CN206755262U - 电磁炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种电磁炉，包括底壳(10)以及设置在底壳(10)内的水箱(20)、控制板(90)和线圈盘，其中，控制板(90)上设有绝缘栅双极性晶体管IGBT(30)和桥堆(40)，其中，水箱(20)上设有可容纳IGBT(30)和/或桥堆(40)的凹槽(70)。本实用新型提供的电磁炉，将IGBT和/或桥堆内嵌于水箱上开设的凹槽内，使得冷却水箱将IGBT和/或桥堆环绕起来，对IGBT和/或桥堆实现了更好的散热，解决了现有电磁炉中IGBT和/或桥堆散热效果差的技术问题。

Description

电磁炉

技术领域

本实用新型涉及一种家用电器，特别涉及一种散热良好的电磁炉。

背景技术

电磁炉是一种广泛使用的烹饪器具，其工作原理是：依靠电路板上的桥堆进行整流后再通过绝缘栅双极性晶体管(insulated-gate-bipolar transistor，简称：IGBT)不停的开通、关断来产生交变磁场，其中，桥堆和IGBT在工作中会产生大量的热量，为防止过热，电磁炉中一般都装有给桥堆和IGBT进行散热的装置。

目前，专利(CN201020163199.7)公开一种电磁炉的散热结构，具体公开(参见图1)：包括散热器6(由散热片11组成)、风机5、IGBT2、桥堆3、和电源板4，所述IGBT2和桥堆3均连接在电源板4上且所述IGBT2和桥堆3通过螺钉1固定在散热片11的侧壁上，所述风机5的风可以吹向IGBT2和桥堆3对其进行散热。

然而，IGBT和桥堆采用风机5和散热片11进行散热时，风机5和散热片11对IGBT和桥堆的散热效果不是很理想。

实用新型内容

为了解决背景技术中提到的电磁炉中控制板散热效果差的至少一个问题，本实用新型提供一种IGBT和/或桥堆散热效果良好的电磁炉。

本实用新型提供一种电磁炉，包括底壳以及设置在所述底壳内的水箱、控制板和线圈盘，其中，所述控制板上设有绝缘栅双极性晶体管IGBT和桥堆，其中，所述水箱上设有可容纳所述IGBT和/或所述桥堆的凹槽。

通过在水箱上设置用于容纳IGBT和/或桥堆的凹槽，这样当IGBT和/或桥堆放置在水箱上的凹槽中时，IGBT和/或桥堆的底面与冷却水箱的凹槽的槽底相接触，且IGBT和/或桥堆的各个侧面被水箱内的冷却液所围绕，增大了IGBT和/或桥堆与水箱之间的冷却面积，这样IGBT和/或桥堆产生的热量 就能够及时地被水箱吸收带走，IGBT和桥堆的散热效果良好，从而解决了电磁炉中IGBT和桥堆散热效果差的技术问题。

可选的，所述水箱覆盖在所述IGBT和/或所述桥堆上，且所述水箱的底面与所述IGBT和/或所述桥堆对应的位置开设所述凹槽。

可选的，所述IGBT和/或所述桥堆设置于所述水箱上，所述水箱顶面上开设所述凹槽，所述IGBT和/或所述桥堆放置在所述凹槽中。

可选的，还包括：散热片，所述散热片设置在所述IGBT和/或所述桥堆上，且所述IGBT和/或所述桥堆位于所述散热片和所述水箱之间。

通过在IGBT和/或桥堆上设置散热片，使得IGBT和/或桥堆的一侧与冷却水箱接触，另一侧与散热片接触，冷却水箱和散热片从顶部和底部两个方向对IGBT和/或桥堆进行冷却，其冷却速度与单方向相比明显增快，散热效率高，效果更好。

可选的，所述散热片设置于所述IGBT和所述桥堆上，且所述散热片与所述凹槽的槽口平齐，或者，所述散热片从所述凹槽的槽口凸出。

可选的，所述凹槽的侧壁上具有台阶，且所述散热片抵在所述台阶上。

可选的，所述凹槽的槽底设有凸起部，所述凸起部的端面抵在所述散热片上，且所述凸起部将所述凹槽划分为第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽用于容纳所述IGBT，所述第二凹槽用于容纳所述桥堆。

