CN106449616B - 一种大功率射频模块及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种大功率射频模块,包括基板,其特征在于,基板上设有电路板,电路板上设有四个场效应管芯,场效应管芯与电路板连接,电路板上设有两个源极接口、一个漏极接口、和一个栅极接口,分别与场效应管芯的对应极(源极、漏极、栅极)相连,源极接口、漏极接口、栅极接口上均设有镀银铜焊接片;电路板上设有盖板,盖板与电路板之间设有硅胶层;盖板上设有四个插槽,四个镀银铜焊接片通过插槽穿过盖板,并向盖板中部弯折;镀银铜焊接片顶部设有圆孔,盖板中部与圆孔对应的位置设有四个螺丝孔。

Description

一种大功率射频模块及其制作方法
技术领域
本发明属于电子领域,涉及一种大功率射频模块及其制作方法。
背景技术
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
目前,在射频电源领域、广播电视发射领域等,所使用的场效应射频功率放大器件,都是已经封装好的场效应模块,厂家有:NXP、Freescale、Microsemi、IXYS等。在生产中必须使电路能够符合模块参数的要求,会造成设计上的不便;或者挑选出能够适用于电路的模块,但这样就会受制于人。因此需要设计一种新型的适用性好的大功率射频模块。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型射频大功率模块,可以简化射频功率放大电路。本发明是采用如下技术方案实现的:
一种大功率射频模块,包括基板,其特征在于,基板上设有电路板,电路板上设有四个场效应管芯,场效应管芯与电路板连接,电路板上设有两个源极接口、一个漏极接口、和一个栅极接口,分别与场效应管芯的对应极(源极、漏极、栅极)相连,源极接口、漏极接口、栅极接口上均设有镀银铜焊接片;电路板上设有盖板,盖板与电路板之间设有硅胶层;盖板上设有四个插槽,四个镀银铜焊接片通过插槽穿过盖板,并向盖板中部弯折;镀银铜焊接片顶部设有圆孔,盖板中部与圆孔对应的位置设有四个螺丝孔。
进一步的改进,所述电路板包括氮化铝大电路板,氮化铝大电路板上设有大面积铜箔;氮化铝大电路板上焊接有氧化铍小电路板。
进一步的改进,源极接口、漏极接口、栅极接口位于氮化铝大电路边缘位置。
进一步的改进,所述基板为铜基板,铜基板上设有凹槽,电路板设在凹槽内;所述氧化铍小电路板位于氮化铝大电路板中央,四个场效应管位于氧化铍小电路板两侧。
进一步的改进,所述场效应管芯为APT6060DN。
进一步的改进,所述场效应管芯通过铝线与电路板连接(管芯的栅极与电路板的栅极相连,管芯的源极与电路板的源极相连),其中场效应管芯的栅极采用直径100um的铝线连接电路板,管芯的源极采用直径200um的铝线连接电路板,管芯的背面是漏极,焊在电路板上面,板上面的大面积铜箔作为电路板的漏极。
进一步的改进,其特征在于,所述硅胶层为527硅胶。
一种大功率射频模块的制作方法,包括以下步骤:
步骤一)将电路板焊接在基板上(氧化铍小陶瓷板焊接在氮化铝大陶瓷板上面,大陶瓷板焊接在铜基板上);
步骤二)将四个场效应管芯焊接在电路板上,使用铝线将四个场效应管芯的各极与电路板的各极连接;
步骤三)将镀银铜焊接片焊接在电路板的源极接口、漏极接口和栅极接口上;
步骤四)在盖板下部边缘位置涂上粘合剂,再将盖板粘合在电路板上,使镀银铜焊接片穿过盖板上的插槽;
步骤五)在加热台上烘干粘合剂,再通过盖板上的螺丝孔注入硅胶;
步骤六)将四个镀银铜焊接片向盖板中部弯折,使镀银铜焊接片上的圆孔与盖板上的螺丝孔对齐。
进一步的改进,粘合剂为Q3-6611粘合剂。
进一步的改进,所述步制作方法还包括步骤七),使用电流表、电压表和10千欧电位器检测大功率射频模块:
将大功率射频模块的源极接口接地,漏极接口连接电流表一端,电流表另一端连接10V电源;大功率射频模块的栅极接口连接电压表的一端,电压表的另一端接地;大功率射频模块的栅极还连接有500欧电阻,500欧电阻连接电位器的一个接口,电位器的另两个接口分别连10V电源和接地;
调节10千欧电位器使电流表的读数为1mA,此时电压表为2V~4V的即为合格产品。
本发明的有益效果是:
