，因此其有益效果是即使烧结印刷在一个基板上的具有多个厚度的被处理物也只需进行一次工序即可完成光烧结。

另外，在说明本实用新型的一个实施例时假设了被处理物的厚度为两个的情况，但这只是一个例子而已，因此不受此限制。

以上参见图8说明了根据本实用新型第1实施例的滤光器。以下参见图9说明根据本实用新型第2实施例的滤光器。

图9为用于说明根据本实用新型第2实施例的滤光器的示意图。具体地，图9中(a)为简要显示参见图3说明的光强度的示意图，图9中(b)为显示第2实施例的滤光器的例子的示意图。

如以上参见图5所述说明，根据本实用新型一个实施例的反射罩可以引导光的方向使得第1发光部的光以均匀度强度照射到形成有被处理物的基板上面。但如图5所示，局部可能照射到比平均强度大的光。因此，本实用新型第2实施例的滤光器可以具有过滤局部被照烧高强度的光的区域的光的结构。

参见图9中(a)，根据参见图5说明的光的强度，可以从概念上区分为局部被照射高强度光的区域T1与被照射平均强度的光的区域T2。

对此，本实用新型第2实施例的滤光器60可以通过过滤使T1区域的光强度与T2区域的光强度达到均衡。为此，所述滤光器60可包括至少能够部分阻断T1区域的光的低透过区域TF1与使T2区域的光透过的高透过区域TF2。

为降低所述低透过区域TF1的透过度，可以使所述滤光器60中相应的区域由黑色树脂形成的光膜构成。

因此，根据本实用新型第2实施例的滤光器能够提供补正因在中心部反射射出的光的反射罩而局部发生的光非均匀性的效果。因此，向被处理物上面照射的光面积的均匀性上升，从而能够确保光烧结可靠性。

换而言之，能够使由氙灯构成的第1发光部10射出的光的均匀性通过反射罩第1次上升，通过滤光器第2次上升。因此，被处理物的整个xz面能够被照射均匀的氙灯光，因此光烧结可靠性上升。

以下参见图10说明根据本实用新型第3实施例的滤光器。

图10为用于说明根据本实用新型又一实施例的滤光器的示意图。图10中(a)为简要显示参见图6说明的光的强度的示意图，图10中(b)为显示第3实施例的滤光器的例子的示意图。

如以上参见图6所述说明，根据本实用新型一个实施例的反射罩可以引导光的方向使得第2发光部及第3发光部的光源以均匀的强度照射到形成有被处理物的基板上面。但如图6所示，可能局部被照射比平均强度更大的光。因此，根据本实用新型第3实施例的滤光器可以具有过滤局部被照射高强度的光的区域的光的结构。

参见图10中(a)，根据参见图6说明的光的强度，可以区分为局部被照射高强度的光的区域T3与被照射平均强度的光的区域T4。

对此，根据本实用新型第3实施例的滤光器60可以通过过滤使T3区域的光强度与T4区域的光强度达到均衡。为此，所述滤光器60可包括至少能够部分阻断T3区域的光的低透过区域TF3与使T4区域的光透过的高透过区域TF4。

为降低所述低透过区域TF3的透过度，可以使所述滤光器60中相应的区域由具有红外线过滤功能的光膜构成。

因此，根据本实用新型第3实施例的滤光器能够提供补正因在中心部反射射出的光的反射罩而局部发生的光非均匀性的效果。因此，向被处理物上面照射的光面积的均匀性上升，从而能够确保光烧结工序的可靠性。

换而言之，能够使由红外线灯构成的第2发光部20及第3发光部22射出的光的均匀性通过反射罩第1次上升，通过滤光器第2次上升。因此，被处理物的整个xz面能够被照射均匀的红外线灯光，因此光干燥可靠性上升。

以上参见图8至图10说明了根据本实用新型实施例的滤光器。显而易见，以上说明的第1至第3实施例的滤光器可个别或组合实施。例如，可以组合参见图8说明的滤光器与参见图9说明的滤光器及/或参见图10说明的滤光器。此处，可以选择性地使参见图 8说明的滤光器中只有与参见图9说明的滤光器的高透过区域及参见图10说明的滤光器的高透过区域相重复的区域具有低透过区域。

图11为根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的分解图，图12为根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的A-A'线剖面图；

参见图11及图12，根据本实用新型另一实施例的光烧结装置除反射罩的形状及发光部的配置位置之外其余均与参见图1至图10说明的根据本实用新型一个实施例的光烧结装置相同。

因此，以下仅对不同的结构进行说明。

参见图11及图12，根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的反射罩30的下部面包括中心弯曲部31、主弯曲部33、34及辅助弯曲部35、36。

此处，中心弯曲部31以反射罩30下部面的中心线C为基准形成，主弯曲部33、34 分别形成于中心弯曲部31的两端且与之相接，辅助弯曲部35、36分别形成于主弯曲部 33、34的两端且与之相接。

如图12所示，形成的一对主弯曲部33、34与一对辅助弯曲部35、36以反射罩30 的中心弯曲部31为基准左右对称。

中心弯曲部31形成于第1发光部10的上方。此处，中心弯曲部31为从反射罩30 的下部面向上凹陷的弯曲形状。中心弯曲部31中向上最凹陷的中心对应于反射罩30的中心部L的中心线的位置，是以中心线为基准左右对称的弯曲形状。

中心弯曲部31起到反射第1发光部10发散的光中向上发散的光的功能。

主弯曲部33、34分别一对一对应地与中心弯曲部31的两端相接，以中心弯曲部31为基准左右对称。

主弯曲部33、34如同中心弯曲部31，具有从反射罩30的下部面向上凹陷的弯曲形状。

因此，中心弯曲部31的左侧端形成与其相接的第1主弯曲部，中心弯曲部31的右侧端形成与其相接的第2主弯曲部。

辅助弯曲部35、36为从反射罩30的下部面向上凹陷的弯曲形状。

上述各辅助弯曲部35、36的一端分别与一对主弯曲部33、34的另一端一对一对应。即，以一对主弯曲部33、34为中心，两侧分别形成一个辅助弯曲部35、36形成左右对称结构。

更具体地，主弯曲部33的左侧端与第1辅助弯曲部相接，主弯曲部34的右侧端与第2辅助弯曲部相接。

并且，一对辅助弯曲部35、36的下方分别配置第2发光部20与第3发光部22。因此，从第2发光部20及第3发光部22发散的光中向上发散的光被辅助弯曲部35、36反射而能够照射到被处理物。

图13为显示根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的示意图。参见图13，根据本实用新型又一实施例的光烧结装置除反射罩1330的结构不同于图1的反射罩30之外，其余结构均相同。

因此，以下仅说明具有不同结构的反射罩1330，省略重复说明。

如图13所示，光烧结装置500的反射罩1330以下部面的中心部L为基准左右对称。

不同于图12，反射罩1330下部面的中心部L形成有隔槽1337。

隔槽1337从反射罩1330的下部面中心部L形成且具有预定间隔，从反射罩1330的下部面中心部L向垂直方向形成且具有预定深度。

隔槽1337的形状可以是四角形、圆形、多角形等多种形状，在能够使第1中心弯曲部1331a与第2中心弯曲部1331b之间相隔预定间隔的形状范围内不受限制。

第1中心弯曲部1331a、第2中心弯曲部1331b分别形成于隔槽1337的两端且与其相接形成以隔槽1337为基准左右对称的结构。

第1中心弯曲部1331a及第2中心弯曲部1331b是以与隔槽1337相接的部分为基准向下弯曲的形状。即，第1中心弯曲部1331a及第2中心弯曲部1331b的圆弧可以是扇形状的弧等形状。第1中心弯曲部1331a及第2中心弯曲部1331b中与隔槽1337相接的部分最高，具体可以以与隔槽1337相接的部分为基准向下弯曲形成圆弧形状。

隔槽1337的内部侧面可以由能够向被处理物反射配置于反射罩1330下部的第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22发散的光中向上发散的光的材料构成或被涂布相应的材料组合物。

又例如，隔槽1337的内部侧面可以由不反射配置于反射罩1330下部的第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22发散的光中向上发散的光的材料构成或被涂布相应的材料组合物。

并且，隔槽1337的内部上部面可以由不反射配置于反射罩1330下部的第1发光部10、第2发光部20及第三发光部22发散的光中向上发散的光的材料构成或被涂布相应的材料组合物。

综上，隔槽1337的内部面中局部可以由不反射配置于反射罩1330下部的第1发光部10、第2发光部20及至第3发光部22发散的光中向上发散的光的材料构成或被涂布相应的材料组合物。

并且，隔槽1337可以是从反射罩1330的下部面具有预定深度的形状，根据实现方法，可以是与形成于反射罩1330外部面的外壳70相接的形状。

图14为根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的分解立体图。

参见图14，根据本实用新型又一实施例的光烧结装置可包括向被处理物1上面方向反射从第1发光部10a、20a射出的光的第1反射罩30a及第1反射壁40a。

并且，根据本实用新型又一实施例的光烧结装置可包括向被处理物1上面方向反射从第2发光部10b、20b射出的光的第2反射罩30b及第2反射壁40b。

并且，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置可包括位于所述第1反射罩30a及第1反射壁40a与所述第2反射罩30b及第2反射壁40b外侧的外壳70。

此处，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括固定印刷有被处理物1 的基板S的固定部50。此处，固定部50固定配置被处理物1，可以将被处理物1配置在从第1反射壁40a及第2反射壁40b的末端，即反射壁40a、40b的最下端向下相隔预定间隔的位置。作为一个例子，所述固定部50在所述被处理物1被烧结期间可以保持固定，或者可以起到移动式固定部的功能使得实施被处理物1在以卷对卷(roll to roll)方式移动的过程中被烧结。

