CN205248258U - 一种igbt单管 - Google Patents

一种igbt单管 Download PDF

Info

Publication number
CN205248258U
CN205248258U CN201520648483.6U CN201520648483U CN205248258U CN 205248258 U CN205248258 U CN 205248258U CN 201520648483 U CN201520648483 U CN 201520648483U CN 205248258 U CN205248258 U CN 205248258U
Authority
CN
China
Prior art keywords
single tube
igbt
igbt single
fin
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520648483.6U
Other languages
English (en)
Inventor
李向坤
刘传利
刘星义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KEDA SEMICONDUCTOR CO Ltd
Original Assignee
KEDA SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KEDA SEMICONDUCTOR CO Ltd filed Critical KEDA SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority to CN201520648483.6U priority Critical patent/CN205248258U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205248258U publication Critical patent/CN205248258U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本申请公开了一种IGBT单管,包括IGBT单管本体,所述IGBT单管本体上设置有散热片,所述散热片上固定有导热绝缘垫片。本申请提供的上述IGBT单管,在IGBT单管本体的散热片上固定有导热绝缘垫片,导热绝缘性能好,且降低人工粘贴带来的高压击穿的风险。

Description

一种IGBT单管
技术领域
本实用新型涉及工业控制设备制造技术领域,更具体地说,涉及一种IGBT单管。
背景技术
IGBT单管(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型功率管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低,在工业控制领域中,尤其是变频器领域内,被广泛用作开关器件。
现有技术中的IGBT单管产品的背面裸露铜片,终端客户在使用该产品前,就必须在产品背面与散热器之间人工粘贴绝缘材料。
但是,上述IGBT单管产品具有如下缺点:由于人工粘贴的一致性较差,且粘贴过程容易引入颗粒杂质,因此极易造成IGBT单管背面因高压击穿而失效。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种IGBT单管,在IGBT单管本体的散热片上固定有导热绝缘垫片,导热绝缘性能好,且降低人工粘贴带来的高压击穿的风险。
本实用新型提供的一种IGBT单管,包括IGBT单管本体,所述IGBT单管本体上设置有散热片,所述散热片上固定有导热绝缘垫片。
优选的,在上述IGBT单管中,所述导热绝缘垫片为陶瓷垫片。
优选的,在上述IGBT单管中,所述陶瓷垫片和所述散热片之间通过陶瓷胶固定。
优选的,在上述IGBT单管中,所述散热片为铜片。
优选的,在上述IGBT单管中,所述IGBT本体还包括IGBT芯片,所述IGBT芯片与所述铜片通过锡膏固定。
优选的,在上述IGBT单管中,所述IGBT本体还包括设置于所述IGBT芯片的外周部的塑封胶。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的IGBT单管,由于在IGBT单管本体的散热片上固定有导热绝缘垫片,导热绝缘性能好,且用户可以直接使用,无需人工粘贴导热绝缘垫片,降低了IGBT单管的高压击穿的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种IGBT单管的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本申请实施例提供的一种IGBT单管如图1所示,图1为本申请实施例提供的一种IGBT单管的示意图。该IGBT单管本体包括IGBT单管本体,所述IGBT单管本体上设置有散热片1,所述散热片1上固定有导热绝缘垫片2。
需要说明的是,上述IGBT本体以及设置于其上的散热片1与现有技术中的IGBT单管一致,在现有技术中,当终端客户需要用到这种IGBT单管时,必须利用人工方法在散热片1上贴导热绝缘垫片,从而使单管与外部的散热铝片绝缘式的接触,但人工粘贴的方式一致性较差,且易引入颗粒杂质,极易造成IGBT单管背面高压击穿。而为了解决上述问题,本申请实施例提供了上述IGBT单管,在生产时,直接采用机器粘贴的方式,将导热绝缘垫片2固定在散热片1上,这种机器粘贴的方式一致性好,效率高;将这种一体化的产品交给客户后,客户直接就能使用,避免了人工粘贴的繁琐和不一致,且降低了引入颗粒杂质带来的击穿风险。
为了提高垫片的性能,可以将所述导热绝缘垫片设置为陶瓷垫片,这种陶瓷垫片既能导热,有效的将IGBT单管本体产生的热量及时导出到外部,避免IGBT单管过热,又起到绝缘的作用,使IGBT单管本体和外部的散热铝片之间的绝缘性能更好。
进一步的,为了增强上述陶瓷垫片和上述散热片1之间的牢固性,一种优选方案是:所述陶瓷垫片和所述散热片1之间通过陶瓷胶3固定,这种陶瓷胶是专门针对陶瓷的粘贴所设计的,能够使陶瓷垫片永久牢固的与散热片1进行粘贴。
可选的,所述散热片1为铜片。铜片的具有导热率高的特点,将其作为散热片,就能够增强IGBT单管本体的散热性能,避免过热,当然,这里需要说明的是,该散热片1也并不仅限于铜片,其他任何能够起到散热作用的介质片均可用做本申请实施例提供的IGBT单管中的散热片。
继续参考图1,所述IGBT本体还包括IGBT芯片4,所述IGBT芯片4与所述铜片通过锡膏5固定。也就是说,利用锡膏将IGBT芯片固定在铜片上,锡膏也具有良好的散热性能,因此这种优选方案更有利于IGBT芯片的散热,具有较好的有益效果,当然这里也并不是将粘贴物质限制为锡膏,其他任意具有良好散热性能的物质均可以应用到本实施例中。
另外,为了避免芯片暴露在外部,所述IGBT本体还包括设置于所述IGBT芯片4的外周部的塑封胶6。这种塑封胶6将IGBT芯片完全包围,使芯片不与空气接触,从而保证IGBT芯片运行环境的稳定,也保证了该IGBT单管整体的安全性能。
本申请实施例提供的IGBT单管在制造时,先对IGBT单管的管脚实施防静电保护措施,再在散热片表面涂胶,检验涂胶的质量,然后将导热绝缘垫片粘贴在散热片上,对粘贴质量进行抽检,烘烤,使粘贴牢固,最后对粘贴的力度进行测试,确保牢固性,还要对IGBT单管进行必要的性能测试和外观检查,确保最终得到的产品符合规范,包装入库。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种IGBT单管,包括IGBT单管本体,所述IGBT单管本体上设置有散热片,其特征在于,所述散热片上固定有导热绝缘垫片。
2.根据权利要求1所述的IGBT单管,其特征在于,所述导热绝缘垫片为陶瓷垫片。
3.根据权利要求2所述的IGBT单管,其特征在于,所述陶瓷垫片和所述散热片之间通过陶瓷胶固定。
4.根据权利要求1-3任一项所述的IGBT单管,其特征在于,所述散热片为铜片。
5.根据权利要求4所述的IGBT单管,其特征在于,所述IGBT本体还包括IGBT芯片,所述IGBT芯片与所述铜片通过锡膏固定。
6.根据权利要求5所述的IGBT单管,其特征在于,所述IGBT本体还包括设置于所述IGBT芯片的外周部的塑封胶。
CN201520648483.6U 2015-08-25 2015-08-25 一种igbt单管 Active CN205248258U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520648483.6U CN205248258U (zh) 2015-08-25 2015-08-25 一种igbt单管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520648483.6U CN205248258U (zh) 2015-08-25 2015-08-25 一种igbt单管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205248258U true CN205248258U (zh) 2016-05-18

