CN205509976U - 具有宽调谐范围的lc振荡器电路 - Google Patents

具有宽调谐范围的lc振荡器电路 Download PDF

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Abstract

在一个实例中，一种具有宽调谐范围的LC振荡器电路包含：主振荡器，其包括耦合到主有源电路的主LC槽，所述主LC槽包含变压器的初级绕组和电容；从属振荡器，其包括耦合到从属有源电路的从属LC槽，所述从属LC槽包含变压器的次级绕组和电容；以及第一对耦合晶体管和第二对耦合晶体管，其中的每一对将主振荡器耦合到从属振荡器。第一对耦合晶体管的栅极经开关以耦合到主振荡器。第二对耦合晶体管的栅极经相应的90°移相器和开关以耦合到主振荡器。

Description

具有宽调谐范围的LC振荡器电路
技术领域
本公开的实例大体上涉及电子电路，并且具体来说，涉及一种具有宽调谐范围的LC振荡器电路。
背景技术
电感-电容(LC)振荡器可用于压控振荡器(VCO)电路。VCO电路是一种具有由电压控制的振荡频率的电子振荡器。VCO电路可用于函数产生器、锁相环(PLL)电路、频率合成器、时脉产生器等等。VCO的LC实施方案包含与电容器并联的电感器。当LC振荡器(也称作LC槽)在特定频率(称为共振频率)下由外部源驱动时产生共振。有需要配置LC振荡器以使共振频率具有宽调谐范围。
相比于具有窄调谐范围的LC振荡器，具有宽调谐范围的LC振荡器可用于更多的应用。
实用新型内容
本实用新型描述提供具有宽调谐范围的LC振荡器电路的技术。在一个实例中，振荡器电路包括：包括耦合到主有源电路的主LC槽的主振荡器，所述主LC槽包含变压器的初级绕组和电容；包括耦合到从属有源电路的从属LC槽的从属振荡器，所述从属LC槽包含变压器的次级绕组和电容；以及第一对耦合晶体管和第二对耦合晶体管，其中的每一对将主振荡器耦合到从属振荡器。第一对耦合晶体管的栅极经开关以耦合到主振荡器。第二对耦合晶体管的栅极经相应的90°移相器和开关以耦合到主振荡器。
在另一个实例中，振荡器电路包括：与电容并联的电感器的LC槽，在LC槽和共同节点之间耦合的有源电路，以及将LC槽耦合到共同节点的一对晶体管。一对晶体管的栅极经相应的90°移相器以耦合到电感器的相应端部。
参照以下详细描述可理解这些和其它方面。
附图说明
为具体理解上述特征，可参照实例实施方案对上文简略概括的内容进行更具体描述，附图展示了其中一些实例实施方案。但是，应注意，附图仅示出了典型实例实施方案，因此不应被视为限制其范围。
图1是描绘可使用本文所述的宽调谐范围LC振荡器的锁相环(PLL)电路的实例的框图。
图2是绘示振荡器的实例的示意图。
图3A是描绘用于图2所示的振荡器输出的频率与注入电流的对比曲线图。
图3B是描绘用于图2所示的振荡器的相位噪声与频率的对比曲线图。
图4是绘示振荡器的另一实例的示意图。
图5A是描绘用于图4所示的振荡器输出的频率与注入电流的对比曲线图。
图5B是描绘用于图4所示的振荡器的相位噪声与频率的对比曲线图。
图6绘示可用于本文所述的振荡器的变压器的实例的俯视图。
图7A-7B分别绘示变压器中初级绕组和次级绕组的示意性横截面图。
图8是绘示用于图2所示的振荡器的移相电路的实例的示意图。
图9是绘示操作图2所示的振荡器的实例方法的流程图。
为了便于理解，在可能的情况下使用相同的参考标号表示附图中共有的相同元件。预期一个实例的元件可有利地结合在其它实例中。
具体实施方式
下文将参考图式描述各种特征。应注意，各图可能按比例绘制或可能没有按比例绘制，且贯穿各图具有类似结构或功能的元件由相同的参考标号来表示。应注意，各图仅意在便于特征的描述。它们并不意在作为本实用新型的穷尽性的描述或作为对本实用新型的范围的限制。此外，所图示的实例不需要具有所示的所有方面或优点。结合具体实例描述的方面或优点未必限于所述实例，且可在任何其它实例中实践，即使并未如此说明或并未如此明确描述。
