CN221081285U - 一种宽带衰减器匹配结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及薄膜衰减器技术领域，具体公开了一种宽带衰减器匹配结构，包括接地端、信号通道电阻和激励加载组件，信号通道电阻与接地端电性连接，并位于接地端的上端，激励加载组件的数量为两个，两个激励加载组件分别与信号通道电阻电性连接，并分别位于信号通道电阻的两侧。相对于传统的薄膜衰减器相比，相同体积、相同承受功率指标，工作带宽更宽，实现了传统薄膜衰减器的无匹配结构衰减器无法达到的工作带宽极限，使其工作带宽提升5～10GHz，并且仍然保持了传统薄膜衰减器的所有性能及优势。
Description
技术领域
本实用新型涉及薄膜衰减器技术领域，尤其涉及一种宽带衰减器匹配结构。
背景技术
目前，薄膜衰减器由于具有使用频率宽、体积小、功率大、易集成、重量轻和加工成本低廉的优点，被广泛应用于通信系统和微波射频模块之中，具有小体积、功率大、频带宽特性的薄膜衰减器在微波电路匹配调整、信号幅度调整方面具有较大优势。
现有技术中，常用的0.254mm、0.381mm厚度的氧化铝或者氮化铝、氧化铍陶瓷基板，有超高功率要求使用金刚石基板；为了达到承受功率要求，需要电阻膜层面积达到一定的大小。
但现有技术中，电阻膜层面积增加寄生电容增大，高频驻波恶化，工作带宽变窄，导致电阻膜层面积增加引起寄生电容增大带来的不利影响。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种宽带衰减器匹配结构，旨在解决现有技术中的电阻膜层面积增加寄生电容增大，高频驻波恶化，工作带宽变窄，导致电阻膜层面积增加引起寄生电容增大带来的不利影响的技术问题。
为实现上述目的，本实用新型采用的一种宽带衰减器匹配结构，包括接地端、信号通道电阻和激励加载组件，所述信号通道电阻与所述接地端电性连接，并位于所述接地端的上端，所述激励加载组件的数量为两个，两个所述激励加载组件分别与所述信号通道电阻电性连接，并分别位于所述信号通道电阻的两侧。
其中，每个所述激励加载组件包括T型信号激励端口和L型加载电感，所述T型信号激励端口与所述信号通道电阻电性连接，并位于所述信号通道电阻的一侧，所述L型加载电感与所述T型信号激励端口电性连接，并位于所述T型信号激励端口的一侧。
其中，每个所述激励加载组件包括π型信号激励端口和I型加载电感，所述π型信号激励端口与所述信号通道电阻电性连接，并位于所述信号通道电阻的一侧，所述I型加载电感与所述π型信号激励端口电性连接，并位于所述π型信号激励端口的一侧。
本实用新型的一种宽带衰减器匹配结构的有益效果为：相对于传统的薄膜衰减器相比，相同体积、相同承受功率指标，工作带宽更宽，实现了传统薄膜衰减器的无匹配结构衰减器无法达到的工作带宽极限，使其工作带宽提升5～10GHz，并且仍然保持了传统薄膜衰减器的所有性能及优势。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的实施例1的结构示意图。
图2是本实用新型的实施例2的结构示意图。
1-接地端、2-信号通道电阻、3-T型信号激励端口、4-L型加载电感、5-π型信号激励端口、6-I型加载电感。
具体实施方式
实施例1，请参阅图1，本实用新型提供了一种宽带衰减器匹配结构，包括接地端1、信号通道电阻2和激励加载组件，所述信号通道电阻2与所述接地端1电性连接，并位于所述接地端1的上端，所述激励加载组件的数量为两个，两个所述激励加载组件分别与所述信号通道电阻2电性连接，并分别位于所述信号通道电阻2的两侧。
进一步地，每个所述激励加载组件包括T型信号激励端口3和L型加载电感4，所述T型信号激励端口3与所述信号通道电阻2电性连接，并位于所述信号通道电阻2的一侧，所述L型加载电感4与所述T型信号激励端口3电性连接，并位于所述T型信号激励端口3的一侧。
实施例2，请参阅图2，本实用新型提供了一种宽带衰减器匹配结构，包括接地端1、信号通道电阻2和激励加载组件，所述信号通道电阻2与所述接地端1电性连接，并位于所述接地端1的上端，所述激励加载组件的数量为两个，两个所述激励加载组件分别与所述信号通道电阻2电性连接，并分别位于所述信号通道电阻2的两侧。
进一步地，每个所述激励加载组件包括π型信号激励端口5和I型加载电感6，所述π型信号激励端口5与所述信号通道电阻2电性连接，并位于所述信号通道电阻2的一侧，所述I型加载电感6与所述π型信号激励端口5电性连接，并位于所述π型信号激励端口5的一侧。
在本实用新型中，在所述信号通道电阻2的一侧增设对应的所述I型加载电感6或所述L型加载电感4，以所述信号通道电阻2或衰减器中心为对称结构，传统的衰减器没有所述I型加载电感6或所述L型加载电感4，电阻膜层面积较大的情况下产生较大寄生电容，影响高频反射增大，通过所述I型加载电感6或所述L型加载电感4的加载，综合电阻膜寄生电容对高频端影响，从而增加工作带宽，相对于传统的薄膜衰减器相比，相同体积、相同承受功率指标，工作带宽更宽，实现了传统薄膜衰减器的无匹配结构衰减器无法达到的工作带宽极限，使其工作带宽提升5～10GHz，并且仍然保持了传统薄膜衰减器的所有性能及优势。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于实用新型所涵盖的范围。
Claims (3)
1.一种宽带衰减器匹配结构，其特征在于，
包括接地端、信号通道电阻和激励加载组件，所述信号通道电阻与所述接地端电性连接，并位于所述接地端的上端，所述激励加载组件的数量为两个，两个所述激励加载组件分别与所述信号通道电阻电性连接，并分别位于所述信号通道电阻的两侧。
2.如权利要求1所述的一种宽带衰减器匹配结构，其特征在于，
每个所述激励加载组件包括T型信号激励端口和L型加载电感，所述T型信号激励端口与所述信号通道电阻电性连接，并位于所述信号通道电阻的一侧，所述L型加载电感与所述T型信号激励端口电性连接，并位于所述T型信号激励端口的一侧。
3.如权利要求1所述的一种宽带衰减器匹配结构，其特征在于，
每个所述激励加载组件包括π型信号激励端口和I型加载电感，所述π型信号激励端口与所述信号通道电阻电性连接，并位于所述信号通道电阻的一侧，所述I型加载电感与所述π型信号激励端口电性连接，并位于所述π型信号激励端口的一侧。
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