CN206271745U

CN206271745U - 半导体发光元件

Info

Publication number: CN206271745U
Application number: CN201621103585.0U
Authority: CN
Inventors: 辻合秀起
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2016-09-30
Publication date: 2017-06-20
Anticipated expiration: 2026-09-30

Abstract

本实用新型的半导体发光元件包括金属层、发光层、隔着上述发光层的第一导电型层和第二导电型层、以及将上述金属层与上述第一导电型层电连接的多个接触部。上述半导体发光元件包括表面电极，该表面电极包括焊垫电极部和从上述焊垫电极部在上述多个接触部之间延伸的枝状电极部。上述接触部中，上述焊垫电极部的周围的第一接触部与上述焊垫电极部的距离d₁、该第一接触部与最靠近该第一接触部的上述枝状电极部的距离d₂、上述接触部中位于比上述第一接触部离上述焊垫电极部远的位置的第二接触部与最靠近该第二接触部的上述枝状电极部的距离d₃的关系满足d₁＞d₂＞d₃。

Description

半导体发光元件

相关专利申请的交叉引用

本实用新型对应于2015年9月30日向日本专利局提出申请的日本特愿2015-194619号，此处援引该申请的全部公开内容。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光元件。

背景技术

专利文献1(日本特开2007-221029号公报)的发光二极管具有在支承衬底的一个面依次叠层有欧姆接触层、第二金属层、第一金属层、绝缘层、p型接触层、p型披覆层、MQW(Multiple Quantum Well：多量子阱)活性层、n型披覆层和n型接触层的半导体层，并且具有ODR结构。即，在p型接触层与第一金属层之间的绝缘层的一部分区域埋设有接触部，由此，第一金属层与p型接触层被电连接。在支承衬底的背面设置有p侧电极，在n型接触层上设置有环状的n侧电极。

发明内容

在专利文献1的实用新型中，通过ODR结构实现光取出效率的提高。但是，根据ODR结构的排列图案，在一部分ODR结构中电流会集中，难以在衬底的整个面内方向有效率地使电流通过。因此，为了获得高的亮度(IV)，不可避免地会提高顺向电压(VF)。

本实用新型的目的在于，提供即使低的顺向电压(VF)也能够令电流均匀地流通多个接触部的半导体发光元件。

本实用新型的一个实施方式的半导体发光元件包括：衬底；所述衬底上的金属层；形成在所述金属层上的半导体层，该半导体层包括：发光层；配置在所述发光层的所述衬底一侧的第一导电型层、和配置在所述发光层的与所述衬底相反一侧的第二导电型层；电连接所述金属层与所述第一导电型层的多个接触部，该多个接触部在从所述衬底的法线方向看的俯视时分散地配置在所述衬底的大致整个面内；形成在所述半导体层上的表面电极，该表面电极包括：焊垫电极部；在俯视时从该焊垫电极部穿过所述多个接触部之间呈枝状延伸的枝状电极部；和所述衬底的背面上的背面电极，所述接触部中，所述焊垫电极部的周围的第一接触部与所述焊垫电极部的距离d₁、该第一接触部与最靠近该第一接触部的所述枝状电极部的距离d₂、所述接触部中位于比所述第一接触部离所述焊垫电极部远的位置的第二接触部与最靠近该第二接触部的所述枝状电极部的距离d₃的关系满足d₁＞d₂＞d₃。

根据该结构，能够通过使距离d₃小，使得在离焊垫电极部远的、电流比较不易流通的第二接触部也能够良好地流通电流。另一方面，在焊垫电极部的周围，通过使距离d₁＞距离d₂，使第一接触部比焊垫电极部靠近枝状电极部，由此能够使电流不集中于焊垫电极部，也分散至焊垫电极部周围的枝状电极部。由此，能够有效地利用在衬底的大致整个面内分散配置的多个接触部，因此即使较低的顺向电压(VF)电流也能够均匀地流通到多个接触部。其结果是，能够提供较低的顺向电压(VF)而高亮度的半导体发光元件。

