JP2013544951A - 焼結の間の迷光の低減 - Google Patents
焼結の間の迷光の低減 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013544951A JP2013544951A JP2013520862A JP2013520862A JP2013544951A JP 2013544951 A JP2013544951 A JP 2013544951A JP 2013520862 A JP2013520862 A JP 2013520862A JP 2013520862 A JP2013520862 A JP 2013520862A JP 2013544951 A JP2013544951 A JP 2013544951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- energy
- lamp
- sintering
- conveyor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002518 Polyallylamine hydrochloride Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N [(1r,2s,4r,5r)-3-hydroxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxy-6,8-dioxabicyclo[3.2.1]octan-2-yl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)O[C@H]1C(O)[C@@H](OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)[C@@H]2OC[C@H]1O2 NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- VEWLDLAARDMXSB-UHFFFAOYSA-N ethenyl sulfate;hydron Chemical compound OS(=O)(=O)OC=C VEWLDLAARDMXSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- AATHLPHPRXGBAI-UHFFFAOYSA-M sodium;4-ethenylbenzenesulfonate;hydrate Chemical compound O.[Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 AATHLPHPRXGBAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
導電性粒子焼結システムは、光遮断のためのコーティング、アパチャまたはシャッターを有し、放射源(例えば、閃光電球)からのエネルギーが焼結対象である加工対象物の所望の部分に到達する一方で、他の加工対象物および/または加工対象物の他の部分の部分的な焼結を回避するために、処理されている他の加工対象物および/または加工対象物の他の部分に迷光が到達するのを遮断することが可能になる。
【選択図】図3
【選択図】図3
Description
本出願は、仮出願シリアル番号第61/366,225号(出願日:2010年7月21日)の優先権を主張し、同文献は参考により本明細書に組み込まれる。
本開示は、焼結のためのシステムおよび方法に関し、詳細には金属粒子に関する。
微粒子による材料処理において、焼結は、金属粒子を加熱し、金属同士を結合させることによって、連続した金属膜が形成するプロセスである。焼結システムおよび方法は、高温を必要とする場合がある。基板上の金属を焼結する場合、高温が基板を損傷する可能性がある。ナノテクノロジーにより、基板上に形成された金属インクの焼結を、より大型の粒子の場合よりも低温で行うことが可能にしてきた。金属にはそれぞれ特定の溶融温度があり、粒子がナノメータサイズの金属であるナノ金属は、より低温で溶融することができる。パルス光および/または高強度連続光を用いた焼結システムは、従来の焼結システムで使用される場合よりも低温でナノ金属を相互結合させまた基板上に結合させることができる。
焼結は、多様な用途において用いられている(例えば、新興分野であるプリンテッドエレクトロニクス)。プリンテッドエレクトロニクスは、電気機能デバイス(例を非限定的に挙げると、点灯装置、バッテリー、超コンデンサ、および太陽電池)を印刷することを含む。電子デバイスを印刷することは、同様のデバイスを製造するための従来の方法よりも低コストかつ高効率となる。
特定の実施形態の特徴および利点を添付図面中に示す。