本实用新型描述提供具有宽调谐范围的LC振荡器的技术。在一个实例中，振荡器包含主振荡器和从属振荡器。所述主振荡器包含耦合到主有源电路的主LC槽，且所述从属振荡器包含耦合到从属有源电路的从属LC槽。所述主LC槽中的电感器是变压器的初级绕组，并且所述从属LC槽的电感器是变压器的次级绕组。两对耦合晶体管耦合了主振荡器和从属振荡器。第一对耦合晶体管的栅极经开关耦合到主振荡器。第二对耦合晶体管的栅极经相应的90°移相器和开关耦合到主振荡器。所述振荡器通过切换变压器的次级绕组中的电流方向来提供宽调谐范围。开关控制变压器的次级绕组中的电流方向，以提供可调的高频模式和可调的低频模式。通过控制变压器的次级绕组中的电流，第二对耦合晶体管连同90°移相器来提供精密的频率调谐。
在另一个实例中，振荡器包含耦合到有源电路的LC槽。一对晶体管在LC槽和共同节点之间耦合。晶体管的栅极经90°移相器耦合到电感器的对应端。通过调谐由电流源供应的注入电流实现精密的频率调谐，所述电流源耦合到电感器的中心抽头且所述注入电流被晶体管对消耗。这样能免于使用变容二极管，从而提升了LC槽的品质因数。
图1是描绘可使用本文所述的宽调谐范围LC振荡器的锁相环(PLL)电路100的实例的框图。PLL电路100包括相位检测器102、环路滤波器104、振荡器106和分频器108。相位检测器102的输入接收参考信号和分频器108的输出(反馈信号)。参考信号在基准频率下振荡。相位检测器102比较参考信号和反馈信号，并产生与这两种信号之间的相位差成比例的误差信号。环路滤波器104对误差信号进行滤波(例如低通滤波)。经过滤波的误差信号输入到振荡器106。振荡器106产生振荡信号(例如周期信号)，并基于误差信号调节振荡信号的频率。将振荡信号反馈到分频器108，所述分频器108划分振荡信号的频率以与参考信号比较(例如，振荡信号的频率可以是参考信号的频率的数倍)。在一些实例中，PLL电路100可包含控制器110，其控制振荡器106以选择特定振荡频率，并提供对经选择的振荡频率的粗调和精密调谐。
为了使PLL电路100更加灵活且能够在不同应用中使用，振荡器106应具有宽调谐范围。宽调谐范围LC振荡器可使用不同技术设计，诸如：(1)使用大电容器组；(2)在电感器内放置开关；或(3)切换互感。技术(1)的缺陷是高频噪声和低频功耗之间的取舍。技术(2)在电感路径上引入串联电阻，其降低了品质因数(Q)。另外，高开关寄生电容降低了振荡频率和调谐范围。技术(3)的缺陷是因阻抗变换所致的次级电感器中的切换电阻和电容。为了精密的频率调谐，LC振荡器通常使用变容二极管(例如压控电容)。但是，变容二极管损失会显著降低较高频率下的品质因数(Q)。另外，变容二极管需要特定的偏压，并且LC振荡器的增益完全取决于变容二极管电容的电压依赖性。宽调谐范围的LC振荡器克服了前述缺点，其描述如下。
图2是绘示振荡器106的实例的示意图。振荡器106包括主振荡器和从属振荡器。所述主振荡器输出差分电压信号(V)。主振荡器包括电感器L1、电容C1和有源电路210。从属振荡器包括电感器L2、电容C2和C3以及有源电路212。电感器L1包括变压器214的初级绕组。电感器L2包括变压器214的次级绕组。因此，电感器L1和L2以磁性方式耦合以提供互感。电感器L1包含耦合到电流源204的中心抽头。电流源204输出电流(Ip)，所述电流由主LC槽和有源电路210消耗。电感器L2包含耦合到电流源202的中心抽头。电流源202输出电流(Is+Iinj)。电流(Is)由从属LC槽和有源电路212消耗。如下所述，注入电流(Iinj)由耦合晶体管消耗。电流源202和204可包含所属领域中已知的任何类型的电流源。电流源202和204通过电压(Vdd)偏压。
电感器L1和电容C1形成LC槽电路(“主LC槽”)。电感器L2与电容C2和C3形成LC槽电路(“从属LC槽”)。在所述实例中，电容C1包括开关电容器，并且电容C2和C3包括开关电容器C2和C3。电容C1与电感器L1并联耦合。电容C2在电感器L2的一端部和共同节点216之间耦合。电容C3在电感器L2的另一端部和共同节点216之间耦合。所述共同节点216耦合到参考电压(诸如电接地)。
有源电路210包括提供与电感器L1并联的负电阻的电路。有源电路210补偿主LC槽的损失以维持其中的振荡。在所述实例中，有源电路210包括一对交叉耦合的晶体管M1和M2。在所述实例中，晶体管M1和M2包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。晶体管M1和M2的漏极耦合到电感器L1的相应端部。晶体管M1和M2的源极耦合到共同节点216。晶体管M1的栅极耦合到晶体管M2的漏极，并且晶体管M2的栅极耦合到晶体管M1的漏极。应理解，有源电路210可包含其它类型的电路以提供合适的负电阻来补偿主LC槽，此类电路在所属领域中是众所周知的。