此外，在本实用新型的一个实施方式的半导体发光元件中，也可以为以下的结构。

例如，所述枝状电极部包括：配置在所述半导体层的周缘部的外周部；和连接所述外周部与所述焊垫电极部的中间部，所述距离d₂为所述第一接触部与所述中间部的距离，所述距离d₃为所述第二接触部与所述外周部的距离。

此外，所述半导体层在俯视时形成为四边形，所述焊垫电极部配置在所述半导体层的大致中央，所述枝状电极部从所述焊垫电极部分别向所述半导体层的四个端面延伸，进而沿所述半导体层的各端面延伸。

此外，所述半导体层在俯视时形成为四边形，所述焊垫电极部配置在所述半导体层的一个角部，所述枝状电极部从所述焊垫电极部沿着端面延伸，所述端面为从配置有所述焊垫电极部的所述半导体层的所述角部延伸的端面。

此外，包括所述半导体层与所述金属层之间的绝缘层，所述接触部由所述金属层的一部分构成，贯通所述绝缘层与所述第一导电型层连接。

此外，所述绝缘层包含SiO₂膜和SiN膜的至少一者。

此外，各所述接触部的径为8μm～15μm。

此外，所述多个接触部的数量为28个～60个。

此外，以所述多个接触部的总面积相对于所述半导体发光元件的发光面积表示的覆盖率(接触部面积/发光面积)为6％～40％。

此外，所述金属层含有Au。上述衬底也可以包括硅衬底。

此外，所述半导体层的表面形成为细微的凹凸形状。

附图说明

图1是表示本实用新型的一个实施方式的半导体发光元件的平面图。

图2是表示沿图1的II-II线的截面图。

图3A～图3I是表示图1和图2的半导体发光元件的制造工序的图。

图4是表示图1的半导体发光元件的变形例的平面图。

图5是表示图1的半导体发光元件的变形例的平面图。

图6是表示图1的半导体发光元件的变形例的平面图。

图7是表示图1的半导体发光元件的变形例的平面图。

图8是表示图1的半导体发光元件的变形例的平面图。

图9A～图9Q是表示特性评价中使用的ODR的图案的图。

图10是表示图9A～图9Q所示的图案的亮度(IV)的图。

图11是表示图9A～图9Q所示的图案的顺向电压(VF)的图。

图12是表示特性评价中使用的电极图案和ODR的图案的图。

图13是表示图12所示的图案的ODR数与亮度(IV)的关系的图。

图14是表示图12所示的图案的ODR数与顺向电压(VF)的关系的图。

具体实施方式

以下参照附图对本实用新型的实施方式进行详细说明。

图1是表示本实用新型的一个实施方式的半导体发光元件1的平面图。图2是沿图1的II-II线的截面图。另外，在图1和图2中，为了更加明了，将要素间的比例部分变更地进行表示。

该半导体发光元件1包括：衬底2、衬底2上的金属层3、金属层3上的绝缘层4、绝缘层4上的作为本实用新型的半导体层的一个例子的III族氮化物半导体重叠结构5、以与衬底2的背面(与III族氮化物半导体叠层结构5相反侧的表面)接触的方式形成的p侧电极6(背面电极)和以与III族氮化物半导体叠层结构5的表面(正面)接触的方式形成的n侧电极7(表面电极)。

衬底2在本实施方式中由硅衬底构成。当然，衬底2例如也可以由GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)等半导体衬底构成。衬底2在本实施方式中如图1所示那样为平面视图中大致正方形形状，但是衬底2的平面形状没有特别限定，例如也可以在平面视图中为长方形。此外，衬底2的厚度例如为150μm左右。

