CN205609498U - 埋孔型表面声滤波芯片封装结构 - Google Patents

埋孔型表面声滤波芯片封装结构 Download PDF

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CN205609498U CN201620270438.6U CN201620270438U CN205609498U CN 205609498 U CN205609498 U CN 205609498U CN 201620270438 U CN201620270438 U CN 201620270438U CN 205609498 U CN205609498 U CN 205609498U
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张江华
梁新夫
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JCET Group Co Ltd
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Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

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Abstract

本实用新型涉及一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,所述结构包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面包括电极区域(1.1)和感应区域(1.2),所述电极区域(1.1)表面设置有第一金属层(2),所述表面声滤波芯片晶圆(1)上方设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与感应区域(1.2)之间形成空腔(7),所述贴合晶圆(4)在电极区域(1.1)位置处设置有开孔(8),所述开孔(8)内填充有导电胶或电镀金属(9),所述导电胶或电镀金属(9)表面设置有金属球(6)。本实用新型一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件,具有更低的制造成本。

Description

埋孔型表面声滤波芯片封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。
背景技术
表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用,其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波,对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求,需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质,即空腔结构设计。
现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内,基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高,而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高,容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封,形成空腔结构。
现有的表面声滤波器件的封装方法,流程较长,成本较高,且结构尺寸还是比较大,在目前电子设备越做越小的潮流趋势下,需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件,并且具有更低的制造成本。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它包括表面声滤波芯片晶圆,所述表面声滤波芯片晶圆表面包括电极区域和感应区域,所述电极区域表面设置有第一金属层,所述表面声滤波芯片晶圆除电极区域和感应区域外的区域设置有绝缘层,所述绝缘层上方设置有贴合晶圆,所述贴合晶圆与感应区域之间形成空腔,所述贴合晶圆在电极区域位置处设置有开孔,所述开孔内填充有导电胶或电镀金属,所述导电胶或电镀金属的表面设置有第二金属层。
所述第二金属层上设置有金属球。
所述贴合晶圆通过粘合胶设置于绝缘层上。
所述贴合晶圆背面开设有凹槽,所述凹槽位于感应区域上方。
所述绝缘层采用粘合胶替代。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
1、与传统的工艺相比,整体生产流程是晶圆级的,能形成小尺寸的封装结构,而且工艺简单,能保证芯片感应区的空腔结构,能形成可靠性较高的埋孔型表面声滤波芯片封装结构;
2、本实用新型的埋孔型表面声滤波芯片封装结构可以直接使用,也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装,形成系统级封装。
附图说明
图1为本实用新型一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构的示意图。
图2~图11为本实用新型一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法的工艺流程图。
其中:
表面声滤波芯片晶圆1
电极区域1.1
感应区域1.2
第一金属层2
绝缘层3
贴合晶圆4
粘合胶5
金属球6
空腔7
开孔8
导电胶或电镀金属9
第二金属层10。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示,本实施例中的一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,它包括表面声滤波芯片晶圆1,所述表面声滤波芯片晶圆1表面包括电极区域1.1和感应区域1.2,所述电极区域1.1表面设置有第一金属层2,所述表面声滤波芯片晶圆1除电极区域1.1和感应区域1.2外的区域设置有绝缘层3,所述绝缘层3上方通过粘合胶5设置有贴合晶圆4,所述贴合晶圆4与感应区域1.2之间形成空腔7,所述贴合晶圆4在电极区域1.1位置处设置有开孔8,所述开孔8内填充有导电胶或电镀金属9,所述导电胶或电镀金属9的表面设置有第二金属层10。
所述第二金属层10上设置有金属球6。
所述贴合晶圆4背面开设有凹槽,所述凹槽位于感应区域1.2上方。
所述绝缘层3采用粘合胶5替代。
其制造方法包括以下工艺步骤:
步骤一、参见图2,取一片表面声滤波芯片晶圆;
步骤二、参见图3,在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层;
表面声滤波芯片晶圆通过清洗,烘烤,溅射,涂光刻胶,光刻,显影,电镀铜层,去光刻胶,蚀刻的方法在电极区域制备第一金属层;
步骤三、制备绝缘层
参见图4,用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶,如PI(聚酰亚胺)、PA(尼龙,聚酰胺),用光刻,显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除;
步骤四、贴合晶圆
参见图5,取一片贴合晶圆,在贴合晶圆上涂上一层粘合胶,与步骤三制备好绝缘层的表面声滤波芯片晶圆贴合在一起,从而在芯片感应区域上方形成空腔;
步骤五、减薄
参见图6,将贴合晶圆进行研磨、减薄;
步骤六、蚀刻开孔
参见图7,在贴合晶圆面涂光刻胶,曝光,显影,蚀刻,在电极区域上方形成开孔;
步骤七、埋孔
参见图8,用导电胶或电镀金属埋入开孔内;
步骤八,制备第二金属层
参见图9,通过清洗,烘烤,溅射,涂光刻胶,光刻,显影,电镀铜层,去光刻胶,蚀刻的方法在导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层;
步骤九、植球
参见图10,在第二金属层表面进行植球;
步骤十、切割
参见图11,切割分成单颗产品。
上述步骤中,所述绝缘层可以是B-stage胶,胶体加热后熔融,此时可以不需要在贴合晶圆上涂粘合胶,直接进行贴合;
所述贴合晶圆采用玻璃材料或其他绝缘材料;
所述步骤五也可省略;
所述步骤九也可以省略。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:它包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面包括电极区域(1.1)和感应区域(1.2),所述电极区域(1.1)表面设置有第一金属层(2),所述表面声滤波芯片晶圆(1)除电极区域(1.1)和感应区域(1.2)外的区域设置有绝缘层(3),所述绝缘层(3)上方设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与感应区域(1.2)之间形成空腔(7),所述贴合晶圆(4)在电极区域(1.1)位置处设置有开孔(8),所述开孔(8)内填充有导电胶或电镀金属(9),所述导电胶或电镀金属(9)的表面设置有第二金属层(10)。
2.根据权利要求 1所述的一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述第二金属层(10)上设置有金属球(6)。
3.根据权利要求 2所述的一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述贴合晶圆(4)通过粘合胶(5)设置于绝缘层(3)上。
4.根据权利要求 1所述的一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述贴合晶圆(4)背面开设有凹槽,所述凹槽位于感应区域(1.2)上方。
5.根据权利要求1所述的一种埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:所述绝缘层(3)采用粘合胶(5)替代。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105870077A (zh) * 2016-04-01 2016-08-17 江苏长电科技股份有限公司 埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN106301283A (zh) * 2016-11-07 2017-01-04 无锡吉迈微电子有限公司 声表面波滤波器的封装结构及制作方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105870077A (zh) * 2016-04-01 2016-08-17 江苏长电科技股份有限公司 埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
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