CN206204416U - 一种用于制备氮化硅膜的pecvd设备 - Google Patents
一种用于制备氮化硅膜的pecvd设备 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，具有石英反应管、向所述石英反应管通气的通气管，还包括和所述通气管连接的气体混合器，所述气体混合器包括第一混合腔、第二混合腔、设在所述第一混合腔与所述第二混合腔之间的连接腔、设在所述连接腔中的用于混合的搅拌装置、设在所述第一混合腔上的第一进气口以及第二进气口。本实用新型能够将反应气体进行充分的混合，得到稳定的气体混合比，从而得到稳定折射率的氮化硅膜。
Description
技术领域
本实用新型涉及PECVD设备领域，更具体的说涉及一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备。
背景技术
目前，PECVD设备一般采用管式PECVD系统，反应气体采用硅烷和氢气，管式PECAD系统的气流从石英管的一端引入， 这样会造成气体分布不均匀。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，能够将反应气体进行充分的混合，得到稳定的气体混合比，从而得到稳定折射率的氮化硅膜。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的： 一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，具有石英反应管、向所述石英反应管通气的通气管，还包括和所述通气管连接的气体混合器，所述气体混合器包括第一混合腔、第二混合腔、设在所述第一混合腔与所述第二混合腔之间的连接腔、设在所述连接腔中的用于混合的搅拌装置、设在所述第一混合腔上的第一进气口以及第二进气口。
用户将气体从第一进气口以及第二进气口通入，经过第一混合腔、搅拌装置以及第二混合腔三次混合作用，气体混合均匀，为后续得到稳定折射率的氮化硅膜提供保障。
优选的，所述第一混合腔中固定设有竖向设置的固定杆，所述固定杆通过多个固定支架与第一混合腔的腔壁连接，所述固定杆上设置有多个自下而上呈螺旋线分布的用于混合的折流板。折流板能够增加混合效果。
优选的，所述连接腔包括和所述第一混合腔连接的呈筒状的竖直腔壁以及口径逐渐变小的锥形腔壁。锥形腔壁一定程度上增加了气体流动的路径，能够延长气体在连接腔的时间，增加混合效果，此外，从锥形腔壁中出来的气体斜向进入到第二混合腔并且与第二混合腔的腔壁相撞，相对于气体直线进入第二混合腔中这一情况而言，增加混合的机率。
优选的，所述搅拌装置包括旋转轴套、多个均布在所述旋转轴套上的搅拌叶片、设在所述转轴套内部的轴承、和所述轴承相连的固定轴。所述搅拌装置对气体的搅拌作用，进一步使得气体混合均匀。
优选的，所述第一进气口以及第二进气口上均设有流量调节阀。
综上所述，本实用新型具有以下有益效果：
能够将反应气体进行充分的混合，得到稳定的气体混合比，从而得到稳定折射率的氮化硅膜。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的结构示意图；
图2为本实用新型的搅拌装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。
实施例：如图1、图2所示，一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，具有石英反应管1、向所述石英反应管1通气的通气管2，还包括和所述通气管2连接的气体混合器3，所述气体混合器3包括第一混合腔31、第二混合腔32、设在所述第一混合腔31与所述第二混合腔32之间的连接腔33、设在所述连接腔33中的用于混合的搅拌装置34、设在所述第一混合腔31上的第一进气口35以及第二进气口36，所述第一混合腔31、第二混合腔32以及连接腔33三者一体成型。所述第一进气口35以及第二进气口36上均设有流量调节阀。第一进气口35通入硅烷，第二进气口36通入氢气，通过控制流量调节阀，设定硅烷与氢气的比例，可以得到不同折射率的氮化硅膜。
用户将气体从第一进气口35以及第二进气口36通入，经过第一混合腔31、搅拌装置34以及第二混合腔32三次混合作用，气体混合均匀，为后续得到稳定折射率的氮化硅膜提供保障。
优选的，所述第一混合腔31中固定设有竖向设置的固定杆311，所述固定杆311通过多个固定支架与第一混合腔31的腔壁连接，固定杆的顶端与第一混合腔31的顶端连接，可焊接，所述固定杆311上设置有多个自下而上呈螺旋线分布的用于混合的折流板312。折流板312能够增加混合效果，呈螺旋线分布更加有利于气体混合均匀。
优选的，所述连接腔33包括和所述第一混合腔31连接的呈筒状的竖直腔壁331以及口径逐渐变小的锥形腔壁332。锥形腔壁332一定程度上增加了气体流动的路径，能够延长气体在连接腔33的时间，增加混合效果，此外，从锥形腔壁332中出来的气体斜向进入到第二混合腔32并且与第二混合腔32的腔壁相撞，相对于直线进入第二混合腔32中，增加混合的机率。
优选的，所述搅拌装置34包括旋转轴套341、多个均布在所述旋转轴套341上的搅拌叶片342、设在所述转轴套341内部的轴承343、和所述轴承343相连的固定轴344，安装时，固定轴344通过多个连接杆和竖直腔壁331实现固定连接，旋转轴套341与轴承343过盈配合连接，固定轴344和轴承343过盈配合连接。当气体从第一混合腔31进入到连接腔33中，气体压迫搅拌叶片342，使得搅拌叶片342旋转，搅拌叶片342旋转，实现对气体的搅拌，所述搅拌装置34对气体的搅拌作用，进一步使得气体混合均匀。
Claims (5)
1.一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，具有石英反应管（1）、向所述石英反应管（1）通气的通气管（2），其特征在于，还包括和所述通气管（2）连接的气体混合器（3），所述气体混合器（3）包括第一混合腔（31）、第二混合腔（32）、设在所述第一混合腔（31）与所述第二混合腔（32）之间的连接腔（33）、设在所述连接腔（33）中的用于混合的搅拌装置（34）、设在所述第一混合腔（31）上的第一进气口（35）以及第二进气口（36）。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述第一混合腔（31）中固定设有竖向设置的固定杆（311），所述固定杆（311）通过多个固定支架与第一混合腔（31）的腔壁连接，所述固定杆（311）上设置有多个自下而上呈螺旋线分布的用于混合的折流板（312）。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述连接腔（33）包括和所述第一混合腔（31）连接的呈筒状的竖直腔壁（331）以及口径逐渐变小的锥形腔壁（332）。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述搅拌装置（34）包括旋转轴套（341）、多个均布在所述旋转轴套（341）上的搅拌叶片（342）、设在所述转轴套（341）内部的轴承（343）、和所述轴承（343）相连的固定轴（344）。
5.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述第一进气口（35）以及第二进气口（36）上均设有流量调节阀。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110923669A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 气体喷淋装置以及化学气相沉积方法 |
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