所述第1发光部10a、20a可以位于被处理物1的上端及所述第1反射罩30a下端起到向形成有被处理物1的基板上面照射光的功能，所述第2发光部10b、20b可以位于被处理物1的上端及所述第2反射罩30b下端起到向形成有被处理物1的基板上面照射光的功能。

所述第1发光部10a、20a及所述第2发光部10b、20b可以是氙灯、红外线灯、紫外线灯中任意一种。氙灯是通过在氙气内发生的放电发光的灯，可以发生具有60nm至 2.5mm之间的宽波段的光谱的超短波白色光烧结所述被处理物1。被处理物为金属纳米油墨的情况下，紫外线灯的紫外线光断开连接油墨内高分子的连接键，因此能够提高烧结效率。另外，红外线灯能够起到干燥被处理物的功能。

根据本实用新型的又一实施例，所述第1发光部10a、20a可以包括第1-1发光部10a与第1-2发光部20a，所述第1-2发光部20a为一对且分别位于所述第1-1发光部10a的两侧。并且，所述第2发光部10b、20b可包括第2-1发光部10b与第2-2发光部20b，所述第2-2发光部20b为一对且分别位于所述第2-1发光部10b的两侧。

此处，所述第1-1发光部10a、第1-2发光部20a、第2-1发光部10b及第2-2发光部20b的光源可以以多种方式组合。例如，可以使所述第1-1发光部10a及第1-2发光部20a 由氙灯构成，所述第2-1发光部10b及第2-2发光部20b由红外线灯或紫外线灯构成。以下为了便于说明而假设所述第1-1发光部10a及第1-2发光部20a由氙灯构成，所述第2-1 发光部10b及第2-2发光部20b由红外线灯构成。

所述第1反射壁40a用于向所述被处理物1的上面方向反射从所述第1发光部10a、20a射出的光，可以设置于所述第1反射罩30a的一侧。所述第2反射壁40b用于向所述被处理物1的上面方向反射从所述第2发光部10b、20b射出的光，可以设置于所述第2 反射罩30b的一侧。

所述外壳70可以罩住第1反射罩30a和第2反射罩30b及第1反射壁40a和第2反射壁40b中至少一个。所述外壳70可包围所述第1反射罩30a及第2反射罩30b的上部面及所述第1反射壁40a及第2反射壁40b的外面，起到保护作用使得避免受到外部冲击。

根据本实用新型又一实施例的光烧结装置还可以包括控制射向被处理物1的光的滤光器60。所述滤光器60可位于所述第1发光部10a、20a、第2发光部10b、20b下部与被处理物1上部之间。

此处，可以通过反射壁40a、40b固定所述滤光器60，例如，可以在一对第1反射壁40a与第2反射壁40b的内面形成用于滤光器60滑动的滑槽将滤光器60设置成可拆卸状态。但并非滤光器60必须固定或以滑动方式安装拆卸于反射壁40a、40b。

以上简要说明了根据本实用新型一个实施例的光烧结装置。以下参见图15说明根据本实用新型一个实施例的大面积光烧结装置。

图15为根据本实用新型一个实施例的用于大面积光烧结的平面图。更具体地，图15 为从图14的xz平面观察光烧结装置的以发光部为中心的示意图。

参见图15，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置为了光烧结大面积基板S，可以是x轴及z轴中至少一个方向上具有多个反射罩的形状。此处，可以使个别反射罩的发光部全部排列成向一个方向延伸。例如，可以使各反射罩的发光部全部向z轴方向延伸。即，可以使构成第1反射罩30a的第1-1发光部10a及第1-2发光部20a与构成第2 反射罩30b的第2-1发光部10b及第2-2发光部20b全部排列成向z轴方向延伸。

根据本实用新型又一实施例的光烧结装置，第1反射罩30a和与其相邻的第2反射罩30b之间的区域可以形成有隔离壁80。

例如，隔离壁80可以设置在包含于第1反射罩30a且向长度方向延伸的第1-1发光部10a和包含于与其相邻的第2反射罩30b且向长度方向延伸的第2-1发光部10b之间的区域。这种情况下，所述隔离壁80可以向与发光部的长度方向平行的z轴方向延伸。

并且，所述隔离壁80可以设置在包含于第1反射罩且向长度方向延伸的一个发光部和沿着所述一个发光部的长度方向与其相邻且向相同方向延伸的另一发光部之间的区域。这种情况下，所述隔离壁80可以向与发光部的长度方向正交的x轴方向延伸。特别地，发光部的长度方向一端可以具有向发光部供电的适配器(adaptor)12a、22a、12b、22b。

在参见图15说明的实施例中，为了向大面积基板S的整个表面提供高的光均匀度，反射罩的结构与隔离壁的设计非常重要。以下参见图16说明反射罩的结构与隔离壁。

图16用于说明根据本实用新型一个实施例的隔离壁，是沿图15中A-A'线的剖面图。

参见图16，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置包括第1反射罩30a及与其相邻的第2反射罩30b，所述第1反射罩30a与所述第2反射罩30b之间可以具有隔离壁80。第2反射罩30b是与所述第1反射罩30a对称的结构，因此以下以第1反射罩30a 为中心进行说明。

所述第1反射罩30a及第1反射壁40a可以提供使上述第1发光部10a、20a射出的光均匀地反射到基板S上面的反射面。

为此，第1反射罩30a可包括第1-1主弯曲部33a及第1-2主弯曲部34a。

所述第1-1主弯曲部33a配置在向形成有被处理物1的基板S发光的第1-1发光部10a所在位置的左上侧，并且具有向上鼓起的形状(+y方向)，可以向所述基板S上面方向反射从所述第1-1发光部10a射出的光。并且，所述第1-1主弯曲部33a可以以所述第1-1主弯曲部33a的x轴方向长度中心以y轴交叉的中心为基准对称。

所述第1-2主弯曲部34a配置在向形成有被处理物1的基板S发光的第1-1发光部10a所在位置的右上侧，并且具有向上鼓起的形状(+y方向)，可以向所述基板S上面方向反射从所述第1-1发光部10a射出的光。并且，所述第1-2主弯曲部34a可以以所述第1-2弯曲部34a的x轴方向长度中心以y轴交叉的中心为基准对称。

此处，所述第1-1主弯曲部33a的弦a1与所述第1-2主弯曲部34a的弦b1可以位于同一线上。

并且，所述第1-1主弯曲部33a的右侧端部与所述第1-2主弯曲部34a的左侧端部形成接点，从所述接点向所述第1-1发光部10a的长度方向剖面中心延伸的线(line，C：以下称为中心线)可以相对于形成有所述被处理物的基板垂直。

根据一个实施例，所述第1-1发光部10a可以配置在从第1-1主弯曲部33a的右侧端部与所述第1-2主弯曲部34a的左侧端部构成的接点向下侧相隔预定距离的位置。以下假设所述第1-1发光部10a由氙灯构成。

因此，包括所述第1-1主弯曲部33a及所述第1-2主弯曲部34a的第1反射罩30a可以提供使所述第1-1发光部10a射出的光以均匀地强度到达形成有所述被处理物1的基板 S表面的反射面。

如果不同于根据本实用新型一个实施例的反射罩，在具有单一圆弧形状的反射罩下方配置发光部的情况下，从发光部直接射向被处理物表面的光与从发光部射出并被反射罩反射而射出到被处理物表面的光重叠。因此，现有技术发生被处理物中心部的光强度大于被处理物周边的光强度的问题。

而根据本实用新型的实施例，第1-1发光部10a位于第1-1弯曲部33a与第1-2弯曲部34a相接的接点下方，因此能够降低从第1-1发光部10a射出并被反射罩反射而照射到被处理物1的表面的光的强度。因此，根据本实用新型的一个实施例，能够提供被处理物中心部的光强度与被处理物周边部的光强度均匀的效果。

并且，根据本实用新型又一实施例的第1反射罩30a还可以包括用于提高射向被处理物的光的均匀度的第1-1辅助弯曲部35a及第1-2辅助弯曲部36a。

所述辅助弯曲部35a、36a如同所述主弯曲部33a、34a，是从第1反射罩30a的下部面向上凹陷的弯曲形状，其一端可以分别与各第1主弯曲部33a、34a的另一端相接。更具体地，所述第1-1辅助弯曲部35a可以从所述第1-1主弯曲部33a的左侧端部延伸成向上鼓起，所述第1-2辅助弯曲部36a可以从所述第1-2主弯曲部34a的右侧端部延伸成向上鼓起。

根据本实用新型的又一实施例，所述第1-1主弯曲部33a与所述第1-1辅助弯曲部35a 可以以所述中心线C为基准与所述第1-2主弯曲部34a及所述第1-2辅助弯曲部36a对称。

所述第1-1辅助弯曲部35a及第1-2辅助弯曲部36a下侧可以设置有第1-2发光部20a。此处，所述第1-1辅助弯曲部35a及所述第1-2辅助弯曲部36a可以配置成包围所述第1-2 发光部20a的至少一部分。

分别位于所述第1-1辅助弯曲部35a及第1-2辅助弯曲部36a下侧的第1-2发光部20a 能够以所述中心线C为基准对称。

根据一个实施例，所述第1-2发光部20a可以位于比所述第1-1发光部10a靠上的+y方向上。

另外，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括向所述基板S表面反射从所述第1-1发光部10a及所述第1-2发光部20a发出的光的第1反射壁40a。

所述第1反射罩30a与基板S之间可以设置有滤光器60(未示出)。

以上对第1反射罩30a、第1发光部10a、20a、第1反射壁40a进行了说明。如上所述，第2反射罩30b、第2发光部10b、20b、第2反射壁40b的形状与结构功能分别对应于第1反射罩30a、第1发光部10a、20a、第1反射壁40a，因此省略具体说明。

