CN205984961U - 一种利用daf膜封装的二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种利用DAF膜封装的二极管，包括晶体、金属触点、引脚和引线，金属触点设置在晶体上表面的左右两侧，左侧的金属触点通过引线与左侧引脚的上表面连接，右侧的金属触点通过引线与右侧引脚的上表面连接，晶体的下表面设置有DAF膜，DAF膜从上往下设置有第一胶面、绝缘胶面和第二胶面，第一胶面与晶体的下表面固定，第二胶面与左右两侧的引脚固定。本实用新型的有益效果是：直接采用黏贴的方式实现DAF膜对晶体和引脚的组装处理，不存在因为胶液溢出而产生绝缘厚度的安全间距变小所导致的短路现象，确保每个产品中晶体与引脚在能够固定的基础上也能够实现绝缘的效果，而且DAF膜的厚度是固定的，解决了旧有技术中的绝缘厚度不稳定的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域，特别是涉及一种利用DAF膜封装的二极管。
背景技术
在现有二极管生产制作的工序中，存在一个必需的点胶工艺流程，需要在晶体和引脚接点之间点入一定量的胶液(如环氧树脂、硅胶、聚氨酯等)用以固定，同时实现绝缘。现有工艺上，多在顶针板对应位置放置引脚，利用点胶装置在晶体下表面点一定量的胶液，然后迅速将晶体的下表面放置在顶针板和引脚的对应位置，接着将晶体的上表面的金属触片和引脚通过引线分别电性连接，最后用顶针穿过顶针孔将产品顶出。现有技术中，受制于点胶装置、点胶工序中的动作、胶液的用量都会给二极管带来点胶绝缘厚度的不稳定，从而直接影响到二极管产品的电性能，点胶后胶液没完全冷却所产生的胶液溢出，还会使绝缘厚度的安全间距变小而导致引脚和晶体直接接触，从而发生短路现象。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种利用DAF膜封装的二极管，有效解决了旧有技术中因为点胶的动作或者胶液的用量难以操控而导致的晶体和引脚之间绝缘厚度不稳定从而引起的产品电性能不稳定的问题，以及因为胶液没完全冷却所产生的胶液溢出产生绝缘厚度的安全间距变小而导致的引脚和晶体直接接触引发的短路现象，从而提高产品的良品率及可靠性。
本实用新型采用的技术方案为：一种利用DAF膜封装的二极管，包括晶体、金属触点、引脚和引线，所述金属触点设置在晶体上表面的左右两侧，所述左侧的金属触点通过引线与左侧引脚的上表面电性连接，所述右侧的金属触点通过引线与右侧引脚的上表面电性连接，所述晶体的下表面设置有DAF膜，所述DAF膜从上往下依次设置有第一胶面、绝缘胶面和第二胶面，所述第一胶面与晶体的下表面固定，所述第二胶面分别与左右两侧的引脚固定。
作为优选方式，所述DAF膜设置为绝缘膜。
作为优选方式，所述DAF膜设置为耐高温绝缘膜。
作为优选方式，所述DAF膜的厚度设置为大于25μm。
本实用新型的有益效果是：DAF膜第一胶面与晶体的下表面固定，第二胶面分别与左右两侧的引脚固定，这种直接采用黏贴的方式实现DAF膜对晶体和引脚的组装处理，不存在因为胶液溢出而产生绝缘厚度的安全间距变小所导致的短路现象，并且确保每个产品中晶体与引脚在能够固定的基础上也能够实现绝缘的效果，而且DAF膜的厚度是固定的，因此解决了旧有技术中的绝缘厚度不稳定的问题。
附图说明
图1是本实用新型二极管封装的结构示意图。
图2是本实用新型DAF膜的结构示意图。
其中：
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。
实施例一，参照图1和图2所示，一种利用DAF膜封装的二极管，包括晶体2、金属触点3、引脚4和引线5，金属触点3设置在晶体2上表面的左右两侧，左侧的金属触点3通过引线5与左侧引脚4的上表面电性连接，右侧的金属触点3通过引线5与右侧引脚4的上表面电性连接，晶体2的下表面设置有DAF膜1，DAF膜1从上往下依次设置有第一胶面6、绝缘胶面7和第二胶面8，第一胶面6与晶体2的下表面固定，第二胶面8分别与左右两侧的引脚4固定。
DAF膜1设置为绝缘膜，DAF膜1完全覆盖晶体2的下表面，使得晶体2的下表面和引脚4之间绝缘。DAF膜1的厚度设置为大于25μm，使得封装二极管时，二极管的安全绝缘距离尺寸符合使用标准。
实施例二，与实施例一的主要区别在于：所采用的DAF膜1设置为耐高温绝缘膜，使得二极管在温度较高的环境下不会由于DAF膜1的熔化，导致晶体2和引脚4直接接触引发的短路现象，影响二极管的正常工作。
上述实施例仅是显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
Claims (4)
1.一种利用DAF膜封装的二极管，包括晶体(2)、金属触点(3)、引脚(4)和引线(5)，所述金属触点(3)设置在晶体(2)上表面的左右两侧，所述左侧的金属触点(3)通过引线(5)与左侧引脚(4)的上表面电性连接，所述右侧的金属触点(3)通过引线(5)与右侧引脚(4)的上表面电性连接，其特征在于：所述晶体(2)的下表面设置有DAF膜(1)，所述DAF膜(1)从上往下依次设置有第一胶面(6)、绝缘胶面(7)和第二胶面(8)，所述第一胶面(6)与晶体(2)的下表面固定，所述第二胶面(8)分别与左右两侧的引脚(4)固定。
2.根据权利要求1所述的一种利用DAF膜封装的二极管，其特征在于：所述DAF膜(1)设置为绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的一种利用DAF膜封装的二极管，其特征在于：所述DAF膜(1)设置为耐高温绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的一种利用DAF膜封装的二极管，其特征在于：所述DAF膜(1)的厚度设置为大于25μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201620874521.4U CN205984961U (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种利用daf膜封装的二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN205984961U true CN205984961U (zh) | 2017-02-22 |
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Family Applications (1)
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| CN201620874521.4U Active CN205984961U (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种利用daf膜封装的二极管 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN205984961U (zh) |
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2016
- 2016-08-12 CN CN201620874521.4U patent/CN205984961U/zh active Active
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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