CN206368213U - 一种长晶炉 - Google Patents
一种长晶炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206368213U CN206368213U CN201621444673.7U CN201621444673U CN206368213U CN 206368213 U CN206368213 U CN 206368213U CN 201621444673 U CN201621444673 U CN 201621444673U CN 206368213 U CN206368213 U CN 206368213U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heater
- baffle plate
- seed shaft
- seed
- backing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种长晶炉,属于碳化硅生产设备技术领域。一种长晶炉,包括炉体(1)、籽晶轴(2),其特征在于:所述炉体(1)的内侧壁上设有一环形的垫板(4),所述垫板(4)上设置有一直径与所述炉体(1)的内径相当的挡板(5),所述挡板(5)将炉体(1)内部分为上下两部分空间,所述挡板(5)上有供籽晶轴(2)穿过的轴孔,所述挡板(5)的上部为平面,其下部为向上凸起的曲面(6),其靠近籽晶轴(2)部分的厚度大于远离籽晶轴(2)部分的厚度。本实用新型结构简单,其能使籽晶附近区域以外的周边区域的温度均匀,能够提高晶体生长质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种长晶炉,是一种液相法生长碳化硅晶体的装置。
背景技术
现有的液相法生长碳化硅晶体,是通过加热将硅在高纯石墨坩埚中融化,形成碳在硅中的溶液,再通过头部贴付有籽晶的籽晶轴伸入到溶液中去生长晶体。液相法生长晶体时,通过在籽晶轴内通入冷却介质来冷却籽晶轴的下端部,进而冷却下部的籽晶,同时使附近区域冷却,使附近区域的SiC成为过饱和状态,促进SiC单晶体的生长。但是,若附近区域以外的周边区域的温度不均匀,则在周边区域中,容易因自然生成晶核而生成SiC多晶体,所生成的SiC多晶体若流动至籽晶处大量附着于在SiC籽晶上生长的SiC单晶体,则会阻碍SiC单晶体的生长,并影响产品质量。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述缺陷,本实用新型提供了一种能使籽晶附近区域以外的周边区域的温度均匀、能够提高晶体质量的长晶炉。
本实用新型是通过如下技术方案来实现的:一种长晶炉,包括炉体、籽晶轴,其特征是:所述炉体的内侧壁上设有一环形的垫板,所述垫板上设置有一直径与所述炉体的内径相当的挡板,所述挡板将炉体内部分为上下两部分空间,所述挡板上有供籽晶轴穿过的轴孔,所述挡板的上部为平面,其下部为向上凸起的曲面,其靠近籽晶轴部分的厚度大于远离籽晶轴部分的厚度。
进一步的,为便于挡板位置的调节,所述垫板在炉体内的上下位置可调。
进一步的,所述炉体的内侧壁上沿其高度方向设有至少两个环形台阶,所述垫板设置于所述环形台阶上。通过环形台阶可以固定垫板。
本实用新型中通过在炉体内设置挡板将炉体内部空间分为上下两部分,挡板可以阻挡炉体内的溶液的热量的散发,使上部空间的温度低于下部空间的温度。由于上部空间的温度较低,可以使籽晶轴的散热很好的进行,可以对籽晶附件近区域进行很好的冷却,有利于晶体的生长。由于挡板的存在,可以阻挡炉体内的溶液的热量的大量散发。由于挡板的下表面为向上凸起的曲面,炉体下部空间内可形成沿曲面流动的气流,该种方向流动的气流有利于使下部空间内的温度均匀,不使内外侧的温度产生大的温度梯度,有利于使籽晶附近区域以外的周边区域的温度通过热传导而更加均匀,从而防止因温度不均匀而导致生成SiC多晶体,影响籽晶轴上的单晶体的生长及影响生长的晶体的质量。本实用新型将挡板靠近籽晶轴部分的厚度设计为大于远离籽晶轴部分的厚度,其可使籽晶轴上形成更好的温度梯度,有利于籽晶轴的散热。而垫板的设置可以使挡板保持稳定,避免挡板与籽晶轴之间产生交涉,使得籽晶轴在后期的提拉过程中不受影响,保证籽晶轴与生长的晶体同轴。
附图说明
图1为本实用新型具体实施方式中的结构示意图;
图2是本实用新型具体实施例中带有环形台阶的炉体示意图;
图中,1、炉体,2、籽晶轴,3、籽晶,4、垫板,5、挡板,6、曲面,7、环形台阶。
具体实施方式
下面通过非限定性的实施例并结合附图对本实用新型作进一步的说明:
如附图所示,一种长晶炉,包括炉体1、籽晶轴2。其中,籽晶轴2的下部设有籽晶3,所述炉体1的内侧壁上设有一环形的垫板4,所述垫板4上设置有一直径与所述炉体1的内径相当的挡板5,所述挡板5将炉体1内部分为上下两部分空间,所述挡板5上有供籽晶轴2穿过的轴孔,所述挡板5的上部为平面,其下部为向上凸起的曲面6,其靠近籽晶轴2部分的厚度大于远离籽晶轴2部分的厚度。
本实施例中,挡板5为绝热性材料制成。
本实施例中的挡板5应设置在炉内的溶液液面之上。为便于挡板5位置的调节以适应不同的高度需求,所述垫板4在炉体1内的上下位置设计可调,本实施例中是在炉体1的内侧壁上沿其高度方向设有至少两个环形台阶7,垫板4固定在环形台阶7上。通过垫板4的位置调整,来调整挡板5在炉内的高度。
本实施例中的其他部分为现有技术,在此不再赘述。
Claims (3)
1.一种长晶炉,包括炉体(1)、籽晶轴(2),其特征是:所述炉体(1)的内侧壁上设有一环形的垫板(4),所述垫板(4)上设置有一直径与所述炉体(1)的内径相当的挡板(5),所述挡板(5)将炉体(1)内部分为上下两部分空间,所述挡板(5)上有供籽晶轴(2)穿过的轴孔,所述挡板(5)的上部为平面,其下部为向上凸起的曲面(6),其靠近籽晶轴(2)部分的厚度大于远离籽晶轴(2)部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的长晶炉,其特征是:所述垫板(4)在炉体内的上下位置可调。