以下详述设置于第1反射罩30a与第2反射罩30b之间的隔离壁80。

所述隔离壁80可以是使位于所述隔离壁80下侧的基板也能被照射与照射到第1反射罩30a下部及/或第2反射罩30b下部基板的光相同大小的光的结构。

为此，可以使所述隔离壁80为上端宽、下端窄的上广下狭形状。例如，所述隔离壁80可以是倒三角形形状。这种情况下，第1反射罩30a下部的第1发光部10a、20a发出的光与第2反射罩30b下部的第2发光部10b、20b发出的光向所述隔离壁80下部照射，此处，可以提供与第1反射罩30a及第2反射罩30b下部相同程度的光均匀度。

根据本实用新型的又一实施例，可以将所述倒三角形形状的隔离壁80设计成厚度d 大于0mm且小于等于80mm，隔离壁的倾斜面角度θ大于0度且小于90度，第1-1主弯曲部33a与第1-2主弯曲部34a之间接点的高度到隔离壁下端部高度的y轴方向距离L大于0mm且小于100mm。

所述隔离壁80也可以由金、银、铝、铁等多种金属及陶瓷、氧化铝等非金属材料中任意一种或两种以上混合制成。此处，并非所述隔离壁80本身必须由这些材料制成，可以将由这些材料中任意一种或两种以上混合而成的混合物涂布到隔离壁80的下部面制成。

图17为显示适用参见图16说明的反射罩及隔离壁时到达基板的发光部光的强度的坐标图。更具体地，是通过图2的左侧上端及右侧上端的结构(1x2)进行实验得到的坐标图。如图17所示，可以得知根据本实用新型一个实施例的发光部发出的光的强度在基板表面尤其在隔离壁下方也是均匀分布的。作为参考，图17中(a)是显示发光部发出的光的强度的三维坐标图，图17中(b)是向y轴方向观察的二维数据，由此可知整个面积上的光强度均匀。

以上以图16为中心说明了根据本实用新型一个实施例的用于大面积光烧结的光反射结构及隔离壁结构。以下参见图18说明根据本实用新型又一实施例的用于大面积光烧结的隔离壁结构。

图18用于说明根据本实用新型又一实施例的隔离壁，是对应于图15中A-A'线的剖面图。

如图18所示，根据本实用新型又一实施例的光烧结装置包括第1反射罩30a、第1发光部10a、20a、第1反射壁40a、第2反射罩30b、第1发光部10b、20b及第2反射壁40b，这些构成与以上参见图16说明的内容相同，因此省略其具体说明。以下以具有区别的构成即隔离壁为中心进行说明。

参见图18说明的实施例的隔离壁80可设置于第1反射罩30a与第2反射罩30b之间。所述隔离壁80可以是使位于所述隔离壁80下侧的基板也能被照射与照射到第1反射罩30a下部及/或第2反射罩30b下部基板的光相同大小的光的结构。

为此，可以使所述隔离壁80为上端宽、下端窄的上广下狭形状。例如，所述隔离壁80的端部可以是上端宽且下边窄的倒梯形。这种情况下，第1反射罩30a下部的第1发光部10a、20a发出的光与第2反射罩30b下部的第2发光部10b、20b发出的光向所述隔离壁80下部照射，此处，可以提供与第1反射罩30a及第2反射罩30a、30b下部相同程度的光均匀度。

根据一个实施例，可以将倒梯形的所述隔离壁80设计成厚度d大于0mm且小于等于200mm，隔离壁的倾斜面角度θ大于0度且小于90度，第1-1主弯曲部33a与第1-2 主弯曲部34a之间接点的高度到倒梯形下端部高度的y轴方向距离L1大于0mm且小于等于300mm，第1-1主弯曲部33a与第1-2主弯曲部34a之间的接点高度到倒梯形上端部高度的y轴方向距离L2大于0mm且小于等于300mm。此处，L2比L1短。

图19为适用参见图16说明的反射罩及隔离壁时到达基板的发光部光的强度的坐标图。更具体地，是通过图15的左侧上端及右侧上端的结构(1x2)进行实验得到的坐标图。如图19所示，可以得知根据本实用新型一个实施例的发光部发出的光的强度在基板表面尤其在隔离壁下方也是均匀分布的。作为参考，图19中(a)是显示发光部发出的光的强度的三维坐标图，图19中(b)是向y轴方向观察的二维数据，由此可知整个面积上的光强度均匀。

以上以图18为中心说明了根据本实用新型另一实施例的隔离壁。本实用新型实施例的隔离壁长度方向剖面为上边宽、下边窄的上广下狭形状。

不同于本实用新型，当隔离壁的长度方向剖面为矩形的情况下，第1反射罩与隔离壁分界及第2反射罩与隔离壁分界发生光强度具有显著差异的问题。当光均匀度下降的情况下无法确保光烧结可靠性。

而根据本实用新型的实施例可知，隔离壁为上广下狭形状的情况下，第1反射罩与隔离壁分界及第2反射罩与隔离壁分界之间的光均匀性也非常好。因此根据本实用新型的实施例，向x轴及y轴配置多个反射罩，在个别反射罩之间形成隔离壁，从而能够提供高可靠性的光烧结装置。

图20为根据本实用新型又一实施例的用于大面积光烧结的平面图。更具体地，图20 是从图14的xz平面观察光烧结装置的。参见图20说明的实施例省略与参见图16至图 19说明的实施例重复的部分，以具有区别的构成为中心进行说明。

参见图20，根据本实用新型又一实施例的光烧结装置为了光烧结大面积基板S，可以是x轴及z轴中至少一个方向上具有多个反射罩的形状。此处，一反射罩的发光部和与其相邻的反射罩的发光部可以向交叉的方向形成。例如，一个反射罩的发光部向z轴方向延伸的情况下，与其向x轴方向相邻的反射罩的发光部能够垂直，并且，与其向z 轴方向相邻的反射罩的发光部也能够垂直。

当一个反射罩中的发光部和与所述一个反射罩相邻的另一反射罩中的发光部平行配置的情况下，由于设置于发光部一端的适配器是连续配置的，因此适配器的厚度导致隔离壁的厚度增厚。

而根据本实用新型的又一实施例，一个反射罩中的发光部和与所述一个反射罩相邻 (x轴或z轴)的另一反射罩中的发光部垂直配置的情况下，设置于一个发光部一端的适配器与设置于另一发光部一端的适配器是非连续配置的，因此能够减薄隔离壁的厚度。这种情况下，由于能够减小隔离壁的厚度，因此具有能够提高光均匀度的效果。

根据本实用新型的又一实施例，一个反射罩和与其相邻的反射罩之间的区域可以形成有隔离壁80。以下参见图21详述图20所示的实施例的隔离壁结构。

图21用于说明根据本实用新型又一实施例的隔离壁，是沿图20中B-B'线的剖面图。

将要参见图21说明的光烧结装置也包括第1反射罩30a、第1发光部10a、20a、第1反射壁40a、第2反射罩30b、第2发光部10b、20b及第2反射壁40b。这些构成与以上参见图16所述说明相同，因此省略具体说明。但第1反射罩30a、第1发光部10a、20a、第1反射壁40a与第2反射罩30b、第2发光部10b、20b、第1反射壁40b的延伸方向可能有区别。以下以具有区别的构成即隔离壁为中心进行说明。

参见图21说明的实施例的隔离壁80可设置于第1反射罩30a与第2反射罩30b之间。所述隔离壁80可以是使位于所述隔离壁80下侧的基板也被照射与照射到第1反射罩30a下部及/或第2反射罩30b下部基板的光相同大小的光的结构。

为此，可以使所述隔离壁80是上端宽、下端窄的上广下狭形状。例如，所述隔离壁80的端部可以是上边宽、下边窄的形状。特别地，由于第1反射罩30a与第2反射罩30b 的发光部的方向不同，因此向隔离壁80下部区域照射的光量也存在差异。因此，所述隔离壁80包括第1倾斜面及第2倾斜面，其中第1倾斜面相邻于向与所述隔离壁80的延伸方向(z轴方向)相同的方向(z轴方向)延伸的发光部，第2倾斜面相邻于向与所述隔离壁80的延伸方向(z轴方向)垂直的方向(x轴方向)延伸的发光部，为调节光量，所述第1倾斜面的倾斜起点可以高于所述第2倾斜面的倾斜起点。

根据一个实施例，所述隔离壁80可以是厚度d大于0mm且小于等于200mm，第1-1 主弯曲部33a与第1-2主弯曲部34a之间接点的高度到隔离壁下端部高度的y轴方向距离 L1大于0mm且小于等于300mm，第1-1主弯曲部33a与第1-2主弯曲部34a之间接点的高度到第1倾斜起点高度的y轴方向距离L2大于0mm且小于等于300mm，第1-1主弯曲部33a与第1-2主弯曲部34a之间接点的高度到第2倾斜起点高度的y轴方向距离L3 大于0mm且小于等于180mm，第1倾斜面的角度θ1大于0度小于180度，第2倾斜面的角度θ2大于0度小于180度的结构。此处，可以构成L1>L2>L3的关系。

另外根据一个实施例，所述第1倾斜面的倾斜起点可以低于所述第2倾斜面的倾斜起点或位于相同高度上。

以上参见图20及图21说明了使发光部的方向垂直以最小化基于适配器所占空间的隔离壁厚度的大面积光烧结装置及发光部方向垂直时隔离壁的设计结构。

以下，参见图22说明根据本实用新型一个实施例的卷对卷工序。

图22为用于说明根据本实用新型一个实施例的卷对卷工序的示意图，图23为用于说明根据本实用新型一个实施例的用于卷对卷工序的光强度的示意图，图24为用于说明根据本实用新型一个实施例的用于卷对卷工序的光强度的另一示意图。

参见图22，形成有被处理物的基板S为了卷对卷工序而进入第2发光部20的下侧区域并经过所述第1发光部10的下侧区域后向所述第3发光部22下侧区域前进。换而言之，所述形成有被处理物的基板S可以从左侧反射壁的下侧进入并向右侧反射壁的下侧前进。

所述形成有被处理物的基板S移动的过程中可先照射到所述第2发光部20的光，之后照射到第1发光部10的光，之后照射到第3发光部22的光。从其他角度来讲，从所述第2发光部20照射的光在所述基板S进入所述第2发光部20的下侧的区域照射到基板的光能够多于在向所述第3发光部22的下侧前进的区域照射到基板的光。并且，从所述第3发光部22照射的光在所述基板S向所述第3发光部30的下侧前进的区域照射到基板的光能够多于在进入所述第2发光部20的下侧的区域照射到基板的光。并且，从所述第1发光部10照射的光在所述基板S进入所述第2发光部20的下侧并经过所述第1 发光部10的下侧后通过所述第3发光部22的下侧出去期间，能够均匀地照射到基板S。

例如，可以使第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22中至少一个发光部由氙灯构成。即，可以使第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22中一个至三个发光部全部由氙灯构成。并且，可以使所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部 22中至少一个发光部由氙灯构成，不是氙灯的发光部由红外线灯或紫外线灯构成。

此处，关于所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22光源的种类及光的强度，可以根据照射到移动的基板的表面的光的强度采用多种方式。即，可以根据第1 特性、第2特性、第3特性确定所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22的光源种类及光强度，其中第1特性是指从所述第2发光部发出并照射到所述基板的光的强度随着所述形成有被处理物的基板进入所述第2发光部的下侧区域并经过所述第1发光部的下侧后向所述第3发光部的下侧区域前进而减小，第2特性是指从所述第3发光部发出并照射到所述基板的光的强度随着所述形成有被处理物的基板进入所述第2发光部的下侧区域并经过所述第1发光部的下侧后向所述第3发光部的下侧区域前进而增大，第3特性是指从第1发光部发出并照射到所述基板的光的强度无论基板是否移动都相同。

根据一个实施例，可以使得照射到所述第2发光部20与所述第1发光部10之间的基板的烧结光强度小于照射到所述第1发光部10与所述第3发光部22之间的基板的烧结光强度。可以使得所述形成有被处理物的基板S进入时主要照射用于干燥被处理物的光源，之后主要照射用于光烧结被处理物的光源。

作为一个例子，所述第2发光部20可以由紫外线灯或红外线灯构成，为便于说明而假设为紫外线灯。所述第1发光部10及所述第3发光部22可以由氙灯构成。特别地，可以使比所述第1发光部10更靠近基板移出路径的第3发光部氙灯的射出光强度更大。这种情况下，所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22射出的光可以具有如图23所示的强度。

参见图23，形成有被处理物的基板S进入光烧结装置的情况下，基板S表面上主要照射到的是紫外线灯光而不是氙灯光。因此，印刷于基板的被处理物内的高分子连接键断开，被处理物内的粘结剂等物质被去除，从而能够形成适于光烧结的状态。之后，基板随着向+x轴方向移动而被照射从第1发光部10射出的氙灯光。随着继续向x轴方向移动，主要被照射从第3发光部22照射的氙灯光。即，形成有被处理物的基板在初期被照射紫外线灯光，之后逐渐地被照射更大的氙灯光。

如上，由于在充分干燥金属纳米油墨后烧结金属纳米油墨，因此光烧结效率上升。若在金属纳米油墨未充分干燥的状态下照射高强度的氙灯光，金属纳米油墨中的粘结剂开裂而导致不良。而像本实用新型的一个实施例一样在基板移动的过程中照射紫外线光、弱氙灯光、强氙灯光的情况下，不仅能够促使充分干燥，还能够提高光烧结稳定性。

又例如，可以使所述第2发光部20及所述第3发光部22由氙灯构成。特别地，可以使比所述第2发光部20更靠近基板移出路径的第3发光部22氙灯的射出光强度更大。可以使所述第1发光部10由红外线灯或紫外线灯构成。以下为了便于说明而假设所述第 1发光部10由紫外线灯构成。这种情况下，所述第1发光部10、第2发光部20及第3 发光部22发出的光可以具有如图24所示的强度。

参见图24，形成有被处理物的基板S从进入光烧结装置到出来，通过第1发光部10照射到均匀强度的紫外线光。因此，印刷于基板的被处理物内的高分子连接键断开，被处理物内的粘结剂等物质被去除，从而能够诱导形成适于光烧结的状态。并且，形成有被处理物的基板S进入光烧结装置的情况下，被所述第2发光部20照射弱强度的氙灯光，随着形成有被处理物的基板S沿x轴方向移动而逐渐地从所述第3发光部30照射到强度更大的氙灯光。

因此，能够一直执行金属纳米油墨干燥工序，可以根据金属纳米油墨干燥程度而向基板照射弱强度的氙灯光到高强度的氙灯光。因此能够充分确保金属纳米油墨的干燥程度，能够提高光烧结稳定性。

以下参见图25说明根据又一实施例的用于卷对卷工序的光烧结装置。图25用于说明根据本实用新型另一实施例的光烧结装置，是对应于图2中A-A'线的剖面的示意图。

将要参见图25说明的光烧结装置可包括反射罩及反射壁、第1发光部至第3发光部。由于以上已经参见图2对这些构成进行了说明，因此省略具体说明。以下以具有区别的构成即滤光器为中心进行说明。

参见图25说明的光烧结装置可包括滤光器60，所述滤光器60的透过度沿着形成有被处理物的基板通过卷对卷工序进入进出的路径逐渐增大。即，所述滤光器60可以是透过度从左侧反射壁向右侧反射壁逐渐增大的结构。

为此，可以使所述滤光器60的透过度通过厚度沿着形成有被处理物的基板S进入光烧结装置并出去的方向逐渐变薄的结构逐渐增大。或者，可以使所述滤光器60的上面或下面还包括光学膜，光学膜的透过度沿着形成有被处理物的基板移动的方向增大。

这种情况下，无论所述第1发光部10、第2发光部20及第3发光部22光的强度如何，滤光器60使得向形成有被处理物的基板S照射的光强度增大。例如，参见图23说明的实施例说明了第1发光部10照射弱强度的氙灯光、第3发光部22照射高强度的氙灯光。而根据参见图25说明的实施例，即使使第1发光部10及第3发光部22照射相同强度的氙灯光，所述滤光器60仍会使得随着形成有被处理物的基板S向+x轴方向移动而逐渐被照射更大的光。

根据一个实施例，参见图25说明的实施例中，可以使第1发光部10及第3发光部 22由氙灯形成，第2发光部20由紫外线灯或红外线灯构成。或者，可以使第1发光部 10由紫外线灯或红外线灯构成，第2发光部20及第3发光部22由氙灯构成。此处，可以使由氙灯构成的发光部照射相同强度的光。以下为了便于说明，假设第1发光部10及第3发光部22由氙灯形成，第2发光部20由紫外线灯或红外线灯构成。

另外，参见图25说明的实施例可以结合到参见图23说明的实施例或参见图24说明的实施例。例如，可以使滤光器的透过度沿着基板的移动方向增大，第2发光部20照射紫外线或紫外线光，第1发光部10照射弱强度的氙灯光，第3发光部22照射高强度的氙灯光。又例如，可以使滤光器的透过度沿着基板的移动方向增大，第1发光部10照射紫外线或红外线光，第2发光部20照射弱强度的氙灯光，第3发光部22照射高强度的氙灯光。

图26为根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的分解立体图。

参见图26，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置可包括向被处理物1上面方向反射从上端发光部10a、20a射出的光的上端反射罩30a及上端反射壁40a。并且，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置可包括向被处理物1下面方向反射下端发光部10b、20b射出的光的下端反射罩30b及下端反射壁40b。

并且，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置可包括位于所述上端反射罩30a及上端反射壁40a外侧的上端外壳70a与位于所述下端反射罩30b及下端反射壁40b外侧的下端外壳70b。

根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括固定印刷有被处理物1的基板 S的固定部50。此处，固定部50固定被处理物1，可以将被处理物1配置在从上端反射壁40a的末端即上端反射壁40a的最下端向下相隔预定间隔且从下端反射壁40b的末端即下端反射壁40b的最下端向上相隔预定间隔的位置。作为一个例子，所述固定部50在所述被处理物1被烧结期间可以保持固定，或者可以起到移动式固定部的功能使得所述被处理物1在以卷对卷(roll to roll)方式移动的过程中被烧结。由于以上已经说明了以卷对卷方式移动的过程中烧结的方法，因此省略重复说明。

上端发光部10a、20a可以位于被处理物1的上端起到向形成有被处理物1的基板上面发光的功能，所述下端发光部10b、20b可以位于被处理物1的下端起到向形成有被处理物1的基板的下面发光的功能。

所述上端发光部10a、20a及所述下端发光部10b、20b可以是氙灯、红外线灯、紫外线灯中任意一种。氙灯是通过在氙气内发生的放电发光的灯，可以发生具有60nm至 2.5mm之间的宽波段的光谱的超短波白色光烧结被处理物1。被处理物为金属纳米油墨的情况下，紫外线灯的紫外线光断开连接油墨内高分子的连接键，因此能够提高烧结效率。另外，红外线灯能够起到干燥被处理物的功能。

根据一个实施例，构成所述第1上端发光部10a、第2上端发光部20a、第1下端发光部10b及第2下端发光部20b的光源可以以各种方式组合。

并且，根据一个实施例，所述第1上端发光部10a与所述第2上端发光部20a可以由不同种类的光源构成。例如，可以使构成所述上端发光部的第1上端发光部10a为氙灯，构成所述上端发光部的第2上端发光部20a为红外线灯。或者，可以使构成所述上端发光部的第1上端发光部10a为氙灯，构成所述上端发光部的第2上端发光部20a为紫外线灯。后续将说明构成下端发光部的第1下端发光部10b及第2下端发光部20b的光源。

