CN205609474U - 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构 - Google Patents

金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN205609474U
CN205609474U CN201620269604.0U CN201620269604U CN205609474U CN 205609474 U CN205609474 U CN 205609474U CN 201620269604 U CN201620269604 U CN 201620269604U CN 205609474 U CN205609474 U CN 205609474U
Authority
CN
China
Prior art keywords
filtering chip
wafer
sound filtering
via hole
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn - After Issue
Application number
CN201620269604.0U
Other languages
English (en)
Inventor
张江华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JCET Group Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority to CN201620269604.0U priority Critical patent/CN205609474U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205609474U publication Critical patent/CN205609474U/zh
Withdrawn - After Issue legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,所述结构包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面设置有第一绝缘层(2),所述第一绝缘层(2)上设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与表面声滤波芯片晶圆(1)之间形成空腔(5),所述贴合晶圆(4)上设置有开孔(6),所述贴合晶圆(4)表面设置有第二绝缘层(7),所述开孔(6)内填充有导电胶或电镀金属(8),所述导电胶或电镀金属(8)的表面设置有第二金属层(9),所述第二金属层(9)上设置有金属球(10)。本实用新型一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件,并且具有更低的制造成本。

Description

金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。
背景技术
表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用,其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波,对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求,需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质,即空腔结构设计。
现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内,基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高,而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高,容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封,形成空腔结构。
现有的表面声滤波器件的封装方法,流程较长,成本较高,且结构尺寸还是比较大,在目前电子设备越做越小的潮流趋势下,需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件,并且具有更低的制造成本。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它包括表面声滤波芯片晶圆,所述表面声滤波芯片晶圆表面包括电极区域和感应区域,所述表面声滤波芯片晶圆除电极区域和感应区域外的区域设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层上设置有贴合晶圆,所述贴合晶圆与感应区域之间形成空腔,所述贴合晶圆在电极区域位置处设置有开孔,所述贴合晶圆表面设置有第二绝缘层,所述开孔内填充有导电胶或电镀金属,所述导电胶或电镀金属的表面设置有第二金属层。
所述第二金属层上设置有金属球;
所述贴合晶圆通过粘合胶设置于第一绝缘层上。
所述贴合晶圆背面开设有凹槽,所述凹槽位于感应区域上方。
所述第一绝缘层采用粘合胶替代。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
1、与传统的工艺相比,整体生产流程是晶圆级的,能形成小尺寸的封装结构,而且工艺简单,能保证芯片感应区的空腔结构,能形成可靠性较高的金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构;
2、本实用新型的金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构可以直接使用,也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装,形成系统级封装。
附图说明
图1为本实用新型一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的示意图。
图2~图11为本实用新型一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法的工艺流程图。
其中:
表面声滤波芯片晶圆1
电极区域1.1
感应区域1.2
第一绝缘层2
粘合胶3
贴合晶圆4
空腔5
开孔6
第二绝缘层7
导电胶或电镀金属8
第二金属层9
金属球10。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示,本实施例中的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它包括表面声滤波芯片晶圆1,所述表面声滤波芯片晶圆1表面包括电极区域1.1和感应区域1.2,所述表面声滤波芯片晶圆1除电极区域1.1和感应区域1.2外的区域设置有第一绝缘层2,所述第一绝缘层2上通过粘合胶3设置有贴合晶圆4,所述贴合晶圆4与感应区域1.2之间形成空腔5,所述贴合晶圆4在电极区域1.1位置处设置有开孔6,所述贴合晶圆4表面设置有第二绝缘层7,所述开孔6内填充有导电胶或电镀金属8,所述导电胶或电镀金属8的表面设置有第二金属层9。
所述第二金属层9上设置有金属球10。
所述贴合晶圆4背面开设有凹槽,所述凹槽位于感应区域1.2上方。
所述第一绝缘层2采用粘合胶3替代。
其制造方法包括以下工艺步骤:
步骤一、参见图2,取一片表面声滤波芯片晶圆;
步骤二、制备第一绝缘层
参见图3,用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶,如PI(聚酰亚胺)、PA(尼龙,聚酰胺),用光刻,显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除;
步骤三、贴合晶圆贴合
参见图4,取一片贴合晶圆,在贴合晶圆上涂上一层粘合胶,与步骤二制备好第一绝缘层的表面声滤波芯片晶圆贴合在一起,从而在芯片感应区域上方形成空腔;
步骤四、减薄
参见图5,将贴合晶圆进行研磨、减薄;
步骤五、蚀刻
参见图6,在贴合晶圆面涂光刻胶,并进行曝光,显影,蚀刻,把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来,形成开孔;
步骤六、制备第二绝缘层
参见图7,用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶,用光刻,显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除;
步骤七、埋孔
参见图8,用导电胶或电镀金属埋入开孔内;
步骤八,制备第二金属层
参见图9,通过清洗,烘烤,溅射,涂光刻胶,光刻,显影,电镀铜层,去光刻胶,蚀刻的方法在导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层;
步骤九、植球
参见图10,在第二金属层表面进行植球;
步骤十、切割
参见图11,切割分成单颗产品。
上述步骤中,所述步骤四可省略;
上述步骤中,所述步骤九可省略;
所述第一绝缘层可以是B-stage胶,胶体加热后熔融,此时可以不需要在贴合晶圆上涂粘合胶,直接进行贴合;
所述贴合晶圆为硅晶圆或金属材料。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:它包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面包括电极区域(1.1)和感应区域(1.2),所述表面声滤波芯片晶圆(1)除电极区域(1.1)和感应区域(1.2)外的区域设置有第一绝缘层(2),所述第一绝缘层(2)上设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与感应区域(1.2)之间形成空腔(5),所述贴合晶圆(4)在电极区域(1.1)位置处设置有开孔(6),所述贴合晶圆(4)表面设置有第二绝缘层(7),所述开孔(6)内填充有导电胶或电镀金属(8),所述导电胶或电镀金属(8)的表面设置有第二金属层(9)。
2.根据权利要求1所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述第二金属层(9)上设置有金属球(10)。
3.根据权利要求1所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述贴合晶圆(4)通过粘合胶(3)设置于第一绝缘层(2)上。
4.根据权利要求1所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述贴合晶圆(4)背面开设有凹槽,所述凹槽位于感应区域(1.2)上方。
5.根据权利要求1所述的一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述第一绝缘层(2)采用粘合胶(3)替代。
CN201620269604.0U 2016-04-01 2016-04-01 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构 Withdrawn - After Issue CN205609474U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620269604.0U CN205609474U (zh) 2016-04-01 2016-04-01 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620269604.0U CN205609474U (zh) 2016-04-01 2016-04-01 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205609474U true CN205609474U (zh) 2016-09-28

