CN206293592U - 一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，所述薄膜电路衰减片包括一基板，所述基板正面设有输入电极、输出电极和电阻，所述输入电极位于输出电极上侧，所述电阻分别与输入电极和输出电极连接形成分布式衰减网络，所述基板上下两侧分别设有接地导带，所述分布式衰减网络通过接地导带接地导通，所述基板左侧的输入端连接有第一镀金电极，所述基板右侧的输出端连接有第二镀金电极。本实用新型体积小，高频特性好，阻值精度和衰减精度高，重复性好，可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种衰减片，具体涉及一种用于40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片。
背景技术
氮化铝陶瓷基板2瓦6dB的衰减片是同轴固定衰减器芯片的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件，要求对两端电路的影响越小越好。目前市场上存在的衰减片其衰减精度少数能达到18GHz，还不能满足40GHz更高频率的应用要求。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，所述薄膜电路衰减片包括一基板，所述基板正面设有输入电极、输出电极和电阻，所述输入电极位于输出电极上侧，所述电阻分别与输入电极和输出电极连接形成分布式衰减网络，所述基板上下两侧分别设有接地导带，所述分布式衰减网络通过接地导带接地导通，所述基板左侧的输入端连接有第一镀金电极，所述基板右侧的输出端连接有第二镀金电极。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述基板为卡片状，所述基板尺寸为6.5mm*4.2mm*0.2mm。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述基板为氮化铝基板。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述基板反面为无电路非金属面。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型体积小，高频特性好，阻值精度和衰减精度高，重复性好，可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
本实用新型能够让衰减电路处于一个完全对称的状态，产品工作频带从直流能达到40GHz，功率容量达到2W。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
参见图1，本实用新型提供的40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，其包括一基板100。
基板100，其具体为氮化铝基板，其具体为矩形式的卡片状，体积为6.5mm*4.2mm*0.2mm，其反面为无电路非金属面，正面设有输入电极200、输出电极300和电阻400。
输入电极200，其具体通过印刷直接水平设置在基板100正面的中间部位。
输出电极300，其具体通过印刷直接水平设置在基板100正面的中间部位，位于输入电极200下侧，并且输出电极300在基板100上刚好与输入电极200相对称。
电阻400，其具体通过薄膜工艺直接真空溅射氮化钽在基板100正面而成，这样使得其特性阻抗达到50Ω，频率达到40GHz，功率容量达到2W。
电阻400具体垂直设置在基板100正面，并且分别与输入电极200和输出电极300连接，从而可形成分布式衰减网络。
另外，电阻400采用热氧化调阻方式，这样使得本申请的输入端以及输出端分别和接地端的阻抗为50±0.5Ω。
在基板100上下两侧分别设有接地导带500，分布式衰减网络通过接地导带500接地导通，这样通过基板100两侧的输出端和输入端形成衰减电路。
由于输出电极300与输入电极200相对称，这样使得衰减电路整体处于一个完全对称的状态，产品工作频带从直流能达到40GHz，功率容量达到2W。
另外，由于基板100为矩形式的卡片状，这样能达到驻波小，频带宽的要求，使得本申请工作频带从直流到40GHz，功率容量2W，具有良好快速的散热能力，机械稳定性好，重复性好。
再者，为了便于信号的快速传输，在基板100左侧的输入端连接有第一镀金电极610，在基板100右侧的输出端连接有第二镀金电极620。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，其特征在于，所述薄膜电路衰减片包括一基板，所述基板正面设有输入电极、输出电极和电阻，所述输入电极位于输出电极上侧，所述电阻分别与输入电极和输出电极连接形成分布式衰减网络，所述基板上下两侧分别设有接地导带，所述分布式衰减网络通过接地导带接地导通，所述基板左侧的输入端连接有第一镀金电极，所述基板右侧的输出端连接有第二镀金电极。
2.根据权利要求1所述的一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，其特征在于，所述基板为卡片状，所述基板尺寸为6.5mm*4.2mm*0.2mm。
3.根据权利要求1所述的一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，其特征在于，所述基板为氮化铝基板。
4.根据权利要求1所述的一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片，其特征在于，所述基板反面为无电路非金属面。
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2016
- 2016-12-10 CN CN201621351652.0U patent/CN206293592U/zh active Active
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