導電性インク(例えば、ナノ金属を含むもの)は、放射エネルギーによって焼結することができる。放射エネルギーとしては、パルス光、高強度連続光、紫外光、放射、および熱エネルギーの組み合わせを挙げることができる。例えば、UV閃光電球を用いることができる。UV閃光電球は、UV放射および熱エネルギーを提供する(UV閃光電球はまた、可視領域および赤外領域内のエネルギーを含む)。粒子が焼結されると、粒子は連続した導電経路を形成する。この導電経路の伝導度は、焼結前の粒子の伝導度よりもずっと高い。
シートまたは移動ウェブ上において処理を行う場合、本明細書で「ストライピング」と呼ばれる現象に起因する潜在的な問題がある。ストライピングは、放射源(例えば、パルスランプ)の主エネルギーに向かって移動している基板が、焼結ポイントに到達する前に既に迷光に露出されていた場合に発生する。迷光は、導電性インクを部分的にのみ焼結し、バルク状態に変換する。バルク状態においては、導電性インクはもはやナノ粒子の状態ではなく、かくしてより高温で溶融するが、材料に所望の伝導度を持たせるだけ充分に焼結されていない場合がある。そのため、加工対象物の所望の部分が焼結するための位置に到達したとき、パルス光および/または高強度連続光をより低温で行った場合、金属を適切に焼結しない場合がある。この問題は、加工対象物(複数)が例えばコンベヤ上において互いに近接していて、加工対象物が、焼結のための適切な位置になる前に迷光/エネルギーに暴露される場合にも起こる可能性がある。
ストライピング現象は、多様なナノ金属(例を非限定的に挙げると、銅、銀、金、パラジウム、錫、タングステン、チタン、クロム、バナジウム、アルミニウム、およびこれらの合金)において発生する可能性がある。いくつかの実施形態において、本開示のシステムおよび方法が、銅ナノ金属の部分的焼結を回避する。放射エネルギーレベルが第1の閾範囲よりも低い場合、焼結は発生しない。この第1の閾値よりも高くかつおよび第2の閾値よりも低い場合、銅ナノ粒子は部分的にのみ焼結するが、所望のレベルの伝導度には到達しない。この材料の伝導度は、未焼結のナノ粒子の伝導度よりも高いが、第2の閾範囲よりも上の好適な範囲内の放射エネルギーレベルを受ける材料ほどは高くない。部分的に焼結した材料が、未焼結ナノ粒子を完全導電状態に変換するのに充分な強度の放射エネルギーレベルに再度露出されると、先行して部分的に焼結したナノ粒子の伝導度は改善しない。
この現象を図1および図2に示す。図1は、ランプ100と、反射器102と、コンベヤ上において方向106に移動する加工対象物104とを含む、ランプシステム(例えば、閃光電球システム)を示す。加工対象物104は、ナノ粒子(例えば、銅ナノ粒子)を含む導電性インクの上に(図示せず)トレースをともなう基板を含むことができる。矢印108によって示されるエネルギーは、所望の伝導度レベルを得るように導電性インクを焼結するのに充分である。点線矢印110からのエネルギーは、導電性インクを部分的に焼結させるのには充分であるが、結果としてトレースが所望の導電性を有しない。移動方向106は右方向であるため、これは、一般的に左側112のみにおける潜在的問題である。左側の部分は、矢印108によって示されるエネルギーにさらされる部分に達するときまでに、部分的に焼結される可能性があり、したがってこのエネルギーは焼結プロセスを完了するには効果がない。
図2は、この問題を一般的な方法でグラフ的に表示する。エネルギーが第1の閾値Th1よりも低い場合、焼結は発生しない。エネルギーが第3の閾値Th3よりも高い場合、少なくともいくつかの種類の基板(例えば、紙、ポリエステル等)においては、基板が損傷を受ける可能性がある。エネルギーが第2の閾値Th2を越え、かつ閾値Th3を下回る場合、トレースの伝導度を所望のレベルまで上昇するためにエネルギーは有効である。エネルギーが閾値Th1と閾値Th2との間にある場合、部分的焼結のみが発生する。このような部分的焼結が発生した場合、少なくともいくつかの種類の材料においては、(導電性インクがTh2よりも高いエネルギーを受けた場合でさえも)完全に有効な焼結を回避する役に立つ可能性がある。そのため、図2中に影付きで示すようなTh2とTh3との間の領域内に収めることが望ましい。これらの閾値は、システムおよび加工対象物(単数または複数)における様々な要素(例えば、焼結対象材料の種類、当該材料の幾何学形状、および基板特性)に依存する可能性がある。
本開示は、望ましくない部分的焼結を低減または排除するなどの、焼結の間における迷光を低減するためのシステムおよび方法に関連する。本開示における実施形態は、加工対象物中のナノ粒子または加工対象物の領域が焼結エネルギーを受けるための所望の位置に到達する前に部分的に焼結する事態を回避するために、エネルギーを充分な程度まで遮断するシステムおよび方法に関連する。1つ以上の実施形態において、本開示の光遮断器は、「中間相」を回避する。中間相において、光エネルギーへの第1の暴露を受けた後のナノ粒子は、部分的にのみ焼結している。しかし、光エネルギーへの第2の暴露を受けた後のナノ粒子は、向上した伝導度を有しない。
