CN205810792U - 一种带缓冲功能的功率半导体模块电极 - Google Patents
一种带缓冲功能的功率半导体模块电极 Download PDFInfo
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Abstract
一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，包括连接支架和芯片焊接板，所述连接支架和芯片焊接板由整块板弯折90°而成，呈“L”型，在所述连接支架上设置有折弯凸块，折弯凸块的内侧壁形成一个缓冲凹槽。本实用新型通过改变现有电极的结构，使得电极的连接支架上形成缓冲段，使电极具有较高的抗受力变形性能，从而降低了电极因受力对与芯片焊接处的影响，防止了芯片与芯片焊接板受力变形或脱落，使得功率半导体模块的产品质量提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种功率半导体模块，尤其涉及一种带缓冲功能的功率半导体模块电极。
背景技术
功率半导体模块作为电力电子节能技术的核心器件，现今在输变电、冶金、马达驱动、轨道交通、大功率电源、环保节能新能源领域及节能家电产品等各个领域中得到广泛应用，市场前景十分广阔。随着模块功率密度加大和集成化程度的不断提高，对焊接质量的要求也越来越高，功率半导体器件内部依靠铜材电极实现电性能连接，现有的功率半导体模块中的电极结构如图1所示，包括连接支架1和芯片焊接板2，所述连接支架1与芯片焊接板2相互垂直，形成“L”型，芯片焊接板2焊接在芯片上，功率半导体芯片以及电极被封装在环氧树脂的壳体中，功率半导体芯片通过电极与外露的功率半导体模块端子相连。电极必须与功率半导体芯片有效的紧固连接，才能保证模块的工作稳定性。但在上机使用时模块器件往往要经受热循环，由于芯片与电极的热膨胀系数不一样，在热循环过程中焊接面会产生周期性的剪切应力，这些应力聚集在芯片与电极连接处的焊接面上使焊料形成局部裂纹，如果有外加力作用，焊料就会很容易脱落。实际上在上机使用时，操作者安装操作必然会插入或拔出电极，电极受到一个向内或向外的拉应力，长此以往，电极在外加力作用下就会从芯片上脱落或部分脱落，从而使得功率半导体模块内部连接断开，导致模块工作不稳定，可靠性差，使用寿命短。为了解决上述技术问题，申请人设计了一种带缓冲功能的功率半导体模块电极。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，通过改变现有电极的结构，在电极的连接支架上形成缓冲段，使电极具有较高的抗受力变形性能，从而降低了电极因受力对与芯片焊接处产生影响，防止了芯片与芯片焊接板受力变形或脱落，提高功率半导体模块的产品质量。
本实用新型采取的技术方案如下：
一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，包括连接支架和芯片焊接板，所述连接支架和芯片焊接板由整块板弯折90°而成，呈“L”型，其特征是：在所述连接支架上设置有折弯凸块，折弯凸块的内侧壁形成一个缓冲凹槽。
进一步，所述折弯凸块设置在连接支架的中下段。
进一步，所述缓冲凹槽的形状为方形。
进一步，所述折弯凸块向芯片焊接板的方向凸出。
更进一步，所述折弯凸块的凸出长度为芯片焊接板长度的10％-30％，折弯凸块的高度为连接支架长度的10％-30％。
进一步，所述折弯凸块的凸边厚度为连接支架厚度的70％～90％。
本实用新型通过在电极的连接支架上增设了折弯凸块，折弯凸块的内侧壁形成一个缓冲凹槽，在受到外力牵引时，内壁形成缓冲凹槽的折弯凸块能起到缓冲的作用，从而减少了受力对芯片焊接板的影响，折弯凸块的凸边厚度为连接支架厚度的60％～90％，能更好的形成缓冲，在保证了连接支架与壳体的咬合强度的基础上能最大程度的减小连接支架因受力对芯片焊接板影响，增强了芯片焊接板抗受力能力，即使连接支架受到较大外力作用，也不会直接对芯片焊接板造成影响，使得电极和半导体芯片的连接牢固，提高了产品质量，有效的降低了芯片的损坏概率，从而提高电力模块的工作稳定性和可靠性，它能理想地克服现有技术的不足。
附图说明：
图1为现有电极的结构示意图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图中：1-连接支架；2-芯片焊接板；3-折弯凸块；4-缓冲凹槽。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式：
一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，包括连接支架1和芯片焊接板2，所述连接支架1和芯片焊接板2由整块板弯折90°而成，呈“L”型，在所述连接支架1的下段设置有折弯凸块3，折弯凸块3的内侧壁形成一个方形缓冲凹槽4，折弯凸块3向芯片焊接板2的方向凸出，折弯凸块3的凸出长度为芯片焊接板2长度的30％，折弯凸块3的高度为连接支架1长度的30％，折弯凸块3的凸边厚度为连接支架1厚度的80％。
Claims (6)
1.一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，包括连接支架(1)和芯片焊接板(2)，所述连接支架(1)和芯片焊接板(2)由整块板弯折90°而成，呈“L”型，其特征是：在所述连接支架(1)上设置有折弯凸块(3)，折弯凸块(3)的内侧壁形成一个缓冲凹槽(4)。
2.根据权利要求1所述的带缓冲功能的功率半导体模块电极，其特征是：所述折弯凸块(3)设置在连接支架(1)的中下段。
3.根据权利要求1所述的带缓冲功能的功率半导体模块电极，其特征是：所述缓冲凹槽(4)的形状为方形。
4.根据权利要求1所述的带缓冲功能的功率半导体模块电极，其特征是：所述折弯凸块(3)向芯片焊接板(2)的方向凸出。
5.根据权利要求4所述的带缓冲功能的功率半导体模块电极，其特征是：所述折弯凸块(3)的凸出长度为芯片焊接板(2)长度的10％-30％，折弯凸块(3)的高度为连接支架(1)长度的10％-30％。
6.根据权利要求1所述的带缓冲功能的功率半导体模块电极，其特征是：所述折弯凸块(3)的凸边厚度为连接支架(1)厚度的70％～90％。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201620600470.6U CN205810792U (zh) | 2016-06-18 | 2016-06-18 | 一种带缓冲功能的功率半导体模块电极 |
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Publications (1)
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| CN205810792U true CN205810792U (zh) | 2016-12-14 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2016
- 2016-06-18 CN CN201620600470.6U patent/CN205810792U/zh active Active
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