CN206251074U - 一种可控硅触发电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型是一种可控硅触发电路，它由整流桥、电容、电阻、稳压管、三极管和光电耦合器组成，整流桥Z1的交流侧接市电，电容C1的上端、整流桥Z1的正极性输出端、电阻R1的上端与光电耦合器OC的8脚相连；电容C2的上端、电阻R1的下端、稳压管DW的阴极和三极管V1的集电极相连后接可控硅的阴极K；整流桥Z1的负极性输出端、电容C1的下端、电容C2的下端、三极管V1的发射级与光电耦合器OC的5脚相连；稳压管DW的阳极与三极管V1的基极相连；光电耦合器OC的6脚和7脚与电阻R2的左端相连；电阻R2的右端与可控硅的触发级G相连；光电耦合器OC的2脚和3脚与触发信号相连。本实用新型用全分立器件组成可控硅触发电路，光电耦合器隔离，稳压管和三极管在关断时提供负压，实现了可控硅可靠关断，提高了抗干扰能力。
Description
技术领域
本实用新型是一种可控硅触发电路。
背景技术
在现有技术中，可控硅是可控整流电路中一类常用的、具有开关功能的半导体器件,广泛应用于大容量的可控整流系统，晶闸管是控制超高电流和电压的理想之选，因为在通态损耗和对称阻断能力方面，晶闸管的性能优于基于IGBT的电压源换流器。可控硅触发控制器产生控制可控硅导通的触发脉冲,是可控硅整流系统的控制中枢,其控制的性能直接关系到可控整流系统的性能。目前,比较常用的是模拟触发控制器,但由于其存在抗干扰能力弱、关断时间较长等方面的不足,已经不能满足整流系统日益变化与不断完善的应用需求。
发明内容
本实用新型的目的就是提出一种可控硅触发电路，这种电路能够有效的提高可控硅触发电路的抗干扰能力，以此克服现有技术的不足。
本实用新型提出的这种可控硅触发电路，它由整流桥、电容、电阻、稳压管、三极管和光电耦合器组成，其特征在于整流桥Z1的交流侧接市电，电容C1的上端、整流桥Z1的正极性输出端、电阻R1的上端与光电耦合器OC的8脚相连；电容C2的上端、电阻R1的下端、稳压管DW的阴极和三极管V1的集电极相连后接可控硅的阴极K；整流桥Z1的负极性输出端、电容C1的下端、电容C2的下端、三极管V1的发射极与光电耦合器OC的5脚相连；稳压管DW的阳极与三极管V1的基极相连；光电耦合器OC的6脚和7脚与电阻R2的左端相连；电阻R2的右端与可控硅的触发极G相连；光电耦合器OC的2脚和3脚与触发信号相连。
本实用新型用全分立器件组成可控硅触发电路，同时利用光电耦合器实现隔离，利用稳压管和三极管在关断时提供负压，实现了可控硅可靠关断的目的，取得了有效提高可控硅触发电路的抗干扰能力的技术效果。
附图说明
图1是本实用新型的电路结构图。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本实用新型。
如图1所示，电路中的三极管、二极管规格、电阻的大小等参数的计算与现有技术完全相同，属成熟技术故不再作论述。
本实用新型与现有触发电路相比，利用光电耦合器实现隔离，利用稳压管和三极管在关断时提供负压达到可靠关断，其实施方式如下：
市电输入整流桥Z1的交流侧，电容C1的上端、整流桥Z1的正极性输出端、电阻R1的上端、光电耦合器OC的8脚相连；电容C2的上端、电阻R1的下端、稳压管DW的阴极、三极管V1的集电极相连，输入可控硅的阴极K；整流桥Z1的负极性输出端、电容C1的下端、电容C2的下端、三极管V1的发射极、光电耦合器OC的5脚相连；稳压管DW的阳极与三极管V1的基极相连；光电耦合器OC的6脚和7脚与电阻R2的左端相连；电阻R2的右端与可控硅的触发极G相连；光电耦合器OC的2脚和3脚与触发信号相连。
实测表明，采用光电耦合器能够有效的提高可控硅触发电路的抗干扰能力，在关断时可控硅阴极的负压，能提高关断时间，在频率1M-2M范围内的方波信号驱动下，触发电路触发可控硅开关或关断的时间均是200ns以内。
Claims (1)
1.一种可控硅触发电路，它由整流桥、电容、电阻、稳压管、三极管和光电耦合器组成，其特征在于整流桥Z1的交流侧接市电，电容C1的上端、整流桥Z1的正极性输出端、电阻R1的上端与光电耦合器OC的8脚相连；电容C2的上端、电阻R1的下端、稳压管DW的阴极和三极管V1的集电极相连后接可控硅的阴极K；整流桥Z1的负极性输出端、电容C1的下端、电容C2的下端、三极管V1的发射极与光电耦合器OC的5脚相连；稳压管DW的阳极与三极管V1的基极相连；光电耦合器OC的6脚和7脚与电阻R2的左端相连；电阻R2的右端与可控硅的触发极G相连；光电耦合器OC的2脚和3脚与触发信号相连。
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|---|---|---|---|---|
| CN111585248A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-08-25 | 西安国矽微半导体有限公司 | 一种脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统 |
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2016
- 2016-12-23 CN CN201621419278.3U patent/CN206251074U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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| CN111585248A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-08-25 | 西安国矽微半导体有限公司 | 一种脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统 |
| CN111585248B (zh) * | 2020-06-17 | 2022-03-18 | 西安国矽微半导体有限公司 | 一种脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统 |
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