エネルギーを遮断することは、放射エネルギー源からのエネルギーを全て利用する訳では無い点において、不利点を有する。しかし、本開示の光遮断器を用いることによって、結果的に充分な伝導度の完全焼結したナノ粒子がもたらされることが判明した。開示されたシステムは、「ストライピング」および部分的焼結の問題を回避する。
焼結プロセスの間、電子材料(例えば、導体)が基板上に付加される。焼結対象材料は、当該分野において周知の1つ以上の技術(スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、レーザ印刷、インクジェット印刷、ゼログラフィ、パッド印刷、塗布、ディップペン、シリンジ、エアブラシ、フレキソ印刷、蒸着、スパッタリング等が挙げられる)を用いて、基板上へ付加することができる。本開示のシステムおよび方法において、多様な基板を利用することができる。基板としては、例えば、紙およびポリマー基板(例えば、ポリ(ジアリルジメチルアンモニウムクロライド(PDAA)、ポリアクリル酸(PAA)、ポリ(アリルアミン塩酸塩)(PAH)、ポリ(4−スチレンスルホン酸)、ポリ(硫酸ビニル)カリウム塩、4−スチレンスルホン酸ナトリウム塩水和物、ポリスチレンスルホン酸塩(PSS)、ポリエチレンイミン(PEI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン等)などの低温の低コスト基板が挙げられるが、これに限らない。
図3を参照すると、一態様において、焼結の間における迷光を低減するためのシステムおよび方法は、1つ以上の光遮断器の使用を含む。1つ以上の実施形態において、光遮断器は平坦なマスクである。図3は図1に示すものと同じ構成要素を有するが、矢印304によって示されるエネルギーを遮断するためのマスク302がさらに追加されている。マスク302は、光源と基板の一部との間に配置され、進行中の基板に照射しないように迷光を遮断することによって、部分的焼結を低減または排除するが、完全焼結をおこなうことができるように、直接的光暴露(例えば、矢印108によって示される光源下における直接的光暴露)は可能である。ここで図示するように、マスクは、コンベヤの入来側に設けることができるが、もう一方の側には設けない、あるいは、アパチャを生成するように、マスクをコンベヤ方向の両側に設けることができる。アパチャは、異なる形状およびサイズを有することができる(例を非限定的に挙げると、ほぼ三角形、円形、楕円形、矩形)。マスクが、任意の加工対象物または加工対象物の一部がTh2を越えるエネルギーに暴露され、かくして所望されるように焼結される前に、そうでなければ、閾値Th2(図2)を下回るエネルギーが任意の加工対象物または加工対象物の一部に達することから遮蔽することが望ましい。
いくつかの実施形態では、コンベヤベルトシステムは、焼結の間基板を継続的に移動される。そのため、一般的に、速度は、ランプの閃光頻度と協調される。他の実施形態では、コンベヤは、段階的な様式で移動される。加工対象物(単数または複数)が静止している状態で、光源を移動させることができる。
一実施形態において、焼結システムは、エネルギー源と、基板と、基板上に位置するナノ材料と、1つ以上の光遮断器とを備える。ナノ材料の部分的焼結を回避するために充分な量の光エネルギーが光遮断器が遮断するように、光遮断器は光源と基板との間に位置する。ナノ材料としては、銅、銀、金、パラジウム、錫、タングステン、チタン、クロム、バナジウム、アルミニウム、およびこれらの合金が挙げられるが、これに限らない。
一実施形態において、光遮断器は、光源に近接する(すなわち、近距離、または近い距離である)。他の実施形態において、光遮断器は、基板と近接する。1つ以上の実施形態において、光遮断器は、垂直方向、水平方向または角度付けされた方向に配向される。光遮断器の近接は、物理的なアパチャサイズおよび形状、移動速度、放射エネルギー源の種類、および材料特性を含むシステムの多様なパラメータに依存する。いくつかの実施形態において、エネルギー源は、主放射エネルギー源としてパルスランプまたは閃光電球を含む。
一実施形態において、光遮断器は、基板に近接しているが基板材料と接触しない状態で、位置する。一実施形態において、光遮断器は、ランプから加工対象物への距離の少なくとも50%の距離に位置する。他の実施形態において、マスクは、ランプから加工対象物への距離の少なくとも60%、または70%、または80%、または90%、または95%にある。正確な距離は、システムの1つ以上のパラメータに依存することができる(例えば、マスクの幾何学形状、加工対象物の構成、コンベヤ速度、およびエネルギーレベル)。
1つ以上の実施形態において、可動シャッターが、基板が光源へと暴露されるタイミングを調整する。1つ以上の実施形態において、基板が検出器をトリガすると、検出器は、基板が光源の真下に来るまで光遮断器(例えば、光遮断板の形態のもの)を特定のポイントへと移動させる。
