CN203733920U - 一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种衰减器，一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，包括呈长方形平板状的陶瓷介质基板、第一、二、三、四、五、六、七、八、九金属导电膜及第一、二、三电阻膜，在所述陶瓷介质基板的表面依次覆盖有第一、二、三金属导电膜及第一、二、三电阻膜，在所述陶瓷介质基板的底面依次覆盖有第四、五、六金属导电膜，在所述陶瓷介质基板的前侧面两端对称覆盖有第七、八金属导电膜，在所述陶瓷介质基板的后侧面覆盖有第九金属导电膜，所述陶瓷介质基板的左右两侧面是未覆盖有金属导电膜的断路区。本实用新型具有宽频、体积小、成本低等特点，主要应用于射频微波、通信测试系统中，对检测仪器起到一种保护的作用。

Description

一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器

技术领域

本实用新型涉及一种衰减器，更具体地说，涉及一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器。

背景技术

在射频或微波的产品测试中，需要测试许多的指标，也用到许多不同的仪器如频谱分析仪、信号源、网络分析仪等，由于每种仪器可以接受的信号电平是不同的，而且也需要测试在不同功率条件下的参数，在信号处理过程中，就需要用衰减器来降低信号的电平、匹配信号源和负载的阻抗或者测量两端口器件的增益或损耗。目前，常用的表贴式射频衰减器的制造工艺大体有两种。一种是薄膜工艺，即在介质基底上淀积有耗金属膜或采用半绝缘衬底上的半导体薄膜。另一种是厚膜工艺，将不同导电率金属组合印刷在介质基底上。而采用薄膜工艺制造的薄型表贴式射频衰减器具有工艺复杂且成本较高的缺点。

发明内容

为了克服已有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器。该射频衰减器具有宽频、体积小、成本低等特点，主要应用于射频微波、通信测试系统中，对检测仪器起到一种保护的作用。

为了实现上述发明目的，解决已有技术中所存在的问题，本实用新型采取的技术方案是：一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，包括呈长方形平板状的陶瓷介质基板、第一、二、三、四、五、六、七、八、九金属导电膜及第一、二、三电阻膜，在所述陶瓷介质基板的表面依次覆盖有第一、二、三金属导电膜及第一、二、三电阻膜，在所述陶瓷介质基板的底面依次覆盖有第四、五、六金属导电膜，在所述陶瓷介质基板的前侧面两端对称覆盖有第七、八金属导电膜，在所述陶瓷介质基板的后侧面覆盖有第九金属导电膜，所述陶瓷介质基板的左右两侧面是未覆盖有金属导电膜的断路区。

所述第一金属导电膜分别与第七金属导电膜及第一、二电阻膜连接，所述第二金属导电膜分别与第八金属导电膜及第一、三电阻膜连接，所述第三金属导电膜分别与第九金属导电膜及第二、三电阻膜连接，所述第四金属导电膜与第七金属导电膜连接，所述第五金属导电膜与第八金属导电膜连接，所述第九金属导电膜分别与第三、六金属导电膜连接。

所述陶瓷介质基板的尺寸为5.0×2.5×0.635mm。

所述陶瓷介质基板选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。

所述第一、二金属导电膜的形状为对称分布的双矩形。

所述第三金属导电膜及第六金属导电膜的形状均为八边形。

所述第四、五金属导电膜、第七、八金属导电膜及第二、三电阻膜的形状均为对称的矩形。

所述第九金属导电膜及第一电阻膜的形状均为矩形。

本实用新型有益效果是：一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，包括呈长方形平板状的陶瓷介质基板、第一、二、三、四、五、六、七、八、九金属导电膜及第一、二、三电阻膜，在所述陶瓷介质基板的表面依次覆盖有第一、二、三金属导电膜及第一、二、三电阻膜，在所述陶瓷介质基板的底面依次覆盖有第四、五、六金属导电膜，在所述陶瓷介质基板的前侧面两端对称覆盖有第七、八金属导电膜，在所述陶瓷介质基板的后侧面覆盖有第九金属导电膜，所述陶瓷介质基板的左右两侧面是未覆盖有金属导电膜的断路区。与已有技术相比，本实用新型具有宽频、体积小、成本低等特点，主要应用于射频微波、通信测试系统中，对检测仪器起到一种保护的作用。该衰减器的最大输入功率为10W，带宽为3Ghz，衰减量为20±1dB。

附图说明

图1是本实用新型薄型表贴式陶瓷射频衰减器的表面结构示意图。

图2是本实用新型薄型表贴式陶瓷射频衰减器的底面结构示意图。

图3是本实用新型薄型表贴式陶瓷射频衰减器的前侧面结构示意图。

图4是本实用新型薄型表贴式陶瓷射频衰减器的后侧面结构示意图。

图中：1、陶瓷介质基板，2、第一金属导电膜，2a、第二金属导电膜，

2b、第三金属导电膜，2c、第四金属导电膜，2d，第五金属导电膜，2e、第六金属导电膜，2f、第七金属导电膜，2g、第八金属导电膜，2h、第九金属导电膜，3、第一电阻膜，3a、第二电阻膜，3b、第三电阻膜。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1、2、3、4所示，一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，包括呈长方形平板状的陶瓷介质基板1、第一、二、三、四、五、六、七、八、九金属导电膜2、2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h及第一、二、三电阻膜3、3a、3b，在所述陶瓷介质基板1的表面依次覆盖有第一、二、三金属导电膜2、2a、2b及第一、二、三电阻膜3、3a、3b，在所述陶瓷介质基板1的底面依次覆盖有第四、五、六金属导电膜2c、2d、2e，在所述陶瓷介质基板1的前侧面两端对称覆盖有第七、八金属导电膜2f、2g，在所述陶瓷介质基板1的后侧面覆盖有第九金属导电膜2h，所述陶瓷介质基板1的左右两侧面是未覆盖有金属导电膜的断路区。所述第一金属导电膜2分别与第七金属导电膜2f及第一、二电阻膜3、3a连接，所述第二金属导电膜2a分别与第八金属导电膜2g及第一、三电阻膜3、3b连接，所述第三金属导电膜2b分别与第九金属导电膜2h及第二、三电阻膜3a、3b连接，所述第四金属导电膜2c与第七金属导电膜2f连接，所述第五金属导电膜2d与第八金属导电膜2g连接，所述第九金属导电膜2h分别与第三、六金属导电膜2b、2e连接。所述陶瓷介质基板1的尺寸为5.0×2.5×0.635mm，所述陶瓷介质基板1选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成，所述第一、二金属导电膜2、2a的形状为对称分布的双矩形，所述第三金属导电膜2b及第六金属导电膜2e的形状均为八边形，所述第四、五金属导电膜2c、2d、第七、八金属导电膜2f、2g及第二、三电阻膜3a、3b的形状均为对称的矩形，所述第九金属导电膜2h及第一电阻膜3的形状均为矩形。

本实用新型优点在于：一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器具有宽频、体积小、成本低等特点，主要应用于射频微波、通信测试系统中，对检测仪器起到一种保护的作用。该衰减器的最大输入功率为10W，带宽为3Ghz，衰减量为20±1dB。

Claims (8)

1.一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，包括呈长方形平板状的陶瓷介质基板（1）、第一、二、三、四、五、六、七、八、九金属导电膜（2、2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h）及第一、二、三电阻膜（3、3a、3b），其特征在于：在所述陶瓷介质基板（1）的表面依次覆盖有第一、二、三金属导电膜（2、2a、2b）及第一、二、三电阻膜（3、3a、3b），在所述陶瓷介质基板（1）的底面依次覆盖有第四、五、六金属导电膜（2c、2d、2e），在所述陶瓷介质基板（1）的前侧面两端对称覆盖有第七、八金属导电膜（2f、2g），在所述陶瓷介质基板（1）的后侧面覆盖有第九金属导电膜（2h），所述陶瓷介质基板（1）的左右两侧面是未覆盖有金属导电膜的断路区。

2.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第一金属导电膜（2）分别与第七金属导电膜（2f）及第一、二电阻膜（3、3a）连接，所述第二金属导电膜（2a）分别与第八金属导电膜（2g）及第一、三电阻膜（3、3b）连接，所述第三金属导电膜（2b）分别与第九金属导电膜（2h）及第二、三电阻膜（3a、3b）连接，所述第四金属导电膜（2c）与第七金属导电膜（2f）连接，所述第五金属导电膜（2d）与第八金属导电膜（2g）连接，所述第九金属导电膜（2h）分别与第三、六金属导电膜（2b、2e）连接。

3.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述陶瓷介质基板（1）的尺寸为5.0×2.5×0.635mm。

4.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述陶瓷介质基板（1）选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第一、二金属导电膜（2、2a）的形状为对称分布的双矩形。

6.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第三金属导电膜（2b）及第六金属导电膜（2e）的形状均为八边形。

7.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第四、五金属导电膜（2c、2d）、第七、八金属导电膜（2f、2g）及第二、三电阻膜（3a、3b）的形状均为对称的矩形。

8.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第九金属导电膜（2h）及第一电阻膜（3）的形状均为矩形。