CN205723514U - 一种nand存储器的bga封装装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及BGA封装领域，尤其涉及一种NAND存储器的BGA封装装置。不需要在NAND存储器打孔进行穿线BGA封装，保证了线路信号质量，并且利用了NAND存储器的一些空闲NC引脚作为穿线，保证了在有限的空间内最合理的走线，使得BGA封装集成度高、轻型小型化，可作为EMMC芯片的替代，成本低。
Description
技术领域
本实用新型涉及BGA封装领域，尤其涉及一种NAND存储器的BGA封装装置。
背景技术
NAND Flash内存是Flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
随着电子工业的迅猛发展，计算机、移动电话等产品日益普及。人们对电子产品的功能要求越来越多、对性能要求越来越强，而且对体积要求也是却越来越小、重量要求越来越轻。这就促使电子产品向多功能、高性能和小型化、轻型化方向发展。为实现这一目标，一些先进的高密度封装技术应运而生，BGA封装技术就是其中之一。
BGA的全称是Ball Grid Array(焊球阵列封装)，它是在封装体基板的底部制作阵列焊球作为电路的I/O端与印刷线路板(PCB)互接，它是集成电路采用有机载板的一种封装法。它具有：①、封装面积少；②、功能加大，引脚数目增多；③、PCB板熔焊时能自我居中，易上锡；④、可靠性高；⑤、电性能好，整体成本低等特点。
NAND存储器体积比较小，在进行BGA封装时，接线困难，且由于每个引脚之间的距离过小，从间隔中打孔穿线，导致影响了线路信号质量。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提供一个接线简便、线路信号质量好的NAND存储器的BGA封装装置。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
一种NAND存储器的BGA封装装置，所述NAND存储器包括以下引脚：四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、八个信号传输引脚、CLE引脚、ALE引脚、两个CE引脚、WP引脚、两个RB引脚、十一个VSS引脚、WE引脚、两个DQS引脚、两个RE引脚、VREF引脚、CLK引脚、WP引脚、四个RFU引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在E9位置，IO1引脚在E10位置，IO2引脚在F10位置，IO3引脚在G10位置，IO4引脚在A3位置，IO5引脚在B3位置，IO6引脚在B4位置，IO7引脚在A4位置；
CLE引脚在B5位置；
ALE引脚在B2位置；
两个CE引脚分别为第一CE引脚和第二CE引脚；所述第一CE引脚在A7位置，第二CE引脚在E8位置；
WP引脚在B6位置；
两个RB引脚分别为第一RB引脚和第二RB引脚；所述第一RB引脚在A5位置，第二RB引脚在E5位置；
十一个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚、第九VSS引脚、第十VSS引脚和第十一VSS引脚；所述第一VSS引脚在A6位置，第二VSS引脚在C4位置，第三VSS引脚在E7位置，第四VSS引脚在G5位置，第五VSS引脚在H10位置，第六VSS引脚在J5位置，第七VSS引脚在K8位置，第八VSS引脚在N2位置，第九VSS引脚在N5位置，第十VSS引脚在P4位置，第十一VSS引脚在P6位置；
WE引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为第一DQS引脚和第二DQS引脚；所述第一DQS引脚在K5位置，第二DQS引脚在K6位置；
两个RE引脚分别为第一RE引脚和第二RE引脚；所述第一RE引脚在H5位置，第二RE引脚在M6位置；
VREF引脚在G3位置；
CLK引脚在B5位置；
WP引脚在B6位置；
四个RFU引脚分别为第一RFU引脚、第二RFU引脚、第三RFU引脚和第四RFU引脚；所述第一RFU引脚在K7位置，第二RFU引脚在K10位置，第三RFU引脚在P7位置，第四RFU引脚在P10位置；
VDDI引脚在C2位置。
本实用新型提供的另一技术方案为：
一种NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述NAND存储器包括以下引脚：四个RB引脚、四个CE引脚、八个信号传输引脚、四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、CLE引脚、ALE引脚、WP引脚、九个VSS引脚、WE/CLK引脚、两个DQS引脚、RE/WR引脚、NC/VREF引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个RB引脚分别为第一RB引脚、第二RB引脚、第三RB引脚、第四RB引脚；第一RB引脚在A1位置，第二RB引脚在P13位置，第三RB引脚在N14位置，第四RB引脚在P14位置；