別の態様において、エネルギーをさらに向けることができるマスクとして1つ以上の反射器を用いる。反射器としては、画像反射器が挙げられるが、これに限らない。いくつかの実施形態において、反射器の特定の部分を除去することにより、角度付けされた光を低減する。いくつかの実施形態において、反射器は、光源から基板へと発射された光を反射する。反射器は、アパチャを生成し、基板に当てられる、向けられたエネルギーを最大化する。反射器の反射面は、光源からの光を基板上の処理される位置へと向けるための所定の角度において形成することができる。基板と光源との間の反射器の位置を調節することができ、それによって、反射面からの反射光の強度を増減することができる。
一実施形態において、光源は光を上向きに発射する。別の実施形態において、光源は光を下向きに発射する。光源が光を発射する方向は、多様な加工対象物(基板および光遮断器を含む)の条件および位置に基づいて決定することができる。
本明細書中記載されるシステムおよび方法は、焼結の間の迷光を低減するために、単独で用いることができ、あるいは相互に併用することができる。
焼結システムは、基板がコンベヤ上に直接配置されるコンベヤシステムを含むことができる。コンベヤは、基板を搬送するために、例えば2フィート/分〜1000フィート/分で作動することができる。コンベヤ制御モジュールは、基板が移動される速度を決定することができる。例えば、コンベヤシステムは、スタート/ストップ式に作動することもできるし、あるいは連続的に作動することもできる。コンベヤの動きは、加工対象物が焼結のために必要とされる充分な量のエネルギーを確実に受けることができるように、閃光動作と協調される。エネルギーを1度に1つの部分に対して提供し、その後別の部分に提供することができるように、加工対象物はより大型のピースを含むことができる。あるいは、例えばコンベヤ上に異なるピースを連続させることもできる。マスクは、加工対象物を相互に近密に配置し、これにより1つの加工対象物(または一群の加工対象物)を焼結し、他の加工対象物を部分的に焼結しないようにすることを可能にすることができる。
システムは、接触遮断板をマスクの、ランプと最初に接触する側部に取り付けることを含むことができる。システムは、光ビームを狭窄化するためおよび/または光ビームを特定の方向に整列するためのコリメートデバイスを含むことができる。
別の態様において、電子材料を基板上に載置した後でありかつ電子材料をともなう基板が光焼結ステーションに到達する前のタイミングにおいて、基板を溶液でコーティングする。溶液は、迷光に起因する部分的焼結を低減または排除するが、直接的光(例えば、ランプ下の光)による焼結は可能にする。この溶液は、角度を有して入来するエネルギーに対する光遮断器として機能する。1つ以上の実施形態において、コーティングは焼結の間に直接的光による力によって後で、および/またはその後のプロセスによる「洗い流し」によって除去することができる。
パルスランプの動作パラメータの例示的範囲は以下を含む。
1.パルス持続時間:1μs〜100,000μs(1/3ピーク値において測定)。
2.パルスあたりのエネルギー:1ジュール〜5,000ジュール。
3.パルス繰返し数:1パルス〜1,000パルス/秒。
4.パルスモード:単一パルス、バーストまたは連続パルシング。
5.ランプ構成(形状):直線、らせん、またはu字型。
6.スペクトル出力:180ナノメートル〜1,000ナノメートル。
7.ランプ冷却:大気、強制空気または水。
8.波長選択(ランプ外部):無しまたはIRフィルタ。
9.均一性範囲±0.1%〜±25%(中心から縁部)
10.ランプハウジングウィンドウ:無し、パイレックス(登録商標)、石英、suprasilまたはサファイア。
11.上部と下部の順序付け:上部ランプ0%〜100%と、下部ランプ0%〜100%との間の任意の組み合わせ。
1.パルス持続時間:1μs〜100,000μs(1/3ピーク値において測定)。
2.パルスあたりのエネルギー:1ジュール〜5,000ジュール。
3.パルス繰返し数:1パルス〜1,000パルス/秒。
4.パルスモード:単一パルス、バーストまたは連続パルシング。
5.ランプ構成(形状):直線、らせん、またはu字型。
6.スペクトル出力:180ナノメートル〜1,000ナノメートル。
7.ランプ冷却:大気、強制空気または水。
8.波長選択(ランプ外部):無しまたはIRフィルタ。
9.均一性範囲±0.1%〜±25%(中心から縁部)
10.ランプハウジングウィンドウ:無し、パイレックス(登録商標)、石英、suprasilまたはサファイア。
11.上部と下部の順序付け:上部ランプ0%〜100%と、下部ランプ0%〜100%との間の任意の組み合わせ。
本発明の実施形態について説明してきたが、本明細書中に記載の本発明の範囲から逸脱することなく改変を行うことが可能であることが明らかである。本システムは、他のフィルターと共に用いることが可能である。
Claims (19)
- 焼結システムであって、