金属层3在本实施方式中由Au或含有Au的合金构成。金属层3既可以为Au层和Au合金层各自的单层，也可以为这些层和其它金属层的多层叠层而形成的层。在金属层3为多层的叠层结构的情况下，例如也可以为以(III族氮化物半导体叠层结构5侧)Au/AuBeNi/Au/Mo/Au/Mo/Au/Ti(衬底2侧)表示的叠层结构。进一步，金属层3也可以在构成金属层3的多个金属材料间不形成明确的边界，该多个金属材料例如从衬底2侧起依次分布地构成。另一方面，在本实施方式中，金属层3也可以如后述那样通过生长衬底24(后述)与衬底2的贴合而接合第一金属层26(后述)与第二金属层27(后述)来形成。因此，也可以在构成金属层3的Au层的厚度方向中间存在由于该贴合工序时产生的贴合面导致的边界。

金属层3以覆盖衬底2的整个表面的方式形成。此外，金属层3的(总)厚度例如也可以为0.5μm左右。

绝缘层4例如也可以由SiO₂膜或SiN膜构成。在绝缘层4，形成有选择地使III族氮化物半导体叠层结构5的下表面露出的接触孔33，金属层3的一部分作为接触部32被埋入在该接触孔33。该接触部32与III族氮化物半导体叠层结构5连接。由此，在半导体发光元件1形成ODR(Omi-Directional-Reflector：全方位反射器)结构。

III族氮化物半导体叠层结构5包括发光层8、p型半导体层9和n型半导体层10。p型半导体层9相对于发光层8配置在衬底2一侧，n型半导体层10相对于发光层8配置在n侧电极7一侧。这样，发光层8被p型半导体层9和n型半导体层10夹着，形成双异质结。在发光层8，从n型半导体层10被注入电子，从p型半导体层9被注入空穴。它们在发光层8再结合而产生光。

p型半导体层9是从衬底2侧依次叠层p型GaP接触层11(例如厚度0.3μm)、p型GaP窗口层12(例如厚度1.0μm)和p型AlInP披覆层13(例如厚度0.8μm)而构成的。另一方面，n型半导体层10是在发光层8上依次叠层n型AlInP披覆层14(例如厚度0.8μm)、n型AlInGaP窗口层15(例如厚度1.8μm)和n型GaAs接触层16(例如厚度0.3μm)和n型而构成的。

p型GaP接触层11通过在GaP中高浓度地掺杂例如作为p型掺杂剂的C(碳)(掺杂浓度例如为1.8×10¹⁹cm^-3)而成为p型半导体。另一方面，n型GaAs接触层16通过在GaAs中高浓度地掺杂例如作为n型掺杂剂的Si(掺杂浓度例如为2.0×10¹⁸cm^-3)而成为n型半导体层。

p型GaP窗口层12通过在GaP中高掺杂例如作为p型掺杂剂的Mg(掺杂浓度例如为2.1×10¹⁸cm^-3)而成为p型半导体。另一方面，n型AlInGaP窗口层15通过在AlInGaP中掺杂例如作为n型掺杂剂的Si(掺杂浓度例如为1.0×10¹⁸cm^-3)而成为n型半导体。

p型AlInP披覆层13通过在AlInP中掺杂例如作为p型掺杂剂的Mg(掺杂浓度例如为6.0×10¹⁶cm^-3)而成为p型半导体。另一方面，n型AlInP披覆层14通过在AlInP中掺杂例如作为n型掺杂剂的Si(掺杂浓度例如为3.0×10¹⁷cm^-3)而成为n型半导体。

发光层8具有例如含有InGaP的MQW(multiple-quantum well)结构(多量子阱结构)，是用于通过电子和空穴再结合而产生光、并使该产生的光放大的层。

