CN206418219U - 一种高效硅晶片热场长晶装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体，以及设置于炉体外的冷却器，炉体内设置有保温装置，保温装置内设置有坩埚，坩埚的外侧包覆有坩埚护板，坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器，所述坩埚护板底部设置有冷凝板，冷凝板连接有冷却管，冷却管与冷却器连接。本实用新型实现了对坩埚点局部强冷，实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制，减少单埚籽晶的投放量，已达到提高硅片质量降低成本目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏行业，多晶硅片制成领域、准单晶制造领域，具体为一种硅晶片热场长晶装置。
背景技术
硅晶片热场长晶装置是多晶硅片制成领域、准单晶制造领域常用的装置。现有的硅晶片热场长晶装置，对坩埚的冷气范围大，冷却气体不能重复利用，要求籽晶投放量大，籽晶质量很难控制，籽晶成本偏高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高效硅晶片热场长晶装置，以实现对坩埚点局部强冷，实现对小块籽晶熔化、生长的有效控制，减少单埚籽晶的投放量，已达到提高硅片质量降低成本目的。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体，以及设置于炉体外的冷却器，炉体内设置有保温装置，保温装置内设置有坩埚，坩埚的外侧包覆有坩埚护板，坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器，所述坩埚护板底部设置有冷凝板，冷凝板连接有冷却管，冷却管与冷却器连接。
所述冷却管内设置有导流管。
所述冷却管通过接头连接有连接管，连接管与冷却器连接。
所述冷却管的端部插入冷凝板内部，与坩埚护板底部接触。
所述冷却管与坩埚护板接触位置位于坩埚护板底部的中心点处。
所述加热器包括设置于坩埚护板侧边的环形加热器，以及位于坩埚护板顶部上方的加热器。
有益效果：本实用新型通过惰性气体循环对冷却管上部冷却，从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却，控制籽晶的熔化及长晶速度。可以用更少的籽晶来完成铸锭，从而达到降低铸锭成本。用更好的籽晶来完成铸锭，从而达到提高铸锭质量目的。解决了现有工艺籽晶用量多，质量、成本难控制的问题。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做更进一步的解释。
一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体9，以及设置于炉体外的冷却器8，炉体9内设置有保温装置11，保温装置11内设置有坩埚2，坩埚2的外侧包覆有坩埚护板1，坩埚护板1外设置有用于对坩埚2加热形成热场的加热器10，所述坩埚护板1底部设置有冷凝板3，冷凝板3连接有冷却管4，冷却管4内设置有导流管5，冷却管4通过接头6连接有连接管7，连接管7与冷却器8连接。
冷却管4的端部插入冷凝板3内部，与坩埚护板1底部接触；冷却管4与坩埚护板1接触位置位于坩埚护板1底部的中心点处。
加热器10包括设置于坩埚护板1侧边的环形加热器，以及位于坩埚护板1顶部上方的加热器，分别对坩埚2的侧面以及顶部提供热场。
本实用新型通过惰性气体循环对冷却管上部冷却，从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却，控制籽晶的熔化及长晶速度。可以用更少的籽晶来完成铸锭，从而达到降低铸锭成本。用更好的籽晶来完成铸锭，从而达到提高铸锭质量目的。解决了现有工艺籽晶用量多，质量、成本难控制的问题。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：包括炉体(9)，以及设置于炉体外的冷却器(8)，炉体(9)内设置有保温装置(11)，保温装置(11)内设置有坩埚(2)，坩埚(2)的外侧包覆有坩埚护板(1)，坩埚护板(1)外设置有用于对坩埚(2)加热形成热场的加热器(10)，所述坩埚护板(1)底部设置有冷凝板(3)，冷凝板(3)连接有冷却管(4)，冷却管与冷却器(8)连接。
2.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述冷却管(4)内设置有导流管(5)。
3.根据权利要求1或2所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述冷却管(4)通过接头(6)连接有连接管(7)，连接管(7)与冷却器(8)连接。
4.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述冷却管(4)的端部插入冷凝板(3)内部，与坩埚护板(1)底部接触。
5.根据权利要求4所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述冷却管(4)与坩埚护板(1)接触位置位于坩埚护板(1)底部的中心点处。
6.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述加热器(10)包括设置于坩埚护板(1)侧边的环形加热器，以及位于坩埚护板(1)顶部上方的加热器。
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| CN201720589450.8U CN206418219U (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 一种高效硅晶片热场长晶装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107022791A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-08-08 | 镇江仁德新能源科技有限公司 | 一种高效硅晶片热场长晶装置及方法 |
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- 2017-05-24 CN CN201720589450.8U patent/CN206418219U/zh not_active Expired - Fee Related
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