加工対象物へエネルギーを提供し、1/3ピーク値において測定された1μs〜100,000μsのパルス持続時間、および1〜5000ジュール/パルスを有するランプと、前記ランプと前記加工対象物との間に位置し、前記ランプからのエネルギーが前記加工対象物の第1の部分に到達しないように遮断する一方、前記ランプからのエネルギーが前記加工対象物の第2の部分へ到達することを可能にする光遮断器と、を含む閃光電球システムを備える、システム。 - 前記加工対象物と組み合わせで、前記加工対象物は、基板上に金属ナノ材料を有する導電性インクをともなう前記基板を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記光遮断器は、前記ナノ材料の部分的焼結を回避できるだけの充分な量のエネルギーを遮断する、請求項2に記載のシステム。
- 前記ナノ材料は銅ナノ粒子を含む、請求項3に記載のシステム。
- 前記ランプシステムは、加工対象物を保持するためのコンベヤをさらに含み、前記コンベヤは、前記ランプからのエネルギーが加工対象物へ付加される方向に対して実質的に垂直な移動方向において可動であり、前記マスクは、前記コンベヤの入来側上の前記加工対象物の一部からエネルギーを遮断する、請求項1に記載のシステム。
- 前記閃光電球はUVランプを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記ランプは閃光電球を含み、前記光遮断器は、アパチャを含むマスクを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記光遮断器は、閾値を下回るエネルギーが前記加工対象物の第1の部分に到達することを回避する一方で、閾値を上回るエネルギーが前記加工対象物の第2の部分に到達することを可能にするマスクを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記加工対象物は充分に大きく、前記ランプが一度に一部分を焼結する、請求項2に記載のシステム。
- 前記加工対象物は別個のユニットを含み、前記別個のユニットのうち1つ以上が前記ランプからのエネルギーに暴露されるように配置される一方で、前記別個のユニットのうちの他の1つ以上のピースは前記エネルギーから遮断されるように、前記別個のユニットのうち他の1つ以上の部分が配置される、請求項2に記載のシステム。
- 前記光遮断器はシャッターを含む、請求項1に記載のシステム。
- 閃光電球システムを含む閃光電球焼結システムであって、前記閃光電球システムは、基板および金属粒子を含む導電性インクを有する加工対象物に、前記導電性インクを所望の伝導度となるよう焼結できるだけの充分な第2の閾値よりも高くかつ前記エネルギーがそれより高いと前記基板を損傷する第3の閾値よりも低いエネルギーを提供する閃光電球と、前記ランプと前記加工対象物との間に位置し、前記第2の閾値よりも低い第1の閾値を超える前記ランプからのエネルギーが、そうでなければ前記エネルギーが前記加工対象物を部分的に焼結させることになる前記加工対象物の第1の部分に到達するのを遮断し、一方で、前記第2の閾値と前記第3の閾値との間の前記ランプからのエネルギーが前記加工対象物の所望の第2の部分に到達することを可能にし、これにより前記加工対象物中の導電性インクを焼結させる光遮断器とを含む、閃光電球システムを備える、閃光電球焼結システム。
- 前記第2の部分に対する前記エネルギーは、ナノ粒子を有する導電性インクを焼結するの充分である、請求項12に記載のシステム。
- 前記第2の部分に対する前記エネルギーは、銅ナノ粒子を有する導電性インクを焼結するのに充分である、請求項12に記載のシステム。
- 前記システムは、加工対象物を保持する、前記ランプからのエネルギーが加工対象物へ付加される方向に対して実質的に垂直な移動方向において可動なコンベヤを含み、前記光遮断器は、前記コンベヤの入来側上の前記加工対象物の一部からのエネルギーを遮断する、請求項12に記載のシステム。
- 前記閃光電球は、1/3ピーク値において測定された1μs〜100,000μsのパルス持続時間で、1〜5000ジュール/パルスのエネルギーのパルスを提供する、請求項12に記載のシステム。
- 微粒子を含む導電性インクを有する加工対象物を焼結する方法であって、
加工対象物をコンベヤに沿って前記加工対象物の所望の部分がエネルギーへと暴露される領域へと移動させることと、閃光電球によって充分なエネルギーを所望の領域へと付加して前記導電性インクを焼結できるようにすることと、前記加工対象物の他の部分からのエネルギーを遮断して部分的焼結を回避することと、を含む、方法。 - 加工対象物を保持するコンベヤに沿って加工対象物を導入することであって、前記コンベヤは、前記ランプからのエネルギーが加工対象物へ付加される方向に対して実質的に垂直な移動方向において可動である、導入することを含み、前記遮断することは、前記コンベヤの入来側上の前記加工対象物の一部からエネルギーを遮断することを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記焼結することは、金属粒子を含む導電性インクをともなう基板を焼結することを含む、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US36622510P | 2010-07-21 | 2010-07-21 | |