四个CE引脚分别为第一CE引脚、第二CE引脚、第三CE引脚和第四CE引脚；第一CE引脚在A14位置，第二CE引脚在A13位置、第三CE引脚在A2位置和第四CE引脚在B1位置；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在A3位置，IO1引脚在A4位置，IO2引脚在A5位置，IO3引脚在B2位置，IO4引脚在B3位置，IO5引脚在B4位置，IO6引脚在B5位置，IO7引脚在B6位置；
CLE引脚在P1位置；
ALE引脚在N1位置；
WP引脚在B14位置；
九个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚和第九VSS引脚；所述第一VSS引脚在C4位置，第二VSS引脚在E7位置，第三VSS引脚在G5位置，第四VSS引脚在H10位置，第五VSS引脚在K8位置，第六VSS引脚在N2位置，第七VSS引脚在N5位置，第八VSS引脚在P4位置，第九VSS引脚在P6位置；
WE/CLK引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为DQS和NC/DQS_c；所述DQS在M6位置，NC/DQS_c在M7位置；
RE/WR引脚在K5；
NC/VREF引脚在G3位置；
VDDI引脚在C2位置。
本实用新型的有益效果在于：不需要在NAND存储器打孔进行穿线BGA封装，保证了线路信号质量，并且利用了NAND存储器的一些空闲NC引脚作为穿线，保证了在有限的空间内最合理的走线，使得BGA封装集成度高、轻型小型化，可作为EMMC芯片的替代，成本低。
附图说明
图1为本实用新型的NAND存储器的BGA封装装置的实施例一的引脚结构图；
图2为本实用新型的NAND存储器的BGA封装装置的实施例二的引脚结构图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本实用新型最关键的构思在于：不需要在NAND存储器打孔进行穿线BGA封装，保证了线路信号质量，并且利用了NAND存储器的一些空闲NC引脚作为穿线，保证了在有限的空间内最合理的走线。
请参照图1，本实用新型提供的一种NAND存储器的BGA封装装置，所述NAND存储器包括以下引脚：四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、八个信号传输引脚、CLE引脚、ALE引脚、两个CE引脚、WP引脚、两个RB引脚、十一个VSS引脚、WE引脚、两个DQS引脚、两个RE引脚、VREF引脚、CLK引脚、WP引脚、四个RFU引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在E9位置，IO1引脚在E10位置，IO2引脚在F10位置，IO3引脚在G10位置，IO4引脚在A3位置，IO5引脚在B3位置，IO6引脚在B4位置，IO7引脚在A4位置；
CLE引脚在B5位置；
ALE引脚在B2位置；
两个CE引脚分别为第一CE引脚和第二CE引脚；所述第一CE引脚在A7位置，第二CE引脚在E8位置；
WP引脚在B6位置；
两个RB引脚分别为第一RB引脚和第二RB引脚；所述第一RB引脚在A5位置，第二RB引脚在E5位置；
十一个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚、第九VSS引脚、第十VSS引脚和第十一VSS引脚；所述第一VSS引脚在A6位置，第二VSS引脚在C4位置，第三VSS引脚在E7位置，第四VSS引脚在G5位置，第五VSS引脚在H10位置，第六VSS引脚在J5位置，第七VSS引脚在K8位置，第八VSS引脚在N2位置，第九VSS引脚在N5位置，第十VSS引脚在P4位置，第十一VSS引脚在P6位置；
WE引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为第一DQS引脚和第二DQS引脚；所述第一DQS引脚在K5位置，第二DQS引脚在K6位置；
两个RE引脚分别为第一RE引脚和第二RE引脚；所述第一RE引脚在H5位置，第二RE引脚在M6位置；
VREF引脚在G3位置；
CLK引脚在B5位置；
WP引脚在B6位置；
四个RFU引脚分别为第一RFU引脚、第二RFU引脚、第三RFU引脚和第四RFU引脚；所述第一RFU引脚在K7位置，第二RFU引脚在K10位置，第三RFU引脚在P7位置，第四RFU引脚在P10位置；
VDDI引脚在C2位置。
