CN205774928U - 一种硅片高温扩散设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅片高温扩散设备，包括扩散炉，所述扩散炉的左侧安装有进气管，所述扩散炉的上方左端安装有控制装置，所述扩散炉的内部左端设置有缓冲隔板，所述缓冲隔板上设置有通孔，所述扩散炉的内部中间安装有石墨舟，所述石墨舟的内部放置有硅片，所述扩散炉的内部上方安装有压力传感器，所述压力传感器通过导线与控制装置电性连接，所述扩散炉的上方通过真空管与真空泵固定连接，所述真空管上安装有电磁阀。该硅片高温扩散设备，提高炉体内不同空间位置的待反应气体成分、密度的均匀性，从而提高硅片掺杂的均匀性，减少太阳电池局部漏电、较大的接触电阻及载流子的复合效率，有效提高了太阳电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体设备技术领域，具体涉及一种硅片高温扩散设备。
背景技术
太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能并利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上，形成新的空穴-电子对(V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。晶硅太阳能电池的制造工艺有6道工序，分别为制绒，扩散，去磷硅玻璃和背结，镀膜，丝网印刷，烧结。其中扩散工序是在硅片正面形成电池的核心部件PN结。在太阳光的照射下，PN结两侧形成电势差，接通电路后就形成电流
目前，在晶硅太阳电池扩散设备中，待反应气体通过炉尾处的进气管导入炉体内，并在炉体内某点释放，然后扩散至整个炉腔。由于进气管直径远小于扩散炉管直径，这导致与进气管同一水平线上的气体比炉管上端及底部的气体受到后续气体的推动力稍大，该处与炉管上端及底部的气体浓度不一致，将导致硅片上下部的掺杂不均匀性。此外，由于进入炉体的待反应气体尚未混合充分，混合气体因空间位置不同而在成分、密度存在差异，这将导致硅片掺杂不均匀，导致太阳电池局部较大的漏电、较大的接触电阻及较大的载流子复合速率，从而降低太阳电池的光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅片高温扩散设备，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种硅片高温扩散设备，包括扩散炉，所述扩散炉的左侧安装有进气管，所述扩散炉的右侧设置有出气管，所述扩散炉的上方左端安装有控制装置，所述扩散炉的内部左端设置有缓冲隔板，所述缓冲隔板上设置有通孔，所述扩散炉的内部中间安装有石墨舟，所述石墨舟的内部放置有硅片，所述扩散炉的内部上方安装有压力传感器，所述压力传感器通过导线与控制装置电性连接，所述扩散炉的上方通过真空管与真空泵固定连接，所述真空管上安装有电磁阀。
优选的，所述扩散炉为管式扩散炉。
优选的，所述进气管和出气管均设置有两组。
优选的，所述缓冲隔板为混凝土板。
优选的，所述通孔至少设有10组，且均匀分布在缓冲隔板的表面，所述通孔的直径大小为3-8mm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该硅片高温扩散设备，通过缓冲隔板和通孔的设计，使得硅片扩散过程炉体内的气体更加均匀，从而提高硅片掺杂的均匀性；通过压力传感器的设计，使得炉体内的压力能够实时监测；该硅片高温扩散设备，提高炉体内不同空间位置的待反应气体成分、密度的均匀性，从而提高硅片掺杂的均匀性，减少太阳电池局部漏电、较大的接触电阻及载流子的复合效率，有效提高了太阳电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1扩散炉、2进气管、3缓冲隔板、4通孔、5真空泵、6电磁阀、7真空管、8压力传感器、9石墨舟、10出气管、11硅片、12控制装置。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1所示的一种硅片高温扩散设备，包括扩散炉1，所述扩散炉1的左侧安装有进气管2，所述扩散炉1的右侧设置有出气管10，所述扩散炉1的上方左端安装有控制装置12，所述扩散炉1的内部左端设置有缓冲隔板3，所述缓冲隔板3上设置有通孔4，所述扩散炉1的内部中间安装有石墨舟9，所述石墨舟9的内部放置有硅片11，所述扩散炉1的内部上方安装有压力传感器8，所述压力传感器8通过导线与控制装置12电性连接，所述扩散炉1的上方通过真空管7与真空泵5固定连接，所述真空管7上安装有电磁阀6，所述扩散炉1为管式扩散炉，所述进气管2和出气管10均设置有两组，所述缓冲隔板3为混凝土板，所述通孔4至少设有10组，且均匀分布在缓冲隔板3的表面，所述通孔4的直径大小为3-8mm。
工作原理：该硅片高温扩散设备使用时，首先将硅片11放置在石墨舟9的内部，通过真空泵5减小炉体内的压强，然后通过向扩散炉1内加热使得炉体内的温度迅速升高，并且缓冲隔板3能够将进入的热气均匀分散在炉体1内，从而从而提高硅片掺杂的均匀性，减少太阳电池局部漏电、较大的接触电阻及载流子的复合效率，有效提高了太阳电池的光电转换效率。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种硅片高温扩散设备，包括扩散炉（1），所述扩散炉（1）的左侧安装有进气管（2），所述扩散炉（1）的右侧设置有出气管（10），其特征在于：所述扩散炉（1）的上方左端安装有控制装置（12），所述扩散炉（1）的内部左端设置有缓冲隔板（3），所述缓冲隔板（3）上设置有通孔（4），所述扩散炉（1）的内部中间安装有石墨舟（9），所述石墨舟（9）的内部放置有硅片（11），所述扩散炉（1）的内部上方安装有压力传感器（8），所述压力传感器（8）通过导线与控制装置（12）电性连接，所述扩散炉（1）的上方通过真空管（7）与真空泵（5）固定连接，所述真空管（7）上安装有电磁阀（6）。
2.根据权利要求1所述的一种硅片高温扩散设备，其特征在于：所述扩散炉（1）为管式扩散炉。
3.根据权利要求1所述的一种硅片高温扩散设备，其特征在于：所述进气管（2）和出气管（10）均设置有两组。
4.根据权利要求1所述的一种硅片高温扩散设备，其特征在于：所述缓冲隔板（3）为混凝土板。
5.根据权利要求1所述的一种硅片高温扩散设备，其特征在于：所述通孔（4）至少设有10组，且均匀分布在缓冲隔板（3）的表面，所述通孔（4）的直径大小为3-8mm。
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- 2016-06-01 CN CN201620523664.0U patent/CN205774928U/zh not_active Expired - Fee Related
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