发光层8在本实施方式中具有将由InGaP层构成的量子阱层(例如厚度5nm)与由AlInGaP层构成的阻挡层(例如厚度4nm)交替地多周期反复叠层而构成的多量子阱(MQW：multiple-quantum well)结构。在这种情况下，由InGaP构成的量子阱层通过使得In的组成比为5％以上而使得带隙比较小，由AlInGaP构成的阻挡层的带隙比较大。例如量子阱层(InGaP)与阻挡层(AlInGaP)交替地反复叠层2～7周期，由此构成多量子阱结构的发光层8。发光波长与量子阱层的带隙对应，带隙的调整能够通过调整In的组成比来进行。令In的组成比越大时，带隙就越小，发光波长越大。在本实施方式中，发光波长通过调整量子阱层(InGaP层)的In的组成而成为610nm～630nm(例如625nm)。

如图1和图2所示，III族氮化物半导体叠层结构5通过除去其一部分而形成台部(mesa)17。更具体而言，从III族氮化物半导体叠层结构5的表面、在III族氮化物半导体叠层结构5的全周蚀刻除去n型半导体层10、发光层8和p型半导体层9的一部分，形成横截面观察大致四边形的台部17。台部17的形状并不限定于横截面观察时大致四边形，例如也可以为梯形。此外，台部17形成为俯视大致四边形形状。由此，构成p型半导体层9的p型GaP窗口层12和与之相比靠衬底2一侧的层从台部17向横向被引出的引出部18。如图1所示，在平面视图中，台部17被引出部18包围。

在本实施方式中，在台部17的表面形成有细微的凹凸形状19。通过该细微的凹凸形状19，能够使从III族氮化物半导体叠层结构5取出的光扩散。在本实施方式中，通过如后述那样与n侧电极7的形状一致地有选择地除去n型GaAs接触层16而使得n型AlInGaP窗口层15露出，在该露出面形成细微的凹凸形状19。另外，在图1中，为了更加明了而省略细微的凹凸形状19。

在本实施方式中，作为背面电极的p侧电极6由Au或含有Au的合金构成。具体而言，也可以为以(基本2一侧)Ti/Au/Mo/Au表示的叠层结构。此外，p侧电极6以覆盖衬底2的整个背面区域的方式形成。

在本实施方式中，作为表面电极的n侧电极7由Au或含有Au的合金构成。具体而言，也可以为以(III族氮化物半导体叠层结构5侧)Au/Ge/Ni/Au表示的叠层结构。

此外，n侧电极7一体地包括焊垫电极部20和枝状电极部21，该枝状电极部21以在该焊垫电极部20的周围划分一定的区域的方式从焊垫电极部20有选择地呈枝状延伸。

在本实施方式中，在平面视图中，焊垫电极部20配置在台部17的大致中央，以在该焊垫电极部20与台部17的四个角之间分别划分出包围区域22A、22B、22C、22D的方式形成枝状电极部21。各包围区域22A～22D由从焊垫电极部20向台部17的各周缘(或端面)呈十字形延伸的枝状电极部21的中间部21A、与该十字形的中间部21A交叉地沿台部17的彼此相对的一对周缘(或端面)延伸的枝状电极部的外周部21B和焊垫电极部20围成。另一方面，除包围区域22A～22D以外的外周部21B的外侧的区域成为台部17的外周区域23。

而且，在本实施方式中n型GaAs接触层16具有与n侧电极7相同的形状，因此n型AlInGaP窗口层15露出在包围区域22A～22D和外周区域23。

如图1所示，金属层3的接触部32在衬底2的面内分散地排列。例如也可以在平面视图中(俯视时)四边形的台部17内呈矩阵状排列。

在本实施方式中，在一对外周部21B的外侧的各外周区域23各设置有一列由多个接触部32构成的外侧列321。在各外侧列321，接触部32在与外周部21B之间保持相等的间隔地沿外周部21B排列。

另一方面，在一对外周部21B的内侧的包围区域22A～22D，设置有由多个接触部32构成的内侧列322。内侧列322例如与外侧列321平行地设置有多列。在本实施方式中，以跨包围区域22A与包围区域22D之间的方式形成有两列，以跨包围区域22B与包围区域22C之间的方式形成有两列。

