CN206505914U - Smb型半导体引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种SMB型半导体引线框架，由上片和下片平贴扣合而成；所述上片和下片均由上边框和下边框以及与上边框和下边框垂直并整体连接的多个框架单元组成；所述上片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个方孔；所述下片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个凸刺；所述上片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔分别与下片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔一一对应；每一块带材可制作的上片的引脚5共420个，下片的引脚5共420个，这样节省了材料浪费。本实用新型多排设计，芯片承放结构密度高，封装时效率高，同时上片和下片又能做薄型贴片。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片封装领域，具体是一种SMB型半导体引线框架。
背景技术
目前SMB型半导体引线框架主要用于手工装配生产中，为了便于手工装配，产品封装引线框架为单排设计，生产效率低，且引线框架中的芯片承放结构密度小，框架利用率低，耗费材料。同时上片和下片很难做成薄型贴片。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型的主要目的在于提供一种既克服引线框架单排设计，芯片承放结构密度小，封装时效率低，浪费人工的问题，同时又克服了上片和下片不能做薄型贴片的问题。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
一种SMB型半导体引线框架，由上片66和下片86平贴扣合而成；所述上片66和下片86均由上边框11和下边框12以及与上边框11和下边框12垂直并整体连接的多个框架单元58组成；所述上片66的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个方孔9；所述下片86的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个凸刺8；所述上片66的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2分别与下片86的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2一一对应；所述上片66的上边框11和下边框12的方孔9分别与下片86上边框11和下边框12的凸刺8一一紧密配合；所述框架单元58包括整体连接上边框11和下边框12的连筋10以及上下均匀排列的且仅在连筋10的一侧的多个与所述连筋10垂直的引脚5，引脚5上整体连接一个基岛7；所述相邻框架单元58的引脚5位于连筋10的不同侧，且连筋10相邻的框架单元58相互连接且紧邻，连筋10相邻的框架单元58组成复合框架单元88；所述上片66的复合框架单元88的左边基岛7与所述下片86的复合框架单元88的右边基岛7配合，所述上片的复合框架单元88的右边基岛7与所述下片86的复合框架单元88的左边基岛7配合；上片66相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离为18±0.025mm，下片86相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离也是18±0.025mm；复合框架单元88在同一水平上的引脚5在相向方向的延伸线上，都有一个断开孔6，与相应的引脚5及其上的连筋10整体相连，断开孔6的形状均为长方形；所述上片66开设有28个框架单元58；所述下片86开设有28个框架单元58；所述框架单元58上均设有15个引脚5。
每一块带材可制作的上片66的引脚5共420个，下片86的引脚5共420个，上片66和下片86可封装420个芯片，这样节省了材料浪费。
所述断开孔6在剪切引脚5时，直接便可断落，也节省了材料。达到了最优密度。
所述引脚5和基岛7之间设有折边部3，所述的拆边部上设有防分层孔4。
所述上片66和下片86的长度和宽度分别为252±0.1mm、77.2±0.05mm。
所述框架单元58在同一水平上的两个相邻基岛7圆孔圆心之间的距离为9±0.1mm。
所述上片66和下片86的多个圆形定位孔1的直径为1.5±0.025mm。
所述上片66和下片86的多个椭圆形定位孔2的长度为3±0.025mm。
所述多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2、多个凸刺8和多个方孔9的高度均为1.5±0.025mm。
所述基岛7的长和宽分区为：1.8±0.025mm。
本实用新型的积极进步效果在于：多排设计，芯片承放结构密度高，封装时效率高，同时上片和下片又能做薄型贴片。
附图说明
图1是本实用新型的下片86的结构图。
图2是图1中A处的局部放大图。
图3是本实用新型的下片86的突刺8的结构图。
图4是本实用新型的上片66的结构图。
图5是本实用新型的框架单元58的结构图，其中引脚6位于连筋10的左边。
图6是本实用新型的框架单元58的结构图，其中引脚6位于连筋10的右边。
图7是本实用新型的复合框架单元88的结构图。
具体实施方式
下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。