与有源电路210类似，有源电路212包括提供与电感器L2并联的负电阻的电路。有源电路212补偿从属LC槽的损失以维持其中的振荡。在所述实例中，有源电路212包括一对交叉耦合的晶体管M3和M4。在所述实例中，晶体管M3和M4包括NMOS晶体管。晶体管M3和M4的漏极耦合到电感器L2的相应端部。晶体管M3和M4的源极耦合到共同节点216。晶体管M3的栅极耦合到晶体管M4的漏极，并且晶体管M4的栅极耦合到晶体管M3的漏极。应理解，有源电路212可包含其它类型的电路以提供合适的负电阻来补偿从属LC槽，此类电路在所属领域中是众所周知的。
振荡器106还包含第一对耦合晶体管M6和M7，以及第二对耦合晶体管M8和M9。耦合晶体管M6-M9使主振荡器和从属振荡器耦合。在所述实例中，耦合晶体管M6-M9包括NMOS晶体管。耦合晶体管M6和M8的漏极耦合到电感器L2的一端部。耦合晶体管M7和M9的漏极耦合到电感器L2的另一端部。耦合晶体管M6-M9的源极耦合到共同节点216。
振荡器106还包含开关SW。在所述实例中，开关SW包括一个四路开关，其具有6个端子220-230。开关SW的两个端子220和222耦合到电感器L1的一端部，开关SW的其它两个端子224和226耦合到电感器L1的另一端部。开关SW的端子228耦合到耦合晶体管M6的栅极，并且经90°移相器206耦合到耦合晶体管M8的栅极。开关SW的端子230耦合到耦合晶体管M7的栅极，并且经90°移相器208耦合到耦合晶体管M9的栅极。开关SW或将端子对220、226耦合到端子对228、230，或将端子对224、222耦合到端子对228、230。也就是说，开关SW选择性地将输出电压(V)两个极性中的一个耦合到端子对228、230。在示出的实例中，开关SW将V-耦合到端子228，并将V+耦合到端子230。但是，可控制开关SW将V-耦合到端子230，并将V+耦合到端子228。可使用所属领域中已知的任何类型的开关装置或电路来实施开关SW。
在操作中，流经电感器L2的电流方向决定了用于振荡的有效电感。利用开关SW控制电感器L2中的电流方向。在一种状态下，开关SW使电感器L2中的电流在与电感器L1中的电流相同的方向上流动(所述状态如图2中举例所示)。在另一种状态下，开关SW使电感器L2中的电流在与电感器L1中的电流相反的方向上流动。当电感器L1和电感器L2中的电流在相同方向上流动时，有效电感较高，并且振荡器106在低频模式下运行。当电感器L1和L2中的电流在相反方向上流动时，有效电感较低，并且振荡器106在高频模式下运行。
耦合晶体管M8-M9用于精密频率调谐。在示出的实例中，晶体管M8和M9中的每一个传导由电流源202提供的注入电流(Iinj)的一半。90°移相器206和208保持注入电流(Iinj)的相位与L2中流动的电流对准。在一个实例中，输出信号(V)是正弦信号。在这种情况下，可利用积分器来实施90°移相器206和208。应理解，所属领域中已知的能够提供90°移相的任何类型的电路都可用于振荡器106。
以这种方式，通过切换变压器的次级绕组L2中的电流方向，振荡器106提供宽调谐范围。开关SW控制变压器的次级绕组L2中的电流方向，以提供可调的高频模式和可调的低频模式。通过控制变压器的次级绕组L2中的电流，第二对耦合晶体管M8-M9连同90°移相器206和208提供精密频率调谐。振荡器106不需大电容器组。振荡器106不需电感器中有开关，如此避免串联电阻插入电感器路径中，其否则会降低品质因数。振荡器106在不使用变容二极管的情况下实现精密频率调谐，这提升较高频率下的品质因数，免去对变容二极管的特定偏压的需要，并消除对变容二极管的增益依赖性。
图3A是描绘用于图2所示的振荡器106输出的频率与注入电流的对比曲线图300。曲线图300包含代表以毫安(mA)为单位的注入电流的轴线302，以及代表以千兆赫(GHz)为单位的频率的轴线304。曲线306表示振荡器106在高频模式下的输出(L1和L2中的电流方向相反或“反相”)，曲线308表示振荡器106在低频模式下的输出(L1和L2中的电流方向相同或“同相”)。如所显示的，振荡器106的输出(同相和正交)在高频模式下可在13GHz附近精密调谐，或在低频模式下可在9GHz附近精密调谐。所述特定频率仅为实例，且可因参数L1、L2、C1、C2和C3而有所不同。如所显示的，频率在高频或低频模式下的精密调谐通过增加或减少注入电流来实现。当注入电流增加，输出频率降低。当注入电流减少，输出频率增加。以这种方式，振荡器106的输出频率可通过向从属振荡器供应更多或更少的注入电流(Iinj)来精密调谐。除了频率精密调谐，频率粗调还可通过调节电容C1、C2和C3进行。