US61/366,225 | 2010-07-21 | ||
PCT/US2011/044808 WO2012012610A2 (en) | 2010-07-21 | 2011-07-21 | Reduction of stray light during sintering |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013544951A true JP2013544951A (ja) | 2013-12-19 |
Family
ID=45492509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013520862A Withdrawn JP2013544951A (ja) | 2010-07-21 | 2011-07-21 | 焼結の間の迷光の低減 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120017829A1 (ja) |
JP (1) | JP2013544951A (ja) |
CN (1) | CN103003012A (ja) |
DE (1) | DE112011102406T5 (ja) |
TW (1) | TW201210717A (ja) |
WO (1) | WO2012012610A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3094469B1 (en) * | 2014-01-16 | 2019-11-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Generating a three-dimensional object |
CN206870630U (zh) * | 2016-03-10 | 2018-01-12 | 塞米西斯科株式会社 | 光烧结装置 |
CN110573325A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-12-13 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 增材制造机器热流 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03238326A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
DE4118160A1 (de) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Univ Schiller Jena | Optisches bauteil |
US6935746B2 (en) * | 2003-04-15 | 2005-08-30 | Infocus Corporation | Method and apparatus for reducing scattered light in a projection system |
JP3910603B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
GB0427164D0 (en) * | 2004-12-11 | 2005-01-12 | Eastman Kodak Co | Conductive silver dispersions and uses thereof |
EP2913722A1 (en) * | 2004-11-24 | 2015-09-02 | NovaCentrix Corp. | Electrical, plating and catalytic uses of metal nanomaterial compositions |
JP2007005399A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US7549789B2 (en) * | 2007-06-20 | 2009-06-23 | General Electric Company | Method and apparatus for thermographic nondestructive evaluation of an object |
CA2910493C (en) * | 2008-10-17 | 2018-03-06 | Ncc Nano, Llc | Method for reducing thin films on low temperature substrates |