Family

ID=56965490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620269604.0U Withdrawn - After Issue CN205609474U (zh) 2016-04-01 2016-04-01 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205609474U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105762085A (zh) * 2016-04-01 2016-07-13 江苏长电科技股份有限公司 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法
CN106301283A (zh) * 2016-11-07 2017-01-04 无锡吉迈微电子有限公司 声表面波滤波器的封装结构及制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105762085A (zh) * 2016-04-01 2016-07-13 江苏长电科技股份有限公司 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法
CN105762085B (zh) * 2016-04-01 2019-01-01 江苏长电科技股份有限公司 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法
CN106301283A (zh) * 2016-11-07 2017-01-04 无锡吉迈微电子有限公司 声表面波滤波器的封装结构及制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105897210A (zh) 凹槽型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN105897218A (zh) 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
TWI374532B (en) Semiconductor packages and method for fabricating semiconductor packages with discrete components
CN202772854U (zh) 芯片级封装声表面波器件
CN101978483A (zh) 原位空腔集成电路块
CN105870104A (zh) 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构
CN105810666A (zh) 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法
CN110600438A (zh) 嵌入式多芯片及元件sip扇出型封装结构及其制作方法
CN103296008A (zh) Tsv或tgv转接板,3d封装及其制备方法
CN105742255A (zh) 金属圆片级凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及方法
CN105742195A (zh) 一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
CN104916592A (zh) 半导体装置的制造方法及半导体装置
CN105897219A (zh) 圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN105811917A (zh) 金属圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN205609499U (zh) 圆片级表面声滤波芯片封装结构
CN205610595U (zh) 金属圆片级表面声滤波芯片封装结构
CN103943614A (zh) 集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法
CN105762085A (zh) 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法
CN205609474U (zh) 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构
CN105810597A (zh) 金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
CN205609498U (zh) 埋孔型表面声滤波芯片封装结构
CN106449440A (zh) 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的制造方法
CN103296009A (zh) 带有ebg的屏蔽结构、3d封装结构及其制备方法
CN105810596A (zh) 一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
CN107481980A (zh) 一种薄型指纹芯片封装方法及封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
AV01 Patent right actively abandoned

Granted publication date: 20160928

Effective date of abandoning: 20190101

AV01 Patent right actively abandoned