CN209030173U - 一种芯片衰减器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种芯片衰减器，涉及衰减器技术领域。该芯片衰减器包括绝缘基板、长条形或十字形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，输入电极、输出电极以及接地电极均与电阻体的不同位置连接。本实用新型提供的芯片衰减器具有体积更小，在实际应用中更加方便的优点。

Description

一种芯片衰减器

技术领域

本实用新型涉及衰减器技术领域，具体而言，涉及一种芯片衰减器。

背景技术

衰减器是功率增益控制元件，用于电平调整的电路，比如放大器、信号接收器、信号发送器等，都需要对信号或者功率进行衰减调节。无论是在通信技术、雷达相控阵技术、射频技术，还是其他电子电路方面，只要有放大电路，几乎都离不开衰减器。

但是，目前市场上的衰减器主要是组合电路，最简单的纯电阻型衰减器也需要三个电阻，对于一些精度、稳定性等要求不高的电路，可以使用纯电阻电路、阻容电路或者阻抗电路组合的衰减电路，整个衰减器的体积较大。

有鉴于此，如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种芯片衰减器，以解决现有技术中芯片衰减器的体积较大的问题。

为了实现上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案如下：

一方面，本实用新型实施例提出了一种芯片衰减器，所述芯片衰减器包括绝缘基板、长条形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。

进一步地，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极或所述第二接地电极与所述电阻体连接，且所述第一接地电极与所述第二接地电极电连接。

进一步地，所述第一接地电极与所述第二接地电极均贯穿所述绝缘基板的正面与背面，所述输入电极与所述输出电极均设置于所述绝缘基板的正面，所述芯片衰减器还包括金属层，所述金属层覆盖于所述绝缘基板的背面。

进一步地，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极、所述第二接地电极均与所述电阻体连接。

进一步地，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极的形状为多边形。

进一步地，所述芯片衰减器还包括标志点，所述标志点设置于所述绝缘基板上，且所述标志点的颜色与所述绝缘基板的颜色不同。

进一步地，所述芯片衰减器还包括过渡层，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均通过所述过渡层与所述绝缘基板连接。

进一步地，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均的表面均位于同一表面上。

进一步地，制作所述电阻体的材料包括氮化钽材料。

另一方面，本实用新型实施例化提供了另一种芯片衰减器，所述芯片衰减器包括绝缘基板、十字型电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。

相对现有技术，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供了一种芯片衰减器，该芯片衰减器包括绝缘基板、长条形或十字形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，输入电极、输出电极以及接地电极均与电阻体的不同位置连接。其中，由于本实用新型采用一个长条形或十字形电阻体替代原有的多个电阻体，且能够实现衰减器的功能，因此本实施例提供的芯片衰减器的体积更小，在实际应用中更加方便。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本实用新型实施例提供的一种芯片衰减器的结构示意图。

图2示出了本实用新型实施例提供的3dB和10dB芯片衰减器的等效原理图及计算公式。

图3示出了本实用新型实施例提供的基于图1的3dB芯片衰减器的测试曲线。

图4示出了本实用新型实施例提供的另一种芯片衰减器的结构示意图。

图5示出了本实用新型实施例提供的基于图4的10dB芯片衰减器的测试曲线。

图标：100-芯片衰减器；110-电阻体；120-输入电极；130-输出电极；140-接地电极；141-第一接地电极；142-第二接地电极；150-绝缘基板；160-标志点；170-金属层；180-过渡层。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

下面将结合本实用新型实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。下面结合附图，对本实用新型的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

第一实施例

请参阅图1，本实用新型实施例提供了一种芯片衰减器100，该芯片衰减器100包括绝缘基板150、长条形电阻体110、输入电极120、输出电极130以及接地电极140，其中，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均与电阻体110的不同位置连接。

其中，可以理解的是，在本实施例中，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均为金属，且均与电阻体110实现物理连接。绝缘基板150采用陶瓷基板，当然地，在其它的一些实施例中，也可以采用其它的材料制作绝缘基板150，本实施例对此并不做任何限定。

为了缩小芯片衰减器100的体积，电阻体110设置为长条形电阻体110，利用长条形电阻体110等效传统的T型网络或是π型网络，在极大的减小芯片衰减器100的体积的基础上还能同时改善其高频性能。

进一步地，为了提高芯片衰减器100的使用环境要求，电阻体110是通过钽靶和氮气反应溅射得到的氮化钽材料制作而成。

进一步地，由于金属与陶瓷材料的连接容易脱落，因此，为了使输入电极120、输出电极130以及接地电极140与绝缘基板150的连接更加牢固，在本实施例中，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均通过过渡层180与绝缘基板150连接。其中，制作过渡层180的材料包括但不限于钛钨材料和氮化钽材料，进而实现电极与陶瓷基板的紧密连接。

同时，在本实施例中，为了调节输入、输出的阻抗匹配，输入电极120、输出电极130以及接地电极140的形状为多边形，例如形状为矩形，梯形等形状。并且，为了防止输入输出电极130接地导致产品失效，分别对输入输出电极130进行了绝缘边处置。

为了是制作芯片衰减器100的工艺更加简单，作为本实施例的一种实现方式，接地电极140包括第一接地电极141与第二接地电极142，第一接地电极141与第二接地电极142分别设置于的绝缘基板150的两端，第一接地电极141或第二接地电极142与电阻体110连接，且第一接地电极141与第二接地电极142电连接。