接着，对多个接触部32进行以下的说明。

各接触部32的径例如为8μm～15μm。此外，多个接触部32的总数例如为28个～60个。在本实施方式中形成有44个接触部32。此外，以相对于半导体发光元件1的发光面积(在本实施方式中为台部17的表面面积)的、多个接触部32的总面积(各接触部32的径×个数)表示的覆盖率(接触部32面积/发光面积)例如为6％～40％。

此外，关于以下所示的距离d₁、d₂和d₃，满足d₁＞d₂＞d₃。

d₁：内侧列322的接触部32中、焊垫电极部20的周围的作为本实用新型的第一接触部的一个例子的接触部32A(图1的以虚线围成的区域R内的接触部32)与焊垫电极部20的距离

d₂：接触部32A与中间部21A的距离

d₃：外侧列321的作为本实用新型的第二接触部的一个例子的接触部32B与外周部21B的距离

图3A～图3I是表示图1和图2的半导体发光元件1的制造工序的工序图。

在制造半导体发光元件1时，例如如图3A所示那样，在由GaAs等构成的生长衬底24上，通过外延生长形成III族氮化物半导体叠层结构5。生长方法例如能够使用分子束外延生长法、有机金属气相生长法等公知的生长方法。在该阶段，III族氮化物半导体叠层结构5从生长衬底24一侧起依次包括：n型AlInGaP蚀刻停止层(蚀刻阻挡层)25、n型GaAs接触层16、n型AlInGaP窗口层15、n型AlInP披覆层14、发光层8、p型AlInP披覆层13、p型GaP窗口层12和p型GaP接触层11。形成III族氮化物半导体叠层结构5之后，例如利用CVD法形成绝缘层4。

接着，如图3B所示，例如利用蒸镀法在绝缘层4上形成第一金属层26(例如厚度1.7μm)。第一金属层26由Au或含有Au的合金构成，至少最表面由Au层构成。第一金属层26的一部分作为接触部32插入在接触孔33，与p型GaP接触层11连接。

下一个工序为生长衬底24与衬底2的贴合工序。在该贴合工序中，生长衬底24上的第一金属层26与衬底2上的第二金属层27相接合。第二金属层27由Au或含有Au的合金构成，至少最表面由Au层构成。该第二金属层27在贴合前例如利用蒸镀法形成在衬底2的表面(形成上述的p侧电极6的面的相反面)。

更具体而言，如图3C所示那样，以使第一和第二金属层26、27彼此相向的状态将生长衬底24与衬底2重叠，接合第一和第二金属层26、27。第一和第二金属层26、27的接合例如也可以通过热压接进行。热压接的条件例如也可以为，温度为250℃～700℃，优选为约300℃～400℃，压力为10MPa～20MPa。通过该接合，如图3D所示那样使得第一和第二金属层26、27相结合而形成金属层3。

接着，如图3D所示那样，例如通过湿蚀刻除去生长衬底24。此处，由于在III族氮化物半导体叠层结构5的最表面形成有n型AlInGaP蚀刻停止层25，所以在该湿蚀刻时，对于对半导体发光元件1的特性有贡献的n型GaAs接触层16和n型AlInGaP窗口层15等不产生影响即可。之后，n型AlInGaP蚀刻停止层25也被除去。

下一个工序为n侧电极7的形成工序。在本实施方式中，利用剥离法(lift-off)形成n侧电极7。更具体而言，如图3E所示那样，首先，在n型GaAs接触层16上形成具有与n侧电极7的电极图案相同的图案的开口的抗蚀剂28。接着，例如利用蒸镀法在III族氮化物半导体叠层结构5上叠层电极材料膜29。

接着，如图3F所示那样，抗蚀剂28上的电极材料膜29与抗蚀剂28一起被除去。由此，形成由留在n型GaAs接触层16上的电极材料膜29构成的n侧电极7。之后，从n侧电极7露出的n型GaAs接触层16通过蚀刻而被除去。由此，在n侧电极7以外的部分露出n型AlInGaP窗口层15。

接着，如图3G所示那样，例如通过毛面(Frosting)处理(湿蚀刻)等，在n型AlInGaP窗口层15的表面形成细微的凹凸形状19。另外，毛面处理也可以通过干蚀刻进行。

接着，如图3H所示那样，通过有选择性地除去III族氮化物半导体叠层结构5的周缘部，形成台部17的引出部18。台部17和引出部18的形成例如也可以通过湿蚀刻进行。

接着，如图3I所示那样，例如利用蒸镀法在衬底2的背面形成p侧电极6。经过以上的工序，获得半导体发光元件1。

以上，根据该半导体发光元件1，如图1所示那样使得枝状电极部21的外周部21B和与之相邻的外侧列321的接触部32B的距离d₃最小。该外周部21B离焊垫电极部20最远，因此和焊垫电极部20及与焊垫电极部20直接连接的中间部21A相比，比较不易流通电流。但是，通过如上述那样将距离d₃形成得小，能够在接触部32B也良好地流动电流。另一方面，在焊垫电极部20的周围也形成为距离d₁＞距离d₂，使接触部32A比焊垫电极部20靠近枝状电极部21的中间部21A，由此能够使电流不集中于焊垫电极部20，还分散至焊垫电极部20的周围的枝状电极部21(中间部21A)。由此，能够有效地利用在衬底2的几乎整个面内地分散地配置的多个接触部32，因此，即使在低的顺向电压(VF)也能够在多个接触部32均匀地流通电流。其结果是，能够提供低的顺向电压(VF)而高亮度的半导体发光元件1。

以上，对本实用新型的实施方式进行了说明，但本实用新型还能够以其它方式实施。

例如，n侧电极7的图案和接触部32的排列图案并不限定于图1所示的例子，也可以为图4～图8所示的图案。另外，在图4以后的图中，存在距离d₁、d₂和d₃没有以满足d₁＞d₂＞d₃的方式进行图示的情况。

例如，也可以如图4～图6所示那样，枝状电极部21的外周部21B分别与从中央的焊垫电极部20向各周缘(或端面)去向四周(四方)延伸的枝状电极部21的中间部21A连接，沿台部17的各周缘(或端面)形成。在这种情况下，既可以如图4和图5所示那样对中央的焊垫电极部20连接四个大致T字形的枝状电极部21(中间部21A+外周部21B)，也可以如图6所示那样，枝状电极部21从中央的焊垫电极部20向各周缘(或端面)去向四周延伸，进一步弯曲而在台部17的各周缘(或端面)延伸，由此作为整体形成为卍形状。

在上述的情况下，多个接触部32也可以不形成在外周区域23，而仅由在包围区域22A～22D形成的内侧列322构成。当然，在外周区域23形成也可以没有问题。

此外，也可以如图7和图8所示那样，半导体发光元件1包括：配置在台部17的一个角部的焊垫电极部30和从该焊垫电极部30沿台部17的周缘(或端面)形成的枝状电极部31。枝状电极部31还可以包括在台部17的周缘的整周形成的外周部31A。也可以在由该外周部31A包围的内侧划分出包围区域34，外周部31A的外侧为外周区域35。进一步，也可以如图8所示那样，枝状电极部31包括将包围区域34分割为多个包围区域34A、34B、34C的架设部31B。

在本实施方式中，外周部31A形成为由沿台部17的周缘的四个边构成的俯视为四边形，并进一步包括与焊垫电极部30直接连接的第一部分311A和从焊垫电极部30的对角延伸的第二部分312A。在这种情况下，作为本实用新型的第二接触部的一个例子的接触部32B例如也可以为沿第二部分312A排列的接触部32。另外，在图7和图8中，接触部32A、32B仅形成在包围区域34，但也可以形成在外周区域35。