如所显示的，振荡器106提供可调的高频模式和可调的低频模式，这取决于L1和L2的电流是同相还是反相。在高频模式和低频模式两者下，可调节C1-C3的电容以用于频率粗调，而调节注入电流以用于频率精密调谐。
图3B是描绘用于图2所示的振荡器106的相位噪声与频率的对比曲线图301。曲线图301包含代表以千兆赫(GHz)为单位的频率的轴线310，以及轴线312，其代表相对于在1兆赫兹下每赫兹的载波的以分贝(dBc/Hz@1MHz)为单位的相位噪声。曲线314代表低频模式(电感器L1和L2中的同相电流)下的相位噪声，曲线316代表高频模式(电感器L1和L2中的反相电流)下的相位噪声。当频率增加，曲线314和316中的每一个的相位噪声减小。当频率降低，曲线314和316中的每一个的相位噪声增大。
图4是绘示振荡器106的另一实例的示意图。图4所示的振荡器106包含LC槽，所述LC槽包括与电容C4并联的电感器L3。在本实例中，电容C4包括开关电容器。LC槽与有源电路410并联耦合。
有源电路410提供负电阻以补偿LC槽的损失。在本实例中，有源电路410包括一对交叉耦合的晶体管M10和M11。在示出的实例中，晶体管M10和M11包括NMOS晶体管。在其它实例中，如所属领域中已知，可使用其它类型的电路提供负电阻以补偿LC槽。电感器L3的中心抽头耦合到提供电流(Ip+Iinj)的电流源404。电流(Ip)由LC槽和有源电路410消耗。注入电流(Iinj)由额外晶体管消耗，如下文所论述。电流源404通过电压(Vdd)偏压。电流源404可包含任何类型的已知电流源。图4所示的振荡器106的输出是电感器L3两端的电压，其为差分电压(V+和V-)。
图4所示的振荡器106进一步包含一对晶体管M12和M13。在所述实例中，晶体管M12和M13包括NMOS晶体管。晶体管M12和M13的漏极耦合到电感器L3的相应端部。晶体管M12和M13的源极耦合到共同节点416。晶体管M12和晶体管M13的栅极经相应的90°移相器406和408耦合到其漏极。
在操作中，晶体管M12-M13用于精密频率调谐。在示出的实例中，晶体管M12和晶体管M13中的每一个传导由电流源402提供的注入电流(Iinj)的一半。90°移相器406和408保持注入电流(Iinj)的相位与L3中流动的电流对准。在一个实例中，输出信号(V)是正弦信号。在这种情况下，90°移相器406和408可利用积分器来实施。应理解，所属领域中已知的能够提供90°移相的任何类型的电路都可用于振荡器106。
以这种方式，通过控制电感器L3中的电流，振荡器106提供精密频率调谐。振荡器106不需要大电容器组。振荡器106不需要电感器中有开关，如此避免串联电阻插入电感器路径中，其否则会降低品质因数。振荡器106在不使用变容二极管的情况下实现精密频率调谐，这提升较高频率下的品质因数，免去对变容二极管的特定偏压的需要，并消除对变容二极管的增益依赖性。
图5A是描绘用于图4所示的振荡器106输出的频率与注入电流的对比曲线图500。曲线图500包含代表以毫安(mA)为单位的注入电流的轴线502，以及代表以千兆赫(GHz)为单位的频率的轴线504。曲线506表示振荡器106的输出。如所显示的，振荡器106的输出可在10GHz附近精密调谐。所述特定频率仅作为实例，可因参数L1、L2、C1、C2和C3而有所不同。如所显示的，频率在高频或低频模式下的精密调谐通过增加或减少注入电流来实现。当注入电流增加，输出频率降低。当注入电流减少，输出频率增加。以这种方式，振荡器106的输出频率可通过供应更多或更少的注入电流(Iinj)来精密调谐。振荡器106在不使用变容二极管的情况下实现精密频率调谐，其改进较高频率下的品质因数，免于对变容二极管的特定偏压的需要，以及消除对变容二极管的增益依赖性。
