CN205501448U - 一种大尺寸晶体的生长装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大尺寸晶体的生长装置,包括炉腔,所述炉腔中安装有坩埚,所述坩埚外层还包裹有保温层,所述坩埚与保温层之间设置有加热器,所述保温层与炉腔之间还设置有一圈低频电磁搅拌器和中频加热器,所述加热器与加热器电源连接,所述低频电磁搅拌器和中频加热器均与变频电源连接。本实用新型通过增加低频电磁搅拌器和中频加热器,生产的晶体质量好、无气泡、成品率高、适用于工业化生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶体生产技术领域,尤其涉及一种大尺寸晶体的生长装置。
背景技术
由于气体在晶体中的溶解度远小于熔体中的溶解度,随着晶体的生长,晶体的固/液界面不断推移,由晶体不断排出的气体富集在固/液界面前沿,在初始熔体气体含量较高和缺少强迫对流驱动的情况下,固/液界面前沿富集的气体很容易达到过饱和状态,再加上固/液界面不稳定,此时界面更容易捕获气体而形成气泡,最终导致晶体内部气泡较多。解决气泡问题有三种解决方法,其一是在长晶前尽可能减少熔体中的溶解的气体含量,其二是在长晶过程中增加强迫对流,将固液界面富集的气体快速排到整个熔体和外界气氛中,其三是在保证固/液界面稳定的前提下尽可能降低晶体生长速率,长晶速度越低,单位时间排到固/液界面的气体量越少,同时固/液界面的气体有足够的时间排到熔体和外界气氛中。
专利CN100497756C采用了机械搅拌的方式来强迫熔体对流,从而降低长晶过程中固/液界面前沿的气体含量,该方法能够一定程度上抑制晶体气泡的产生,但其存在以下弊端,其一是直接接触式的机械搅拌器容易与高温熔体反应并形成杂质,这一定程度上会增加晶体气泡和其它缺陷的可能性,其二是在高温状态下机械搅拌较难控制,晶体生长过程中容易破坏固/液界面稳定性,这一定程度上液会增晶体气泡和其它缺陷的可能性。
实用新型内容
本实用新型主要是解决现有技术中所存在的技术问题,从而提供一种晶体质量好、无气泡、成品率高、适用于工业化生产的大尺寸晶体的生长装置。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
本实用新型提供的一种大尺寸晶体的生长装置,包括炉腔,所述炉腔中安装有坩埚,所述坩埚外层还包裹有保温层,所述坩埚与保温层之间设置有加热器,所述保温层与炉腔之间还设置有一圈低频电磁搅拌器和中频加热器,所述加热器与加热器电源连接,所述低频电磁搅拌器和中频加热器均与变频电源连接。
进一步地,所述加热器为石墨电阻加热器,所述低频电磁搅拌器和中频加热器为一体式结构的电磁加热线圈,所述炉腔侧壁上设置有碳毡保温层。
进一步地,所述加热器为钨电阻加热器,所述低频电磁搅拌器和中频加热器为一体式结构的电磁加热线圈,所述保温层为钨钼合金保温层。
进一步地,所述坩埚四周和底部均设置有所述钨电阻加热器。
进一步地,所述炉腔包括相互连接的上部炉腔和下部炉腔,所述上部炉腔上方安装有顶部炉腔,所述下部炉腔下部安装有底部炉腔。
进一步地,所述低频电磁搅拌器的搅拌频率为0.1~50HZ,所述中频加热器的搅拌加热频率为1000~10000HZ。
本实用新型的有益效果在于:在原料熔化阶段,若晶体固体原料或坩埚是导电型材料,在熔化阶段采用中频电磁感应加热。若晶体固体原料和坩埚是非导电型材料,采用电阻加热熔化晶体原料。
在熔体除气除杂静置阶段,若熔化后的原料为电导型熔体,采用电阻加热加低频电磁搅拌,熔体在高温、高真空和低粘度条件下进行强迫对流,使其溶解于熔体内部气体和杂质完全、快速排除,从而减少晶体生长过程中形成气泡等缺陷的可能性。熔体中的杂质、气体排净后,关闭低频电磁搅拌并静置一定时间,为后续长晶提供稳定温度和流动起始点。
在晶体生长阶段,在不影响晶体生长的固/液界面稳定性前提下采用电阻加热+低频电磁搅拌。
