CN211182474U - 一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，其包括：氧化铍基片，氧化铍基片的上表面上设有第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻；第一银引线和第二银引线，第一并联电阻、串联电阻、第二并联电阻通过连接中心导带、第一银引线、第二银引线形成分布式衰减电路，所述分布式衰减电路通过第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接进行接地导通；氧化铝盖板，氧化铝盖板设置在氧化铍基片上表面。本实用新型体积小，衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，大大提高了功率容量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种衰减片，具体涉及一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片。
背景技术
氧化铍陶瓷基板50瓦30dB集成衰减器是集成衰减器的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件，要求对两端电路的影响越小越好。
目前，集成衰减器其衰减值最高能达到20dB，对于30dB等更大衰减值特别是50瓦以上相应空缺。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB 衰减片。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，所述氧化铍陶瓷基板50瓦30dB 衰减片包括底板，所述氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片还包括：
氧化铍基片，所述氧化铍基片的上表面上设有第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻，所述第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接，所述第一并联电阻与第一接地电极连接，所述第二并联电阻与第二接地电极连接，所述中心导带分别连接第一并联电阻和第二并联电阻，所述串联电阻与中心导带连接；
第一银引线和第二银引线，所述第一银引线与串联电阻一端连接，所述第二银引线与串联电阻另一端连接，所述第一并联电阻、串联电阻、第二并联电阻通过连接中心导带、第一银引线、第二银引线形成分布式衰减电路，所述分布式衰减电路通过第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接进行接地导通；
氧化铝盖板，所述氧化铝盖板设置在氧化铍基片上表面，并将第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻密封住。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述氧化铍基片的下表面设有焙银层。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一并联电阻、第二并联电阻和串联电阻都由真空溅射氮化钽厚膜工艺制作而成。
在本实用新型的一个优选实施例中，所述分布式衰减电路为对称结构。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型体积小，衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，大大提高了功率容量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
参见图1，本实用新型提供的氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，其包括底板1、第一接地电极2、第一并联电阻3、中心导带4、第一银引线5、串联电阻6、氧化铍基片7、第二接地电极8、氧化铝盖板9、第二银引线10、第二并联电阻11。
在氧化铍基片7的上表面上直接印刷有第一接地电极2、第一并联电阻3、中心导带4、串联电阻6、第二接地电极8和第二并联电阻11。
第一接地电极2和第二接地电极8分别与底板1连接。
第一并联电阻3与第一接地电极2连接，第二并联电阻11与第二接地电极8连接，中心导带4分别连接第一并联电阻3和第二并联电阻11，串联电阻 6与中心导带4连接。
第一银引线5与串联电阻6一端连接，第二银引线10与串联电阻6另一端连接，第一并联电阻3、串联电阻6、第二并联电阻11通过连接中心导带4、第一银引线5、第二银引线10形成分布式衰减电路。
由于第一接地电极2和第二接地电极8分别与底板1连接，这样分布式衰减电路可通过底板1直接进行接地导通。
上述中心导带4具体为一中心对称结构，这样使得分布式衰减电路也呈对称结构。
上述第一并联电阻3、第二并联电阻11和串联电阻6都由真空溅射氮化钽厚膜工艺制作而成，这样可提高申请的阻抗性。
本申请的具体工作过程如下：
信号经第一银引线5进入氧化铍基片7，然后经过串联电阻6对功率的逐步吸收，然后从第二银引线10输出实际所需要的信号。
另外，在氧化铍基片7上表面还设有一氧化铝盖板9，氧化铝盖板9用于将第一接地电极2、第一并联电阻3、中心导带4、串联电阻6第二接地电极8、第二并联电阻11进行密封，从而进行保护。
再者，在底板1的下表面可设有若干个波浪形散热块，这样既能进一步提高散热效率，又能提高本申请的安装稳定性。
通过上述结构构成的氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，能够使得产品工作频带能从直流到4GHz，功率容量能达到50W，且整体体积小，衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，重复性好。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，所述氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片包括底板，其特征在于，所述氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片还包括：
氧化铍基片，所述氧化铍基片的上表面上设有第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻，所述第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接，所述第一并联电阻与第一接地电极连接，所述第二并联电阻与第二接地电极连接，所述中心导带分别连接第一并联电阻和第二并联电阻，所述串联电阻与中心导带连接；
第一银引线和第二银引线，所述第一银引线与串联电阻一端连接，所述第二银引线与串联电阻另一端连接，所述第一并联电阻、串联电阻、第二并联电阻通过连接中心导带、第一银引线、第二银引线形成分布式衰减电路，所述分布式衰减电路通过第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接进行接地导通；
氧化铝盖板，所述氧化铝盖板设置在氧化铍基片上表面，并将第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻密封住。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，其特征在于，所述氧化铍基片的下表面设有焙银层。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，其特征在于，所述第一并联电阻、第二并联电阻和串联电阻都由真空溅射氮化钽厚膜工艺制作而成。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片，其特征在于，所述分布式衰减电路为对称结构。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201922469017.2U CN211182474U (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片 |
Applications Claiming Priority (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN211182474U (zh) |
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2019
- 2019-12-31 CN CN201922469017.2U patent/CN211182474U/zh active Active
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