本发明公开了一种稳定可靠的大功率射频模块,多了一种射频大功率放大模块的选择,可以使用在射频电源、广播电视发射等设备之中;本发明中的模块适用性好,可以灵活的设计模块两端的电路;目前的场效应模块的厂家,都是国外的公司与企业。本专利实现了大功率模块的国产化,也为射频大功率放大模块的国产化,提供了相关经验与摸索的过程;符合国家产业发展的需要。
附图说明
图1为本发明的大功率射频模块的电路图;
图2为本发明的铜基板、氮化铝大电路板和氧化铍小电路板的安装示意图;
图3为本发明的场效应管安装示意图;
图4为本发明镀银铜焊接片、盖板安装示意图;
图5为本发明剖面图;
图6为检测电路图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图2、图5所示的一种大功率射频模块,包括铜基板1,铜基板上设有凹槽,凹槽内设有氮化铝大电路板2,氮化铝大电路板2上焊接有氧化铍小电路板3。氮化铝大电路板2上设有两个源极接口21、一个漏极接口23、和一个栅极接口22。源极接口21、漏极接口23、栅极接口22位于氮化铝大电路边缘位置。其中两个源极接口21位于电路板的同一边上。漏极接口23和栅极接口22位于另一边上。
如图3所示:氮化铝大电路板2设有四个场效应管芯4,氮化铝大电路板2上设有大面积铜箔,用于焊接场效应管芯的漏极。氧化铍小电路板3位于氮化铝大电路板2中央,四个场效应管芯4位于氧化铍小电路板3两侧。场效应管芯4与两电路板连接,其形成的电路如图1所示(Q1、Q2、Q3、Q4表示4个场效应管,S表示源极接口,D表示漏极接口,G表示栅极接口)。
如图4所示:源极接口21、漏极接口23、栅极接口22上均设有镀银铜焊接片5;电路板上设有盖板6,盖板6与电路板之间设有硅胶层,盖板顶部中央设有用于注入硅胶的通孔8;盖板上设有四个插槽,四个镀银铜焊接片5通过插槽穿过盖板6,并向盖板6中部弯折;镀银铜焊接片顶部设有圆孔,盖板6中部与圆孔对应的位置设有四个螺丝孔7。
进一步的改进:所述场效应管芯为APT6060DN。管芯的栅极与电路板的栅极相连,管芯的源极与电路板的源极相连,其中场效应管芯的栅极采用直径100um的铝线连接电路板,管芯的源极采用直径200um的铝线连接电路板,管芯的背面是漏极,焊在电路板上面,板上面的大面积铜箔作为电路板的漏极。所述硅胶层为527硅胶。
如图2-5所示,该大功率射频模块的制作方法包括以下步骤:
步骤一)将电路板焊接在基板1上(氧化铍小陶瓷板3焊接在氮化铝大陶瓷板2上面,大陶瓷板2焊接在铜基板1上);
步骤二)将四个场效应管芯4焊接在电路板上,使用铝线将四个场效应管4的栅极、源极与电路板连接,管芯漏极焊接在大面积铝箔上。
步骤三)将镀银铜焊接片5焊接在电路板的源极接口21、漏极接口23和栅极接口22上;
步骤四)在盖板6下部边缘位置涂上Q3-6611粘合剂,再将盖板粘合在电路板上,使镀银铜焊接片穿过盖板上的插槽;
步骤五)在加热台上烘干粘合剂,再通过盖板6上面中间位置的通孔8注入硅胶,再在加热台上面烘硅胶半小时(温度150℃);
步骤六)将四个镀银铜焊接片5向盖板6中部弯折,使镀银铜焊接片5上的圆孔与盖板上的螺丝孔7对齐。镀银铜焊接片5和螺丝孔6构成模块各极的接口,即得到产品。
动态测试
可以使用电流表、电压表和10千欧电位器检测大功率射频模块,判断其是否合格,检测方法为:
如图6所示,将大功率射频模块的源极接口接地,漏极接口连接电流表一端,电流表另一端连接10V电源;大功率射频模块的栅极接口连接电压表的一端,电压表的另一端接地;大功率射频模块的栅极还连接有500欧电阻,500欧电阻连接电位器的一个接口,电位器的另两个接口分别连10V电源和接地;
调节10千欧电位器使电流表的读数为1mA,此时电压表为2V~4V的即为合格产品。
静态测试
用Fluke 177C万用表,测试模块的几个参数,大致数据范围如下:
Rsd(模块源极与漏极之间的电阻)为250 kΩ~ 320 kΩ, Rds(模块漏极与源极之间的电阻)为0.2Ω~0.3Ω,Vsd(模块源极与漏极之间的保护二极管电压)为0.4V ~0.6V。测试Rds时,需要先给栅极充电才行。
工作动态测试:
将模块安装在射频电源设备里面,进行实际测试。使用本专利的功率模块两个,产生500W/1000W/1500W功率时的相关指标如下:
500W时,电压276V,电流3.2A,功率放大的效率56.6%
1000W时,电压274V,电流5.1A,功率放大的效率71.6%
1500W时,电压276V,电流7.2A,功率放大的效率75.5%
经过一年多的使用,本大功率射频放大模块工作稳定、性能可靠。

Claims (7)

1.一种大功率射频模块,包括基板,其特征在于,基板上设有电路板,电路板上设有四个场效应管,场效应管与电路板连接,电路板上设有两个源极接口、一个漏极接口和一个栅极接口;源极接口、漏极接口和栅极接口上均设有镀银铜焊接片;电路板上设有盖板,盖板与电路板之间设有硅胶层;盖板上设有四个插槽,四个镀银铜焊接片通过插槽穿过盖板,并向盖板中部弯折;镀银铜焊接片顶部设有圆孔,盖板中部与圆孔对应的位置设有四个螺丝孔;所述电路板包括氮化铝大电路板,氮化铝大电路板上焊接有氧化铍小电路板;源极接口、漏极接口、栅极接口位于氮化铝大电路边缘位置;所述基板为铜基板,铜基板上设有凹槽,电路板设在凹槽内;所述氧化铍小电路板位于氮化铝大电路板中央,四个场效应管位于氧化铍小电路板两侧。
2.如权利要求1所述的一种大功率射频模块,其特征在于,所述场效应管为APT6060DN场效应管。
3.如权利要求1所述的一种大功率射频模块,其特征在于,所述场效应管通过铝线与电路板连接,其中场效应管的栅极采用直径200um的铝线连接电路板,源极和漏极采用直径100um的铝线连接电路板。
4.如权利要求1-3任一所述的一种大功率射频模块,其特征在于,所述硅胶层为527硅胶。
5.一种如权利要求1所述的大功率射频模块的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一)将电路板焊接在基板上;
步骤二)将四个场效应管固定在电路板上,使用铝线将四个场效应管的各极与电路板连接,
步骤三)将镀银铜焊接片焊接在电路板的源极接口、漏极接口和栅极接口上;
步骤四)在盖板下部边缘位置涂上粘合剂,再将盖板粘合在电路板上,使镀银铜焊接片穿过盖板上的插槽;
步骤五)在加热台上烘干粘合剂,再通过盖板上的螺丝孔注入硅胶;
步骤六)将四个镀银铜焊接片向盖板中部弯折,使镀银铜焊接片上的圆孔与盖板上的螺丝孔对齐。
6.如权利要求5所述的大功率射频模块的制作方法,其特征在于,所述步骤四)中,粘合剂为Q3-6611粘合剂。
7.如权利要求5所述的大功率射频模块的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括步骤七),使用电流表、电压表和10千欧电位器检测大功率射频模块:
将大功率射频模块的源极接口接地,漏极接口连接电流表一端,电流表另一端连接10V电源;大功率射频模块的栅极接口连接电压表的一端,电压表的另一端接地;大功率射频模块的栅极还连接有500欧电阻,500欧电阻连接电位器的一个接口,电位器的另两个接口分别连10V电源和接地;
调节10千欧电位器使电流表的读数为1mA,此时电压表为2V~4V的即为合格产品。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111415873A (zh) * 2020-03-30 2020-07-14 鑫金微半导体(深圳)有限公司 一种场效应管晶圆的表面处理和分立成品元件或大功率模块电路中单元电路加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1828889A (zh) * 2006-02-17 2006-09-06 陈兴忠 超快恢复二极管模块
CN104425399A (zh) * 2013-09-05 2015-03-18 富士电机株式会社 半导体模块

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11126842A (ja) * 1997-10-22 1999-05-11 Toshiba Corp 半導体装置
JP5113815B2 (ja) * 2009-09-18 2013-01-09 株式会社東芝 パワーモジュール
CN104218018B (zh) * 2014-08-26 2017-08-29 深圳三星通信技术研究有限公司 一种射频功放模块及其组装方法、射频模块、基站

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1828889A (zh) * 2006-02-17 2006-09-06 陈兴忠 超快恢复二极管模块
CN104425399A (zh) * 2013-09-05 2015-03-18 富士电机株式会社 半导体模块

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