Family

ID=55947337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520648483.6U Active CN205248258U (zh) 2015-08-25 2015-08-25 一种igbt单管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205248258U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211937A (zh) * 2019-07-01 2019-09-06 深圳市红邦半导体有限公司 一种双面散热半导体igbt管

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211937A (zh) * 2019-07-01 2019-09-06 深圳市红邦半导体有限公司 一种双面散热半导体igbt管

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207150855U (zh) 一种高性能复合加热膜
CN205248258U (zh) 一种igbt单管
CN108428682B (zh) 一种功率模组及其制备方法
CN103956637B (zh) 一种高频率BSCCO‑THz源
CN206293593U (zh) 一种250W功率18GHz固定衰减器
CN203746840U (zh) 一种大功率半桥模块
CN204315508U (zh) 一种高加热效率的行波管电子枪芯
CN204680661U (zh) Igbt芯片散热包围模块
CN109911893B (zh) 导热人工石墨垫片的制备方法
CN207690806U (zh) 一种太阳能电池板
CN209880590U (zh) 一种双面散热半导体igbt管
CN209249223U (zh) 一种大功率金刚石电阻
CN204857732U (zh) 一种mos场效晶体管
CN102856265A (zh) 一种具有弧形凸起的igbt模块用底板
CN206163472U (zh) 一种绝缘栅双极型晶体管
CN105448900B (zh) 一种高频低压降功率半导体模块
CN207150856U (zh) 一种高性能复合加热膜
CN210694391U (zh) 一种无接触绝缘石墨烯空气电加热器
CN109427713A (zh) 一种压接型igbt阀的同管径均压结构
CN106449616B (zh) 一种大功率射频模块及其制作方法
CN207116649U (zh) 一种衰减器
CN204376136U (zh) 一种同轴固定负载
CN203596351U (zh) 一种led-cob光源
CN103647006B (zh) 一种led-cob光源及其制备方法
CN208368703U (zh) 一种室内型阶跃式回传衰减器

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant