CN205765548U - 一种改善锗单晶片总厚度变化的装置 - Google Patents

Abstract

一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，涉及晶体加工技术领域，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内，圆形铁盘压在圆垫上，使所有圆垫表面处于同一平面，圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。本实用新型的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料，使用时间长，有利于降低成本。

Description

一种改善锗单晶片总厚度变化的装置

技术领域

本实用新型涉及晶体加工技术领域，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置。

背景技术

高纯锗单晶具有高抗辐射、高频、光电性能好的特点，被广泛应用于国防军工、航空航天、电子、光导纤维、红外光学、半导体等领域，由此成为了当今世界上非常重要的战略物资。随着科学技术的发展，其用途不断扩展。从锗单晶到晶片需要经过滚磨、切片、倒角、研磨(包括化学腐蚀)、抛光和清洗，其中切片工序和化学腐蚀工序是影响抛光片翘曲度的关键工艺，研磨工艺主要是去除切片工艺给锗单晶片造成的损伤层，抛光工序是控制抛光片TTV(总厚度变化)的关键工艺。而TTV是表面几何参数的一项重要指标，体现了锗单晶片的表面性质，直接影响后序外延工艺和器件性能。

在抛光工序中，除了抛光盘转速、抛光头压力、抛光液流量和及抛光速率对锗单晶片TTV的影响之外，无蜡垫粘到陶瓷盘表面后的平整度也是影响锗单晶片TTV的重要因素之一。目前所使用的无蜡垫时常存在不能很牢固的粘在陶瓷盘表面，或两者之间留有空隙的问题，致使抛光后锗单晶片的TTV过大，影响后序外延工艺，降低器件性能。

实用新型内容

本实用新型所要解决的就是目前使用的无蜡垫粘贴不牢固，与陶瓷片有空隙导致的抛光后锗单晶片的TTV过大的问题，提供一种改善锗单晶片总厚度变化的装置。

一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内，圆形铁盘压在圆垫上，使所有圆垫表面处于同一平面，圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。

所述的圆垫为聚氯乙烯材料，边缘为圆弧形边型。

所述的圆形铁盘表面设置对称把手。

所述的圆柱形铁块侧面和圆形铁盘的表面设置防滑垫。

所述的圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块表面的平面度公差在1.5μm以下。

本实用新型的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料，使用时间长，有利于降低成本。

附图说明

图1是本实用新型装置的结构示意图；

图2是圆垫的俯视图;

图中，1陶瓷盘，2无蜡垫，3圆垫，4圆形铁盘，5对称把手，6圆柱形铁块，7防滑垫，8圆弧形边型，9圆形凹槽。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

实施例1：一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘1、无蜡垫2、圆垫3和圆形铁盘4构成，陶瓷盘1表面粘有若干个无蜡垫2，无蜡垫2内设置圆形凹槽9，圆垫3放置在无蜡垫2的圆形凹槽9内，圆垫3为聚氯乙烯材料，具有一定的强度和硬度，使用时间长，有利于降低成本，圆垫3边缘为圆弧形边型8，防止无蜡垫2的圆形凹槽9被刮花，进而影响到晶片的质量，厚度为5mm，圆垫3表面设置圆形铁盘4，圆形铁盘4厚度为15mm，重量为20kg，圆形铁盘4表面设置对称把手5，方便移动圆形铁盘4，圆形铁盘4表面中央设置有圆柱形铁块6，圆柱形铁块6直径为150mm，高度为200mm，重量为20kg，以增强挤压力，清除无蜡垫2与陶瓷盘1之间的空隙，圆柱形铁块6侧面和圆形铁盘4的表面设置防滑垫7，增加摩擦力，方便使用。

实际工作时，首先将无蜡垫2粘在陶瓷盘1的表面，然后将圆垫3放到无蜡垫2的圆形凹槽9中，再把圆形铁盘4压在圆垫3的上表面，过程中应注意圆形铁盘4的边缘与陶瓷盘1边缘对齐，以使陶瓷盘1表面的无蜡垫2受到均匀的压力。最后将圆柱形铁块6放到圆形铁盘4表面的中心处，过3小时之后，依次取下圆柱形铁块6、圆形铁盘4和圆垫3，接着用水把锗单晶片吸附在无蜡垫2的圆形凹槽9中，然后把陶瓷盘1装到抛光机上进行机械化学抛光。

实施例2：一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘1、无蜡垫2、圆垫3和圆形铁盘4构成，陶瓷盘1表面粘有若干个无蜡垫2，无蜡垫2内设置圆形凹槽9，圆垫3放置在无蜡垫2的圆形凹槽9内，圆垫3为聚氯乙烯材料，具有一定的强度和硬度，使用时间长，有利于降低成本，圆垫3边缘为圆弧形边型8，防止无蜡垫2的圆形凹槽9被刮花，进而影响到晶片的质量，厚度为8mm，圆垫3表面设置圆形铁盘4，圆形铁盘4厚度为30mm，重量为30kg，圆形铁盘4表面设置对称把手5，方便移动圆形铁盘4，圆形铁盘4表面中央设置有圆柱形铁块6，圆柱形铁块6直径为200mm，高度为250mm，重量为30kg，以增强挤压力，清除无蜡垫2与陶瓷盘1之间的空隙，圆柱形铁块6侧面和圆形铁盘4的表面设置防滑垫7，增加摩擦力，方便使用。

实际工作时，首先将无蜡垫2粘在陶瓷盘1的表面，然后将圆垫3放到无蜡垫2的圆形凹槽9中，再把圆形铁盘4压在圆垫3的上表面，过程中应注意圆形铁盘4的边缘与陶瓷盘1边缘对齐，以使陶瓷盘1表面的无蜡垫2受到均匀的压力。最后将圆柱形铁块6放到圆形铁盘4表面的中心处，过1.5小时之后，依次取下圆柱形铁块6、圆形铁盘4和圆垫3，接着用水把锗单晶片吸附在无蜡垫2的圆形凹槽9中，然后把陶瓷盘1装到抛光机上进行机械化学抛光。

如表1所示，使用本实用新型后，2～6英寸锗单晶片的TTV都得到了很大的改善。

Claims (5)

1.一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于该装置由陶瓷盘（1）、无蜡垫（2）、圆垫（3）、圆形铁盘（4）和圆柱形铁块（6）构成，陶瓷盘（1）表面粘有若干个无蜡垫（2），无蜡垫（2）内设置圆形凹槽（9），圆垫（3）放置在无蜡垫（2）的圆形凹槽（9）内，圆形铁盘（4）压在圆垫（3）上，使所有圆垫（3）表面处于同一平面，圆形铁盘（4）表面中央设置有圆柱形铁块（6）。

2.如权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于所述的圆垫（3）为聚氯乙烯材料，边缘为圆弧形边型（8）。

3.如权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于所述的圆形铁盘（4）表面设置对称把手（5）。

4.如权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于所述的圆形铁盘（4）和圆柱形铁块（6）侧面表面设置防滑垫（7）。

5.如权利要求1所述的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，其特征在于所述的圆垫（3）、圆形铁盘（4）和圆柱形铁块（6）表面的平面度公差在1.5μm以下。