进一步地，第一接地电极141与第二接地电极142均采用过孔的方式贯穿绝缘基板150的正面与背面，其中，输入电极120与输出电极130均设置于绝缘基板150的正面，芯片衰减器100还包括金属层170，金属层170覆盖于绝缘基板150的背面。通过金属层170能够实现第一接地电极141与第二接地电极142的电连接，进而达到等电位的效果，可将第一接地电极141和/或第二接地电极142作为接地端。

作为本实施例的另一种实现方式，接地电极140包括第一接地电极141与第二接地电极142，且第一接地电极141与第二接地电极142分别设置于的绝缘基板150的两端，第一接地电极141、第二接地电极142均与电阻体110连接，从而也能够达到将第一接地电极141和/或第二接地电极142作为接地端的效果。

同时，由于在小尺寸下的芯片衰减器100的形状较难区分，例如1dB衰减量至4dB衰减量的芯片衰减器100，其外观基本相同，因此较难进行区分，有鉴于此，在本实施例中，芯片衰减器100还包括标志点160，标志点160设置于绝缘基板150上，且标志点160的颜色与绝缘基板150的颜色不同。通过标志点160能够分辨出该芯片的衰减量，例如，当芯片衰减器100的衰减量为1dB时，标志点160的数量为1，当芯片衰减器100的衰减量为3dB时，标志点160的数量为3，依次类推。

需要说明的是，为了加工工艺更加简单，本实施例采用溅射方式制作输入电极120、输出电极130以及接地电极140，在制作电极的过程中，还能够通过溅射的方式制作标志点160。

需要说明的，芯片衰减器100是固定衰减器中的一种，因此以固定衰减器为例介绍其设计方法。这种衰减器仅由电阻构成，根据其结构可分为T型和π型两种。根据电路两端阻抗使用的不同，又可分为同阻抗式和异阻抗式。本实用新型实施例提供的芯片衰减器100是同阻式结构，图2为3dB和10dB芯片衰减器100的等效原理图及计算公式。

图3为本实施例提供的3dB芯片衰减器100的测试曲线。从中可以看出，在DC～20GHz下都有较好的衰减响应，驻波比在整个宽频带内都小于1.3，衰减量偏差在DC～12GHz内小于±0.3dB。图中S11表示输入端1的反射系数，S21表示输出端2的传输系数。

进一步的，为了便于加工和装配，降低加工要求，输入电极120的上表面、输出电极130的上表面、接地电极140的上表面和标志点160的上表面均位于同一个平面内。

第二实施例

请参阅图4，本实用新型实施例还提供了另一种芯片衰减器100，该芯片衰减器100包括绝缘基板150、十字型电阻体110、输入电极120、输出电极130以及接地电极140，输入电极120、输出电极130以及接地电极140均与电阻体110的不同位置连接。需要说明的，由于本实施例提供芯片衰减器100与第一实施例提供的芯片衰减器100的区别点在于电阻体110的形状的不同，而芯片衰减器100的其它结构均相同，因此在本实施例不再对其它结构进行赘述。

图5为实施例提供的一种10dB芯片衰减器100的测试曲线。从中可以看出，在DC～20GHz下都有较好的衰减响应，驻波比在整个宽频带内都小于1.3，衰减量偏差在DC～12GHz内小于±0.35dB。图中S11表示输入端1的反射系数，S21表示输出端2的传输系数。

综上所述，本实用新型提供了一种芯片衰减器，该芯片衰减器包括绝缘基板、长条形或十字形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，输入电极、输出电极以及接地电极均与电阻体的不同位置连接。其中，由于本实用新型采用一个长条形或十字形电阻体替代原有的多个电阻体，且能够实现衰减器的功能，因此本实施例提供的芯片衰减器的体积更小，在实际应用中更加方便。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

Claims (10)

1.一种芯片衰减器，其特征在于，所述芯片衰减器包括绝缘基板、长条形电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。

2.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极或所述第二接地电极与所述电阻体连接，且所述第一接地电极与所述第二接地电极电连接。

3.如权利要求2所述的芯片衰减器，其特征在于，所述第一接地电极与所述第二接地电极均贯穿所述绝缘基板的正面与背面，所述输入电极与所述输出电极均设置于所述绝缘基板的正面，所述芯片衰减器还包括金属层，所述金属层覆盖于所述绝缘基板的背面。

4.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述接地电极包括第一接地电极与第二接地电极，所述第一接地电极与所述第二接地电极分别设置于所述的绝缘基板的两端，所述第一接地电极、所述第二接地电极均与所述电阻体连接。

5.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极的形状为多边形。

6.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述芯片衰减器还包括标志点，所述标志点设置于所述绝缘基板上，且所述标志点的颜色与所述绝缘基板的颜色不同。

7.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述芯片衰减器还包括过渡层，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均通过所述过渡层与所述绝缘基板连接。

8.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均的表面均位于同一表面上。

9.如权利要求1所述的芯片衰减器，其特征在于，制作所述电阻体的材料包括氮化钽材料。

10.一种芯片衰减器，其特征在于，所述芯片衰减器包括绝缘基板、十字型电阻体、输入电极、输出电极以及接地电极，所述输入电极、所述输出电极以及所述接地电极均与所述电阻体的不同位置连接。