所述上端反射罩30a及所述上端反射壁40a可以是用于向所述被处理物1的上面方向反射从所述上端发光部10a、20a射出的光的构件。并且，所述下端反射罩30b及所述下端反射壁40b可以是用于向所述被处理物1的下面方向反射从所述下端发光部10b、20b 射出的光的构件。后续将对这些构件进行具体说明。

所述上端外壳70a可以罩住所述上端反射罩30a及所述上端反射壁40a中至少一个。所述上端外壳70a包围所述上端反射罩30a的上部面及所述上端反射壁40a的外面，可以保护所述上端反射罩30a及所述上端反射壁40a以免受到外部冲击。同样，所述下端外壳70b可以包围所述下端反射罩30b及所述下端反射罩40b的外面保护所述下端反射罩30b 及所述下端反射罩40b以免受到外部冲击。

根据本实用新型第1实施例的光烧结装置还可以包括控制向被处理物1照射的光的上端滤光器60a及下端滤光器60b。所述上端滤光器60a可设置在所述上端发光部10a、20a与被处理物1的上面之间，所述下端滤光器60b可设置在所述下端发光部10b、20b 与被处理物1的下面之间。

此处，可以通过所述上端滤光器60a固定上端反射壁40a，例如，可以在一对上端反射壁40a的内面形成用于滤光器60a滑动的滑槽将滤光器60a设置成可拆卸状。近似地，可以将所述下端滤光器60b滑动结合到一对下端反射壁40b之间。但并非滤光器60a、60b 必须固定或以滑动方式安装拆卸于反射壁40a、40b。后续将说明滤光器的具体功能。

以上简要说明了根据本实用新型一个实施例的光烧结装置。以下参见图27详述根据本实用新型一个实施例的光烧结装置的上端反射罩30a及上端反射壁40a。

图27用于说明根据本实用新型又一实施例的上端反射罩及上端反射壁，是沿图26中A-A'线的剖面图。

参见图27，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置的上端反射罩30a及上端反射壁40a可以提供使上述发光部10a、20a射出的光均匀地反射到所述被处理物1上面的反射面。

为此，所述上端反射罩30a可包括第1上端主弯曲部33a及第2上端主弯曲部34a。

所述第1上端主弯曲部33a配置在向形成有被处理物1的基板S发光的第1上端发光部10a所在位置的左上侧，具有向上鼓起的形状(+y方向)，可以向所述被处理物1 上面方向反射从所述第1上端发光部10a射出的光。并且，所述第1上端主弯曲部33a 可以是以所述第1上端主弯曲部33a的中心a2为基准对称的结构。

所述第2上端主弯曲部34a配置在向被处理物1发光的第1上端发光部10a所在位置的右上侧，具有向上鼓起的形状(+y方向)，可以向所述被处理物1上面方向反射从所述第1上端发光部10a射出的光。并且，所述第2上端主弯曲部34a可以是以所述第2 上端主弯曲部34a的中心b2为基准对称的结构。

此处，所述第1上端主弯曲部33a的弦a1与所述第2上端主弯曲部34a的弦b1可以位于同一线上。

并且，所述第1上端主弯曲部33a的右侧端部与所述第2上端主弯曲部34a的左侧端部形成接点，从所述接点延伸到所述第1上端发光部10a的长度方向剖面中心的线(line，C：以下称为中心线)可以相对于所述形成有被处理物的基板垂直。

根据一个实施例，所述第1上端发光部10a可以配置在从第1上端主弯曲部33a的右侧端部与所述第2上端主弯曲部34a的左侧端部构成的接点向下侧相隔预定距离L1的位置。

因此，包括所述第1上端主弯曲部33a及所述第2上端主弯曲部33b的上端反射罩30a可以提供使所述第1上端发光部10a射出的光以均匀的强度到达所述形成有被处理物 1的基板S表面的反射面。

不同于本实用新型第1实施例的反射罩，当在具有一个圆弧形状的反射罩下方配置发光部的情况下，从发光部直接射向被处理物的表面的光与从发光部发出并被反射罩反射而向被处理物表面射出的光重叠。因此，现有技术具有被处理物中心部的光强度高于被处理物周边部光强度的问题。

而根据本实用新型的实施例，第1上端发光部10a位于第1上端主弯曲部33a与第2上端主弯曲部34a相接的接点下方，从而能够减小从第1上端发光部10a发出并被反射罩反射而向被处理物1表面照射的光的强度。因此，根据本实用新型的第1实施例，能够提供被处理物中心部的光强度与被处理物周边部光强度均匀的效果。

并且，根据本实用新型一个实施例的上端反射罩30a还可以包括用于提高向被处理物1照射的光的均匀度的第1上端辅助弯曲部35a及第2上端辅助弯曲部36a。

上端辅助弯曲部35a、36a如同上端主弯曲部33a、34a，具有从上端反射罩30a的下部面向上凹陷的弯曲形状，其一端可分别与上端主弯曲部33a，34a的另一端相接。更具体地，所述第1上端辅助弯曲部35a可以从所述第1上端主弯曲部33a的左侧端部延伸成向上鼓起，所述第2上端辅助弯曲部36a可以从所述第2上端主弯曲部34a的右侧端部延伸成向上鼓起。

根据一个实施例，所述第1上端主弯曲部33a与所述第1上端辅助弯曲部35a可以以所述中心线C为基准与所述第2上端主弯曲部34a与所述第2上端辅助弯曲部36a对称。

可以在所述第1上端辅助弯曲部35a及第2上端辅助弯曲部36a下侧配置第2上端发光部20a。此处，所述第1上端辅助弯曲部35a及所述第2上端辅助弯曲部36a可以配置成包围所述第2上端发光部20a的至少一部分。

分别位于所述第1上端辅助弯曲部35a及第2上端辅助弯曲部36a下侧的第2上端发光部20a可以以所述中心线C为基准对称。

根据一个实施例，所述第2上端发光部20a可以位于比所述第1上端发光部10a靠上的+y方向上。

所述上端反射罩30a可以由金、银、铝、铁等多种金属及陶瓷、氧化铝等非金属材料中任意一种或两种以上混合制成。此处，并非所述上端反射罩30a本身必须由这些材料制成，可以将这些材料中任意一种或两种以上混合而成的混合物涂布到上端反射罩30a 的下部面制成。

另外，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置还可以包括向所述被处理物1的表面反射从所述第1上端发光部10a及所述第2上端发光部20a发出的光的上端反射壁40a。

所述上端反射壁40a也可以由金、银、铝、铁等多种金属及陶瓷、氧化铝等非金属材料中任意一种或两种以上混合制成。此处，并非反射壁40a本身必须由这些材料制成，可以将这些材料中任意一种或两种以上混合而成的混合物涂布到反射壁40a的下部面制成。

并且，可以在所述上端反射罩30a与基板S之间设置上端滤光器60a。所述上端滤光器60a可以由选择性地只许特定光谱透过的过滤器或石英构成。以下为了便于说明而假设所述上端滤光器60a为石英。

以上参见图27说明了上端反射罩及上端反射壁。以下参见图28及图29说明根据本实用新型一个实施例的上端反射罩与上端反射壁的性能。

图28为适用参见图27说明的反射罩时到达被处理物的第1上端发光部光的强度的坐标图，图29为适用参见图27说明的反射罩时到达被处理物的第2上端发光部光的强度的坐标图。

如图28所示，可以得知根据本实用新型一个实施例的第1上端发光部发出的光的强度均匀地分布于基板表面。作为参考，图28中(a)是显示第1上端发光部发出的光的强度的三维坐标图，图28中(b)是向y轴方向观察的二维数据，由此可知整个面积上的光强度均匀。

继续参见图29，本实施例的第2上端发光部发出的光的强度在基板表面上的分布是均匀的。作为参考，图29中(a)是显示第2上端发光部的光的强度的三维坐标图，图 29中(b)是向y轴方向观察的二维数据。

即，可知通过根据本实用新型一个实施例的上端反射罩30a及上端反射壁40a的结构特征，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置能够向被处理物的整个表面提供均匀强度的光。

以下参见图30说明根据本实用新型实施例的上端反射罩及下端反射罩。

图30为用于说明根据本实用新型又一实施例的上端反射罩及下端反射罩的示意图。

参见图30，根据本实用新型实施例的上端反射罩可以适用于以上参见图26及27说明的光烧结装置。以下端反射罩为中心进行说明。

下端反射罩30b可以是以x轴为中心与所述上端反射罩30a对称的形状。具体地，所述下端反射罩30b可包括向下侧鼓起的第1下端主反射罩33b、第2下端主反射罩34b，进一步地，还可以包括向下侧鼓起的第1下端辅助反射罩35b及第2下端辅助反射罩36b。即，所述第1下端主反射罩33b及所述第2下端主反射罩34b可以以基板S的长度方向为轴(x轴)分别与所述第1上端主反射罩33a及所述第2上端主反射罩34a对称，第1 下端辅助反射罩35b及第2下端辅助反射罩36b可以以基板S的长度方向为轴(x轴)分别与所述第1上端辅助反射罩35a及第2上端辅助反射罩36a对称。

并且，可以在所述基板S与所述下端反射罩30b内面之间配置下端发光部10b、20b。第1下端发光部10b及第2下端发光部20b也可以以基板的长度方向为轴(x轴)分别与第1上端发光部10a及第2上端发光部20a对称。即，所述第1下端发光部10b可以位于从所述第1下端主弯曲部33b与第2下端主弯曲部34b相接的接点向上侧相隔的位置。并且，第2下端发光部20b可以位于所述第2下端辅助弯曲部35b、36b的上侧。

