CN206657801U - 用于支撑基板的载体以及所述载体的装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)。所述载体包括：框架(110)，所述框架被配置成用于接收基板(200)；以及基板固持组件(120)，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将所述基板固持在所述框架(110)内。基板固持组件(120)包括位置指示单元(140)，所述位置指示单元用于指示基板相对于所述框架的位置，其中所述位置指示单元(140)可相对于所述框架(110)移动。

Description

用于支撑基板的载体以及所述载体的装置
技术领域
本实用新型的实施方式涉及一种用于支撑基板的载体。具体来说，本文所述实施方式涉及用于在基板的处理过程中(例如在溅射沉积工艺过程中)支撑基板的载体。本实用新型的实施方式具体涉及在用于处理大面积基板的装置(例如真空沉积装置)中的用于支撑大面积基板的载体。
背景技术
已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，基板可以通过物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)工艺等进行涂布。通常，所述工艺在将涂布的基板所放置的工艺装置或工艺腔室中执行。在装置中提供沉积材料。多种材料(例如，其氮化物或碳化物) 都可用于在基板上的沉积。另外，可以在处理腔室中进行其他处理步骤(像蚀刻、结构化、退火等)。
涂布材料可以用于若干应用和若干技术领域中。例如，在微电子器件领域(诸如产生半导体器件)中进行应用。另外，用于显示器的基板常常通过PVD工艺来涂布。进一步应用包括绝缘面板、有机发光二极管(organic light emitting diode； OLED)面板、具有TFT的基板、滤色器等等。尤其对于诸如显示器生产、薄膜太阳能电池制造和类似应用的领域，大面积玻璃基板被使用来被处理。
过去，一直不断增大基板大小，这种增大仍在继续。在不因断裂而牺牲产量的情况下，增大基板大小使基板的搬运、支撑和处理变得越来越有挑战性。通常，大面积基板在处理过程中是由载体支撑。例如，载体可呈框架或板形式，其沿基板的周边支撑基板表面，或者在后一情况下，本身支撑所述表面。对于许多应用，基板相对于被定位在处理设备与基板之间的沉积源或掩模的准确位置对于实现高质量的基板处理结果来说是极其重要的。
鉴于以上内容，需要提供用于在处理过程中对基板、具体地是大面积基板进行支撑的载体，这种载体克服本领域的问题中的至少一些问题。本实用新型的目标尤其在于提供能够提高大面积基板的处理结果的质量(例如，大面积基板上的涂层的均匀性)的载体和装置。
实用新型内容
鉴于以上内容，提供根据独立权利要求的用于在基板处理腔室内支撑基板的载体以及用于处理基板的装置。进一步优点、特征、方面和细节通过从属权利要求、说明书和附图显而易见。
根据本实用新型的一个方面，提供用于在基板处理腔室内支撑基板的载体。载体包括框架，所述框架被配置成用于接收基板。另外，载体包括基板固持组件，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将基板固持在框架内。基板固持组件包括位置指示单元，所述位置指示单元用于指示基板相对于框架的位置，其中所述位置指示单元可相对于所述框架移动。
根据本实用新型的另一方面，提供用于在基板处理腔室内支撑基板的载体。载体包括框架，所述框架被配置成用于接收所述基板。另外，载体包括基板固持组件，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将基板固持在框架内。基板固持组件包括位置指示单元。位置指示单元包括用于接触基板边缘的基板接触元件，和连接到所述基板接触元件的位置指示元件。位置指示单元至少部分地延伸穿过框架。位置指示元件连接到框架的侧面部分并且从所述框架的外侧边缘突出。另外，载体包括定位单元，所述定位单元附接到所述框架的底部部分。定位单元包括用于支撑基板的底部边缘的基板支撑元件。另外，定位单元包括连接到基板支撑元件的可调量规(gauge)。可调量规被配置成用于在竖直方向上调整和固定基板在框架内的位置。
根据例示本实用新型的示例，描述了用于检测基板相对于载体框架的位置的方法。所述说明性方法包括提供根据本文所述的任何实施方式的载体。另外，所述说明性方法包括通过监测位置指示元件的位置来检测出基板的位置。
根据本实用新型的又一方面，提供一种用于对基板进行处理的装置。所述装置包括：真空处理腔室，所述真空处理腔室适于处理基板；运输系统，所述运输系统适于运输根据本文所述的任何实施方式的载体；以及处理设备，所述处理设备用于处理基板，具体地是用于对在基板上形成层的材料进行沉积的沉积源。
附图说明
因此，为了能够详细理解本公开的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开的更具体的描述可以参考各个实施方式进行。附图涉及本实用新型的各个实施方式，并且描述如下：
图1示出根据本文所述实施方式的用于支撑基板的载体的示意性前视图；
图2示出根据本文所述实施方式的用于支撑基板的载体的一部分的示意性立体图；
图3示出根据本文所述实施方式的如图2所示的用于支撑基板的载体的包括位置指示单元的区段的详细视图；
图4示出如图2所示的用于支撑基板的载体的另一区段的另一详细视图；
图5示出根据本文所述实施方式的如图4所示的用于支撑基板的载体的包括定位单元的另一区段的另一详细视图的背侧；
图6示出根据本文所述实施方式的用于利用载体对基板进行处理的装置的示意图；
图7A和图7B示出例示用于检测基板相对于载体框架的位置以便更好地理解本实用新型的说明性方法的实施方式的框图。
具体实施方式
现将详细参考本实用新型的各种实施方式，这些实施方式的一或多个实例在附图中例示。在对附图的以下描述中，相同的附图标记是指相同元件。在下文中，仅描述了相对于个别实施方式的差异。每个实例以解释本实用新型内容的方式提供，而不表示对本实用新型的限制。另外，例示或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其他实施方式或与其他实施方式结合以产生另一实施方式。预期的是，描述包括此类修改和变化。
图1示出根据本文所述实施方式的用于支撑基板200的载体100的示意性前视图。具体来说，根据本文所述的实施方式，载体被配置成用于在基板处理腔室 (例如，沉积装置中的真空处理腔室)中支撑基板，如参考图6以更详细的方式示例性地描述。如图1示例性地示出，根据本文所述实施方式，载体100包括框架110，所述框架被配置成用于接收基板200。另外，载体100包括基板固持组件120，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将基板200固持在框架110内。具体来说，根据本文所述实施方式的载体的基板固持组件120包括位置指示单元140，所述位置指示单元用于指示基板相对于框架的位置。如双头箭头144所示，位置指示单元140可配置成可相对于框架110移动。
因此，通过提供具有如本文所述的位置指示单元的载体，可非常准确地确定基板相对于框架的位置。另外，如本文所述的位置指示单元的可移动式配置对于检测基板在框架内的位置变化来说是尤其有益，所述位置变化可例如由于在处理过程中的基板的热膨胀造成。因此，提供一载体，利用所述载体就可在整个基板处理过程中对基板在框架内的位置进行监测。鉴于这点，根据本文所述的实施方式的载体尤其适于实现高质量的处理结果，例如，在基板上的高度均匀涂层。
示例性地参考图1，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，基板固持组件120可以包括多个基板保持单元121。例如，基板保持单元121可环绕框架110的周边分布，这样可有益于有效地避免或减少布置在框架110内的基板200的弯曲或隆起。
因此，在本实用新型中，术语“基板固持组件”可理解为可连接到基板载体的框架的组件。具体来说，“基板固持组件”可理解为具有被配置成用于竖直地固持和支撑如本文所述的大面积基板的多个基板固持元件的组件。具体来说，基板固持元件可布置成并配置成用于接触如本文所述的大面积基板的外周边缘。
在本实用新型中，术语“竖直”、“竖直方向”或“竖直取向”将理解为与“水平”、“水平方向”或“水平取向”做区分。也就是说，“竖直”、“竖直方向”或“竖直取向”是指例如载体和基板的基本竖直的取向，其中与完全竖直的方向或完全竖直的取向的几度(例如，高达10°或甚至高达15°)偏差仍视为是“基本竖直方向”或“基本竖直取向”。竖直方向可基本平行于重力。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，在框架110的每一侧上的至少一个基板固持单元可以包括边缘接触表面，所述边缘接触表面被配置成用于接触基板边缘并且限定接触位置。将会理解，表达“框架的每一侧”是指框架的上侧110A、框架的底侧110B、框架的左侧110C和框架的右侧110D，如图 1示例性地所示。另外，可将至少两个基板固持单元布置在框架的相邻侧处，例如，布置在框架的上侧110A处的第一基板固持单元和布置在框架的相邻右侧 110D处的第二基板固持单元可以设有施力元件(forceelement)，所述施力元件被配置成用于施加固持基板的固持力。例如，施力元件可为弹簧元件。
虽然在图1中所示的示例性实施方式中，基板固持组件包括10个基板固持单元121，但是将会理解，本实用新型不限于此。具体来说，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，可以提供多于10个基板固持单元121，这些基板固持单元环绕框架周边布置。例如，基板固持组件可以包括多于16个基板固持单元，具体地是多于20个基板固持单元，更具体地多于24个基板固持单元。例如，基板固持组件可以包括布置在框架110的上侧110A处的8个基板固持单元；布置在框架110的底侧110B处的8个基板固持单元；布置在框架110的左侧110C处的6个基板固持单元；以及布置在框架110的右侧110D处的6个基板固持单元。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，基板固持单元可彼此均匀地间隔开来。具体来说，布置在框架的相对侧(例如，与底侧110B相对的上侧110A和与右侧110D相对的左侧110C)处的基板固持单元之间的间距可以相同。例如，在相邻基板固持单元之间的间距可为从50mm至500mm，具体地是从100mm至300mm。因此，将会理解，如本文所述载体的实施方式尤其适于大面积基板。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，提供在框架110的右上边缘部分处的基板固持单元121可配置成可如图1中的箭头指出那样，基本上平行于基板区域(即，基本上平行于基板200的表面)并垂直于基板200的边缘移动。具体来说，提供在框架的上侧110A处的基板固持单元121以及提供在框架的右侧110D的基板固持单元121可配置成可基本上平行于基板区域来移动，这样可有益于补偿基板可在处理过程中经历的基板的热膨胀。
将会理解，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，基板固持单元针对将固持的基板进行适配。例如，基板可以具有0.1mm至1.8mm，诸如0.7 mm、0.5mm或0.3mm的厚度。
在本实用新型中，如本文使用的术语“基板”应特定地涵盖非柔性基板，例如，玻璃板和金属板。然而，本实用新型不限于此，并且术语“基板”还可涵盖柔性基板，诸如卷材或箔。根据一些实施方式，基板可由适合于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可由选自由以下各项组成的组中的材料制成：玻璃(例如，钠钙玻璃、硼硅玻璃等等)、金属、聚合物、陶瓷、化合材料、碳纤维材料、云母或可通过沉积工艺涂布的任何其他材料或材料的组合。
在本实用新型中，大面积基板可为如下基板：对应于约0.67m2基板(0.73 m×0.92m)的GEN 4.5、对应于约1.4m2基板(1.1m×1.3m)的GEN 5、对应于约4.29 m2基板(1.95m×2.2m)的GEN 7.5、对应于约5.7m2基板(2.2m×2.5m)的GEN 8.5，或甚至是对应于约8.7m2基板(2.85m×3.05m)的GEN 10。甚至可类似地实施更高代的载体(诸如GEN 11和GEN 12)以及对应基板面积。
因此，在本实用新型中，术语“用于支撑基板的载体”可理解为被配置成用于对如本文所述的基板、具体地是如本文所述的大面积基板进行支撑的载体。因此，在本实用新型中，表达“被配置成用于接收基板的框架”可理解为被配置成用于接收如本文所述的基板、具体地是如本文所述的大面积基板的框架。
如图1示例性地示出，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，载体100的框架110可以限定被配置成用于接收如本文所述的基板的窗口或孔隙。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，框架110可由铝、铝合金、钛、钛合金、不锈钢等等制成。对于相对小的大面积基板，例如，GEN 5或更低代的大面积基板，框架110可由单件制成，即，框架可整体地形成。然而，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，框架110可以包括两个或更多个元件，诸如顶杆、侧杆和底杆。因此，尤其对于非常大面积的基板，载体可制造为具有若干部分。载体的这些部分可组装以提供用于支撑基板200的框架110。
将会理解，如本文所述的实施方式可以用于例如通过溅射沉积或其他涂布技术来处理大面积基板。更具体地，本文所述实施方式可以用于各种各样应用，例如，制造薄膜电池、电致变色窗口和显示器(例如，液晶显示器(liquid crystal display； LCD)、等离子体显示面板(plasma display panel；PDP)、有机发光二极管(organic light-emittingdiode；OLED)显示器等等)。
示例性地参考图2和图3，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140包括用于接触基板边缘的基板接触元件141和连接到基板接触元件141的位置指示元件142。基板接触元件141可配置成接触接收在框架110内的基板的至少一部分。具体来说，基板接触元件141可以具有伸长形状，带有接触将被接收在框架110内的基板的对应平坦边缘表面的平坦接触表面。因此，将会理解，基板接触元件141可以接收来自基板边缘的力，所述力可例如因在处理过程中基板的热膨胀造成。通常，基板接触元件被配置成可相对于框架 110移动。因此，施加在基板接触元件141上的力可以造成基板接触元件相对于框架的移动，这种移动被传递到位置指示元件142的相对移动。具体来说，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140被配置成可相对于框架110在水平方向上移动。因此，基板接触元件141和连接到基板接触元件141的位置指示元件142也可被配置成可相对于框架110在水平方向上移动。
因此，将会理解，通过提供连接(具体地是通过刚性连接)到基板接触元件 141的位置指示元件142，作用于基板接触元件141上的力可以造成位置指示元件 142相对于框架110的移动。由此，就可通过监测位置指示元件142的位置，监测和检测接收在框架内的基板的位置变化。因此，有益地，提供一种载体，利用所述载体就可通过监测至少部分地布置在框架的外部的位置指示元件，在整个基板处理过程中对基板在框架内的位置进行监测。
因此，在本实用新型中，术语“位置指示元件”可理解为被配置成用于通过光学测量系统监测或检测的元件。
示例性地参考图2和图3，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140连接到框架110的侧面部分。另外，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140的位置指示元件142 至少部分地布置在框架110的外部部分处。例如，如图3示例性地所示，位置指示元件142可从框架110的外缘、具体地是框架110的侧面部分的外缘突出。因此，有益地，提供一种基板载体，利用所述基板载体就可通过监测布置在载体的处理区域、即载体框架的窗口或孔隙的外部的位置指示元件，检测接收在载体框架内的基板的位置。由此，方便了检测和监测基板在载体框架内的位置。
示例性地参考图2和图3，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140至少部分地延伸穿过框架110。例如，位置指示单元可以从框架的内周侧边缘延伸。例如，如图3更详细地示出，将基板接触元件141 与位置指示单元140的位置指示元件142连接的连接部分145可以布置在框架 110、具体地是框架110的侧面部分内。因此，将会理解，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140可至少部分地集成在框架110 中，如图2和图3中示例性地示出。相对如本文所述载体的紧凑设计来说，这种配置可尤其有益。另外，就保护或遮护位置指示单元免受将沉积到接收在框架内的基板上的材料的影响来说，提供部分地在框架内的位置指示单元可为有益的。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，载体可进一步包括框架位置指示单元160，所述框架位置指示单元布置在框架110的外缘处，如图2 中示例性地示出。例如，框架位置指示单元160可附接到框架的拐角侧部分，例如，框架的左下拐角部分，如图2中示例性地示出。因此，可以提供一种载体，利用所述载体就可例如通过监测用于指示在基板上的位置的位置指示单元140的位置、以及框架位置指示单元160的位置，检测和监测接收在框架内的基板相对于框架的相对位置。具体来说，有益地，如本文所述载体的实施方式提供用于通过将位置指示单元140的位置和框架位置指示单元160的位置进行比较，确定基板相对于框架的位置。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，位置指示单元140 可以包括弹性元件143，所述弹性元件布置在基板接触元件141与位置指示元件 142之间。具体来说，弹性元件143可配置成用于接收作用于基板接触元件141 上的力。例如，如图3中示例性地示出，弹性元件143可以是螺旋弹簧或压力弹簧。因此，将会理解，位置指示单元140还可被配置成用于将固持力施加到基板边缘上来将基板固持在框架110内。因此，如本文所述的位置指示单元140还可视为如关于图1所述的基板固持单元。
虽然在图2和图3中，仅示出了一个位置指示单元140，但是将会理解，根据本文所述实施方式，可以提供两个或更多个定位单元。具体来说，可将两个或更多个位置指示单元提供在框架的侧面部分处，例如，提供在框架110的左侧110C 处，如图1示例性地示出。
示例性地参考图2、图4和图5，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，基板固持组件120还进一步包括定位单元130，所述定位单元被配置成用于将基板定位在框架之中。具体来说，定位单元130可附接到框架的水平部分，例如，可附接到框架的底部部分。另外，定位单元130可配置成用于沿竖直方向将基板200定位在框架内。因此，有益地，提供一种载体，利用所述载体就可精确调整基板200在由框架110限定的基板区域内的位置。
因此，在本实用新型中，术语“定位单元”可理解为被配置成用于将基板定位在基板载体框架中的单元。具体来说，“定位单元”可理解为被配置成用于移动(具体地是在竖直方向上)接收在载体框架内的基板的单元。因此，将会理解，如本文所述的定位单元可配置成可基本上平行于基板区域(即，基本上平行于基板表面)并垂直于接触所述定位单元的相应基板边缘来移动。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，定位单元130可以包括用于调整基板的位置的可调量规131，如图4和图5中示例性地示出。例如，可调量规131可配置成可沿竖直方向移动，如图5中的箭头133示例性地所示。具体来说，定位单元130可以包括基板定位元件132，所述基板定位元件被配置成用于接触基板边缘，具体地是所述基板的底缘。具体来说，基板定位元件132 可以具有平行于基板边缘延伸的伸长形状。另外，基板定位元件132可以具有接触将接收在框架110内的基板的对应平坦边缘表面的平坦接触表面，如图4和图 5中示例性地示出。
另外，通过示例性地参考图4和图5，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，基板定位元件132可连接到可调量规131。基板定位元件132 可配置成接触接收在框架110内的基板的至少一部分。因此，将会理解，基板定位元件132可以将力施加到基板边缘上，例如，来将基板定位在框架110内。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，定位单元130可以包括用于固定可调量规131的位置的夹紧元件134，具体地是可调夹紧元件，如图5中示例性地示出。
例如，夹紧元件134可以包括螺母，所述螺母可在螺纹件或另一可调元件上进行调节，以便固定已由可调量规131调整的基板的位置。
因此，如本文所述载体的实施方式有益地提供用于以简单的方式定位基板。虽然在图4和图5中，仅示出了一个定位单元130，但是将会理解，根据本文所述实施方式，可以提供两个或更多个定位单元。具体来说，可将两个或更多个定位单元提供在框架的底部部分处，例如，提供在框架110的底侧110B处，如图1 中示例性地示出。
示例性地参考图5，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，基板固持组件120还进一步包括一或多个基板支撑元件150，所述基板支撑元件被配置成用于将基板固持在垂直于基板表面、具体地是所述基板的将被处理的表面的方向上。具体来说，一或多个基板支撑元件可布置成或配置成用于仅将基板边缘部分支撑在垂直于基板表面的方向上。在本实用新型中，“基板表面”可理解为基板的主表面，具体地是所述基板的大面积表面。因此，将会理解，根据一些实施方式，基板支撑元件可不接触接收在框架内的基板的外周边缘。
虽然在图4中，仅示出了一个基板支撑元件150，但是将会理解，根据本文所述实施方式，可以提供两个或更多个基板支撑元件150。具体来说，可将两个或更多个位置指示单元提供在框架的底部部分处，例如，提供在框架110的底侧 110B处，如图1中示例性地示出。
因此，示例性地参考图1至图5，将会理解，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，提供用于在基板处理腔室中支撑基板200的载体100。载体包括：框架110，所述框架被配置成用于接收基板200；以及基板固持组件120，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将基板固持在框架110内。基板固持组件120包括位置指示单元140。位置指示单元140包括用于接触基板边缘的基板接触元件141和连接到基板接触元件141的位置指示元件142，如图2中示例性地示出。具体来说，位置指示单元140可至少部分地延伸穿过框架110。示例性地参考图2和图3，位置指示元件142连接到框架110的侧面部分并且从框架 110的外侧边缘突出。另外，如图2中示例性地示出，基板固持组件120包括附接到框架110的底部部分的定位单元130。定位单元130包括用于支撑基板的底缘的基板定位元件132和连接到基板定位元件132的可调量规131，如图4和图5 中示例性地示出。可调量规131被配置成用于在竖直方向上调整和固定基板200 在框架110内的位置。
因此，有益地，提供用于对基板、具体地是大面积基板进行支撑的载体，这种载体尤其较好地适于高质量的处理。具体来说，根据本文所述的实施方式的载体提供基板相对于沉积源和/或定位在沉积源与基板之间的掩模的定位的提高的准确度。因此，根据本文所述的实施方式的载体提供用于实现高质量的基板(具体地是大面积基板)处理结果。具体来说，如本文所述为载体提供有位置指示单元和定位单元可以具有关于框架内的基板的定位和对准的可实现准确度的协同效应。
将会理解，如本文所述载体的实施方式可以用于各种处理方法。例如，如本文所述的载体可以用于PVD沉积工艺、CVD沉积工艺、基板结构化修边、加热 (例如，退火)或任何种类基板处理。
示例性地参考图6，描述用于利用根据本文所述的实施方式的载体来对基板进行处理的装置的示例性实施方式。具体来说，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，用于对基板200进行处理的装置400包括：真空处理腔室410，所述真空处理腔室适于处理基板200；基板运输系统420，所述基板运输系统适于运输根据本文所述的任何实施方式的载体100；以及处理设备430，所述处理设备用于处理基板200。具体来说，处理设备430可以包括用于对在基板200 上形成层的材料进行沉积的沉积源。根据一些实施方式，装置可配置成具有相对于中心平面404的对称配置，如图6中示例性地示出。因此，如从图6中显而易见，如本文所述的装置可配置成用于同时处理两个或更多个基板。
根据可与本文所述的任何其他实施方式相结合的实施方式，真空处理腔室410适于沉积工艺，诸如PVD或CVD工艺。具体来说，真空处理腔室410可以包括真空凸缘，所述真空凸缘可连接到真空泵以在真空处理腔室内建立真空。
基板200示为位于基板运输系统420上的载体内或在载体处。例如，基板运输系统420可以包括滚筒462，以便运输根据如本文所述实施方式的载体100。因此，如图6中示例性地示出，可提供驱动器425来用于旋转滚筒，以便运输载体 100。
在真空处理腔室410中提供处理设备430(例如，沉积材料源)。通常，处理设备430面向基板将被涂布的一侧。沉积材料源可以提供将沉积在基板200上的沉积材料465，如图6中示例性地示出。
例如，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，沉积材料源可为其上具有沉积材料的靶材，或允许材料释放以便沉积在基板上的任何其他布置。具体来说，沉积材料源可为可旋转的靶材。根据一些实施方式，沉积材料源可为可移动的，以便定位和/或替换所述源。根据其他实施方式，沉积材料源可为平面靶材。
根据一些实施方式，沉积材料465可根据沉积工艺以及之后对涂布基板的应用来选择。例如，源的沉积材料可为选自由以下各项组成的组中的材料：金属(诸如铝、钼、钛、铜等等)、硅、铟锡氧化物，以及其他透明导电氧化物。通常，可通过从源提供材料或通过反应沉积(即，来自源的材料与如来自处理气体的氧、氮或碳的元素反应)来沉积可包括此类材料的氧化物层、氮化物层或碳化物层。根据一些实施方式，像氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮氧化铝的薄膜晶体管材料都可用作沉积材料。
示例性地参考图6，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，在载体100内或载体处提供基板200，所述载体还可用作边缘排除掩模，尤其对于非静态的沉积工艺来说如此。图6中的虚线示例性地示出在根据本文所述实施方式的装置400的操作期间的沉积材料465的路径。根据可与本文所述的其他实施方式结合的进一步实施方式，基板的掩模可由可在真空处理腔室410中提供的单独边缘排除掩模来提供。因此，将会理解，根据本文所述的实施方式的载体可有益于静态工艺，并且也有益于非静态的工艺。
为了更好理解，示例性地参考如图7A和图7B所示的方块图，描述了用于检测基板相对于载体框架的位置的说明性方法的实施方式。具体来说，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，说明性方法包括提供310根据本文所述的任何实施方式的载体，以及通过监测位置指示元件142的位置来检测320 基板的位置。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，监测位置指示元件的位置可以包括使用光学监测设备，例如相机等等。
示例性地参考图7B。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，说明性方法可进一步包括检测330框架的位置，具体地是通过监测布置在框架110的外缘的框架位置指示单元160的位置来检测框架的位置。另外，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，说明性方法可以包括通过将位置指示单元140的位置和框架位置指示单元160的位置进行比较，确定基板相对于框架的位置，如本文所述。
鉴于如本实用新型中描述的实施方式，将会理解，如本文所述的载体、说明性方法以及装置的实施方式尤其适于大面积基板的高质量处理。具体来说，如本文所述的实施方式提供基板相对于沉积源和/或定位在沉积源与基板之间的掩模的定位的提高的准确度，使得能够实现高质量的基板处理结果。
尽管上述内容针对特定实施方式，但也可在不脱离本实用新型的基本范围的情况下设计其他和进一步的实施方式，并且本实用新型的范围是由随附的权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，所述载体包括：
-框架(110)，所述框架被配置成用于接收所述基板(200)；以及
-基板固持组件(120)，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将所述基板固持在所述框架(110)内，其中所述基板固持组件(120)包括位置指示单元(140)，所述位置指示单元用于指示所述基板相对于所述框架的位置，其中所述位置指示单元(140)可相对于所述框架(110)移动。
2.如权利要求1所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)包括用于接触所述基板的边缘的基板接触元件(141)和连接到所述基板接触元件(141)的位置指示元件(142)。
3.如权利要求2所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示元件(142)至少部分地布置在所述框架(110)的外部部分处。
4.如权利要求2所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示元件(142)从所述框架(110)的外缘突出。
5.如权利要求3所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示元件(142)从所述框架(110)的外缘突出。
6.如权利要求1所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)至少部分地延伸穿过所述框架(110)。
7.如权利要求4所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)至少部分地延伸穿过所述框架(110)。
8.如权利要求5所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)至少部分地延伸穿过所述框架(110)。
9.如权利要求1所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)连接到所述框架(110)的侧面部分。
10.如权利要求4所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)连接到所述框架(110)的侧面部分。
11.如权利要求5所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)连接到所述框架(110)的侧面部分。
12.如权利要求7所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)连接到所述框架(110)的侧面部分。
13.如权利要求8所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)连接到所述框架(110)的侧面部分。
14.如权利要求1所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述位置指示单元(140)包括弹性元件(143)，所述弹性元件布置在所述基板接触元件(141)与所述位置指示元件(142)之间，其中所述弹性元件(143)被配置成用于接收作用在所述基板接触元件(141)上的力。
15.如权利要求1所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述基板固持组件(120)进一步包括定位单元(130)，所述定位单元被配置成用于将所述基板定位在框架内。
16.如权利要求15所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述定位单元(130)附接到所述框架的水平部分，并且其中所述定位单元(130)被配置成用于沿竖直方向将所述基板(200)定位在所述框架内。
17.如权利要求16所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述定位单元(130)包括可调量规(131)，所述可调量规用于对所述基板(200)的位置进行调整。
18.如权利要求1所述的用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，其特征在于，所述基板固持组件(120)进一步包括一或多个基板支撑元件(150)，所述一或多个基板支撑元件用于将所述基板固持在垂直于所述基板的将处理表面的方向上。
19.一种用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)，所述载体包括：
-框架(110)，所述框架被配置成用于接收所述基板(200)；以及
-基板固持组件(120)，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将所述基板固持在所述框架(110)内，其中所述基板固持组件(120)包括：
-位置指示单元(140)，其中所述位置指示单元(140)包括用于接触所述基板的边缘的基板接触元件(141)和连接到所述基板接触元件(141)的位置指示元件(142)，其中所述位置指示单元(140)至少部分地延伸穿过所述框架(110)，其中所述位置指示元件(142)连接到所述框架(110)的侧面部分并且从所述框架(110)的外侧边缘突出；以及
-定位单元(130)，所述定位单元附接到所述框架(110)的底部部分，其中所述定位单元(130)包括用于支撑所述基板的底缘的基板定位元件(132)和连接到所述基板定位元件(132)的可调量规(131)，其中所述可调量规(131)被配置成用于在竖直方向上调整和固定所述基板(200)在所述框架(110)内的位置。
20.一种用于对基板(200)进行处理的装置(400)，所述装置包括：
-真空处理腔室(410)，所述真空处理腔室适于处理所述基板(200)；
-运输系统(420)，所述运输系统适于运输如权利要求1至19中任一项所述的载体(100)；以及
-处理设备(430)，所述处理设备用于处理所述基板(200)，具体地是用于对在所述基板(200)上形成层的材料进行沉积的沉积源。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2013044941A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Carrier for thin glass substrates and use thereof
KR20130128117A (ko) * 2012-05-16 2013-11-26 한국전기연구원 기판 이송용 비접촉식 자기부상 스테이지 장치
WO2015158390A1 (en) 2014-04-17 2015-10-22 Applied Materials, Inc. Carrier for substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112204723A (zh) * 2018-05-29 2021-01-08 应用材料公司 保持器、包括至少两个保持器的承载体、装置和方法

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