图5B是描绘用于图4所示的振荡器106的相位噪声与频率的对比曲线图501。曲线图501包含代表以千兆赫(GHz)为单位的频率的轴线508，以及轴线510，其代表相对于在1兆赫兹下每赫兹的载波的以分贝(dBc/Hz@1MHz)为单位的相位噪声。曲线512代表对于振荡器输出的相位噪声。当频率增加，相位噪声总体上减小。当频率降低，相位噪声总体上增加。
图6绘示可用于上文描述的振荡器106的变压器600的实例的俯视图。变压器600可在集成电路(IC)的多个导电层上形成。在本实例中，变压器600利用三个导电层形成。变压器600包括初级绕组602和次级绕组604。次级绕组604与初级绕组602同心，其中次级绕组604是内绕组而初级绕组602是外绕组。初级绕组602包含端子端口606和608，以及中心抽头端口610。次级绕组604包含端子端口612和614，以及中心抽头端口616。
所示初级绕组602具有两匝，但是一般而言其可包含任何匝数。图7A绘示在IC的702、704和706三个层上形成的初级绕组602的示意性横截面。初级绕组602包含三个部分602-1、602-2和602-3，这三部分经通道708并联连接。图7A是示意性的，并非意图绘示初级绕组602的任何特定的物理布局。并联连接初级绕组602的三个部分602-1至602-3降低初级绕组的电感。此外，初级绕组602的大小、初级绕组602的匝数以及初级绕组602的导电材料的宽度可取决于初级绕组602的所需电感、电流要求和所需品质因数而改变。
次级绕组604可包含(例如)在IC的三个层上各自形成的三匝。图7B绘示在IC的三个层702到706上形成的次级绕组604的示意性横截面。次级绕组604包含三个部分604-1、604-2和604-3，这三个部分经通道708串联连接。图7B是示意性的，并非意图绘示次级绕组604的任何特定的物理布局。串联连接次级绕组604的三个部分604-1至604-3增加次级绕组的电感。此外，次级绕组604的大小、次级绕组604的匝数和次级绕组604的导电材料的宽度可取决于次级绕组604的所需电感、电流要求和所需品质因数而改变。通过改变这些参数，次级绕组的电感可匹配初级绕组的电感。虽然实例所示是三层，但变压器600可在两个或大于两个层上形成。虽然初级绕组和次级绕组所示具有例示性匝数，但初级绕组和次级绕组可按需要形成为具有更多或更少的匝数。
图8是绘示用于图2所示的振荡器106的移相电路的实例的示意图。90°移相器206和208由共模反馈(CMFB)电路802控制。CMFB电路802包括电流源806、N沟道晶体管808、比较器810和共模(CM)检测器804。晶体管808的漏极耦合到晶体管808的栅极。晶体管808的源极耦合到参考电压(例如电接地)。比较器810的反相输入耦合到晶体管808的栅极。比较器810的非反相输入耦合到CM检测器804的输出。CM检测器804的输入耦合到晶体管M8和M9的栅极。
图8绘示90°移相器206的实例。90°移相器208可以类似形式构造。90°移相器206包括电流源812、N沟道晶体管816和电容器814。电流源812的控制输入耦合到比较器810的输出。电流源的输出耦合到晶体管816的漏极。晶体管816的源极耦合到参考电压(例如电接地)。电容器814横跨晶体管816的源极和漏极耦合。晶体管816的漏极耦合到晶体管M8的栅极。晶体管816的栅极耦合到开关SW(端子230)。
在操作中，90°移相器206和208包括积分器。CMFB电路802控制90°移相器206和208中的每一个的电流源812，以确保额外调谐电流(Iinj)仅流经晶体管M8和M9(例如，一半经过M8，一半经过M9)。
图9是绘示操作图2所示的振荡器106的实例方法900的流程图。方法900开始于步骤902，其中控制次级绕组(L2)的电流方向以选择振荡器106的振荡频率。举例而言，如图3A中所示，可通过将电流控制成与初级绕组(L1)的方向相反或与初级绕组(L1)的方向相同来选择反相频率或同相频率。在步骤904中，控制主LC槽的电容(C2)和从属LC槽的电容(C2、C3)以提供振荡频率的粗调。在步骤906中，调节耦合晶体管(M8、M9)的注入电流以提供振荡频率的精密调谐。步骤902-906可通过耦合到振荡器106的控制器(诸如图1所示的控制器110)执行。举例而言，在步骤902中，控制器110可控制开关(SW)以相对于初级绕组(L1)的电流切换次级绕组(L2)的电流方向。在步骤904中，控制器110可调整电容C1、电容C2、电容C3或其组合以提供振荡频率的粗调。在步骤906中，控制器110可控制电流源以调整注入电流(例如电流源202和/或电流源806)。