所述下端反射罩30b也可以包括向所述基板延伸的下端反射壁40b。

并且，根据一个实施例，可以在所述下端反射罩30b与基板S之间配置下端滤光器60b。所述下端滤光器60b例如可以由石英、金属板、选择性地透过特定光谱的过滤器中至少一个构成。本实施例假设所述下端滤光器60b为金属板。

由金属板构成的所述下端滤光器60b可以与所述下端反射罩30b及所述下端反射壁 40b形成内部空间。此处，可以使所述下端滤光器60b、所述下端反射罩30b及所述下端反射壁40b形成的内部空间为真空状态。可以将本说明书中所述的真空状态理解为包括低真空状态的概念。并且，关于本说明书中所述的真空状态，不仅可以理解为低真空，还可以更广义地理解为压力低于形成有被处理物的基板接受处理的周围压力的概念。

并且，由金属板构成的所述下端滤光器60b可包括至少一个微孔h。

因此，上面形成有金属纳米油墨的基板S位于由金属板构成的所述下端滤光器60b上的情况下，因压力差而通过微孔向所述下端滤光器60b方向对基板S提供吸附力v，因此基板S能够紧密附着固定于所述下端滤光器60b的表面上。因此，能够提供防止基板S 在工序过程中发生扭曲的效果。

并且，所述下端发光部10b、20b可以加热由所述金属板构成的所述下端滤光器60b。此处，通过下端反射罩30b的形状，从所述下端发光部10b、20b发出的光可以以均匀的光度照射到由所述金属板构成的所述下端滤光器60b下面。因此，所述下端滤光器60b 被所述下端发光部10b、20b加热，因此能够加热配置在所述下端滤光器60b上面的所述基板S。因此，光烧结工序时能够提供适宜的烧结温度。为加热所述下端滤光器60b，可以使所述下端发光部10b、20b中至少一个发光部由红外线灯构成。

根据一个实施例，可以使第1上端发光部10a由氙灯构成，第2上端发光部20b由红外线灯或紫外线灯构成。或者，可以使第1上端发光部10a由红外线灯或紫外线灯构成，第2上端发光部20b由氙灯构成。或者，可以使第1上端发光部10a及第2上端发光部20a全部由氙灯构成。

根据参见图30说明的光烧结装置，可通过下端发光部干燥被处理物，可以在干燥步骤结束后或与干燥步骤同时通过上端发光部烧结被处理物。如上，由于能够以在光烧结装置一起进行金属纳米油墨干燥及烧结工序，因此不仅能够提高便利性，而且还能够防止干燥后烧结工序开始前发生的基板冷却导致基板扭曲。

以下，参见图31说明根据又一实施例的下端滤光器。

图31为用于说明根据本实用新型又一实施例的下端滤光器的示意图。参见图31，下端反射罩可具有与参见图30说明的下端反射罩相同的形状。在说明图31方面，以区别于参见图30说明的光烧结装置的构件即下端滤光器为中心进行说明。

图31所示的下端滤光器60b可以由具有反射率的金属板构成。此处，不同于图30所示的金属板，图31所示的下端滤光器60b可以不包括微孔。

因此，形成有被处理物的基板的下面可以在与所述下端滤光器60b向y轴方向相隔的状态下被照射光。这种情况下，所述上端发光部10a、20a发出的光可以被由所述金属板构成的下端滤光器60b表面反射而照射到基板S的下面。因此，基板S的上面形成有被处理物1a且基板S的下面也形成有被处理物1b的情况下两个方向能够同时烧结，因此能够提高光烧结效率。

并且，所述第1下端发光部10b及第2下端发光部20b由红外线灯构成的情况下，能够加热由金属板构成的所述下端滤光器60b，因此如上所述，显然能够干燥基板S的被处理物1a、1b。

此处，如以上参见图30所述说明，可以使第1上端发光部10a由氙灯构成，第2上端发光部20b由红外线灯或紫外线灯构成。或者，可以使第1上端发光部10a由红外线灯或紫外线灯构成，第2上端发光部20b由氙灯构成。或者，可以使第1上端发光部10a 及第2上端发光部20a均由氙灯构成。

根据参见图31说明的光烧结装置，可通过下端发光部干燥被处理物，可以在干燥步骤结束后或在干燥步骤的同时通过上端发光部同时烧结形成有被处理物的基板的上面及下面。因此，不仅能够在光烧结装置内同时执行金属纳米油墨干燥及烧结工序，还可以同时烧结基板的上面及下面，因此能够提高光烧结效率。

以下参见图32说明又一实施例的下端滤光器。

图32为用于说明根据本实用新型又一实施例的下端滤光器的示意图。参见图32，下端反射罩可以是与参见图30说明的下端反射罩相同的形状。在说明图32方面，以区别于参见图30说明的光烧结装置的构成为中心进行说明。

图32所示的下端滤光器60b可以由与上端滤光器60a相同的石英形成。因此，从所述上端发光部10a、20b发出的光经过所述上端滤光器60a照射到基板S的上面，从所述下端发光部10b、20b发出的光可以经过所述下端滤光器60b照射到基板S的下面。

根据一个实施例，所述第1上端发光部10a与第2上端发光部10b可以由氙灯构成。这种情况下，所述第1上端发光部10a与所述第1下端发光部10b可分别同时烧结基板S 上面的被处理物1a与下面的被处理物1b。例如如图32所示，用油墨在基板S的通路孔 (viahole)形成厚插塞(plug)的情况下也能够在上面及下面同时进行光烧结，因此能够提高光烧结的烧结深度。

并且，根据一个实施例所述第2上端发光部20a与第2下端发光部20b可以由不同的光源构成。例如，可以使所述第2上端发光部20a为红外线灯，所述第2下端发光部 20b为紫外线灯。这种情况下，所述第2上端发光部20a能够干燥被处理物，第2下端发光部20b能够断开连接被处理物内高分子的连接键，因此能够提高光烧结效率。

并且，根据其他实施例，可以使上端发光部的氙灯与下端发光部的氙灯位于彼此互补的位置。例如，可以使所述第1上端发光部10a由氙灯构成，所述第2下端发光部20b 由氙灯构成。因此，所述第1上端发光部10a与所述第2下端发光部20b向所述基板S 照射光，从而能够互补地提高光均匀度。这种情况下，可以使所述第2上端发光部20a 由红外线灯构成，所述第1下端发光部10b由紫外线灯构成。或者，显然也可以使所述第2上端发光部20a由紫外线灯构成，所述第1下端发光部10a由红外线灯构成。

参见图32说明的实施例可以像以上参见图30说明的实施例一样结合有通过真空吸附基板的构成。

为此，参见图32说明的实施例的下端滤光器60b可以由至少两个副下端滤光器构成。例如，所述下端滤光器60b可包括第1下端滤光器及沿着y方向位于所述第1下端滤光器的下侧的第2下端滤光器。

此处如上所述，所述第1下端滤光器可以由石英构成。并且，所述第1下端滤光器可以如参见图30所述说明一样包括微孔。另外，所述第2下端滤光器可以由使光透过的过滤器构成。

并且，可以使由下端滤光器、下端反射罩、下端反射壁形成的内部空间为真空状态。这种情况下，基板能够通过基板周围压力与内部空间之间的压力差紧密地附着到所述第1 下端滤光器上面上。换而言之，通过微孔向基板提供吸附力，因此基板能够紧密附着固定于第1下端滤光器的表面上。形成于所述第1下端滤光器的微孔和所述第1下端滤光器与所述第2下端滤光器之间的y轴方向相隔空间可以用作提供吸附力的空气通道。

并且，所述第1下端滤光器上形成有微孔的情况下，具有从下端发光部射出的光通过微孔直接照射到被处理物的隐患。但由于所述第2下端滤光器过滤从下端发光部发出的光，因此能够防止光通过微孔直接照射到被处理物。

以上参见图32说明了根据本实用新型又一实施例的滤光器与发光部的构成。

图33为根据本实用新型实施例的导电膜形成方法的流程图。

如图33所示，根据本实用新型实施例的导电膜形成方法是利用上述光烧结装置的导电膜形成方法，包括(a)印刷作为被处理物的金属纳米油墨的步骤S100、(b)采用红外线灯作为第2灯照射红外线光照射印刷的金属纳米油墨的步骤S200及(c)采用氙灯作为第1灯照射白色光烧结经过干燥的金属纳米油墨的步骤S300，烧结是单脉冲烧结、多脉冲烧结或通过多脉冲预热后通过单脉冲烧结的两步(2step)烧结。

本实施例的导电膜形成方法利用上述本实用新型的光烧结装置，包括印刷金属纳米油墨的步骤S100、干燥金属纳米油墨的步骤S200及烧结金属纳米油墨的步骤S300。

在印刷金属纳米油墨的步骤S100，金属纳米油墨通过印刷图案化于基板、塑料、膜、纸、玻璃等。

印刷完金属纳米油墨后执行干燥金属纳米油墨的步骤S200，此处，采用红外线灯作为第2灯照射红外线光进行干燥。

在烧结金属纳米油墨的步骤S300，采用氙灯作为第1灯照射白色光烧结经过干燥的金属纳米油墨。此处，照射白色光进行烧结是是指照射一个脉冲的单脉冲烧结、将白色光的能量分为多个脉冲照射的多脉冲烧结或通过多脉冲预热后通过单脉冲烧结的两步(2step)烧结。在这种烧结步骤S300，可以关闭由红外线灯构成的第2灯。但并非必须关闭第2灯，可以再包括干燥步骤S200后将第2灯从红外线灯替换为紫外线灯的步骤，在烧结步骤S300同时用紫外线光和白色光复合照射。此处，两步烧结的情况下，预热或烧结过程中任意一个步骤时可以关闭紫外线灯。

