CN206412368U - 一种mos管和芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种MOS管和芯片，MOS管包括：晶圆、金属衬底支架、栅极引脚、源极引脚和漏极引脚，其中，漏极引脚的一端与金属衬底支架连接，栅极引脚的一端和源极引脚的一端分别与晶圆连接，栅极引脚设置在漏极引脚和源极引脚之间。本实用新型能够实现最大程度增大漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，提高了MOS管的耐高压能力，减少或避免漏电问题，不仅便于后端应用，且有利于进一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在现有技术中PCB破孔的风险或MOS管器件加工时受损的风险等。

Description

一种MOS管和芯片

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种MOS管和一种芯片。

背景技术

目前，小功率开关电源普遍使用插件类高压MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)管(例如TO-92/TO-220等封装形式的插件类高压MOS管)作为主开关器件。常见的高压MOS管器件耐压在650V-800V，高耐压器件在layout(布线)设计时须考虑引脚之间的安全间距问题，以防止在PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)板潮湿或者被污染后引起漏电问题。目前业内MOS管的三个引脚引出方案均采用漏极引脚居中设计的方案，这样，承受高压的漏极引脚和源极引脚之间的安全间距就会受限，给后端应用带来不便。

为了增大MOS管中漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，现有技术中，Layout设计师常采用以下两种方案：

方案一，在漏极引脚对应的焊盘和源极引脚对应的焊盘之间增加开孔；

方案二，将漏极引脚、源极引脚和栅极引脚进行“品”字形摆放设计。

上述两种方案中，方案一会增加MOS管成本，且存在PCB破孔的风险，方案二会增加引脚成型工艺及成本，且存在MOS管器件加工时受损的风险。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种MOS管和一种芯片，以解决现有技术中增大MOS管中漏极引脚和源极引脚之间的安全间距时成本高、存在PCB破孔的风险或存在MOS管器件加工时受损的风险的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种MOS管，包括：晶圆、金属衬底支架、栅极引脚、源极引脚和漏极引脚，其中，所述漏极引脚的一端与所述金属衬底支架连接，所述栅极引脚的一端和所述源极引脚的一端分别与所述晶圆连接，所述栅极引脚设置在所述漏极引脚和所述源极引脚之间。

为了解决上述问题，本实用新型实施例还公开了一种芯片，包括至少一个所述的MOS管。

本实用新型实施例包括以下优点：通过将漏极引脚的一端与金属衬底支架连接，栅极引脚的一端和源极引脚的一端分别与晶圆连接，栅极引脚设置在漏极引脚和源极引脚之间。这样，能够实现最大程度增大漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，提高了MOS管的耐高压能力，减少或避免MOS管的漏电问题，不仅便于后端应用，且有利于进一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在现有技术中PCB破孔的风险或MOS管器件加工时受损的风险等。

附图说明

图1是本实用新型的一种MOS管实施例的结构示意图；

图2是本实用新型的另一种MOS管实施例的结构示意图；

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

参照图1，其示出了本实用新型的一种MOS管实施例的结构示意图，具体可以包括：晶圆1、金属衬底支架2、栅极引脚G、源极引脚S和漏极引脚D，其中，漏极引脚D的一端与金属衬底支架2连接，栅极引脚G的一端和源极引脚S的一端分别与晶圆1连接，栅极引脚G设置在漏极引脚D和源极引脚S之间。其中，图1中，漏极引脚D在栅极引脚G的左侧，源极引脚S在栅极引脚G的右侧。

在本实用新型的另一个实施例中，参照图2，源极引脚S在栅极引脚G的左侧，漏极引脚D在栅极引脚G的右侧。

可选地，在本实用新型的一个实施例中，参照图1和图2，栅极引脚G和晶圆1可以通过第一金属线3连接，源极引脚S和晶圆1可以通过第二金属线4连接。

可选地，在本实用新型的一个实施例中，漏极引脚D和金属衬底支架2可以通过第三金属线连接，或漏极引脚D与金属衬底支架2一体成型。其中，图1和图2中，漏极引脚D与金属衬底支架2一体成型。

可选地，金属线可以包括金线、铜线或铝线等，金属衬底支架2可以为铜衬底支架等。其中，图1和图2中，金属线为金线。

可选地，晶圆1和金属衬底支架2通过导电材料固定连接，其中，导电材料可以包括高温锡膏或银浆等。

具体地，参照图1和图2，晶圆1、金属衬底支架2、栅极引脚G的一端、源极引脚S的一端和漏极引脚D的一端可以封装在塑脂5中，栅极引脚G的另一端、源极引脚S的另一端和漏极引脚D的另一端悬空。

本实用新型实施例的MOS管包括以下优点：通过将漏极引脚的一端与金属衬底支架连接，栅极引脚的一端和源极引脚的一端分别与晶圆连接，栅极引脚设置在漏极引脚和源极引脚之间。这样，能够实现最大程度增大漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，提高了MOS管的耐高压能力，减少或避免MOS管的漏电问题，不仅便于后端应用，且有利于进一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在现有技术中PCB破孔的风险或MOS管器件加工时受损的风险等。

本实用新型实施例还公开了一种芯片，该芯片包括至少一个上述的MOS管。

本实用新型实施例的芯片包括以下优点：通过将MOS管中的漏极引脚的一端与金属衬底支架连接，栅极引脚的一端和源极引脚的一端分别与晶圆连接，栅极引脚设置在漏极引脚和源极引脚之间。这样，能够实现最大程度增大漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，提高了MOS管的耐高压能力，减少或避免MOS管的漏电问题，不仅便于后端应用，且有利于进一步小型化MOS管和芯片的尺寸，成本低，不存在现有技术中PCB破孔的风险或MOS管器件加工时受损的风险等。

由于芯片包括上述的MOS管，所以描述的比较简单，相关之处参见上述的MOS管实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本实用新型所提供的一种MOS管和一种芯片，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (9)

1.一种MOS管，其特征在于，包括：晶圆、金属衬底支架、栅极引脚、源极引脚和漏极引脚，其中，所述漏极引脚的一端与所述金属衬底支架连接，所述栅极引脚的一端和所述源极引脚的一端分别与所述晶圆连接，所述栅极引脚设置在所述漏极引脚和所述源极引脚之间。

2.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述栅极引脚和所述晶圆通过第一金属线连接。

3.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述源极引脚和所述晶圆通过第二金属线连接。

4.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述漏极引脚和所述金属衬底支架通过第三金属线连接。

5.根据权利要求2或3或4所述的MOS管，其特征在于，所述金属线包括金线、铜线或铝线。

6.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述金属衬底支架为铜衬底支架。

7.根据权利要求1或6所述的MOS管，其特征在于，所述漏极引脚与所述金属衬底支架一体成型。

8.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述晶圆和所述金属衬底支架通过导电材料固定连接。

9.一种芯片，其特征在于，包括至少一个权利要求1-8中任一项所述的MOS管。