CN206461075U - 一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其包括底板和氧化铍基板，氧化铍基板的背面两侧分别设有焙银，氧化铍基板通过焙银与底板连接，氧化铍基板正面设有电阻膜和银电极，银电极与氧化铍基板背面两侧的焙银连接，氧化铍基板两侧设有输入引线和输出引线，电阻膜与银电极、输入引线和输出引线配合形成分布式衰减网络，分布式衰减网络通过焙银与底板连接。本实用新型能够使得形成的衰减电路处于一个完全对称的状态，产品工作频带能从直流到2.5GHz，功率容量100W，具有体积小，衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，重复性好。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种衰减器，具体涉及一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB 集成衰减器。
背景技术
氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器是集成衰减器的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件，要求对两端电路的影响越小越好。目前市场上集成衰减器其功率少数能达到50瓦，对于100瓦等更大功率相应空缺。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB 集成衰减器。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，所述氧化铍陶瓷基板100 瓦10dB集成衰减器包括底板和氧化铍基板，所述氧化铍基板的背面两侧分别设有焙银，所述氧化铍基板通过焙银与底板连接，所述氧化铍基板正面设有电阻膜和银电极，所述银电极与氧化铍基板背面两侧的焙银连接，所述氧化铍基板两侧设有输入引线和输出引线，所述电阻膜与银电极、输入引线和输出引线配合形成分布式衰减网络，分布式衰减网络通过焙银与底板连接。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述银电极为对称结构。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述电阻膜设置在氧化铍基板正面的中心位置，也为对称结构。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述电阻膜通过真空溅射氮化钽厚膜工艺直接成形在氧化铍基板正面。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器还包括一盖板，所述盖板可拆卸地设置在氧化铍基板正面，并将电阻膜和银电极罩住。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型能够使得形成的衰减电路处于一个完全对称的状态，产品工作频带能从直流到2.5GHz，功率容量100W，具有体积小，衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，重复性好。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
参见图1，本实用新型提供的氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其包括氧化铍基板100和底板200。
氧化铍基板100，其为单面电路，其背面两侧分别设有焙银300。
焙银300具体通过印刷直接设置在氧化铍基板100上，并且与底板200连接。
在氧化铍基板100正面设有电阻膜400和银电极500。
电阻膜400，其设置在氧化铍基板100正面的中心位置，且为对称结构，其通过真空溅射氮化钽厚膜工艺直接成形在氧化铍基板100正面，这样使得电阻膜400特性阻抗可达到50Ω，频率达到2.5GHz，功率容量达到100W。
银电极500，其整体也为对称结构，其与氧化铍基板100背面的焙银300 连接。
在氧化铍基板100上下两侧设有输入引线610和输出引线620，信号可通过输入引线610进入到氧化铍基板100上，并可通过输出引线620输出。
在本申请中，电阻膜400与银电极500、输入引线610和输出引线620配合形成一分布式衰减网络，而由于银电极500与焙银300连接，而焙银300与底板200连接，这样使得布式衰减网络可通过底板200接地导通，形成衰减电路。
底板200，其具体为一散热板，其为接地端，其是用于为布式衰减网络接地导通和对氧化铍基板100进行散热，提高氧化铍基板100的使用寿命。
另外，在本申请中，电阻膜400具体采用热氧化调阻方式，这样使得本申请的输入端以及输出端分别和接地端的阻抗都为50±2.5Ω。
再者，为了对氧化铍基板100上的电阻膜400和银电极500进行保护，防止电阻膜400和银电极500沾染灰尘等物体，在氧化铍基板100上设有一可拆卸地盖板700，盖板700可拆卸地设置在氧化铍基板100的正面，并且可将电阻膜400和银电极500罩住。
为了提高散热性能，盖板700采用散热性能高的材料制成，并且可在盖板 700的侧面上设有散热孔。
下面是本申请的具体工作原理：
首先信号会通过输入引线610进入到氧化铍基板100上，而输出引线620 会将实际需求的信号输出给相应部件，而剩余的的信号会进入到电阻膜400，然后通过衰减电路进行逐步吸收。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其特征在于，所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器包括底板和氧化铍基板，所述氧化铍基板的背面两侧分别设有焙银，所述氧化铍基板通过焙银与底板连接，所述氧化铍基板正面设有电阻膜和银电极，所述银电极与氧化铍基板背面两侧的焙银连接，所述氧化铍基板两侧设有输入引线和输出引线，所述电阻膜与银电极、输入引线和输出引线配合形成分布式衰减网络，分布式衰减网络通过焙银与底板连接。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其特征在于，所述银电极为对称结构。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其特征在于，所述电阻膜设置在氧化铍基板正面的中心位置，也为对称结构。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其特征在于，所述电阻膜通过真空溅射氮化钽厚膜工艺直接成形在氧化铍基板正面。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器，其特征在于，所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器还包括一盖板，所述盖板可拆卸地设置在氧化铍基板正面，并将电阻膜和银电极罩住。
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| CN201621351780.5U CN206461075U (zh) | 2016-12-10 | 2016-12-10 | 一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116154437A (zh) * | 2022-09-09 | 2023-05-23 | 电子科技大学 | 一种短毫米波高功率法拉第隔离器 |
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2016
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| CN116154437B (zh) * | 2022-09-09 | 2024-05-14 | 电子科技大学 | 一种短毫米波高功率法拉第隔离器 |
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