CN203733545U - 一种小型陶瓷厚膜射频电阻 - Google Patents

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刘玉敏
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Abstract

本实用新型涉及一种电阻，一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质、第一、二、三、四金属导电膜及电阻膜，所述陶瓷介质的底面覆盖第四金属导电膜、表面覆盖第一、二金属导电膜及电阻膜，右侧面覆盖第三金属导电膜、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。本实用新型具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对厚膜射频电阻小型化的需求。该射频电阻最大输入功率为15W、带宽为8Ghz、最大损耗为-20db。

Description

一种小型陶瓷厚膜射频电阻
技术领域
本实用新型涉及一种电阻，更具体地说，涉及一种小型陶瓷厚膜射频电阻。
背景技术
在射频电路、隔离器、微波耦合器和功分器/合成器中，射频电阻位于终端，用来吸收不需要的功率。近年来，随着通信行业的发展，高功率、高频率且小型化的射频电阻越来越成为市场的主流。目前，常用的射频电阻的制造工艺有两种。一种是薄膜工艺，即在介质基底上淀积有耗金属膜或采用半绝缘衬底上的半导体薄膜。另一种是厚膜工艺，将不同导电率金属组合印刷在介质基底上。而采用薄膜工艺制造的射频电阻具有工艺复杂且成本较高的缺点。
发明内容
为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型目的是提供一种小型陶瓷厚膜射频电阻。该射频电阻具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对于厚膜射频电阻小型化的需求。
为了实现上述发明目的，解决已有技术中所存在的问题，本实用新型采取的技术方案是：一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质、第一、二、三、四金属导电膜及电阻膜，所述陶瓷介质的底面覆盖第四金属导电膜、表面覆盖第一、二金属导电膜及电阻膜，右侧面覆盖第三金属导电膜、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。
所述电阻膜的两边分别与第一金属导电膜及第二金属导电膜相连。
所述第二金属导电膜、第三金属导电膜及第四金属导电膜依次相连。
所述陶瓷介质选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。
所述陶瓷介质的尺寸为3.0×1.5×0.635mm。
本实用新型有益效果是：一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质、第一、二、三、四金属导电膜及电阻膜，所述陶瓷介质的底面覆盖第四金属导电膜、表面覆盖第一、二金属导电膜及电阻膜，右侧面覆盖第三金属导电膜、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。与已有技术相比，本实用新型具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对厚膜射频电阻小型化的需求。该射频电阻最大输入功率为15W、带宽为8Ghz、最大损耗为-20db。
附图说明
图1是本实用新型一种小型陶瓷厚膜射频电阻的结构示意图
图中：1、陶瓷介质，2、第一金属导电膜，2a、第二金属导电膜，2b、第三金属导电膜，2c、第四金属导电膜，3、电阻膜。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图1所示，一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质1、第一、二、三、四金属导电膜2、2a、2b、2c及电阻膜3，所述陶瓷介质1的底面覆盖第四金属导电膜2c）、表面覆盖第一、二金属导电膜2、2a及电阻膜3，右侧面覆盖第三金属导电膜2b、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。所述电阻膜3的两边分别与第一金属导电膜2及第二金属导电膜2a相连，所述第二金属导电膜2a、第三金属导电膜2b及第四金属导电膜2c依次相连，所述陶瓷介质1选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成，所述陶瓷介质1的尺寸为3.0×1.5×0.635mm。当具有一定功率的射频信号从输入端第二金属导电膜2a输入时，在流经电阻膜3时会产生热能加以消耗，第四金属导电膜2c用于起到接地的作用。
本实用新型的优点在于：一种小型陶瓷厚膜射频电阻具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对厚膜射频电阻小型化的需求。

Claims (5)

1.一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质（1）、第一、二、三、四金属导电膜（2、2a、2b、2c）及电阻膜（3），其特征在于：所述陶瓷介质（1）的底面覆盖第四金属导电膜（2c）、表面覆盖第一、二金属导电膜（2、2a）及电阻膜（3），右侧面覆盖第三金属导电膜（2b）、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。
2.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于：所述电阻膜（3）的两边分别与第一金属导电膜（2）及第二金属导电膜（2a）相连。
3.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于：所述第二金属导电膜（2a）、第三金属导电膜（2b）及第四金属导电膜（2c）依次相连。
4.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于：所述陶瓷介质（1）选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。
5.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于：所述陶瓷介质（1）的尺寸为3.0×1.5×0.635mm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109786913A (zh) * 2019-03-22 2019-05-21 西安雷航电子信息技术有限公司 一种基于薄膜电阻的射频同轴负载
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