可选的，所述IGBT和所述桥堆与所述凹槽的内表面之间，以及所述IGBT和所述桥堆与所述散热片之间均设有导热件。

可选的，所述控制板和所述线圈盘中的至少一个位于所述水箱上，或者所述水箱覆盖在所述控制板和所述线圈盘中的至少一个上。

可选的，所述IGBT和所述桥堆与所述散热片均通过螺钉固定连接，且所述第一凹槽和所述第二凹槽的槽底均具有容纳所述螺钉的螺钉帽的凹口。

本实用新型的构造以及它的其他实用新型目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。

附图说明

图1是现有的电磁炉的结构示意图；

图2是本实用新型提供的电磁炉的拆分结构示意图；

图3是本实用新型提供的电磁炉的剖面示意图；

图4是图3中的A部放大示意图；

图5是图3中部分结构的拆分结构示意图。

附图标记说明：

底壳-10；

水箱-20；

IGBT-30；

桥堆-40；

散热片-50；

螺钉-60；

凹槽-70；

第一凹槽-71；

第二凹槽-72；

凹口-711、721；

凸起部-80；

控制板-90；

线圈盘容纳槽-100；

台阶-B；

槽底-C

具体实施方式

实施例一

图2是本实用新型提供的电磁炉的拆分结构示意图；图3是本实用新型提供的电磁炉的剖面示意图；图4是图3中的A部放大示意图，图5是图3中部分结构的拆分结构示意图，如图2-5所示，本实施例中，电磁炉包括：底壳10以及设置在底壳10内的水箱20、控制板90和线圈盘(未示出)，其中，控制板90上设有IGBT30和桥堆40，如图2所示，IGBT30和桥堆40具体设在控制板90的侧边，IGBT30和桥堆40与控制板90之间电性连接，水箱20内存储于冷却液，冷却液例如可以为水或者冷却油，电磁炉还包括盖设在底壳10上的面板，以及底壳10内还设有灯板，该些结构具体可以参考现 有电磁炉的结构，本实施例中不再赘述。

其中，由于IGBT30和桥堆40运行时会产生大量的热量，若不能及时散热，会导致IGBT30和桥堆40的温度较高，而IGBT30和桥堆40在较高温度下运行易引起IGBT30和桥堆40发生故障，因此，为了对IGBT30和桥堆40起到良好的散热效果，本实施例中，在水箱20上设有用于容纳IGBT30和/或桥堆40的凹槽70，具体的如图2所示，将控制板90上的IGBT30和/或桥堆40设置于凹槽70内时，IGBT30和/或桥堆40的底面与冷却水箱20的凹槽70的槽底C相接触，且IGBT30和/或桥堆40的各个侧面被水箱70内的冷却液所围绕，增大了IGBT30和/或桥堆40与水箱20之间的冷却面积，IGBT30和/或桥堆40产生的热量就能够及时地被水箱20吸收带走，从而解决了电磁炉中IGBT30和桥堆40散热效果差的技术问题。

其中，水箱20的凹槽70可以只用于容纳IGBT30，也可以用于只容纳桥堆40，或者将IGBT30和桥堆40同时放置于水箱20的凹槽70内(如图3-4所示)，本实施例对此不做限制。

需要说明的是，本实施例中，IGBT30或者桥堆40上，与凹槽70槽底C接触的一面为底面，远离凹槽70槽底C的一面为顶面。

在本实施例中，当水箱20覆盖在IGBT30和/或桥堆40上时，用于容纳IGBT30和/或桥堆40的凹槽70设置于水箱20的底面上，在水箱20的底面上形成向上内陷的凹槽70，IGBT30和/或桥堆40底面与凹槽70的槽底C接触并固定在凹槽70内，IGBT30和/或桥堆40的侧面与凹槽70的槽侧面接触，这样IGBT30和/或桥堆40被冷却水箱20环绕，能够更快地被冷却。

相对应的，本实施例中，水箱20也可以放置于IGBT30和/或桥堆40的下方，此时，在水箱20的顶面上开设用于容纳IGBT30和/或桥堆40的凹槽70，IGBT30和/或桥堆40放置于该凹槽70内，IGBT30和/或桥堆40的底面与凹槽70的槽底C相接触，IGBT30和/或桥堆40的侧面与凹槽70的槽侧面接触。

实施例二

由于IGBT30和/或桥堆40放置于凹槽70内时，IGBT30和/或桥堆40朝向凹槽槽口的顶面并不能与水箱20接触，导致顶面散热效果较差，为了给 IGBT30和/或桥堆40的顶面进行有效散热，本实施例中，在IGBT30和/或桥堆40上设置散热片50，具体的，在IGBT30和/或桥堆40的顶面上设置散热片50，这样冷却水箱20和散热片50分别从底面和顶面两个方向对IGBT30和/或桥堆40进行冷却，其冷却速度与单方向相比明显增快，散热效率高，效果更好。

需要说明的是，本实施例中，可以只在IGBT30的顶面上设置散热片50，也可以只在桥堆40的顶面上设置散热片50，或者在IGBT30和桥堆40的顶面上均设置散热片50。

现有技术中，通过风扇吹风，空气流通带走散热片50上的热量，而本实用新型中，采用水冷方式散热，可以在电磁炉内设置风扇，也可以不设置，当电磁炉内没有风扇时，为了带走散热片50上的热量，在本实施例中，在IGBT30和桥堆40上均设置有散热片50，IGBT30和桥堆40内嵌于水箱20的凹槽70内，散热片50的底部与IGBT30和桥堆40的顶面相连接，且散热片50的底部也处于凹槽70内，具体的，散热片50的顶部可以高于凹槽70的槽口，也可以与凹槽70的槽口平齐，当散热片50与凹槽70的槽口平齐时，表示散热片50整体位于凹槽70内，且如图3-5所示，凹槽70环绕于散热片50的侧面，这样散热片50上的冷却面积较大，散热片50上的热量能够快速地散去，提高散热效率。

但是，由于水箱20的厚度增加会影响电磁炉整体重量，以及电磁炉整体厚度，为了避免电磁炉整体厚度过高，影响使用，因此在设置时，可以仅将散热片50的一部分设置于凹槽70内，而另一部分从凹槽70的槽口凸出，这样可以减低水箱20的厚度，并且散热片50仍然与水箱20接触，散热片50的热量可以通过水箱20散发出去。

其中，散热片50与IGBT30和桥堆40连接，并一起放置于水箱20的凹槽70内时，散热片50比IGBT30和桥堆40的面积大，因此，散热片50上没有与IGBT30和桥堆40连接的部分处于悬空状态，不利于散热片50散热，因此，在本实施例中，在凹槽70的内壁上设有台阶B，如图4-5所示，该台阶B的侧面环绕在IGBT30和桥堆40的外侧，具体的，IGBT30和桥堆40的侧面可以与该台阶B的侧面相接触，且该台阶B的高度可以与IGBT30和桥堆40的高度相同，这样IGBT30和桥堆40的底面与槽底C紧紧贴合，台阶B的侧 面将IGBT30和桥堆40的侧面完全围住，散热片50可以与台阶B的上表面贴合，或者如图5所示，在散热片底部设有脚，该脚抵接在台阶B上，一方面散热片50的下端面与凹槽70的台阶B接触，能够更好地被水箱20散热，另一方面，IGBT30和桥堆40的侧面也与水箱20接触，散热效果更好。

如图3-5所示，由于IGBT30和桥堆40之间有距离，而水箱20的凹槽70仅能围绕IGBT30和桥堆40的外侧面，IGBT30和桥堆40的间隙处的热量不能有效地散出，容易导致IGBT30和/或桥堆40局部过热造成损坏，本实施例中，在凹槽70的槽底处设置有一凸起部80，该凸起部80的上端面与散热片50接触，该凸起部80的侧面可以与左右两侧的IGBT30和桥堆40接触，用于吸收IGBT30和桥堆40的热量。

同时，该凸起部80将凹槽70分为第一凹槽71和第二凹槽72，第一凹槽71用于容纳IGBT30,第二凹槽72用于容纳桥堆40，第一凹槽71和第二凹槽72的大小根据IGBT30和桥堆40的大小而设置，这样IGBT30和桥堆40的底面与水箱20槽底C接触，IGBT30和桥堆40的侧面与凹槽70的台阶的侧面和凸起部80的侧面相接触，IGBT30和桥堆40的顶面与散热片50接触，就能够形成对IGBT30和桥堆40的全方位散热，提高散热效率，保证IGBT30和桥堆40不会过热造成使用故障。

需要说明的是，如图3-5所示，为了加强导热效果，避免IGBT30和桥堆40局部过热以及提高吸热效率，在IGBT30和桥堆40与凹槽70的内表面之间设置有导热件，并且在IGBT30和桥堆40和散热片50之间也设置导热件，导热件具体可以为导热硅胶，或者也可以为导热硅脂，导热件将IGBT30和桥堆40所产生的热量传递给散热片50和水箱20，提高导热效率，同时，导热硅胶或导热硅脂还具有使热量均匀化的作用，避免了IGBT30和桥堆40局部过热造成损坏的问题。

需要说明的是，为了便于导热件进行设置，图3-5中，IGBT30、桥堆40、散热片50与凹槽70之间均有缝隙，该缝隙处用于设置导热件。

本实施例中，电磁炉底壳10内，IGBT30和桥堆40均设置在水箱20上，具体的，可以只将控制板90放置于水箱20上，也可将控制板90和线圈盘均放置在水箱20上，其中，线圈盘位于水箱20上时，水箱20上开设线圈盘容纳槽100，这样水箱20可以对线圈盘起到较好的冷却效果，当水箱20位于 控制板90上方时，水箱20可以只覆盖控制板90，也可以同时覆盖控制板90和线圈盘，本实施例对此不作限制。

如图2-5所示，本实施例中，安装时，先将IGBT30和桥堆40与散热片50分别通过螺钉60连接组成组合件，并将该组合件放置于凹槽70内，对应的，将IGBT30放于第一凹槽71，桥堆40放于第二凹槽72，由于螺钉60的螺钉帽会形成凸出，导致IGBT30和桥堆40的底面不能与凹槽70的槽底紧密贴合，因此如图5所示，在本实施例中，通过在第一凹槽71的槽底C上对应螺钉帽的位置处设有凹口711，第二凹槽72的槽底C上对应于螺钉帽的位置设置凹口721，用于容纳螺钉60的螺钉帽，以保证IGBT30和桥堆40的底面平整放置于第一凹槽71和第二凹槽72内。

需要说明的是，若IGBT30和桥堆40与散热片50通过其他方式组合时，只要不影响IGBT30和桥堆40的底面的平整度，那么就不需要在第一凹槽71和第二凹槽72的槽底C设置凹口711(721)。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电磁炉，包括底壳(10)以及设置在所述底壳(10)内的水箱(20)、控制板(90)和线圈盘，其中，所述控制板(90)上设有绝缘栅双极性晶体管IGBT(30)和桥堆(40)，其特征在于：

所述水箱(20)上设有可容纳所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)的凹槽(70)。

2.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于：所述水箱(20)覆盖在所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)上，且所述水箱(20)的底面与所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)对应的位置开设所述凹槽(70)。

3.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于：所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)设置于所述水箱(20)上，所述水箱(20)顶面上开设所述凹槽(70)，所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)放置在所述凹槽(70)中。

4.根据权利要求2或3所述的电磁炉，其特征在于：还包括：散热片(50)，所述散热片(50)设置在所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)上，且所述IGBT(30)和/或所述桥堆(40)位于所述散热片(50)和所述水箱(20)之间。

5.根据权利要求4所述的电磁炉，其特征在于：所述散热片(50)设置于所述IGBT(30)和所述桥堆(40)上，且所述散热片(50)与所述凹槽(70)的槽口平齐，或者，

所述散热片(50)从所述凹槽(70)的槽口凸出。

6.根据权利要求5所述的电磁炉，其特征在于：所述凹槽(70)的侧壁上具有台阶(B)，且所述散热片(50)抵在所述台阶(B)上。

7.根据权利要求6所述的电磁炉，其特征在于：所述凹槽(70)的槽底设有凸起部(80)，所述凸起部(80)的端面抵在所述散热片(50)上，且所述凸起部(80)将所述凹槽(70)划分为第一凹槽(71)和第二凹槽(72)，其中，所述第一凹槽(71)用于容纳所述IGBT(30)，所述第二凹槽(72)用于容纳所述桥堆(40)。

8.根据权利要求5所述的电磁炉，其特征在于：所述IGBT(30)和所述桥堆(40)与所述凹槽(70)的内表面之间，以及所述IGBT(30)和所述桥堆(40)与所述散热片(50)之间均设有导热件。

9.根据权利要求1-3任一所述的电磁炉，其特征在于：所述控制板(90)和所述线圈盘中的至少一个位于所述水箱(20)上，或者所述水箱(20)覆盖在所述控制板(90)和所述线圈盘中的至少一个上。

10.根据权利要求7所述的电磁炉，其特征在于：所述IGBT(30)和所述桥堆(40)与所述散热片(50)均通过螺钉(60)固定连接，且所述第一凹槽(71)和所述第二凹槽(72)的槽底(C)均具有容纳所述螺钉(60)的螺钉帽的凹口(711、721)。