SG11201400116WA (en) * | 2011-08-16 | 2014-05-29 | Xenon Corp | Sintering process and apparatus |
-
2011
- 2011-07-21 JP JP2013520862A patent/JP2013544951A/ja not_active Withdrawn
- 2011-07-21 CN CN2011800362492A patent/CN103003012A/zh active Pending
- 2011-07-21 TW TW100125843A patent/TW201210717A/zh unknown
- 2011-07-21 DE DE112011102406T patent/DE112011102406T5/de not_active Withdrawn
- 2011-07-21 WO PCT/US2011/044808 patent/WO2012012610A2/en active Application Filing
- 2011-07-21 US US13/188,172 patent/US20120017829A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112011102406T5 (de) | 2013-07-04 |
WO2012012610A2 (en) | 2012-01-26 |
TW201210717A (en) | 2012-03-16 |
US20120017829A1 (en) | 2012-01-26 |
CN103003012A (zh) | 2013-03-27 |
WO2012012610A3 (en) | 2012-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014529891A (ja) | 焼結工程および装置 | |
JP5465235B2 (ja) | 透明基板上の隆起特徴構造および関連方法 | |
JP6853186B2 (ja) | フラッシュランプを使用してチップを非接触移送およびはんだ付けするための装置および方法 | |
JP6726215B2 (ja) | フラッシュランプおよびマスクを使用して複数のチップをはんだ付けするための装置および方法 | |
JP6309078B2 (ja) | 低減されたデブリ生成を有するレーザ生成プラズマeuv源 | |
KR20170051447A (ko) | 플래시 램프를 이용한 어닐링 방법 | |
WO2012014710A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
KR102345450B1 (ko) | 펄스-모드 직접-기록 레이저 금속화 | |
JP2013544951A (ja) | 焼結の間の迷光の低減 | |
CA2723620A1 (en) | Treatment of whiskers | |
CA2758752A1 (en) | Method for conductively connecting a component on a transparent substrate | |
KR20120134035A (ko) | 극단파 백색광 광소결장치 | |
JP2017510087A (ja) | 連続フラッシュランプシンタリング | |
JP6526855B6 (ja) | アドバンスアニールプロセスにおいて粒子を低減させる装置および方法 | |
JPH07204873A (ja) | フラッシュランプによるアブレーションのイメージ作成法 | |
JP5531019B2 (ja) | 薄膜表面上の物質パターンを硬化せしめる装置及び方法 | |
JP3479761B2 (ja) | 透明薄膜除去装置、透明薄膜除去方法および薄膜エレクトロルミネッセント素子 | |
Shin et al. | Photoresist-free lithographic patterning of solution-processed nanostructured metal thin films | |
KR20190118383A (ko) | 마이크로 히터가 구비된 스마트 글래스, 안경, 자동차 주차 보조 카메라, 실험용 보안경, 스포츠형 고글, 오토바이 보호 헬멧 | |
EP3327165A1 (en) | Method for creating a conductive track | |
KR20180040594A (ko) | 전도성 트랙을 형성하는 방법 및 장치 | |
JP2017082296A (ja) | 金属膜の形成方法 | |
KR20170129429A (ko) | 광소결장치 | |
KR20150089605A (ko) | 투명전극 제조를 위한 패터닝 방법 | |
JP4788604B2 (ja) | 電子部品外し・リペア装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20141007 |