图1是本实用新型的SMB型半导体引线框架下片86的示意图，图4是本实用新型的SMB型半导体引线框架上片66的示意图，上片66和下片86平贴扣合组成（本领域的习惯做法）。图1-4中，上边框11和下边框12的方向分别定义为上边（上方）和下边（下方），左右相应的定义；其他附图参照图1和图4的方向。如图1和图4所示，上片66和下片86均由上边框11和下边框12以及与上边框11和下边框12垂直并整体连接的多个框架单元58组成；框架单元58的结构如图6所示。所述上片66的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、椭圆形定位孔2和多个方孔9；所述下片86的上边框11和下边框12都均匀分布多个定位孔1、椭圆形定位孔2和多个凸刺8。所述上片66的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2分别与下片86的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2一一对应；所述上片66的上边框11和下边框12的方孔9分别与下片86上边框11和下边框12的凸刺8一一紧密配合。如此上片66和下片86平贴扣合后能构成SMB型半导体引线框架。如图6-7所示，所述框架单元58包括整体连接上边框11和下边框12的连筋10以及上下均匀排列的且仅在连筋10的一侧的多个与所述连筋10垂直的引脚5，引脚5上整体连接一个基岛7。图5是引脚5位于连筋10左边的框架单元58的结构图，如图7所示的连筋10相邻的框架单元58组成复合框架单元88。如图5-7所示，所述相邻框架单元58的引脚5位于连筋10的不同侧，且连筋10相邻的框架单元58相互连接且紧邻。所述上片66的复合框架单元88的左边基岛7与所述下片86的复合框架单元88的右边基岛7配合，所述上片66的复合框架单元88的右边基岛7与所述下片86的复合框架单元88的左边基岛7配合。如图4所示，上片66相邻复合框架单元88垂直中心线之间的距离为18±0.025mm，如图1所示，下片86相邻复合框架单元88垂直中心线之间的距离也是18±0.025mm。复合框架单元88在同一水平上的引脚5在相向方向的延伸线上，都有一个导入角6，如图2所示，与相应的引脚5及其上的连筋10整体相连，并关于相应的引脚5上下对称，两个断开孔6不直接接触，两个断开孔6的形状均为长方形。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内，本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种SMB型半导体引线框架，由上片和下片平贴扣合而成；所述上片和下片均由上边框和下边框以及与上边框和下边框垂直并整体连接的多个框架单元组成；所述上片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个方孔；所述下片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个凸刺；所述上片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔分别与下片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔一一对应；所述上片的上边框和下边框的方孔分别与下片上边框和下边框的凸刺一一紧密配合；所述框架单元包括整体连接上边框和下边框的连筋以及上下均匀排列的且仅在连筋的一侧的多个与所述连筋垂直的引脚，引脚上整体连接一个基岛；相邻所述框架单元的引脚位于连筋的不同侧，且连筋相邻的框架单元相互连接且紧邻，连筋相邻的框架单元组成复合框架单元；所述上片的复合框架单元的左边基岛与所述下片的复合框架单元的右边基岛配合，所述上片的复合框架单元的右边基岛与所述下片的复合框架单元的左边基岛配合；其特征在于：
上片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离为18±0.025mm，下片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离也是18±0.025mm；复合框架单元在同一水平上的引脚在相向方向的延伸线上，都有一个断开孔，与相应的引脚及其上的连筋整体相连，断开孔的形状均为长方形；所述上片开设有28个框架单元；所述下片开设有28个框架单元；所述框架单元上均设有15个引脚；所述引脚和基岛之间设有折边部，所述的折边部上设有防分层孔。
2.如权利要求1所述的一种SMB型半导体引线框架，其特征在于：所述上片和下片的长度和宽度分别为252±0.1mm、77.2±0.05mm。
3.如权利要求1所述的一种SMB型半导体引线框架，其特征在于：所述框架单元在同一水平上的两个相邻基岛圆孔圆心之间的距离为9±0.1mm。
4.如权利要求1所述的一种SMB型半导体引线框架，其特征在于：所述上片和下片的多个圆形定位孔的直径为1.5±0.025mm。
5.如权利要求1所述的一种SMB型半导体引线框架，其特征在于：所述上片和下片的多个椭圆形定位孔的长度为3±0.025mm。
6.如权利要求1所述的一种SMB型半导体引线框架，其特征在于：所述多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔、多个凸刺和多个方孔的高度均为1.5±0.025mm。
7.如权利要求1所述的一种SMB型半导体引线框架，其特征在于：所述基岛的长和宽分区为：1.8±0.025mm。
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