CN102723559A - 陶瓷基板衰减片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种陶瓷基板衰减片，所述陶瓷衰减片的功率为1瓦，所述陶瓷衰减片的衰减值为19dB，所述陶瓷衰减片背面印刷有银浆背导层正面印刷有导线及焊盘，所属背导体层和所述导线及焊盘需进行高温金属化，所属导线由膜状电阻连接而成，形成衰减电路。所述陶瓷衰减片需要进行电镀锡处理，以保护银层及提高焊锡性。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了1瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。
Description
技术领域
本发明涉及一种衰减片，特别涉及一种陶瓷基板衰减片。
背景技术
目前集成了三个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω，在3G频段以内衰减精度为19±0.8dB，驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的陶瓷基板衰减片，其功率为1瓦，其衰减值为19Db，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种陶瓷基板衰减片，所述陶瓷衰减片的功率为1瓦，所述陶瓷衰减片的衰减值为19dB，所述陶瓷衰减片背面印刷有银浆背导层正面印刷有导线及焊盘，所属背导体层和所述导线及焊盘需进行高温金属化，所属导线由膜状电阻连接而成，形成衰减电路。所述陶瓷衰减片需要进行电镀锡处理，以保护银层及提高焊锡性。
优选的，所述衰减电路由膜状电阻串并联并接地导通后形成。
优选的，所述衰减电路的衰减值由三个膜状电阻的电阻值得出。
优选的，所述焊盘沿所述氧化铝基板的中心线对称。
上述技术方案具有如下有益效果：该陶瓷基板衰减片，功率为1w，衰减值为19dB，采用对称性电路设计，使该产品体积小，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示，该陶瓷基板衰减片包括一氧化铝基板1，氧化铝基板1的背面印刷有银浆背导层，氧化铝基板1的正面印刷有导线2及膜状电阻R1、R2、R3，膜状电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氧化铝基板的中心线对称，膜状电阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及膜状电阻R1、R2、R3形成保护。
该陶瓷基板衰减片，功率为1w，衰减值为19dB，要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻R1、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
该陶瓷基板衰减片，功率为1w，衰减值为19dB，采用对称性电路设计，使该产品体积小，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
以上对本发明实施例所提供的一种陶瓷基板衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种陶瓷基板衰减片，其特征在于：所述陶瓷衰减片的功率为1瓦，所述陶瓷衰减片的衰减值为19dB，所述陶瓷衰减片背面印刷有银浆背导层正面印刷有导线及焊盘，所属背导体层和所述导线及焊盘需进行高温金属化，所属导线由膜状电阻连接而成，形成衰减电路。所述陶瓷衰减片需要进行电镀锡处理，以保护银层及提高焊锡性。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板衰减片，其特征在于：所述衰减电路由膜状电阻串并联并接地导通后形成。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板衰减片，其特征在于：所述衰减电路的衰减值由三个膜状电阻的电阻值得出。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基板衰减片，其特征在于：所述焊盘沿所述氧化铝基板的中心线对称。
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| CN2012102166587A Pending CN102723559A (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 陶瓷基板衰减片 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104241780A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-12-24 | 苏州市新诚氏电子有限公司 | 2瓦氧化铝陶瓷基板衰减片 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5332981A (en) * | 1992-07-31 | 1994-07-26 | Emc Technology, Inc. | Temperature variable attenuator |
| CN102332627A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-01-25 | 苏州市新诚氏电子有限公司 | 大功率氮化铝陶瓷基板20瓦20dB衰减片 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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Application publication date: 20121010 |