此外能够在实用新型的保护范围内记载的事项的范围内实施各种设计变更而。

实施例

接着，根据实施例对本实用新型进行说明，但本实用新型并不限定于以下的实施例。

(1)亮度(IV)和顺向电压(VF)的测定

按图9A～图9Q和表1、2所示的条件制作半导体发光元件，分别对它们测定亮度(IV)和顺向电压(VF)。在图10和图11表示结果。如图10、图11和表1、2所示，满足d₁＞d₂＞d₃的A图案为较低的顺向电压(VF)且达到高亮度。

(2)根据枝状电极部的有无进行的评价

制作图12所示的四个图案的半导体发光元件。对它们分别准备通过毛面处理在上述的台部17的表面形成的细微的凹凸形状19的图案和没有形成细微的凹凸形状19的图案，评价试样共计八个图案。在图12中，右侧的图案从上侧起分别与上述的图4的图案和图5的图案相同。而且，关于各评价图案测定亮度(IV)和顺向电压(VF)。在图13和图14表示结果。如图13和图14所示，如果为有枝(具有枝状电极部21)的图案，则与无枝的图案相比以较低的顺向电压(VF)达到同等的亮度(IV)。由此可知，以穿过分散地排列的ODR结构(接触部32)的方式形成有枝状电极部21的方式能够实现较低的顺向电压(VF)。

Claims

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上的金属层；

形成在所述金属层上的半导体层，该半导体层包括：发光层；配置在所述发光层的所述衬底一侧的第一导电型层；和配置在所述发光层的与所述衬底相反一侧的第二导电型层；

电连接所述金属层与所述第一导电型层的多个接触部，该多个接触部在从所述衬底的法线方向看的俯视时分散地配置在所述衬底的整个面内；

形成在所述半导体层上的表面电极，该表面电极包括：焊垫电极部；在俯视时从该焊垫电极部穿过所述多个接触部之间呈枝状延伸的枝状电极部；和

所述衬底的背面上的背面电极，

所述接触部中，所述焊垫电极部的周围的第一接触部与所述焊垫电极部的距离d₁、该第一接触部与最靠近该第一接触部的所述枝状电极部的距离d₂、所述接触部中位于比所述第一接触部离所述焊垫电极部远的位置的第二接触部与最靠近该第二接触部的所述枝状电极部的距离d₃的关系满足d₁＞d₂＞d₃。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述枝状电极部包括：配置在所述半导体层的周缘部的外周部；和连接所述外周部与所述焊垫电极部的中间部，

所述距离d₂为所述第一接触部与所述中间部的距离，

所述距离d₃为所述第二接触部与所述外周部的距离。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述半导体层在俯视时形成为四边形，

所述焊垫电极部配置在所述半导体层的中央，

所述枝状电极部从所述焊垫电极部分别向所述半导体层的四个端面延伸，进而沿所述半导体层的各端面延伸。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述半导体层在俯视时形成为四边形，

所述焊垫电极部配置在所述半导体层的一个角部，

所述枝状电极部从所述焊垫电极部沿着端面延伸，所述端面为从配置有所述焊垫电极部的所述半导体层的所述角部延伸的端面。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

包括所述半导体层与所述金属层之间的绝缘层，

所述接触部由所述金属层的一部分构成，贯通所述绝缘层与所述第一导电型层连接。

6.如权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述绝缘层包含SiO₂膜和SiN膜的至少一者。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

各所述接触部的径为8μm～15μm。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述多个接触部的数量为28个～60个。

9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

以所述多个接触部的总面积相对于所述半导体发光元件的发光面积表示的覆盖率为6％～40％。

10.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述金属层含有Au。

11.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述衬底包括硅衬底。

12.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述半导体层的表面形成为细微的凹凸形状。