虽然前文是针对具体实例，但是在不脱离其基本范围的情况下可以设计其它和进一步实例，并且其范围由所附权利要求书确定。

Claims (17)

1.一种振荡器电路，其包括：
主振荡器，其包括耦合到主有源电路的主LC槽，所述主LC槽包含变压器的初级绕组和电容；
从属振荡器，其包括耦合到从属有源电路的从属LC槽，所述从属LC槽包含所述变压器的次级绕组和电容；以及
第一对耦合晶体管和第二对耦合晶体管，其每一对将所述主振荡器耦合到所述从属振荡器；
其中所述第一对耦合晶体管的栅极经开关以耦合到所述主振荡器；以及
其中所述第二对耦合晶体管的栅极经相应的90°移相器和所述开关以耦合到所述主振荡器。
2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述变压器的所述初级绕组和所述变压器的所述次级绕组的每一个包含中心抽头，所述中心抽头经耦合以从主电流源和从属电流源中的相应一个接收电流。
3.根据权利要求2所述的振荡器电路，其中由所述从属电流源提供的所述电流包含注入电流，并且其中所述注入电流的一半通过所述第二对晶体管中的每一晶体管进行传导。
4.根据权利要求3所述的振荡器电路，其中所述初级绕组的两端的电压的频率的每一个取决于所述注入电流。
5.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述主有源电路和所述从属有源电路的每一个包括一对交叉耦合的晶体管。
6.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述第一对耦合晶体管和所述第二对耦合晶体管中的每一个包含耦合到所述次级绕组的漏极和耦合到共同节点的源极。
7.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述开关包括四路开关，所述四路开关将所述初级绕组的相应端部耦合到所述第一对耦合晶体管的所述栅极，并耦合到相应的所述90°移相器，所述90°移相器耦合到所述第二对耦合晶体管的所述栅极。
8.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述主LC槽的所述电容包括在所述初级绕组的端部之间耦合的开关电容器，并且其中所述从属LC槽的所述电容包括在所述次级绕组的端部和共同节点之间耦合的一对开关电容器。
9.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述第一对耦合晶体管、所述第二对耦合晶体管、所述主有源电路和所述从属有源电路包含n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
10.一种振荡器电路，其包括：
LC槽，其包括与电容并联的电感器；
有源电路，其在所述LC槽和共同节点之间耦合；以及
一对晶体管，其将所述LC槽耦合到所述共同节点；
其中所述一对晶体管的栅极经相应的90°移相器耦合到所述电感器中相应的端部。
11.根据权利要求10所述的振荡器电路，其中所述电容包括开关电容器。
12.根据权利要求10所述的振荡器电路，其中所述有源电路包括一对交叉耦合的晶体管。
13.根据权利要求10所述的振荡器电路，其中所述一对晶体管包含耦合到所述电感器中相应的端部的漏极和耦合到所述共同节点的源极。
14.根据权利要求10所述的振荡器电路，其中所述电感器包含中心抽头，所述中心抽头经耦合以从电流源接收电流。
15.根据权利要求14所述的振荡器电路，其中所述电流包括注入电流，并且其中所述注入电流的一半通过所述一对晶体管的每一个晶体管进行传导。
16.根据权利要求15所述的振荡器电路，其中所述电感器两端的电压频率取决于所述注入电流。
17.根据权利要求10所述的振荡器电路，其中所述一对晶体管和所述有源电路包含n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
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