图34为根据本实用新型另一实施例的导电膜形成方法的流程图，图35为根据本实用新型另一实施例的导电膜形成方法中第1灯及第2灯的光强度的坐标图。

如图34所示，本实施例的导电膜形成方法是利用上述光烧结装置的导电膜形成方法，包括(a)印刷作为被处理物的金属纳米油墨的步骤S1000、(b)采用红外线灯作为第2 灯照射红外线光干燥印刷的金属纳米油墨的步骤S2000及(c)将第2灯从发红外线灯替换为氙灯照射白色光烧结经过干燥的金属纳米油墨的步骤S3000，烧结是单脉冲烧结、多脉冲烧结或通过多脉冲预热后通过单脉冲烧结的两步(2step)烧结。

本实施例的导电膜形成方法像上述导电膜形成方法一样包括印刷金属纳米油墨的步骤S1000、干燥金属纳米油墨的步骤S2000、烧结金属纳米油墨的步骤S3000。

此处，印刷金属纳米油墨并干燥的步骤S1000、S2000及烧结是与上述导电膜形成方法相同的，因此省略具体说明或简单说明，以区别点为中心具体说明。关于本实施例的烧结金属纳米油墨的步骤S3000，将第2灯从红外线灯替换为氙灯进行烧结。此处，可以采用紫外线灯作为第1灯，用紫外线光和白色光复合照射。并且，两步烧结的情况下，可以在预热或烧结过程中任意一个过程关闭紫外线灯。

另外，本实施例的导电膜形成方法中烧结金属纳米油墨的步骤S3000可以采用氙灯作为第1灯。因此，用第1灯的白色光与第2灯或/及第3灯的白色光同时照射，此处，第1灯的白色光频率(frequency)与第2灯的频率可以互异。

如图35所示，第1灯与第2灯/第3灯中任意一个的发光部(发光部1)与另一个的发光部(发光部2)同时照射不同频率的白色光时，当经过预定时间的情况下两个白色光相互重叠形成叠加脉冲(overlappedpulse)。此处，叠加脉冲的能量大于发光部1及发光部2照射的各白色光的能量，其波形接近阶梯形态。通常，需要控制主能量发生器的电子信号才能形成阶梯形态的脉冲，就本实施例的导电膜形成方法来讲，不需要控制能量，利用反射罩即可形成阶梯形态的脉冲。利用如上形成的阶梯形态的脉冲波形进行烧结以防止金属油墨的导电性及印刷的膜发生扭曲。

又例如，利用参见图14至图21说明的光烧结装置的情况下，可以在被处理物印刷于基板后通过第1-2发光部20a及第2-2发光部20b向形成有被处理物的基板照射红外线灯光干燥被处理物。之后，可以通过第1-1发光部10a及第2-1发光部10b向形成有被处理物的基板照射氙灯光烧结被处理物。此处如以上所述说明，本实用新型的实施例提供的隔离壁结构使得隔离壁下部也能够被照射强度均匀的光。

另外，利用根据本实用新型另一实施例的光烧结装置的导电膜形成方法还可以适用于卷对卷工序。例如，印刷有被处理物的基板从左侧反射壁向右侧反射壁移动的情况下(向+x轴方向移动)也能够通过红外线灯干燥被处理物，通过氙灯烧结被处理物。

又例如，利用参见图30说明的光烧结装置的情况下，可以在被处理物印刷于基板后通过设置于下端发光部的红外线灯加热由金属板构成的下端滤光器以干燥金属纳米油墨。并且，设置于上端发光部的氙灯能够烧结金属纳米油墨。特别地，参见图30说明的光烧结装置能够在下端部形成真空状态，因此在基板S紧密附着于下端滤光器的状态下进行烧结工序，能够消除基板S扭曲的问题。

并且，例如，利用参见图31说明的光烧结装置的情况下，可以在被处理物印刷于基板后通过设置于下端发光部的红外线灯加热由金属板构成的下端滤光器，干燥金属纳米油墨。并且，设置于上端发光部的氙灯能够烧结金属纳米油墨。特别地，参见图26说明的光烧结装置不仅能够在基板S的上面进行光烧结，还能够在下面进行光烧结，因此能够提高光烧结效率。

并且，例如，利用参见图32说明的光烧结装置的情况下，可以被处理物印刷于基板后通过设置于上端发光部及下端发光部中至少一个的红外线灯加热基板，干燥被处理物。并且，能够通过设置于上端发光部及下端发光部中至少一个的氙灯烧结被处理物。特别地，参见图32说明的光烧结装置不仅能够在基板S的上面进行光烧结，还能够在下面通过下端发光部发出的氙灯光进行光烧结，因此能够提高光烧结效率。并且，参见图32说明的光烧结装置通过紫外线灯发出的光断开金属纳米油墨内高分子的连接键，因此能够提高光烧结效率。

另外，利用根据本实用新型实施例的光烧结装置的导电膜形成方法还能够适用于卷对卷工序。例如，印刷有被处理物1的基板S从左侧反射壁向右侧反射壁移动的情况下，上端发光部及下端发光部可以协作对基板的上面及下面执行光烧结工序。

图36为根据本实用新型又一实施例的光烧结装置的剖面图。图1至图35的光烧结装置以反射罩的下部面包括主弯曲部33、34与辅助弯曲部35、36为中心进行了说明。

而根据本实用新型的又一实施例，光烧结装置的反射罩30的下部面可以只包括一对主弯曲部33、34。以下省略说明与参见图1至图35说明的光烧结装置相同的结构，只对不同的结构进行说明。即，以下只对反射罩30的下部面结构进行说明。

一对主弯曲部33、34的一端分别与中心线C相接而彼此相接触，以中心线C为基准左右对称地形成于反射罩30下部面的左右。

更具体地，第1主弯曲部33配置在向形成有被处理物1的基板S发光的第1发光部10所在位置的左上侧，具有向上鼓起的形状(+y方向)，可以向被处理物上面方向反射从第1发光部10射出的光。

并且，第1主弯曲部33可以是以第1主弯曲部33的中心a2为基准左右对称的结构。

第2主弯曲部34配置在向被处理物1发光的第1发光部10所在位置的右上侧，具有向上鼓起的形状(+y方向)，可以向被处理物上面方向反射从第1发光部10射出的光。

并且，第2主弯曲部34可以是以第2主弯曲部34的中心b2为基准左右对称的结构。

因此，第1主弯曲部33的弦a1与第2主弯曲部34的弦b1可以位于同一线上。

并且，第1主弯曲部33的右侧端部与第2主弯曲部34的左侧端部形成接点，从接点向第1发光部10的长度方向剖面中心延伸的中心线C可相对于形成有被处理物的基板垂直。

因此，根据本实用新型一个实施例的光烧结装置中的第1发光部10可以配置在从第 1主弯曲部33的右侧端部与第2主弯曲部34的左侧端部相遇的接点向下侧间隔预定距离的位置。即，第1发光部10可以配置在与第1主弯曲部33和第2主弯曲部34相接的反射罩30的下部面中心线C相隔预定距离的下侧位置。

因此，包括第1主弯曲部33及第2主弯曲部34的反射罩30可以提供使第1发光部 10射出的光中向上发散的光以均匀的强度到达形成有被处理物1的基板S表面的反射面。

上述本实用新型实施例是为了例示的目的而公开的，本实用新型一般技术人员可在本实用新型的思想与范围内进行多种修正、变更、附加，这种修正、变更及附加属于本实用新型的范围。

Claims (49)

1.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；以及

第2主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光。

2.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1发光部，其发散第1光；

一对第2发光部，其分别发散第2光，彼此相对配置，而且所述第1发光部配置在所述一对第2发光部之间；以及

反射罩，其下部面的中心部配置于所述第1发光部的上方，包括一对主弯曲部及一对辅助弯曲部，反射所述第1光及所述第2光中向上发散的光，其中所述一对主弯曲部分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过所述中心部的中心线为基准左右对称，所述一对主弯曲部的一端分别与所述中心线相接，所述一对辅助弯曲部分别具有向上弯曲的形状且一端分别与一对所述主弯曲部的另一端相接，配置于所述第2发光部的上方。

3.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1发光部及所述第2发光部分别是氙灯、红外线灯及紫外线灯中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1发光部及所述第2发光部的横截面的直径为100mm以下。

5.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：

从所述中心部到所述第1发光部的中心的垂直距离为100mm以下，

从所述中心部到所述第2发光部的中心的垂直距离为50mm以下。

6.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：

所述主弯曲部是圆弧半径为10～100mm的圆弧形状，

连接所述主弯曲部的两端的弦的长度为10～200mm。

7.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：

所述辅助弯曲部是圆弧半径为1～100mm的圆弧形状。

8.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

一对反射壁，是分别从所述辅助弯曲部的两端向下延伸的形状，反射所述第1光及所述第2光中至少一个光使得照射到被处理物。

9.根据权利要求8所述的光烧结装置，其特征在于：

所述反射壁的配置方向相对于所述主弯曲部或所述辅助弯曲部垂直，

从所述中心部到所述反射壁的末端的垂直距离为300mm以下。

10.根据权利要求8所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

固定部，其配置在与所述反射壁的末端相隔的下侧位置固定被处理物。

11.根据权利要求8所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

滤光器，其配置在比所述第1发光部、所述第2发光部靠下的位置。

12.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

一对主弯曲部，其下部面的中心部配置在照射光的第1发光部的上方，分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过所述中心部的中心线为基准左右对称，所述一对主弯曲部的一端分别与所述中心线相接；以及

一对辅助弯曲部，分别具有向上弯曲的形状且一端与所述一对主弯曲部的另一端相接，配置在照射光的第2发光部的上方。

13.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

中心弯曲部，其具有向上鼓起的形状；

一对主弯曲部，分别具有向上弯曲的形状且以所述中心弯曲部为基准左右对称，所述一对主弯曲部的一端分别与所述中心弯曲部的各一端相接；以及

一对辅助弯曲部，是从所述主弯曲部的左侧端部及右侧端部延伸且向上弯曲的形状。

14.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1中心弯曲部，其具有圆弧形状；

第2中心弯曲部，其与所述第1中心弯曲部相隔预定间隔且具有圆弧形状；

一对主弯曲部，是分别从所述第1中心弯曲部及所述第2中心弯曲部的一端延伸且向上弯曲的形状；以及

一对辅助弯曲部，是分别从所述一对主弯曲部的一端延伸且向上弯曲的形状。

15.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；

第2主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；以及

滤光器，其相隔地配置在与被处理物的上面，使所述第1发光部射出的光透过，

所述滤光器随着所述被处理物的厚度而具有不同的透过度。

16.根据权利要求15所述的光烧结装置，其特征在于：

所述滤光器的透过度中所述被处理物的厚度厚的区域的透过度高于所述被处理物的厚度薄的区域的透过度。

17.根据权利要求15所述的光烧结装置，其特征在于，所述滤光器还包括：

反射板，其向上侧反射所述第1发光部发出的光，

所述反射板的位置对应于未形成有所述被处理物的区域。

18.根据权利要求15所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

第1辅助弯曲部，其配置于第2发光部的上侧，是从所述第1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第2发光部射出的光中的一部分；以及

第2辅助弯曲部，其配置于第3发光部的上侧，是从所述第2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第3发光部射出的光中的一部分。

19.根据权利要求18所述的光烧结装置，其特征在于，所述滤光器包括：

高透过区域，其使所述第1发光部射出的光透过；

低透过区域，其能够阻断所述第2发光部与所述第3发光部射出的光中的一部分。

20.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；

第2主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射所述第1发光部射出的光中向上射出的光；

第1辅助弯曲部，其配置于第2发光部的上侧，是从所述第1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第2发光部射出的光中向上射出的光；以及

第2辅助弯曲部，其配置于第3发光部的上侧，是从所述第2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第3发光部射出的光中向上射出的光，

形成有被处理物的基板从所述第2发光部的下侧向所述第3发光部的下侧方向移动的情况下，照射到所述第2发光部与所述第1发光部之间的烧结光的强度小于照射到所述第1发光部与所述第3发光部之间的烧结光的强度。

21.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1主弯曲部，其配置于第1发光部的左上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；

第2主弯曲部，其配置于所述第1发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1发光部射出的光中向上射出的光；

第1辅助弯曲部，其配置于第2发光部的上侧，是从所述第1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第2发光部射出的光中向上射出的光；

第2辅助弯曲部，其配置于第3发光部的上侧，是从所述第2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，反射从所述第3发光部射出的光中向上射出的光；以及

滤光器，其位于配置有被处理物的基板的上侧，过滤从所述第1发光部至所述第3发光部射出的光，

所述基板从所述第2发光部的下侧向所述第3发光部的下侧方向移动的情况下，所述滤光器的透过度随着从所述第2发光部趋向所述第3发光部而增大。

22.根据权利要求20或21所述的光烧结装置，其特征在于：

从所述第2发光部射出的光的强度随着所述基板从所述第2发光部的下侧向所述第3发光部的下侧方向移动而减小。

23.根据权利要求20或21所述的光烧结装置，其特征在于：

从所述第3发光部射出的光的强度随着所述基板从所述第2发光部的下侧向所述第3发光部的下侧方向移动而增大。

24.根据权利要求20或21所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第2发光部为红外线灯或紫外线灯，所述第1发光部及所述第3发光部为氙灯的情况下，从所述第1发光部射出的光的强度小于从所述第3发光部射出的光的强度。

25.根据权利要求20或21所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第2发光部及所述第3发光部为氙灯，所述第1发光部为红外线灯或紫外线灯的情况下，从所述第2发光部射出的光的强度小于从所述第3发光部射出的光的强度。

26.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

上端反射罩，其包括第1上端主弯曲部及第2上端主弯曲部，其中所述第1上端主弯曲部配置于第1上端发光部的左上侧且具有向鼓起的形状，反射从所述第1上端发光部射出的光中向上射出的光，所述第2上端主弯曲部配置于所述第1上端发光部的右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1上端发光部射出的光中向上射出的光；

下端反射罩，其配置于第1下端发光部的下侧，反射从所述第1下端发光部射出的光中向下射出的光，

从所述第1上端主弯曲部的右侧端部与所述第2上端主弯曲部的左侧端部相接的接点向所述第1上端发光部的长度方向剖面中心延伸的中心线相对于配置有被处理物的基板垂直。

27.根据权利要求26所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

下端滤光器，其配置于所述基板与所述下端反射罩之间。

28.根据权利要求27所述的光烧结装置，其特征在于：

所述下端滤光器与所述下端反射罩之间的空间为真空。

29.根据权利要求27所述的光烧结装置，其特征在于：

所述下端滤光器形成有微孔。

30.根据权利要求27所述的光烧结装置，其特征在于：

所述下端滤光器包括第1下端滤光器与第2下端滤光器，

所述第2下端滤光器位于所述第1下端滤光器的下侧且与所述第1下端滤光器相隔。

31.根据权利要求27所述的光烧结装置，其特征在于：

所述下端滤光器由透明材料形成。

32.根据权利要求27所述的光烧结装置，其特征在于：

所述下端滤光器是向配置有所述被处理物的基板的下面反射第1下端发光部的光的反射板。

33.根据权利要求27所述的光烧结装置，其特征在于，所述上端反射罩还包括：

第1上端辅助弯曲部，是从所述第1上端主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状；以及

第2上端辅助弯曲部，是从所述第2上端主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状。

34.根据权利要求33所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

第2上端发光部，其位于所述第1上端辅助弯曲部及所述第2上端辅助弯曲部中至少一个的下侧，

所述第1上端发光部位于所述接点的下侧，

所述第1上端发光部及所述第2上端发光部射出的光的种类互异。

35.根据权利要求33所述的光烧结装置，其特征在于，所述下端反射罩包括：

第1下端主弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第1上端主弯曲部；

第2下端主弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第2上端主弯曲部；

第1下端辅助弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第1上端辅助弯曲部；以及

第2下端辅助弯曲部，其以配置有所述被处理物的基板为基准对称于所述第2上端辅助弯曲部。

36.根据权利要求35所述的光烧结装置，其特征在于，还包括：

第1下端发光部，其在所述第1下端主弯曲部的右侧端部与所述第2下端主弯曲部的左侧端部的接点朝向所述被处理物方向配置；以及

第2下端发光部，其位于所述第1下端辅助弯曲部及所述第2下端辅助弯曲部中至少一个的上侧。

37.根据权利要求36所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1上端发光部与所述第1下端发光部射出的光的种类互异。

38.根据权利要求36所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1下端发光部及所述第2下端发光部中至少一个加热所述下端滤光器。

39.根据权利要求26所述的光烧结装置，其特征在于：

同时烧结所述基板的上面与下面。

40.一种光烧结装置，其特征在于，包括：

第1反射罩，其包括配置于向第1长度方向延伸的第1-1发光部所在位置的左上侧及右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第1-1发光部射出的光中向上射出的光的第1-1主弯曲部与第1-2主弯曲部；

第2反射罩，其包括配置于向平行或交叉于所述第1长度方向的方向延伸的第2-1发光部所在位置的左上侧及右上侧且具有向上鼓起的形状，反射从所述第2-1发光部射出的光中向上射出的光的第2-1主弯曲部与第2-2主弯曲部；以及

隔离壁，其配置于所述第1反射罩与所述第2反射罩之间，具有上广下狭形状。

41.根据权利要求40所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1-1发光部及所述第2-1发光部还包括配置于其长度方向的一端的适配器，所述第1反射罩的第1-1发光部与所述第2反射罩的第2-1发光部彼此正交。

42.根据权利要求40所述的光烧结装置，其特征在于，所述隔离壁向所述第1长度方向延伸，并且包括：

第1倾斜面，其与所述第1-1发光部相邻；以及

第2倾斜面，其与所述第2-1发光部相邻，

所述隔离壁因所述第1倾斜面及第2倾斜面而具有上广下狭形状。

43.根据权利要求42所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1倾斜面的倾斜起始部的位置高于所述第2倾斜面的倾斜起始部。

44.根据权利要求42所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1倾斜面的倾斜起始部与所述第2倾斜面的倾斜起始部位于同一线上。

45.根据权利要求40所述的光烧结装置，其特征在于：

所述隔离壁为倒三角形状。

46.根据权利要求40所述的光烧结装置，其特征在于：

所述隔离壁的端部为上边宽且下边窄的倒梯形状。

47.根据权利要求40所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1-1主弯曲部与所述第1-2主弯曲部的弦和所述第2-1主弯曲部与所述第2-2主弯曲部的弦位于同一线上。

48.根据权利要求40所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1反射罩还包括：

第1-1辅助弯曲部，是从所述第1-1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状；以及

第1-2辅助弯曲部，是从第1-2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状，

所述第2反射罩包括：

第2-1辅助弯曲部，是从所述第2-1主弯曲部的左侧端部延伸且向上鼓起的形状；以及

第2-2辅助弯曲部，是从第2-2主弯曲部的右侧端部延伸且向上鼓起的形状。

49.根据权利要求48所述的光烧结装置，其特征在于：

所述第1-1发光部位于所述第1-1主弯曲部的右侧端部与所述第1-2主弯曲部的左侧端部形成的接点的下方，

所述第2-1发光部位于所述第2-1主弯曲部的右侧端部与所述第2-2主弯曲部的左侧端部形成的接点的下方，

所述光烧结装置还包括：

第1-2发光部，其位于第1-1辅助弯曲部及所述第1-2辅助弯曲部的下侧；以及

第2-2发光部，其位于第2-1辅助弯曲部及所述第2-2辅助弯曲部的下侧。