从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：不需要在NAND存储器打孔进行穿线BGA封装，保证了线路信号质量，并且利用了NAND存储器的一些空闲NC引脚作为穿线，保证了在有限的空间内最合理的走线，使得BGA封装集成度高、轻型小型化，可作为EMMC芯片的替代，成本低。
进一步的，所述NAND存储器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、J11、H11、G11、F11、E11位置不设引脚，剩余位置设为NC引脚。
由上述描述可知，剩余位置设为NC引脚，NC引脚为空引脚，不起信号或电连接作用，但是可以使BGA焊接更为紧固。
进一步的，所述BGA封装装置的长13mm、宽11.5mm。
由上述描述可知，集成度高、轻型小型化，成本低。
请参照图1，本实用新型的实施例一为：
一种NAND存储器的BGA封装装置，所述NAND存储器包括以下引脚：四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、八个信号传输引脚、CLE引脚、ALE引脚、两个CE引脚、WP引脚、两个RB引脚、十一个VSS引脚、WE引脚、两个DQS引脚、两个RE引脚、VREF引脚、CLK引脚、四个RFU引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在E9位置，IO1引脚在E10位置，IO2引脚在F10位置，IO3引脚在G10位置，IO4引脚在A3位置，IO5引脚在B3位置，IO6引脚在B4位置，IO7引脚在A4位置；
CLE引脚在B5位置；
ALE引脚在B2位置；
两个CE引脚分别为CE1和CE2；CE1在A7位置，CE2在E8位置；
WP引脚在B6位置；
两个RB引脚分别为RB1和RB2；RB1在A5位置，RB2在E5位置；
图1中的VSSm即为本文中的VSS，十一个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚、第九VSS引脚、第十VSS引脚和第十一VSS引脚；所述第一VSS引脚在A6位置，第二VSS引脚在C4位置，第三VSS引脚在E7位置，第四VSS引脚在G5位置，第五VSS引脚在H10位置，第六VSS引脚在J5位置，第七VSS引脚在K8位置，第八VSS引脚在N2位置，第九VSS引脚在N5位置，第十VSS引脚在P4位置，第十一VSS引脚在P6位置；
WE引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为DQS_t和DQS_c；所述DQS_t在K5位置，DQS_c在K6位置；
两个RE引脚分别为RE_t和RE_c；所述RE_c在H5位置，RE_t在M6位置；
VREF引脚在G3位置；
CLK引脚在B5位置；
四个RFU引脚分别为第一RFU引脚、第二RFU引脚、第三RFU引脚和第四RFU引脚；所述第一RFU引脚在K7位置，第二RFU引脚在K10位置，第三RFU引脚在P7位置，第四RFU引脚在P10位置；
VDDI引脚在C2位置。
所述NAND存储器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、J11、H11、G11、F11、E11位置不设引脚，剩余位置设为NC引脚。NC引脚为空引脚，不起信号或电连接作用，但是可以使BGA焊接更为紧固。
所述BGA封装装置的长13mm、宽11.5mm。产品的集成度高、轻型小型化，比EMMC成本低。
其中，引脚定义说明如下表1，
表1
除了I/O总线，NAND接口由6个主要控制信号构成：
1.芯片启动(Chip Enable，CE#)：如果没有检测到CE信号，那么NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号作出响应。
2.写使能(Write Enable,WE#):WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
3.读使能(Read Enable,RE#):RE#允许输出数据缓冲器。
4.指令锁存使能(Command Latch Enable，CLE):当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。
5.地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。
6.就绪/忙(Ready/Busy,R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
以上引脚分别设置在不同的BGA位置。
请参照图2，本实用新型的实施例二为：