在退火和冷却阶段,采用电阻加热或电磁感应加热,将晶体温度下降到常温,最终获取无气泡、晶界及开裂的大尺寸晶体。
通过增加低频电磁搅拌器和中频加热器,生产的晶体质量好、无气泡、成品率高、适用于工业化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例一的大尺寸晶体的生长装置的结构示意图;
图2是本实用新型实施例二的大尺寸晶体的生长装置的结构示意图;
图3是本实用新型实施例三的大尺寸晶体的生长装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参阅图1至图3所示,本实用新型的一种大尺寸晶体的生长装置,包括炉腔1,炉腔1中安装有坩埚2,坩埚2外层还包裹有保温层3,坩埚2与保温层3之间设置有加热器4,保温层3与炉腔1之间还设置有一圈低频电磁搅拌器5和中频加热器6,加热器4与加热器电源7连接,低频电磁搅拌器5和中频加热器6均与变频电源8连接。优选的,低频电磁搅拌器5的搅拌频率为0.1~50HZ,中频加热器6的搅拌加热频率为1000~10000HZ。通过增加低频电磁搅拌器5和中频加热器6,生产的晶体质量好、无气泡、成品率高、适用于工业化生产。
为了方便拆装炉腔1,炉腔1包括相互连接的上部炉腔11和下部炉腔12,所述上部炉腔11上方安装有顶部炉腔13,所述下部炉腔12下部安装有底部炉腔14。
实施例一
增加中频加热和低频电磁搅拌的热交换法具体实施过程:
参阅图1所示,炉腔1内部通冷却水冷却,在坩埚2的底部放入籽晶,坩埚2底部有一个热交换器,通过热交换器对坩埚2底部的籽晶进行保护和长晶过程提供长晶驱动力,坩埚2四周的加热器4为石墨电阻加热器,石墨电阻加热器由加热器电源7电阻电源提供晶体生长的热量,加热器4四周和上下有碳毡保温层进行保温,低频电磁搅拌器5和中频加热器6为一体式结构的电磁加热线圈,其由变频电源8提供变频电源用于中频加热和低频电磁搅拌。
在原料熔化过程,晶体固体原料Al2O3和坩埚2是导电型材料,在该阶段采用1000HZ的电磁感应加热直至2050℃熔化。由于Al2O3熔体为导电型熔体,采用电阻加热和10HZ的低频电磁搅拌,熔体在高温、高真空(2mTorr)和低粘度条件下强迫对流5小时后,关停低频电磁搅拌,熔体静置2小时使内部温度稳定,为长晶做准备,在晶体生长阶段,采用电阻加热器加热和30HZ的低频电磁搅拌进行长晶。在退火和冷却阶段,采用电阻加热器进行加热。
实施例二
增加中频加热和低频电磁搅拌的泡生法具体实施过程:
参阅图2所示,炉腔1内部通冷却水冷却,原料放Al2O3放置于坩埚2内,通过侧壁钨电阻加热器和底部钨电阻加热器加热,电阻加热器由电阻电源提供晶体生长的热量,加热器4四周和上下有钨钼合金保温层进行反辐射保温,在保温层外围和炉腔壁之间安装电磁加热线圈,其由变频电源8提供变频电源用于中频加热和低频电磁搅拌。
在原料熔化过程,晶体固体原料Al2O3和坩埚2是导电型材料,在该阶段采用10000HZ的电磁感应加热直至2050℃熔化。由于Al2O3熔体为导电型熔体,采用电阻加热和0.1HZ的低频电磁搅拌,熔体在高温、高真空(0.1mTorr)和低粘度条件下强迫对流10小时后,关停低频电磁搅拌,熔体静置2小时使内部温度稳定,为长晶做准备。在晶体生长初期,将籽晶18由坩埚顶部缓慢放入坩埚熔体中进行旋转引晶,通过调节籽晶旋转和上升的速度将晶体放肩,待晶体足够大时籽晶停止旋转和上升,然后利用晶体和熔液表面自然对外辐射冷却驱动力使晶体生长,在整个长晶过程中采用电阻加热和20HZ低频电磁搅拌进行长晶。在退火和冷却阶段,采用电阻加热。
实施例三
增加中频加热和低频电磁搅拌的直拉单晶制造法具体实施过程:
参阅图3所示,炉腔1内部通冷却水冷却,原料放Si放置于坩埚2内,通过侧壁石墨电阻加热器进行加热,电阻加热器由电阻电源提供晶体生长的热量,加热器四周和上下有石墨碳毡保温层进行保温,在保温层外围和炉腔壁之间安装电磁加热线圈,其由变频电源8提供变频电源用于中频加热和低频电磁搅拌。
