CN205544903U - Sj-mos管电路的拓扑结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ-MOS管Q101的源极接第二SJ-MOS管Q102的源极；第二SJ-MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。本实用新型可避开原SJ-MOS寄生二极管反向恢复很差的问题，使得SJ-MOS管电路的拓扑结构的应用电路工作更稳定，SJ-MOS管不容易损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及SJ-MOS管，尤其是一种改进的SJ-MOS管电路的拓扑结构。
背景技术
目前使用SJ-MOS管（超结功率MOSFET）搭建的典型全桥电路如图1所示；此电路在单个SJ-MOS管续流时，SJ-MOS管内寄生二极管的恢复速度不够快，会存在SJ-MOS寄生二极管的反向恢复问题；
目前的SJ-MOS由于内部结构问题，寄生二极管反向恢复特性较差，反向恢复电流很大，di/dt,dv/dt耐性较差；引起寄生二极管做续流使用时，很容易损坏。
发明内容
针对现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，用于替代图1中的单个SJ-MOS管，解决SJ-MOS寄生二极管的反向恢复较差问题；本实用新型采用的技术方案是：
一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；
第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ-MOS管Q101的源极接第二SJ-MOS管Q102的源极；第二SJ-MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。
进一步地，快恢复二极管D1采用MUR30120。
本实用新型的优点在于：避开原SJ-MOS寄生二极管反向恢复很差的问题，使得SJ-MOS管电路的拓扑结构的应用电路工作更稳定，SJ-MOS管不容易损坏。
附图说明
图1为现有的全桥电路原理图。
图2为本实用新型的SJ-MOS管电路的拓扑结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
本使用新型提出的SJ-MOS管电路的拓扑结构，如图2所示，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；快恢复二极管D1可采用MUR30120，或其它的耐压达到数百伏以上的快恢复二极管；
第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ-MOS管Q101的源极接第二SJ-MOS管Q102的源极；第二SJ-MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
将图1中的SJ-MOS单管Q1、Q2、Q3、Q4全部用上述SJ-MOS管电路的拓扑结构构成的复合管代替；当复合管的栅极接高电平时，电流从Q101，Q102流过；续流时Q102的寄生二极管反向阻断，续流的电流从快恢复二极管D1流过，如此可以解决SJ-MOS寄生二极管的反向恢复较差问题。
此SJ-MOS管电路的拓扑结构的核心在于关断MOS管，需要续流时,提供旁路通道，阻断SJ-MOS体内二极管的续流路径；此应用可以延伸到半桥以及类似拓展电路。
Claims (2)
1.一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，其特征在于，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；
第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ-MOS管Q101的源极接第二SJ-MOS管Q102的源极；第二SJ-MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。
2.如权利要求1所述的SJ-MOS管电路的拓扑结构，其特征在于；
快恢复二极管D1采用MUR30120。
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| CN106936298A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-07-07 | 华为技术有限公司 | 一种半导体器件、控制方法以及变流器 |
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