一种NAND存储器的BGA封装装置，所述NAND存储器包括以下引脚：四个RB引脚、四个CE引脚、八个信号传输引脚、四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、CLE引脚、ALE引脚、WP引脚、九个VSS引脚、WE/CLK引脚、两个DQS引脚、RE/WR引脚、NC/VREF引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个RB引脚分别为第一RB引脚、第二RB引脚、第三RB引脚、第四RB引脚；第一RB引脚(RB0)在A1位置，第二RB引脚(RB1)在P13位置，第三RB引脚(RB2)在N14位置，第四RB引脚(RB3)在P14位置；
四个CE引脚分别为第一CE引脚、第二CE引脚、第三CE引脚和第四CE引脚；第一CE引脚(CE0)在A14位置，第二CE引脚(CE1)在A13位置、第三CE引脚(CE2)在A2位置和第四CE引脚(CE3)在B1位置；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在A3位置，IO1引脚在A4位置，IO2引脚在A5位置，IO3引脚在B2位置，IO4引脚在B3位置，IO5引脚在B4位置，IO6引脚在B5位置，IO7引脚在B6位置；
CLE引脚在P1位置；
ALE引脚在N1位置；
WP引脚在B14位置；
图2中的VSSm即为本文中的VSS，九个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚和第九VSS引脚；所述第一VSS引脚在C4位置，第二VSS引脚在E7位置，第三VSS引脚在G5位置，第四VSS引脚在H10位置，第五VSS引脚在K8位置，第六VSS引脚在N2位置，第七VSS引脚在N5位置，第八VSS引脚在P4位置，第九VSS引脚在P6位置；
WE/CLK引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为DQS和NC/DQS_c；所述DQS在M6位置，NC/DQS_c在M7位置；
RE/WR引脚在K5；
NC/VREF引脚在G3位置；
VDDI引脚在C2位置。
所述NAND存储器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、J11、H11、G11、F11、E11位置不设引脚，剩余位置设为NC引脚。NC引脚为空引脚，不起信号或电连接作用，但是可以使BGA焊接更为紧固。
所述BGA封装装置的长13mm、宽11.5mm。产品的集成度高、轻型小型化，比EMMC成本低。
综上所述，本实用新型提供的一种NAND存储器的BGA封装装置，不需要在NAND存储器打孔进行穿线BGA封装，保证了线路信号质量，并且利用了NAND存储器的一些空闲NC引脚作为穿线，保证了在有限的空间内最合理的走线，使得BGA封装集成度高、轻型小型化，可作为EMMC芯片的替代，成本低。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述NAND存储器包括以下引脚：四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、八个信号传输引脚、CLE引脚、ALE引脚、两个CE引脚、WP引脚、两个RB引脚、十一个VSS引脚、WE引脚、两个DQS引脚、两个RE引脚、VREF引脚、CLK引脚、四个RFU引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在E9位置，IO1引脚在E10位置，IO2引脚在F10位置，IO3引脚在G10位置，IO4引脚在A3位置，IO5引脚在B3位置，IO6引脚在B4位置，IO7引脚在A4位置；
CLE引脚在B5位置；
ALE引脚在B2位置；
两个CE引脚分别为第一CE引脚和第二CE引脚；所述第一CE引脚在A7位置，第二CE引脚在E8位置；
WP引脚在B6位置；
两个RB引脚分别为第一RB引脚和第二RB引脚；所述第一RB引脚在A5位置，第二RB引脚在E5位置；
十一个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚、第九VSS引脚、第十VSS引脚和第十一VSS引脚；所述第一VSS引脚在A6位置，第二VSS引脚在C4位置，第三VSS引脚在E7位置，第四VSS引脚在G5位置，第五VSS引脚在H10位置，第六VSS引脚在J5位置，第七VSS引脚在K8位置，第八VSS引脚在N2位置，第九VSS引脚在N5位置，第十VSS引脚在P4位置，第十一VSS引脚在P6位置；
WE引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为第一DQS引脚和第二DQS引脚；所述第一DQS引脚在K5位置，第二DQS引脚在K6位置；
两个RE引脚分别为第一RE引脚和第二RE引脚；所述第一RE引脚在H5位置，第二RE引脚在M6位置；
VREF引脚在G3位置；
CLK引脚在B5位置；
四个RFU引脚分别为第一RFU引脚、第二RFU引脚、第三RFU引脚和第四RFU引脚；所述第一RFU引脚在K7位置，第二RFU引脚在K10位置，第三RFU引脚在P7位置，第四RFU引脚在P10位置；