在原料熔化过程,晶体固体原料Si为导电材料和SiO2为非导电材料,在该阶段采用5000HZ的电磁感应加热直至1410℃左右熔化。由于Si熔体为导电型熔体,采用电阻加热和30HZ的低频电磁搅拌,熔体在高温、高真空(10mTorr)和低粘度条件下强迫对流15小时后,关停低频电磁搅拌,熔体静置5小时使内部温度稳定,为长晶做准备。在晶体生长初期,将籽晶32由坩埚顶部缓慢放入坩埚熔体中进行旋转引晶,通过调节籽晶旋转和上升的速度将晶体放肩,待晶体达到所需直径后保持旋转和上升速度进行等径生长,最后加大籽晶的旋转和上升速度进行最后的收肩,在整个长晶过程中采用电阻加热和40HZ低频电磁搅拌进行长晶。在退火和冷却阶段,采用电阻加热。
以上,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种大尺寸晶体的生长装置,包括炉腔(1),其特征在于:所述炉腔(1)中安装有坩埚(2),所述坩埚(2)外层还包裹有保温层(3),所述坩埚(2)与保温层(3)之间设置有加热器(4),所述保温层(3)与炉腔(1)之间还设置有一圈低频电磁搅拌器(5)和中频加热器(6),所述加热器(4)与加热器电源(7)连接,所述低频电磁搅拌器(5)和中频加热器(6)均与变频电源(8)连接。
2.如权利要求1所述的大尺寸晶体的生长装置,其特征在于:所述加热器(4)为石墨电阻加热器,所述低频电磁搅拌器(5)和中频加热器(6)为一体式结构的电磁加热线圈,所述炉腔(1)侧壁上设置有碳毡保温层。
3.如权利要求1所述的大尺寸晶体的生长装置,其特征在于:所述加热器(4)为钨电阻加热器,所述低频电磁搅拌器(5)和中频加热器(6)为一体式结构的电磁加热线圈,所述保温层(3)为钨钼合金保温层。
4.如权利要求3所述的大尺寸晶体的生长装置,其特征在于:所述坩埚(2)四周和底部均设置有所述钨电阻加热器。
5.如权利要求1至4任一项所述的大尺寸晶体的生长装置,其特征在于:所述炉腔(1)包括相互连接的上部炉腔(11)和下部炉腔(12),所述上部炉腔(11)上方安装有顶部炉腔(13),所述下部炉腔(12)下部安装有底部炉腔(14)。
6.如权利要求1至4任一项所述的大尺寸晶体的生长装置,其特征在于:所述低频电磁搅拌器(5)的搅拌频率为0.1~50HZ,所述中频加热器(6)的搅拌加热频率为1000~10000HZ。
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CN201620243625.5U CN205501448U (zh) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 一种大尺寸晶体的生长装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107421328A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-12-01 | 石家庄爱迪尔电气有限公司 | 加热与搅拌互锁型电磁翻腾搅拌炉 |
CN108441937A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-08-24 | 同济大学 | 自带熔体搅拌功能的晶体生长装置 |
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2016
- 2016-03-28 CN CN201620243625.5U patent/CN205501448U/zh active Active
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