3.根据权利要求2所述的长晶炉,其特征是:所述炉体(1)的内侧壁上沿其高度方向设有至少两个环形台阶(7),所述垫板(4)设置于所述环形台阶上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621444673.7U CN206368213U (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种长晶炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621444673.7U CN206368213U (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种长晶炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206368213U true CN206368213U (zh) | 2017-08-01 |
Family
ID=59393278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201621444673.7U Active CN206368213U (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种长晶炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206368213U (zh) |
-
2016
- 2016-12-27 CN CN201621444673.7U patent/CN206368213U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105442037A (zh) | 一种高速单晶生长装置 | |
CN104562185B (zh) | 一种提拉法晶体生长炉 | |
CN102051674B (zh) | 单晶锭制造装置 | |
CN105970295B (zh) | 一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 | |
TWI781759B (zh) | 晶體生產方法 | |
CN104726930B (zh) | 一种在熔体区域具有搅拌环的直拉法单晶硅生长装置 | |
JP5464429B2 (ja) | 四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法 | |
JP4830312B2 (ja) | 化合物半導体単結晶とその製造方法 | |
CN109137067A (zh) | 一种多晶硅锭浇铸装置及浇铸方法 | |
CN113073384A (zh) | 一种可有效减少SiC单晶缺陷的方法及装置 | |
CN202030860U (zh) | 单晶锭制造装置 | |
JP2008031019A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
CN104862775A (zh) | 一种蓝宝石晶体半球罩的生长装置及其生长方法 | |
JP2014502952A (ja) | 抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハ | |
CN106319621A (zh) | 一种大尺寸直拉硅单晶生长方法 | |
JP5163386B2 (ja) | シリコン融液形成装置 | |
US9938633B2 (en) | System for manufacturing a crystalline material by directional crystallization provided with an additional lateral heat source | |
CN208701250U (zh) | 一种用于晶体生长炉的水冷式籽晶杆 | |
CN106048723A (zh) | 一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法 | |
CN206368213U (zh) | 一种长晶炉 | |
CN205295534U (zh) | 一种高速单晶生长装置 | |
JP5370394B2 (ja) | 化合物半導体単結晶基板 | |
CN116516463A (zh) | 一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法 | |
CN201942779U (zh) | 一种应用在单晶炉中的热屏装置 | |
CN105401211B (zh) | 拉制c轴蓝宝石单晶长晶炉及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | "change of name, title or address" |
Address after: No.99, Tianyue South Road, Huaiyin District, Jinan City, Shandong Province Patentee after: Shandong Tianyue advanced technology Co., Ltd Address before: Room 1106-6-01, block AB, Century Fortune Center, west side of Xinyu Road, high tech Zone, Jinan City, Shandong Province Patentee before: Shandong Tianyue Advanced Materials Technology Co.,Ltd. |
|
CP03 | "change of name, title or address" |