VDDI引脚在C2位置。
2.根据权利要求1所述的NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述NAND存储器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、J11、H11、G11、F11、E11位置不设引脚，剩余位置设为NC引脚。
3.根据权利要求1所述的NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述BGA封装装置的长13mm、宽11.5mm。
4.一种NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述NAND存储器包括以下引脚：四个RB引脚、四个CE引脚、八个信号传输引脚、四个VCC引脚、四个VCCQ引脚、CLE引脚、ALE引脚、WP引脚、九个VSS引脚、WE/CLK引脚、两个DQS引脚、RE/WR引脚、NC/VREF引脚和VDDI引脚；
所述NAND存储器的各引脚呈14排、14列的方队排列，将每一排从上至下分别标记为英文字母A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、P列；每一列从左至右分别标记为阿拉伯数字1至14排；
四个RB引脚分别为第一RB引脚、第二RB引脚、第三RB引脚、第四RB引脚；第一RB引脚在A1位置，第二RB引脚在P13位置，第三RB引脚在N14位置，第四RB引脚在P14位置；
四个CE引脚分别为第一CE引脚、第二CE引脚、第三CE引脚和第四CE引脚；第一CE引脚在A14位置，第二CE引脚在A13位置、第三CE引脚在A2位置和第四CE引脚在B1位置；
四个VCC引脚分别为第一VCC引脚、第二VCC引脚、第三VCC引脚、第四VCC引脚；所述第一VCC引脚在E6位置，第二VCC引脚在F5位置，第三VCC引脚在J10位置，第四VCC引脚在K9位置；
四个VCCQ引脚分别为第一VCCQ引脚、第二VCCQ引脚、第三VCCQ引脚和第四VCCQ引脚；所述第一VCCQ引脚在M4位置，第二VCCQ引脚在N4位置，第三VCCQ引脚在P3位置，第四VCCQ引脚在P5位置；
八个信号传输引脚分别为IO0引脚、IO1引脚、IO2引脚、IO3引脚、IO4引脚、IO5引脚、IO6引脚和IO7引脚；所述IO0引脚在A3位置，IO1引脚在A4位置，IO2引脚在A5位置，IO3引脚在B2位置，IO4引脚在B3位置，IO5引脚在B4位置，IO6引脚在B5位置，IO7引脚在B6位置；
CLE引脚在P1位置；
ALE引脚在N1位置；
WP引脚在B14位置；
九个VSS引脚分别为第一VSS引脚、第二VSS引脚、第三VSS引脚、第四VSS引脚、第五VSS引脚、第六VSS引脚、第七VSS引脚、第八VSS引脚和第九VSS引脚；所述第一VSS引脚在C4位置，第二VSS引脚在E7位置，第三VSS引脚在G5位置，第四VSS引脚在H10位置，第五VSS引脚在K8位置，第六VSS引脚在N2位置，第七VSS引脚在N5位置，第八VSS引脚在P4位置，第九VSS引脚在P6位置；
WE/CLK引脚在M5位置；
两个DQS引脚分别为DQS和NC/DQS_c；所述DQS在M6位置，NC/DQS_c在M7位置；
RE/WR引脚在K5；
NC/VREF引脚在G3位置；
VDDI引脚在C2位置。
5.根据权利要求4所述的NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述NAND存储器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、J11、H11、G11、F11、E11位置不设引脚，剩余位置设为NC引脚。
6.根据权利要求4所述的NAND存储器的BGA封装装置，其特征在于，所述BGA封装装置的长13mm、宽11.5mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620393782.4U CN205723514U (zh) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | 一种nand存储器的bga封装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN205723514U true CN205723514U (zh) | 2016-11-23 |
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Family Applications (1)
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